JP2022140089A - 導電性ペーストおよびセラミック電子部品 - Google Patents

導電性ペーストおよびセラミック電子部品 Download PDF

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Abstract

【課題】良好なめっき付き性を備え、かつ耐マイグレーション性に優れた外部電極を形成しうる導電性ペーストおよび、この導電性ペーストを用いることにより、耐マイグレーション性に優れた信頼性の高いセラミック電子部品を提供する。【解決手段】本発明に係る導電性ペーストは、少なくとも導電性金属粉末と、硬化性樹脂とを含有する。導電性金属粉末は、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉを含む。この導電性金属粉末において、Ａｇの質量割合は、３．０ｗｔ％以上１０．０ｗｔ％以下であり、Ｃｕの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×７０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×９５｝ｗｔ％以下であり、Ｎｉの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×５｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×３０｝ｗｔ％以下であること、を特徴とする。また、本発明に係る導電性ペースト用いて外部電極が形成されたセラミック電子部品である。【選択図】図２

Description

本発明は、導電性ペーストおよびセラミック電子部品に関し、特に、セラミック電子部品の外部電極を形成するために用いられる導電性ペーストおよびその導電性ペーストにより形成された外部電極を備えるセラミック電子部品に関する。
近年、積層セラミックコンデンサに代表されるセラミック電子部品は、従来に比べて過酷な環境下で使用されるようになってきている。
たとえば、携帯電話や携帯音楽プレーヤーなどのモバイル機器に用いられる積層セラミックコンデンサは、落下などの衝撃に耐えることが求められる。具体的には、積層セラミックコンデンサは、落下などの衝撃を受けても、実装基板から脱落せず、クラックが生じないようにする必要がある。また、ＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）などの車載機器に用いられる積層セラミックコンデンサは、熱サイクルなどの衝撃に耐えることが求められる。具体的には、積層セラミックコンデンサは、熱サイクルを受けて実装基板が線膨張・収縮することにより発生するたわみ応力や外部電極にかかる引張り応力が、積層体の強度を上回ると積層体にクラックを生じさせるので、それらの応力を受けても、クラックが生じないようにする必要がある。
上記のような要求に応じることを目的として、たとえば、特許文献１のように積層セラミック電子部品の外部電極に金属粉末を含有する熱硬化性樹脂を用いた導電性樹脂層を備えることで、厳しい環境下でも実装基板から受ける応力を緩和させ、積層体へのクラックを抑制する技術が提案されている。
実際に、特許文献１に記載されているような積層セラミックコンデンサに応力が加わった際には、一般的に外部電極中の導電性樹脂層内や、導電性樹脂層とめっき層との界面、または導電性樹脂層と積層体との界面に破壊亀裂を生じさせることで、積層セラミックコンデンサに加わる応力を逃がし、積層体にクラックが生じることを抑制する設計となっている。
また、このような導電性樹脂層に用いられうる導電性金属粉末として、銀被覆合金粉末を含む導電性ペーストが提案されている（特許文献２を参照）。
特開平１１－１６２７７１号公報 特開２０１８－１０４８２０号公報
一方、温度変化の激しい環境下では、たとえば、外部電極を有する積層セラミックコンデンサにおいては、イオンマイグレーション（エレクトロケミカルマイグレーション）の問題を有していた。すなわち、積層セラミックコンデンサは、その積層セラミックコンデンサと外気との温度差あるいは熱容量の差によって、積層セラミックコンデンサの表面に結露が生ずる。この結露により発生した水滴が、積層セラミックコンデンサの表面において、外部電極間をつなぐ水膜を形成し、その状態で積層セラミックコンデンサの外部電極間に電圧が印加されると、その水膜に外部電極からイオン化した金属種が溶解／析出し、イオンマイグレーションが生じる。
しかしながら、特に、積層セラミックコンデンサでは、特許文献２の導電性ペーストにより形成される外部電極では、イオンマイグレーションの発生を抑制することは困難であり、積層セラミックコンデンサの信頼性を維持することができないことが懸念される。
それゆえに、この発明の主たる目的は、良好なめっき付き性を備え、かつ耐マイグレーション性に優れた外部電極を形成しうる導電性ペーストを提供することである。また、本発明にかかる導電性ペーストを用いることにより、耐マイグレーション性に優れた信頼性の高いセラミック電子部品を提供することである。
この発明にかかる導電性ペーストは、少なくとも導電性金属粉末と、硬化性樹脂とを含有する導電性ペーストであって、導電性金属粉末は、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉを含み、導電性金属粉末におけるＡｇの質量割合は、３．０ｗｔ％以上１０．０ｗｔ％以下であり、導電性金属粉末におけるＣｕの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×７０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×９５｝ｗｔ％以下であり、導電性金属粉末におけるＮｉの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×５｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×３０｝ｗｔ％以下であること、を特徴とする、導電性ペーストである。
また、この発明にかかるセラミック電子部品は、外部電極を備えるセラミック電子部品であって、外部電極は、導電性金属を含む導電性樹脂層を有し、導電性金属は、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉを含み、導電性金属におけるＡｇの質量割合は、３．０ｗｔ％以上１０．０ｗｔ％以下であり、導電性金属におけるＣｕの質量割合は、６３ｗｔ％以上９２．１５ｗｔ％以下であり、導電性金属におけるＮｉの質量割合は、４．５ｗｔ％以上２９．１ｗｔ％以下であること、を特徴とする、セラミック電子部品である。
