JP2008042074A - 半導体装置及び電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】主面電極同士が電気的に同電位の第1半導体素子11及び第2半導体素子12と、第1電力基板13を介して第1半導体素子11を積層した第1放熱器15と、第1電力基板13と主面同士を対向配置して接合した第2電力基板14を介して第2半導体素子12を積層した第2放熱器16と、第1半導体素子11と第1半導体素子11に対向配置した第2半導体素子12との間に積層され、第2半導体素子12の主面電極に高熱伝導性材料20で接合した第1上面電極19とを有する。
【選択図】図1
Description
図7は、従来の半導体装置の構成を示す断面説明図である。図7に示すように、半導体装置1は、下側半導体素子2と上側半導体素子3を積層して形成する。下側半導体素子2を、両側に金属パターンを有する絶縁基板4を介して冷却器5aに実装する。この下側半導体素子2は、はんだ6aによって絶縁基板4に実装される。また、上側半導体素子3も、両側に金属パターンを有する絶縁基板7を介して冷却器5bに実装する。この上側半導体素子3は、はんだ6bによって絶縁基板7に実装される。
この従来の半導体装置1は、下側半導体素子2と上側半導体素子3共に表裏面に冷却器5a,5bを有するため、冷却性能が高くなり、それにより温度上昇を抑えるとしている。また、両半導体素子2,3を積層しているので、半導体素子の実装密度を向上させて設置面積を縮小することができるとしている。
この発明の目的は、装置全体が厚くならないようにして装置が大型化するのを防止した、複数の半導体素子が積層された半導体装置及び電力変換装置を提供することである。
また、この発明に係る半導体装置により、電力変換装置を実現することができる。
(第1実施の形態)
図1は、この発明の第1実施の形態に係る電力変換装置の断面構造を示す説明図である。図1に示すように、電力変換装置(半導体装置)10は、第1半導体素子11と第2半導体素子12の複数の半導体素子と共に、第1電力基板(基板)13と第2電力基板(基板)14、第1放熱器15と第2放熱器16を有している。第2電力基板14は、一端側主面(表面)が段差面となるように屈曲して形成されており、第1電力基板13の一端側主面上に第2電力基板14の一端側主面を重ねて接続することにより、第2電力基板14は、第1電力基板13の上方に離間して位置する。
先ず、第1半導体素子11を第1電力基板13の主面上に実装すると共に、第2半導体素子12を第2電力基板14の主面上に実装する。そして、第1電力基板13を、第1放熱器15に、直接、又は絶縁領域17或いはベースプレート(図示しない)を介して実装する。同様に、第2電力基板14を、第2放熱器16に、直接、又は絶縁領域18或いはベースプレート(図示しない)を介して実装する。
次に、第1半導体素子11の主面電極と第2半導体素子12の主面電極が対向するように、第1電力基板13の主面上に第2電力基板14の主面を向かい合わせにして近接配置する。これにより、第1電力基板13と第2電力基板14は、それぞれの主面を対向させると共に各主面の間に空間を有することになる。
この電力変換装置10は、第1半導体素子11を絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(Insulated Gate Bipolar Transistor:IGBT)とし、第2半導体素子12を高速整流ダイオード(Fast Recovery Diodes:FRD)とすることにより、スイッチ回路を形成する。
IGBT25(第1半導体素子11)の主面電極とFRD26(第2半導体素子12)の主面電極を、電気的に接続すると共に、IGBT25の裏面電極とFRD26の裏面電極を、電気的に接続する。これらの接続により、スイッチ回路22を形成する。そして、このスイッチ回路22を複数個直列乃至並列に接続することにより、3相インバータ回路23を形成する。
上記構成を有する電力変換装置10は、以下の効果を得ることができる。
これにより、第1半導体素子11の温度上昇を顕著に抑えることができると共に、第2半導体素子12についても同様に温度上昇を顕著に抑制することができる。
また、両半導体素子11,12の主面電極の間、つまり、第1半導体素子11の第1上面電極19と第2半導体素子12の主面電極を接合する高熱伝導性材料20も絶縁体である必要が無い。このため、一般に、電気伝導性を有する接合材料は、絶縁性を有する接合材料よりも熱伝導性が良く、更に、絶縁性を必要としないので、薄くして熱抵抗を下げることができる。
