JP6904309B2 - 電子部品および電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、積層体の表面に外部電極を備える電子部品、および、そのような電子部品の製造方法に関する。

積層セラミックコンデンサなどのように、積層体の表面に外部電極を備えた電子部品が知られている。そのような電子部品が基板に実装された状態で、基板にたわみなどによる曲げ応力が加わると、外部電極にクラックが生じる場合がある。その場合、クラックが生じた部分から水分が侵入して絶縁抵抗値が低下し、積層体の内部に設けられている内部電極が短絡する可能性がある。

特許文献１には、金属粒子を含む樹脂を用いて外部電極を形成することにより、曲げ応力に対する耐性を向上させた電子部品が記載されている。

特開２０００−１８２８８３号公報

しかしながら、樹脂は水分を透過しやすいため、樹脂を用いて外部電極を形成すると、外部電極から内部へと水分が侵入し、絶縁抵抗値が低下する可能性がある。

本発明は、上記課題を解決するものであり、外部電極に曲げ応力が加わった場合でもクラックが生じにくく、かつ、水分の侵入を抑制することができる電子部品、および、そのような電子部品の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の電子部品は、
長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、厚み方向に相対する第１の主面および第２の主面と、幅方向に相対する第１の側面および第２の側面とを有し、誘電体層と、Ｎｉを含有する第１の内部電極および第２の内部電極とを含む積層体と、
前記積層体の前記第１の端面および前記第２の端面に設けられた外部電極と、
を備え、
前記誘電体層は、前記積層体の前記厚み方向の外側に位置し、厚みが２０μｍ以上である外層誘電体層と、前記第１の内部電極と前記第２の内部電極との間に位置する内層誘電体層とを含み、
前記第１の内部電極は、前記第１の端面に引き出されて前記外部電極と接続され、前記第２の内部電極は、前記第２の端面に引き出されて前記外部電極と接続されており、
前記外部電極は、
前記第１の端面および前記第２の端面に設けられたＮｉ層と、
前記Ｎｉ層の上に設けられたＮｉ−Ｓｎ合金層と、
前記Ｎｉ−Ｓｎ合金層の上に設けられ、Ｓｎ粒子を含む金属粒子を含有する樹脂層と、
を含み、
前記Ｎｉ層と、前記第１の内部電極および前記第２の内部電極は、焼結されており、
前記Ｎｉ層の厚みは、２μｍ以上１０μｍ以下であり、かつ、前記積層体の稜線部のＲ量以下であり、
前記金属粒子には、前記Ｓｎ粒子の他に、Ａｇ粒子、Ｃｕ粒子、および、Ｎｉ粒子のうちの少なくとも１つが含まれ、
前記金属粒子は、扁平形状および球形状のうちの少なくとも一方の形状を有し、
前記樹脂層に対する前記金属粒子の含有率は、４０体積％以上であり、
前記樹脂層は、前記第１の主面、前記第２の主面、前記第１の側面および前記第２の側面において、前記積層体と直接接していることを特徴とする。

本発明による電子部品の製造方法は、
誘電体層と、Ｎｉを含有する内部電極とが交互に複数積層され、前記内部電極が両端面に引き出された積層体を備える電子部品の製造方法であって、
前記誘電体層のうち、前記積層体の厚み方向外側に位置する外部誘電体層の厚みが２０μｍ以上となるように、焼成後に前記積層体となる未焼成積層体を用意する工程と、
前記未焼成積層体の前記両端面に、Ｎｉを含有する導電性ペーストを、前記未焼成積層体の稜線部のＲ量以下の厚みに塗工する工程と、
前記Ｎｉを含有する導電ペーストと前記未焼成積層体とを一体焼成することによって、端面に厚みが２μｍ以上１０μｍ以下であるＮｉ層が形成された前記積層体を得る工程と、
前記Ｎｉ層の上に、Ｓｎ粒子と、Ａｇ粒子、Ｃｕ粒子、および、Ｎｉ粒子のうちの少なくとも１つの粒子とを含み、扁平形状および球形状のうちの少なくとも一方の形状を有する金属粒子を含有する樹脂ペーストを塗工する工程と、
前記樹脂ペーストが塗工された前記積層体に熱処理を施して、前記Ｎｉ層の上にＮｉ−Ｓｎ合金層を形成し、かつ、前記Ｎｉ−Ｓｎ合金層の上に、前記積層体の主面と側面において前記積層体と直接接するように、前記金属粒子の含有率が４０体積％以上である樹脂層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする。