この発明にかかる導電性ペーストに含まれる導電性金属粉末において、導電性金属粉末は、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉを含み、導電性金属粉末におけるＡｇの質量割合は、３．０ｗｔ％以上１０．０ｗｔ％以下であり、導電性金属粉末におけるＣｕの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×７０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×９５｝ｗｔ％以下であり、導電性金属粉末におけるＮｉの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×５｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×３０｝ｗｔ％以下であるであるので、良好なめっき付き性を備え、かつ耐マイグレーション性に優れた導電性ペーストを得ることができる。
また、この発明にかかるセラミック電子部品では、外部電極を備えるセラミック電子部品であって、外部電極は、導電性金属を含む導電性樹脂層を有し、導電性金属は、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉを含み、導電性金属におけるＡｇの質量割合は、３．０ｗｔ％以上１０．０ｗｔ％以下であり、導電性金属におけるＣｕの質量割合は、６３ｗｔ％以上９２．１５ｗｔ％以下であり、導電性金属におけるＮｉの質量割合は、４．５ｗｔ％以上２９．１ｗｔ％以下であるので、めっき付き性を備え、かつ耐マイグレーション性に優れた、信頼性の高いセラミック電子部品を得ることができる。
本発明によれば、良好なめっき付き性を備え、かつ耐マイグレーション性に優れた外部電極を形成しうる導電性ペーストを得ることができる。
また、本発明にかかる導電性ペーストを用いることにより、耐マイグレーション性に優れた信頼性の高いセラミック電子部品を得ることができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
本発明にかかるセラミック電子部品の一例である積層セラミックコンデンサの外観斜視図である。 図１に示す線ＩＩ－ＩＩにおける断面図である。
本発明にかかる導電性ペーストおよびその導電性ペーストを用いて外部電極が形成されたセラミック電子部品の一実施の形態を、その製造方法と共に説明する。セラミック電子部品は、たとえば、積層セラミックコンデンサまたは積層セラミックインダクタのような受動素子である。本実施の形態では、セラミック電子部品として、積層セラミックコンデンサを例にして説明する。
１．導電性ペースト
本発明にかかる導電性ペーストは、導電性金属粉末と、硬化性樹脂とを含む。
導電性金属粉末は、ＣｕＮｉ合金を含む。また、ＣｕＮｉ合金をコア粒子として、このコア粒子の表面にＡｇを含む被覆層を有する。
導電性金属粉末におけるＡｇの質量割合は、３．０ｗｔ％以上１０．０ｗｔ％以下である。より好ましくは、導電性金属粉末におけるＡｇの質量割合は、３．０ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下である。
導電性金属粉末におけるＣｕの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×７０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×９５｝ｗｔ％以下である。より好ましくは、導電性金属粉末におけるＣｕの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×７０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×９０｝ｗｔ％以下である。言い換えると、ＣｕＮｉ合金のコア粒子におけるＣｕおよびＮｉの合計１００ｗｔ％に対して、Ｃｕの質量割合は、７０ｗｔ％以上９５ｗｔ％以下である。より好ましくは、Ｃｕの質量割合は、７０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下である。これにより、より耐マイグレーション性を向上させることができる。
導電性金属粉末におけるＮｉの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×５｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×３０｝ｗｔ％以下である。より好ましくは、導電性金属粉末におけるＮｉの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×１０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×３０｝ｗｔ％以下である。言い換えると、ＣｕＮｉ合金のコア粒子におけるＣｕおよびＮｉの合計１００ｗｔ％に対して、Ｎｉの質量割合は、５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下である。より好ましくは、Ｎｉの質量割合は、１０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下である。これにより、より耐マイグレーション性を向上させることができる。
導電性金属粉末のレーザー回析式粒度分布測定装置により測定した体積基準の累積５０％粒子径（Ｄ50）は、０．１μｍ以上１０．０μｍ以下であることが好ましい。
ＣｕおよびＮｉを含むＣｕＮｉ合金のコア粒子の表面にＡｇを含む被覆層を有する導電性金属粉末であり、導電性金属粉末の酸素量（ｗｔ％）を、比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）で除した値は、１．５ｗｔ％・ｇ／ｍ2以下であることが好ましい。
なお、比表面積Ｓは以下の式（１）

比表面積Ｓ＝６／（ρ×Ｄ50）・・・（１）

により算出される。ここで、ρは、導電性金属粉末のＡｇ、ＣｕおよびＮｉの比重並びに組成比（導電性金属粉末において、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉの合計を１００ｗｔ％とした場合のそれぞれの質量割合）から算出される密度（ｇ／ｃｍ3）であり、Ｄ５０はレーザー回析式粒度分布測定装置により導電性金属粉末を測定して得られた体積基準の累積５０％粒子径（μｍ）である。
なお、導電性金属粉末は、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉのそれぞれが、導電性金属粉末におけるＡｇの質量割合を３．０ｗｔ％以上１０．０ｗｔ％以下とし、導電性金属粉末におけるＣｕの質量割合を｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×７０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×９５｝ｗｔ％以下とし、導電性金属粉末におけるＮｉの質量割合を｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×５｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×３０｝ｗｔ％以下とするような条件を満たすように、含有されていてもよい。