また、熱結合部分は、高熱伝導性材料20である、例えば、銀ペースト等の導電性接着剤を用いているので、はんだ付けによる接合後は金属応力緩和不能であったのに対し、応力緩和が可能になる。
本構成では、第1半導体素子11の主面側に対向して第2半導体素子12を載せる構成を有している。ここで、単純に両半導体素子11,12を対向して接合させようとすると、これら半導体素子11,12がそれぞれ複数ある場合、第1半導体素子11に対して第2半導体素子12を固定する部分の形状精度によって、両半導体素子11,12の主面電極間隔がばらつく懸念がある。この場合でも、本構成では、高熱伝導性材料からなる高熱伝導性材料20の潰れによって寸法ばらつきを吸収した後に、硬化させ接合することが可能である。
なお、各半導体素子(11,12)と放熱器(15,16)との間の熱結合は、従来通り、半導体素子の裏面側を絶縁領域17,18或いはベースプレートを介して実装する。この熱結合を、十分に低い熱抵抗で確実に行なうことは困難では無い。
電力変換器として、例えば、3相インバータ回路23を例に挙げると、電力変換を行なうスイッチ回路22は、IGBT25に高速整流ダイオード(Fast Recovery Diodes:FRD)26が並列接続されている構成が一般的である。
第1に、製造工程が更に容易になる。即ち、導電性接着剤は、塗布後に熱硬化処理を行なえばよいので、本構成のような複数の部品を積層する構造であっても、常温で導電性接着剤を塗布し、その後、熱硬化をすれば、容易に形成することができる。
また、電力変換装置10の第1半導体素子11を絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)とし、第2半導体素子12をダイオードとすることにより、スイッチ回路を形成する構成とすることにより、以下の効果を得ることができる。
(第2実施の形態)
上記構成を有する電力変換装置30は、第1実施の形態の電力変換装置10の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
また、高熱伝導性材料20は、必ずしも大電流を流すことに適さない場合もあるが、本構成では、このような場合でも大電流を確実に流せる電気的接続を、各上面電極19,31で確実、且つ、容易に行うことができる。なお、両上面電極19,31間の熱結合は、高熱伝導性材料20でもって行なえば良い。
第2に、各上面電極19,31が、各半導体素子11,12で生じた熱を上面側に伝熱する際にヒートスプレッダとして機能する。即ち、高熱伝導性材料20の熱抵抗は、金属の値ほど低くない場合が多いが、本構成では、熱が高熱伝導性材料20に達する前に、低熱抵抗の金属からなる各上面電極19,31でヒートスプレッドすることができる。よって、この高熱伝導性材料20部分での温度勾配を、更に低減することができ、各半導体素子11,12の温度をより一層、且つ、容易に低減することができる。
(第3実施の形態)
上記構成を有する電力変換装置35は、第2実施の形態の電力変換装置30の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
ここで、例えば、電力変換装置35が、電動自動車用の3相インバータ回路23とすると、この3相インバータ回路23が特に過大な発熱をするのは、電動自動車の発進時等の短時間に限られる可能性が高い。この際、本構成では熱容量を大きくすることができるので、短時間大発熱での温度上昇も効果的に抑制することができる。
なお、各上面電極36,38に設けた凹部に金属体37を配置するので、この凹部が金属体37の位置合わせ機能を有する。このため、金属体37を容易に配置することができる。
また、各半導体素子11,12の主面電極又は各上面電極36,38と、各配線電極39,40の電気的な接続が容易になる。即ち、各半導体素子11,12の主面電極又は各上面電極36,38と、各配線電極39,40の高さが同じにならない場合もあるが、この場合、各上面電極36,38の端部を曲げて各配線電極39,40に直接接合しようとしても、曲げ加工精度や接合方法の問題で必ずしも円滑に接続できるわけではない。本構成では、異なる高さの電極間の接続はボンディングワイヤ41によるワイヤボンディングで行うので、容易に接続することができる。
(第4実施の形態)
上記構成を有する電力変換装置45は、第3実施の形態の電力変換装置35の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
