JP5870895B2 - セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。図2は、本実施形態に係るセラミック電子部品の長さ方向L及び厚み方向Tに沿った略図的断面図である。図3は、図2のIII部分の略図的断面図である。図4は、図2のIV部分の略図的断面図である。図5は、図2のV部分の略図的断面図である。まず、図1〜図5を参照しながら、本実施形態に係るセラミック電子部品1の構成について説明する。
次に、セラミック電子部品1の製造方法の一例について説明する。
上記実施形態に係るセラミック電子部品1と同様の構成を有するセラミック電子部品を以下の条件で各条件につき、5000個ずつ作製した。その後、以下の条件で外部電極と内部電極との間の絶縁抵抗を測定した。その結果、絶縁抵抗が100MΩ以下のサンプルを不良として、不良サンプルの数をカウントした。結果を下記の表1に示す。なお、この実験では、内部電極と外部電極との接合強度の指標として絶縁抵抗を用いた。これは、内部電極と外部電極の接合強度が低い、すなわち内部電極と外部電極との間の接触抵抗が高い場合、コンデンサの充電速度が低下する現象を利用したものである。わずかな時間でコンデンサに充電を行った場合、接触抵抗が低い試料では充電が完了して電流が流れなくなるため、抵抗値が高く測定されるのに対し、接触抵抗が高い試料では充電が完了せず電流が流れ続けているため、抵抗値が低く測定される。
セラミック材料:BaTiO3
セラミック層10gの厚み:1.90μm
内部電極25,26の材料:Ni
内部電極25,26の厚み:0.61μm
内部電極25,26の枚数:156枚
最も外側の内部電極から主面までの距離(片側外層の厚み):60μm
樹脂17c:熱硬化性のエポキシ樹脂
第1の導電性フィラーの材料:Sn
第2の導電性フィラーの材料:Ag
第1の導電性フィラーと第2の導電性フィラーと樹脂17cの合計量における第1の導電性フィラーの含有量:25.6重量%
第1の導電性フィラーと第2の導電性フィラーと樹脂17cの合計量における第2の導電性フィラーの含有量:60重量%
第1の導電性フィラーと第2の導電性フィラーと樹脂17cの合計量における樹脂17cの含有量:14.4重量%
熱処理雰囲気:窒素ガス雰囲気
熱処理時間:表1に示す通り。
熱処理温度:表1に示す通り。
第2の導電層16:Niめっき層とSnめっき層との積層体(Snめっき層が最外層を構成)
充電電圧:2.5V
充電時間:30m秒
放電時間:3m秒
10…セラミック素体
10a、10b…主面
10c、10d…側面
10e、10f…端面
10g…セラミック層
13…第1の外部電極
14…第2の外部電極
15…第1の導電層
16…第2の導電層
17…電極層
17a…第1の金属フィラー
17b…第2の金属フィラー
17c…樹脂
18…接続部
25…第1の内部電極
26…第2の内部電極
Claims (8)
- セラミック素体と、
前記セラミック素体の内部に配されており、端部が前記セラミック素体の表面に向かって引き出されている内部電極と、
前記セラミック素体の表面の上に、前記内部電極の端部を覆うように配されており、樹脂及び金属を含む外部電極と、
前記外部電極内から前記セラミック素体内に至るように設けられている接続部と、
を備え、
前記外部電極は、熱硬化性樹脂と、第1の金属成分と、前記第1の金属成分よりも融点が高い第2の金属成分とを含み、
前記接続部は、前記内部電極に含まれる金属と前記第1の金属成分との合金を含み、前記セラミック素体の内部電極が引き出されている表面の内側から外側に延びており、前記内側の部分よりもセラミック素体の前記表面より外側の部分の幅が広くなっており、
前記セラミック素体の表面の前記外部電極が設けられた部分の、前記内部電極が引き出される方向における前記接続部の長さが2.4μm以上であり、
前記外部電極は、前記接続部の外側に配されており、前記第1及び第2の金属成分と前記熱硬化性樹脂とを含む導電層と、
前記第1の金属成分と、前記第2の金属成分との合金を含む第2の部分と、を有し、第2の部分が前記セラミック素体の前記表面上の前記接続部間に位置している、セラミック電子部品。 - 前記第1の金属成分がSnを含み、
前記第2の金属成分がAgを含む、請求項1に記載のセラミック電子部品。 - 前記内部電極がNiを含み、
前記接続部がSn−Ni合金を含む、請求項2に記載のセラミック電子部品。 - 内部に内部電極が配されており、前記内部電極の端部が表面に向かって引き出されたセラミック素体を準備する工程と、
前記セラミック素体の表面の上に、前記内部電極の端部を覆うように、熱硬化性樹脂、第1の金属成分を含む第1の金属フィラー、及び、前記第1の金属成分よりも融点が高い第2の金属成分を含む第2の金属フィラーを含む電極層を形成する工程と、
前記セラミック素体の表面の上に、前記内部電極の端部を覆うように配されており、前記熱硬化性樹脂並びに前記第1及び第2の金属成分を含む外部電極と、前記第1の金属成分との合金とを含み、前記内部電極の端部が引き出されている前記セラミック素体の前記表面の内側から外側に延び、前記セラミック素体の前記表面の内側に位置している部分よりも外側に位置している部分の幅が広がっている接続部とを形成するように、かつ前記第1の金属成分と、前記第2の金属成分との合金を含む第2の部分が、前記接続部間に位置するように前記電極層を加熱する、セラミック電子部品の製造方法。 - 前記加熱工程において、前記電極層を、非酸化性雰囲気下において、480℃以上に加熱する、請求項4に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記加熱工程において、前記電極層を800℃未満の温度に加熱する、請求項5に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記第1の金属成分がSnを含み、
前記第2の金属成分がAgを含む、請求項4に記載のセラミック電子部品の製造方法。 - 前記内部電極がNiを含む、請求項4に記載のセラミック電子部品の製造方法。
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