なお、より好ましくは、導電性金属粉末は、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉのそれぞれが、導電性金属粉末におけるＡｇの質量割合を３．０ｗｔ％以上１０．０ｗｔ％以下とし、導電性金属粉末におけるＣｕの質量割合を｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×７０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×９０｝ｗｔ％以下とし、導電性金属粉末におけるＮｉの質量割合を｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×１０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×３０｝ｗｔ％以下とするような条件を満たすように、含有されていてもよい。これにより、より耐マイグレーション性を向上させることができる。
導電性ペーストに含まれる硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂である。
熱硬化性樹脂として、たとえば、エポキシ樹脂やフェノキシ樹脂が用いられる。
光硬化性樹脂として、たとえば所定の波長を有する紫外線を照射することにより硬化する光硬化性樹脂等が用いられる。
導電性ペーストには、さらに、硬化剤、硬化促進剤およびカップリング剤が含まれる。
エポキシ樹脂およびフェノキシ樹脂の硬化剤として、たとえばフェノール樹脂が用いられる。また、硬化促進剤として、たとえばイミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤が用いられる。カップリング剤として、たとえばエポキシシランが用いられる。
本発明にかかる導電性ペーストによれば、導電性金属粉末におけるＡｇの質量割合は、３．０ｗｔ％以上１０．０ｗｔ％以下であり、導電性金属粉末におけるＣｕの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×７０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×９５｝ｗｔ％以下であり、導電性金属粉末におけるＮｉの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×５｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×３０｝ｗｔ％以下であるので、良好なめっき付き性を備え、かつ耐マイグレーション性に優れた外部電極を形成しうる導電性ペーストを得ることができる。
２．積層セラミックコンデンサ
次に、本発明にかかる導電性ペーストを用いて形成された外部電極を有するセラミック電子部品の一例として、積層セラミックコンデンサについて説明する。
図１は、本発明にかかるセラミック電子部品の一例である積層セラミックコンデンサの外観斜視図である。図２は、図１に示す線ＩＩ－ＩＩにおける断面図である。
図１に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状の積層体１２を含む。
積層体１２は、積層された複数の誘電体層１４と複数の内部電極層１６とを有する。さらに、積層体１２は、高さ方向ｘに相対する第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと、高さ方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄと、高さ方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆとを有する。この積層体１２には、角部および稜線部に丸みがつけられている。なお、角部とは、積層体の隣接する３面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体の隣接する２面が交わる部分のことである。
積層体１２は、複数枚の誘電体層１４から構成される外層部１４ａと単数もしくは複数枚の誘電体層１４とそれらの上に配置される複数枚の内部電極層１６から構成される内層部１４ｂとを含む。外層部１４ａは、積層体１２の第１の主面１２ａ側および第２の主面１２ｂ側に位置し、第１の主面１２ａと最も第１の主面１２ａに近い内部電極層１６との間に位置する複数枚の誘電体層１４、および第２の主面１２ｂと最も第２の主面１２ｂに近い内部電極層１６との間に位置する複数枚の誘電体層１４の集合体である。そして、両外層部１４ａに挟まれた領域が内層部１４ｂである。
誘電体層１４は、たとえば、誘電体材料により形成することができる。このような誘電体材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、またはＣａＺｒＯ3などの成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する積層体１２の特性に応じて、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない副成分を添加したものを用いてもよい。
積層体１２は、複数の内部電極層１６として、たとえば略矩形状の複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂを有する。複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂは、積層体１２の高さ方向ｘに沿って等間隔に交互に配置されるように埋設されている。
第１の内部電極層１６ａは、第２の内部電極層１６ｂと誘電体層１４を介して対向しており、その端部が第１の端面１２ｅに引き出され、露出している。
第２の内部電極層１６ｂは、第１の内部電極層１６ａと誘電体層１４を介して対向しており、その端部が第２の端面１２ｆに引き出され、露出している。
内部電極層１６は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の一種を含む、たとえば、Ａｇ－Ｐｄ合金などの、それらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料を含有している。内部電極層１６を形成するための内部電極用導電性ペーストに使用する樹脂成分は、エチルセルロースやアクリル樹脂が用いられることが好ましい。
積層体１２の第１の端面１２ｅ側および第２の端面１２ｆ側には、外部電極２０が配置される。外部電極２０は、第１の外部電極２０ａおよび第２の外部電極２０ｂを有する。
第１の外部電極２０ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置され、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第１の外部電極２０ａは、第１の内部電極層１６ａと電気的に接続される。