なお、第3実施の形態の電力変換装置35における第1及び第2の効果は、同様に得ることができる。また、各上面電極36,38自体は、各半導体素子11,12から外側に張り出した形状であるので、電力変換装置35における第3の効果と同様に、高熱伝導性材料20の溢れによる各半導体素子11,12の主面側電極と裏面側電極の短絡を防止することができる。
(第5実施の形態)
上記構成を有する電力変換装置50は、第1〜3実施の形態の電力変換装置の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
また、各実施の形態は、電力変換回路について説明したが、電力変換回路に限らず、スイッチング電源回路、Hブリッジ回路等にも適用することができる。
11 第1半導体素子
12 第2半導体素子
13 第1電力基板
14 第2電力基板
15 第1放熱器
16 第2放熱器
17,18 絶縁領域
19,36,46 第1上面電極
20 高熱伝導性材料
21 はんだ
22 スイッチ回路
23 3相インバータ回路
24 電動機
25 IGBT
26 FRD
27 平滑コンデンサ
28 電源
31,38,47 第2上面電極
37 金属体
39 第1配線電極
40 第2配線電極
41,54 ボンディングワイヤ
42 第1絶縁層
43 第2絶縁層
46a 凸部
51,52 絶縁枠
53 ゲート信号基板
Claims (10)
- 主面電極同士が電気的に同電位の第1半導体素子及び第2半導体素子と、
第1基板を介して前記第1半導体素子を積層した第1放熱器と、
前記第1基板と主面同士を対向配置して接合した第2基板を介して前記第2半導体素子を積層した第2放熱器と、
前記第1半導体素子と前記第1半導体素子に対向配置した前記第2半導体素子との間に積層され、前記第2半導体素子の主面電極に高熱伝導性材料で接合した第1上面電極と
を有する半導体装置。 - 前記第1基板は前記第1放熱器の上に、前記第2基板は前記第2放熱器の上に、それぞれ直接又は絶縁領域或いはベースプレートを介して接合されている請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1半導体素子と前記第2半導体素子は、同一の電気的動作をしない請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第2半導体素子の主面に高熱伝導性材料により接合されて、前記第1上面電極と電気的に接続される第2上面電極を有する請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1上面電極の主面及び前記第2上面電極の主面に凹部を形成し、対向する両凹部の間に配置されて両凹部と高熱伝導性材料により接合された金属体を有する請求項4に記載の半導体装置。
- 前記第1上面電極及び前記第2上面電極の少なくとも一方の主面側に形成した凸部を介して、前記第1上面電極及び前記第2上面電極を高熱伝導性材料で接合する請求項4に記載の半導体装置。
- 前記第1半導体素子の主面電極又は前記第1上面電極と、前記第1電力基板に並設した第1配線電極を、前記第2半導体素子の主面電極又は前記第2上面電極と、前記第2電力基板に並設した第2配線電極を、それぞれワイヤボンディングにより接続する請求項1から6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1半導体素子及び前記第2半導体素子の各主面に、前記第1上面電極及び前記第2上面電極を内側に位置させ、前記第1半導体素子及び前記第2半導体素子の各制御電極を外側に位置させる、絶縁枠を形成した請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記高熱伝導性材料が導電性接着剤である請求項1から8のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 請求項1から9のいずれか一項に記載の半導体装置の前記第1半導体素子を絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとし、前記第2半導体素子をダイオードとして、
前記第1半導体素子と前記第2半導体素子の主面電極同士を電気的に接続すると共に、前記第1半導体素子と前記第2半導体素子の裏面電極同士を電気的に接続することによりスイッチ回路を形成し、
前記スイッチ回路を複数個用いてインバータ回路を形成した電力変換装置。
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