JP5891616B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は本発明の実施形態に係る半導体装置100に含まれる半導体モジュール1の断面図である。本実施形態における半導体装置100は、例えば、自動車に搭載される三相電圧型PMW(Pulse Width Modulation)インバータ等の電力変換装置(電力制御装置)に組み込まれる装置である。
図6は、発明の他の実施形態に係る半導体装置100の断面図である。本例では上述した第1実施形態に対して、冷却器2の表面に凹部201、202を設ける点が異なる。これ以外の構成は上述した第1実施形態と同じであるため、その記載を適宜、援用する。
図8は、発明の他の実施形態に係る半導体装置100の断面図である。本例では上述した第1実施形態に対して、樹脂部17に凹部171を設ける点が異なる。これ以外の構成は上述した第1実施形態と同じであるため、その記載を適宜、援用する。
図9は、発明の他の実施形態に係る半導体装置100の断面図である。本例では上述した第3実施形態に対して、樹脂部17と対向する、冷却器2の表面に凹部202を設ける点が異なる。これ以外の構成は上述した第3実施形態と同じであるため、その記載を適宜、援用する。
図11は、発明の他の実施形態に係る半導体装置100の断面図である。本例では上述した第2実施形態に対して、第1の接続部141及び第2の接続部151に、凹部143及び凹部153をそれぞれ設ける点が異なる。これ以外の構成は上述した第2実施形態と同じであるため、その記載を適宜、援用する。
図12a〜図12cは、発明の他の実施形態に係る半導体装置100に含まれる半導体モジュール1を示す図である。本例では上述した第1実施形態に対して、凹部161を、一本の溝により形成している点が異なる。これ以外の構成は上述した第1実施形態と同じであるため、その記載を適宜、援用する。図12aは半導体モジュールの斜視図を、図12bは図12aのA−A線に沿う断面図を、図12cは半導体モジュールの平面図である。
1…半導体モジュール
11…半導体素子
12…第1のはんだ接続部
13…第2のはんだ接続部
14…第1の導電板
141…第1の接続部
142…第1の導出部
143…凹部
15…第2の導電板
151…第2の接続部
152…第2の導出部
153…凹部
16…モールド部
161…凹部
17…樹脂部
171…凹部
2…冷却器
2a、2b…冷却器
21…当接面
22…収容部
201、202…凹部
3、3a、3b…放熱グリース
Claims (4)
- 半導体モジュールと、
前記半導体モジュールの表面に設けられ、前記半導体モジュールを冷却する冷却器と、
前記半導体モジュールと前記冷却器との間に設けられ、熱伝導性を有する放熱グリースとを備えた半導体装置であって、
前記放熱グリースが設けられた領域の外側で、前記冷却器と対向する前記半導体モジュールの表面、又は、前記半導体モジュールと対向する前記冷却器の表面の少なくとも一方の表面に、凹部が形成されており、
前記凹部は、
前記半導体装置の製造後の初期状態において、前記放熱グリースが設けられた所定の領域の外周に前記放熱グリースと当接しないよう形成されており、かつ、
前記放熱グリースを前記所定の領域内に留めることで、前記初期状態より後に発生する前記放熱グリースのポンプアウト現象を抑制する
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体モジュールは、
半導体素子と、前記半導体素子の表面に設けられた金属体と、前記金属体の外周に、かつ、前記冷却器の表面と対向する位置に設けられた樹脂部とを有し、
前記凹部は、前記冷却器と対向する前記樹脂部の表面に形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記半導体モジュールは、
半導体素子と、前記半導体素子の表面に設けられた金属体と、前記金属体の外周に、かつ、前記冷却器の表面と対向する位置に設けられた樹脂部とを有し、
前記凹部は、前記冷却器の表面のうち前記樹脂部と対向する部分に形成されている
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記凹部は、前記所定の領域の外周を囲う、少なくとも一本の溝により形成されている
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
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