第２の外部電極２０ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置され、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第２の外部電極２０ｂは、第２の内部電極層１６ｂと電気的に接続される。
積層体１２内においては、第１の内部電極層１６ａと第２の内部電極層１６ｂとが誘電体層１４を介して対向することにより、静電容量が形成されている。そのため、第１の内部電極層１６ａが接続された第１の外部電極２０ａと第２の内部電極層１６ｂが接続された第２の外部電極２０ｂとの間に、静電容量を得ることができ、コンデンサの特性が発現する。
第１の外部電極２０ａおよび第２の外部電極２０ｂは、導電性金属およびガラス成分を含む下地電極層２２と、下地電極層２２を覆うように配置された硬化性樹脂および導電性金属粉末を含む導電性樹脂層２４と、導電性樹脂層２４を覆うように配置されためっき層２６とを含む。
下地電極層２２は、第１の下地電極層２２ａおよび第２の下地電極層２２ｂを有する。
第１の下地電極層２２ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置され、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
第２の下地電極層２２ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置され、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
下地電極層２２は、導電性金属およびガラス成分を含む。下地電極層２２の導電性金属としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。また、下地電極層２２のガラスとしては、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、ＡｌおよびＬｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。下地電極層２２は、複数層であってもよい。下地電極層２２は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体１２に塗布して焼き付けたものであり、誘電体層１４および内部電極層１６と同時に焼成したものでもよく、誘電体層１４および内部電極層１６を焼成した後に焼き付けたものでもよい。なお、ガラスの代わりに誘電体材料を用いてもよく、ガラスの代わりに誘電体材料を用いる場合には、下地電極層２２は誘電体層１４および内部電極層１６と同時に焼成することが好ましい。
導電性樹脂層２４は、第１の導電性樹脂層２４ａおよび第２の導電性樹脂層２４ｂを有する。
第１の導電性樹脂層２４ａは、第１の下地電極層２２ａを覆うように配置される。具体的には、第１の導電性樹脂層２４ａは、第１の下地電極層２２ａの表面の第１の端面１２ｅに配置され、第１の下地電極層２２ａの表面の第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄにも至るように設けられていることが好ましい。
第２の導電性樹脂層２４ｂは、第２の下地電極層２２ｂを覆うように配置される。具体的には、第２の導電性樹脂層２４ｂは、第２の下地電極層２２ｂの表面の第２の端面１２ｆに配置され、第２の下地電極層２２ｂの表面の第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄにも至るように設けられていることが好ましい。
導電性樹脂層２４は、導電性金属および硬化性樹脂を含む。
導電性樹脂層２４は、硬化性樹脂を含むため、たとえば、めっき膜や導電性ペーストの焼成物からなる導電層よりも柔軟性に富んでいる。このため、積層セラミックコンデンサ１０に物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層２４が緩衝層として機能し、積層セラミックコンデンサ１０へのクラックを防止することができる。
導電性樹脂層２４に含まれる導電性金属としては、導電性金属粉末が使用される。導電性金属粉末は、Ａｇにより被覆されたものが使用され、コア粒子としてＣｕＮｉ合金が用いられる。
導電性金属におけるＡｇの質量割合は、３．０ｗｔ％以上１０．０ｗｔ％以下である。より好ましくは、導電性金属粉末におけるＡｇの質量割合は、３．０ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下である。
導電性金属におけるＣｕの質量割合は、６３ｗｔ％以上９２．１５ｗｔ％以下である。より好ましくは、導電性金属におけるＣｕの質量割合は、８５．５ｗｔ％以上９２．１５ｗｔ％以下である。言い換えると、ＣｕＮｉ合金のコア粒子におけるＣｕおよびＮｉの合計１００ｗｔ％に対して、Ｃｕの質量割合は、７０ｗｔ％以上９５ｗｔ％以下である。より好ましくは、Ｃｕの質量割合は、７０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下である。これにより、より耐マイグレーション性を向上させることができる。
導電性金属におけるＮｉの質量割合は、４．５ｗｔ％以上２９．１ｗｔ％以下である。より好ましくは、導電性金属におけるＮｉの質量割合は、９．５ｗｔ％以上２９．１ｗｔ％以下である。言い換えると、ＣｕＮｉ合金のコア粒子におけるＣｕおよびＮｉの合計１００ｗｔ％に対して、Ｎｉの質量割合は、５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下である。より好ましくは、Ｎｉの質量割合は、１０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下である。これにより、より耐マイグレーション性を向上させることができる。
なお、導電性樹脂層２４に含まれる導電性金属としてＡｇコーティングされた金属を用いることは、Ａｇが金属の中でもっとも比抵抗が低いため電極材料に適しており、Ａｇは貴金属であるため酸化せず耐候性が高いことに加えて、コア粒子の金属を安価なものにすることが可能になるため、好ましい。
導電性樹脂層２４に含まれる導電性金属は、主に、導電性樹脂層２４の通電性を担う。具体的には、導電性フィラー同士が接触することにより、導電性樹脂層２４の内部に通電経路が形成される。
導電性樹脂層２４の硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂である。
熱硬化性樹脂として、たとえば、エポキシ樹脂やフェノキシ樹脂が用いられる。
光硬化性樹脂として、たとえば所定の波長を有する紫外線を照射することにより硬化する光硬化性樹脂等が用いられる。
導電性ペーストには、さらに、硬化剤、硬化促進剤およびカップリング剤が含まれる。
エポキシ樹脂およびフェノキシ樹脂の硬化剤として、たとえばフェノール樹脂が用いられる。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂は、最も適切な樹脂の一つである。また、硬化促進剤として、たとえばイミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤が用いられる。カップリング剤として、たとえばエポキシシランが用いられる。
めっき層２６は、第１のめっき層２６ａおよび第２のめっき層２６ｂを有する。
第１のめっき層２６ａは、第１の導電性樹脂層２４ａを覆うように配置される。具体的には、第１のめっき層２６ａは、第１の導電性樹脂層２４ａの表面の第１の端面１２ｅに配置され、第１の導電性樹脂層２４ａの表面の第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄにも至るように設けられていることが好ましい。
第２のめっき層２６ｂは、第２の導電性樹脂層２４ｂを覆うように配置される。具体的には、第２のめっき層２６ｂは、第２の導電性樹脂層２４ｂの表面の第２の端面１２ｆに配置され、第２の導電性樹脂層２４ｂの表面の第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄにも至るように設けられていることが好ましい。
めっき層２６としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。
めっき層２６は、複数層によって形成されてもよい。この場合、めっき層２６は、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造であることが好ましい。Ｎｉめっき層が、導電性樹脂層２４の表面を覆うように設けられることで、半田バリア性能を有する。また、Ｎｉめっき層の表面に、Ｓｎめっき層を設けることにより、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際に、実装に用いられる半田の濡れ性を向上させ、容易に実装することができる。
以上の構成からなる積層セラミックコンデンサ１０によれば、導電性樹脂層２４を形成するための導電性ペーストが、導電性金属粉末におけるＡｇの質量割合は、３．０ｗｔ％以上１０．０ｗｔ％以下であり、導電性金属粉末におけるＣｕの質量割合は、６３ｗｔ％以上９２．１５ｗｔ％以下であり、導電性金属粉末におけるＮｉの質量割合は、４．５ｗｔ％以上２９．１ｗｔ％以下であるので、良好なめっき付き性を備え、かつ耐マイグレーション性に優れた外部電極２０を形成しうる導電性ペーストにより形成された外部電極２０を備えていることから、導電性樹脂層２４として、めっき付き性が良好であり、かつ耐マイグレーション性に優れる。したがって、積層セラミックコンデンサ１０の外部電極２０の導電性樹脂層２４を形成する際に、この発明にかかる導電性ペーストを使用することによって、めっき付き性が良好であり、かつ耐マイグレーション性に優れた信頼性の高い積層セラミックコンデンサ１０を得ることができる。
３．積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、前述の積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を説明する。
（セラミックグリーンシートの作製）
まず、誘電体材料として、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、またはＣａＺｒＯ3などを主たる成分とするペロブスカイト型酸化物が準備される。この誘電体材料から得られた誘電体粉末に有機バインダ、有機溶剤、可塑剤および分散剤を所定の割合で混合し、セラミックスラリーが作製される。このセラミックスラリーは、樹脂フィルム上で、内層もしくは外層用セラミックグリーンシートに成形される。
次に、内部電極形成用の導電性ペーストが準備され、セラミックグリーンシートの上に、内部電極形成用の導電性ペーストを、たとえば、スクリーン印刷法やグラビア印刷などにより所定のパターンに塗布し、内部電極形成用導電パターンが形成された内層用のセラミックグリーンシートと、内部電極形成用導電パターンが形成されていない外層用のセラミックグリーンシートとが準備される。
なお、セラミックペーストや、内部電極形成用の導電性ペーストには、たとえば、公知の有機バインダや溶媒が含まれていてもよい。また、内部電極形成用の導電性ペーストは、たとえば、金属粉末に有機バインダおよび有機溶剤が加えられたものである。
次に、内層用のセラミックグリーンシートは、導電性ペースト膜の端部の引き出し方向が互い違いになるように、複数枚積層される。さらに、外層用のセラミックグリーンシート層が、積層された内層用のセラミックグリーンシートを挟むように上下に積層される。すなわち、内層用のセラミックグリーンシートと同じ材料からなり、かつ、外層用のセラミックグリーンシートが、所定の厚みになるように複数枚積層されて圧着され、積層ブロックが形成される。そして、この積層ブロックは、所定の製品サイズに切り分けられ、未焼成の積層体１２が得られる。
次に、切り分けられた未焼成の積層体１２は焼成され、焼結した積層体１２とされる。
内層用および外層用のセラミックグリーンシートと導電性ペースト膜とは同時焼成され、内層用セラミックグリーンシートは内層部１４ｂとなり、外層用セラミックグリーンシートは外層部１４ａとなり、導電性ペースト膜は内部電極層１６となる。
（導電性ペーストの作製）
次に、外部電極の下地電極層を形成するための導電性ペーストと、導電性樹脂層を形成するための導電性ペーストとが準備される。
まず、下地電極層を形成するために、Ｃｕを主成分とする金属成分とガラス成分とを含んだ導電性ペーストが準備される。
続いて、外部電極の導電性樹脂層を形成するための導電性ペーストを準備するために、導電性金属粉末であるＡｇ粉末と、コア粒子とされるＣｕＮｉ合金粉末と、硬化性樹脂と、硬化剤と、硬化促進剤と、カップリング剤とが準備される。
導電性金属粉末は、ＣｕＮｉ合金をコア粒子として、このコア粒子の表面にＡｇを含む被覆層が形成される。
導電性金属粉末におけるＡｇの質量割合は、３．０ｗｔ％以上１０．０ｗｔ％以下である。より好ましくは、導電性金属粉末におけるＡｇの質量割合は、３．０ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下である。
導電性金属粉末におけるＣｕの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×７０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×９５｝ｗｔ％以下である。より好ましくは、導電性金属粉末におけるＣｕの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×７０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×９０｝ｗｔ％以下である。言い換えると、ＣｕＮｉ合金のコア粒子におけるＣｕおよびＮｉの合計１００ｗｔ％に対して、Ｃｕの質量割合は、７０ｗｔ％以上９５ｗｔ％以下である。より好ましくは、Ｃｕの質量割合は、７０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下である。
導電性金属粉末におけるＮｉの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×５｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×３０｝ｗｔ％以下である。より好ましくは、導電性金属粉末におけるＮｉの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×１０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×３０｝ｗｔ％以下である。言い換えると、ＣｕＮｉ合金のコア粒子におけるＣｕおよびＮｉの合計１００ｗｔ％に対して、Ｎｉの質量割合は、５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下である。より好ましくは、Ｎｉの質量割合は、１０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下である。
導電性金属粉末のレーザー回析式粒度分布測定装置により測定した体積基準の累積５０％粒子径（Ｄ50）は、０．１μｍ以上１０．０μｍ以下であることが好ましい。
ＣｕおよびＮｉを含むＣｕＮｉ合金のコア粒子の表面にＡｇを含む被覆層を有する導電性金属粉末であり、導電性金属粉末の酸素量（ｗｔ％）を、比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）で除した値は、１．５ｗｔ％・ｇ／ｍ2以下であることが好ましい。
導電性ペーストに含まれる硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂である。
熱硬化性樹脂として、たとえば、エポキシ樹脂やフェノキシ樹脂が用いられる。
光硬化性樹脂として、たとえば所定の波長を有する紫外線を照射することにより硬化する光硬化性樹脂等が用いられる。
導電性ペーストには、さらに、硬化剤、硬化促進剤およびカップリング剤が含まれる。
エポキシ樹脂およびフェノキシ樹脂の硬化剤として、たとえばフェノール樹脂が用いられる。また、硬化促進剤として、たとえばイミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤が用いられる。カップリング剤として、たとえばエポキシシランが用いられる。
そして、上記に示した材料である導電性金属粉末、硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進剤およびカップリング材が調合され、導電性ペーストが作製される。
（外部電極の形成）
次に、焼結した積層体１２の両端部に、それぞれの導電性ペーストを用いて外部電極２０が形成される。
まず、積層体１２の両端部に、それぞれ、Ｃｕを主成分とする下地電極用の導電性ペーストが塗布されて焼き付けられ、内部電極層１６に電気的に接続された下地電極層２２が形成される。
続いて、下地電極層２２の表面に本発明に係る導電性ペーストが塗布されて焼付けられ、下地電極層２２を覆うように導電性樹脂層２４が形成される。
さらに、導電性樹脂層２４の表層に、ＮｉめっきおよびＳｎめっきが施されることにより、めっき層２６が形成される。
以上のようにして、所望の積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
４．実験例１
次に、上述した積層セラミックコンデンサの製造方法に基づき、試料である積層セラミックコンデンサを製造し、表１に示す材料に基づいて製造された導電性ペーストにより形成された導電性樹脂層のめっき付き性、ならびに外部電極に導電性樹脂層を含む積層セラミックコンデンサのマイグレーション発生率および電気特性変化率についての評価をするための実験を行った。
（ａ）実験例１において用いた試料
実験例に用いた試料である積層セラミックコンデンサの仕様は、以下のとおりである。
・積層セラミックコンデンサのサイズ（設計値）：長さ×幅×高さ＝１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍ
・容量：０．０１μＦ
・定格電圧：５０Ｖ
・誘電体層の材料：ＢａＴｉＯ3
・外部電極の構造
下地電極層の材料：導電性金属（Ｃｕ）とガラスとを含む電極
導電性樹脂層の材料：表１を参照
めっき層：Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造
なお、各試料における導電性樹脂層の導電性ペーストに含有される導電性金属粉末のＤ50は、１．５μｍ以上５．５μｍ以下の範囲とした。
また、各試料における導電性樹脂層の導電性ペーストに含有される導電性金属粉末の比表面積は、０．３０ｗｔ％・ｇ／ｍ2以上０．５５ｗｔ％・ｇ／ｍ2以下とした。
表１は、各試料における導電性金属粉末に含有される各金属成分の質量割合、ＣｕＮｉ合金のコア粒子におけるＣｕおよびＮｉの合計１００ｗｔ％に対する各質量割合、および熱硬化性樹脂の材料をそれぞれ示す。各試料における熱硬化性樹脂は、主剤、硬化剤、硬化促進剤およびカップリング剤を示す。なお、表中の＊印を付した試料番号の試料は、本発明の範囲内である。
Figure 2022140089000002
（ｂ）各試料の特性評価の方法
（めっき付き性の評価方法）
導電性樹脂層の表面にＮｉめっきを成膜することによりめっき付き性を評価した。具体的には、導電性樹脂層の表面積の９０％以上の範囲にＮｉめっきが成膜された場合は良好と判定し、導電性樹脂層の表面積の９０％未満の範囲にしかＮｉめっきが成膜されない場合は、不良と判定した。
（マイグレーション発生率）
マイグレーションの発生状態を評価するにあたっては、試料（積層セラミックコンデンサ）を基板に実装した後、１２５℃で外部電極間に１．５ＷＶの電圧を印加し、２０００時間保持する処理（高温負荷試験１）と、１５０℃で外部電極間に０．７５ＷＶの電圧を印加し、２０００時間保持する処理（高温負荷試験２）を施した後、試料の表面のマイグレーションの発生状態をデジタルマイクロスコープで観察し、Ａｇのマイグレーションの発生が認められた試料の数と、評価に供した試料の数の関係から、下記の式（２）より、マイグレーションの発生率を求めた。

マイグレーションの発生率（％）＝（Ａｇのマイグレーションの発生が認められた試料数／評価に供した試料数）×１００…（２）
（電気特性変化率の評価方法）
上述の各試料について、液相熱衝撃サイクル試験を行い、電気特性の変化率を評価した。液相熱衝撃サイクル試験の条件は、－５５℃／１２５℃のそれぞれの温度条件で、５分間保持するサイクルを１０００回繰り返して行った。そして、ＥＳＲ（等価直列抵抗）の上昇率が２０％以下の試料については良好と判定し、ＥＳＲの上昇率が２０％より大きい試料については不良と判定した。
（ｃ）各試料に対する特性評価の結果
表２には、各試料におけるマイグレーション発生率、めっき付き性および電気特性変化率をそれぞれ示す。なお、表中の＊印を付した試料番号の試料は、本発明の範囲内である。
Figure 2022140089000003
表１および表２から、本発明の範囲内である、試料番号６ないし試料番号１１の金属成分の質量割合による導電性ペーストを用いて導電性樹脂層を形成した試料では、マイグレーションの発生は確認されず、めっき付き性も９０％以上と良好であり、さらに、電気特性の変化率も２０％以下と良好であることが確認された。
一方、本発明の範囲外である、試料番号１の金属成分の質量割合による導電性ペーストを用いて導電性樹脂層を形成した試料では、Ａｇの質量割合が本発明の範囲外であり、かつ金属成分にＣｕおよびＮｉが含有されず、試料番号２の金属成分の質量割合による導電性ペーストを用いて導電性樹脂層を形成した試料では、Ａｇの質量割合が本発明の範囲外であり、かつ金属成分にＮｉが含有されず、試料番号３の金属成分の質量割合による導電性ペーストを用いて導電性樹脂層を形成した試料では、金属成分にＮｉが含有されず、試料番号４および試料番号５の金属成分の質量割合による導電性ペーストを用いて導電性樹脂層を形成した試料では、Ａｇの質量割合が本発明の範囲外であるので、マイグレーションが発生した。
また、本発明の範囲外である、試料番号１２ないし試料番号１４の金属成分の質量割合による導電性ペーストを用いて導電性樹脂層を形成した試料では、Ａｇの質量割合が本発明の範囲外であるので、電気特性の変化率が、２０％より大きく、不良であった。
以上の結果から、導電性金属粉末が、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉを含み、導電性金属粉末におけるＡｇの質量割合が、３．０ｗｔ％以上１０．０ｗｔ％以下であり、導電性金属粉末におけるＣｕの質量割合が、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×７０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×９５｝ｗｔ％以下であり、導電性金属粉末におけるＮｉの質量割合が、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×５｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×３０｝ｗｔ％以下であることで、良好なめっき付き性を備え、かつ耐マイグレーション性に優れた外部電極を形成しうる導電性ペーストおよび、この導電性ペーストを用いることにより、耐マイグレーション性に優れた信頼性の高い積層セラミックコンデンサが得られることが確認された。
５．実験例２
次に、上述した積層セラミックコンデンサの製造方法に基づき、試料である積層セラミックコンデンサを製造し、表３に示す材料に基づいて製造された導電性ペーストにより形成された導電性樹脂層のめっき付き性、ならびに外部電極に導電性樹脂層を含む積層セラミックコンデンサのマイグレーションショート時間および電気特性変化率についての評価をするための実験を行った。
（ａ）実験例２において用いた試料
実験例に用いた試料である積層セラミックコンデンサの仕様は、以下のとおりである。
・積層セラミックコンデンサのサイズ（設計値）：長さ×幅×高さ＝１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍ
・容量：０．０１μＦ
・定格電圧：５０Ｖ
・誘電体層の材料：ＢａＴｉＯ3
・外部電極の構造
下地電極層の材料：導電性金属（Ｃｕ）とガラスとを含む電極
導電性樹脂層の材料：表１を参照
めっき層：Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造
なお、各試料における導電性樹脂層の導電性ペーストに含有される導電性金属粉末のＤ50は、１．５μｍ以上５．５μｍ以下の範囲とした。
また、各試料における導電性樹脂層の導電性ペーストに含有される導電性金属粉末の比表面積は、０．３０ｗｔ％・ｇ／ｍ2以上０．５５ｗｔ％・ｇ／ｍ2以下とした。
表３は、各試料における導電性金属粉末に含有される各金属成分の質量割合、ＣｕＮｉ合金のコア粒子におけるＣｕおよびＮｉの合計１００ｗｔ％に対する各質量割合、および熱硬化性樹脂の材料をそれぞれ示す。各試料における熱硬化性樹脂は、主剤、硬化剤、硬化促進剤およびカップリング剤を示す。なお、表中の＊印を付した試料番号の試料は、本発明の範囲内である。
Figure 2022140089000004
（ｂ）各試料の特性評価の方法
（マイグレーションショート時間の測定）
マイグレーションショート時間の測定は、ウォータードロップ法により行った。
基板上に、表３に記載の金属成分を含有する導電性金属粉末と熱硬化性樹脂を含む導電性ペーストにより矢印形状の電極パターンを、矢印の先端が向かい合うように４ｍｍの間隔で配置させた。そして、その矢印形状の電極パターンに純水を滴下し、５０００Ｖ／ｍの電圧をかけて、矢印形状の電極パターン間においてマイグレーション成長させ、矢印形状の電極パターン間がショートするまでの時間を測定した。なお、試料番号１３および試料番号１４、ならびに試料番号１６ないし試料番号２１の各試料は、所定時間経過しても、マイグレーション成長が止まるため、ショートしないことから、１２００秒以上、試験の継続を行わなかった。
（めっき付き性）
めっき付き性の評価は、実験例１と同一とした。
（電気特性変化率の評価方法）
電気特性変化率の評価方法は、実験例１と同一とした。
（ｃ）各試料に対する特性評価の結果
表４には、各試料におけるマイグレーションショート時間、めっき付き性および電気特性変化率をそれぞれ示す。なお、表中の＊印を付した試料番号の試料は、本発明の範囲内である。
Figure 2022140089000005
表３および表４の結果から、実験例１に対してマイグレーションの評価を厳しい方法により行ったところ、本発明の範囲内であるが、試料番号７および試料番号８では、Ａｇの導電性金属における質量割合が１０ｗｔ％であるので、マイグレーションの成長によるショートが生じ、また、試料番号９および試料番号１５では、ＣｕＮｉ合金のコア粒子におけるＣｕおよびＮｉの合計１００ｗｔ％に対するＣｕの質量割合が９５ｗｔ％であるので、マイグレーションの成長によるショートが生じた。
一方、試料番号１６ないし試料番号１９では、Ａｇの導電性金属における質量割合が３ｗｔ％以上５ｗｔ％以下であり、ＣｕＮｉ合金のコア粒子におけるＣｕおよびＮｉの合計１００ｗｔ％に対するＣｕの質量割合が７０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下であり、およびＣｕＮｉ合金のコア粒子におけるＣｕおよびＮｉの合計１００ｗｔ％に対するＮｉの質量割合が１０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下であるので、マイグレーションショート時間、めっき付き性および電気特性変化率のいずれも良好な結果が得られた。
また、実験例２で新たに追加された、試料番号２０および試料番号２１の金属成分の質量割合による導電性ペーストを用いて導電性樹脂層を形成した試料では、ＣｕおよびＮｉの質量割合が本発明の範囲外であるので、めっき付き性が９０％より小さく、不良であり、かつ、電気特性の変化率も２０％より大きく、不良であった。
以上の結果から、導電性金属粉末が、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉを含み、導電性金属粉末におけるＡｇの質量割合が、３．０ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下であり、かつ、導電性金属粉末におけるＣｕの質量割合が、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×７０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×９０｝ｗｔ％以下であり、導電性金属粉末におけるＮｉの質量割合が、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×１０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×３０｝ｗｔ％以下であることで、良好なめっき付き性を備え、かつ耐マイグレーション性により優れた外部電極を形成しうる導電性ペーストおよび、この導電性ペーストを用いることにより、耐マイグレーション性により優れた信頼性の高い積層セラミックコンデンサが得られることが確認された。
なお、以上のように、本発明の実施の形態は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
すなわち、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施の形態に対し、機序、形状、材質、数量、位置又は配置等に関して、様々の変更を加えることができるものであり、それらは、本発明に含まれるものである。
１０ セラミック電子部品（積層セラミックコンデンサ）
１２ 積層体
１２ａ 第１の主面
１２ｂ 第２の主面
１２ｃ 第１の側面
１２ｄ 第２の側面
１２ｅ 第１の端面
１２ｆ 第２の端面
１４ 誘電体層
１４ａ 外層部
１４ｂ 内層部
１６ 内部電極層
１６ａ 第１の内部電極層
１６ｂ 第２の内部電極層
２０ 外部電極
２０ａ 第１の外部電極
２０ｂ 第２の外部電極
２２ 下地電極層
２２ａ 第１の下地電極層
２２ｂ 第２の下地電極層
２４ 導電性樹脂層
２４ａ 第１の導電性樹脂層
２４ｂ 第２の導電性樹脂層
２６ めっき層
２６ａ 第１のめっき層
２６ｂ 第２のめっき層
ｘ 高さ方向
ｙ 幅方向
ｚ 長さ方向

Claims (8)

  1. 少なくとも導電性金属粉末と、硬化性樹脂とを含有する導電性ペーストであって、
    前記導電性金属粉末は、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉを含み、
    前記導電性金属粉末における前記Ａｇの質量割合は、３．０ｗｔ％以上１０．０ｗｔ％以下であり、
    前記導電性金属粉末における前記Ｃｕの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×７０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×９５｝ｗｔ％以下であり、
    前記導電性金属粉末における前記Ｎｉの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×５｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×３０｝ｗｔ％以下であること、
    を特徴とする、導電性ペースト。
  2. 前記導電性金属粉末における前記Ａｇの質量割合は、３．０ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下であることを特徴とする、請求項１に記載の導電性ペースト。
  3. 前記導電性金属粉末における前記Ｃｕの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×７０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×９０｝ｗｔ％以下であり、
    前記導電性金属粉末における前記Ｎｉの質量割合は、｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×１０｝ｗｔ％以上｛（１－Ａｇの質量割合／１００）×３０｝ｗｔ％以下であること、
    を特徴とする、請求項１または請求項２に記載の導電性ペースト。
  4. 前記導電性金属粉末は、前記Ｃｕおよび前記ＮｉをＣｕＮｉ合金として含み、
    前記ＣｕＮｉ合金をコア粒子として、前記コア粒子の表面に前記Ａｇを含む被覆層を有する、請求項１ないし請求項３に記載の導電性ペースト。
  5. 外部電極を備えるセラミック電子部品であって、
    前記外部電極は、導電性金属を含む導電性樹脂層を有し、
    前記導電性金属は、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉを含み、
    前記導電性金属における前記Ａｇの質量割合は、３．０ｗｔ％以上１０．０ｗｔ％以下であり、
    前記導電性金属における前記Ｃｕの質量割合は、６３ｗｔ％以上９２．１５ｗｔ％以下であり、
    前記導電性金属における前記Ｎｉの質量割合は、４．５ｗｔ％以上２９．１ｗｔ％以下であること、
    を特徴とする、セラミック電子部品。
  6. 前記導電性金属における前記Ａｇの質量割合は、３．０ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下であることを特徴とする、請求項５に記載のセラミック電子部品。
  7. 前記導電性金属における前記Ｃｕの質量割合は、８５．５ｗｔ％以上９２．１５ｗｔ％以下であり、
    前記導電性金属における前記Ｎｉの質量割合は、９．５ｗｔ％以上２９．１ｗｔ％以下であること、
    を特徴とする、請求項５または請求項６に記載のセラミック電子部品。
  8. 前記導電性金属は、前記Ｃｕおよび前記ＮｉをＣｕＮｉ合金として含み、
    前記ＣｕＮｉ合金をコア粒子として、前記コア粒子の表面に前記Ａｇを含む被覆層を有する、請求項５ないし請求項７に記載のセラミック電子部品。
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