前記熱処理を行う際の温度は、５００℃より高く６００℃以下であってもよい。

本発明の電子部品は、外部電極が、積層体の端面に設けられたＮｉ層と、Ｎｉ層の上に設けられたＮｉ−Ｓｎ合金層と、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の上に設けられ、Ｓｎ粒子を含む金属粒子を含有する樹脂層とを含むように構成されている。Ｎｉ層とＮｉ−Ｓｎ合金層が設けられていることによって、外部電極から積層体の内部への水分の侵入を抑制することができ、樹脂層が設けられていることによって、外部電極に曲げ応力が加わった場合に、クラックの発生を抑制することができる。

一実施の形態における積層セラミックコンデンサの斜視図である。 図１に示す積層セラミックコンデンサのＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。 図１に示す積層セラミックコンデンサのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。 第２の外部電極の詳細な構成を示す断面図である。

以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところを具体的に説明する。

以下の説明では、電子部品の一例として積層セラミックコンデンサを挙げて説明する。ただし、本発明の電子部品が積層セラミックコンデンサに限定されることはない。

図１は、一実施の形態における積層セラミックコンデンサ１０の斜視図である。図２は、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。

図１〜図３に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、全体として直方体形状を有する電子部品であり、積層体１１と、一対の外部電極１４（１４ａ，１４ｂ）とを有している。一対の外部電極１４（１４ａ，１４ｂ）は、図１に示すように対向するように配置されている。

ここでは、一対の外部電極１４が対向する方向を積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向Ｌと定義し、後述する内部電極１３（１３ａ，１３ｂ）の積層方向を厚み方向Ｔと定義し、長さ方向Ｌおよび厚み方向Ｔのいずれの方向にも直交する方向を幅方向Ｗと定義する。

積層体１１は、長さ方向Ｌに相対する第１の端面１５ａおよび第２の端面１５ｂと、厚み方向Ｔに相対する第１の主面１６ａおよび第２の主面１６ｂと、幅方向Ｗに相対する第１の側面１７ａおよび第２の側面１７ｂとを有する。

第１の端面１５ａには、第１の外部電極１４ａが設けられており、第２の端面１５ｂには、第２の外部電極１４ｂが設けられている。第１の外部電極１４ａおよび第２の外部電極１４ｂの詳細な構成については後述する。

積層体１１の長さ方向Ｌの寸法は、例えば０．４ｍｍ以上３．２ｍｍ以下、幅方向Ｗの寸法は、例えば０．２ｍｍ以上２．５ｍｍ以下、厚み方向Ｔの寸法は、例えば０．２ｍｍ以上２．５ｍｍ以下である。長さ方向Ｌの寸法は、幅方向Ｗの寸法よりも長くてもよいし、短くてもよい。積層体１１の寸法は、マイクロメータまたは光学顕微鏡で測定することができる。

積層体１１は、角部および稜線部に丸みを帯びていることが好ましい。ここで、角部は、積層体１１の３面が交わる部分であり、稜線部は、積層体１１の２面が交わる部分である。

図２および図３に示すように、積層体１１は、誘電体層１２と、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂとを備える。

誘電体層１２は、積層体１１の厚み方向外側に位置する外層誘電体層１２１と、第１の内部電極１３ａと第２の内部電極１３ｂとの間に位置する内層誘電体層１２２とを含む。外層誘電体層１２１の厚みは、例えば、２０μｍ以上である。また、内層誘電体層１２２の厚みは、例えば、０．５μｍ以上２．０μｍ以下である。

第１の内部電極１３ａは、積層体１１の第１の端面１５ａに引き出されている。また、第２の内部電極１３ｂは、積層体１１の第２の端面１５ｂに引き出されている。第１の内部電極１３ａと第２の内部電極１３ｂは、厚み方向Ｔにおいて、内層誘電体層１２２を介して交互に配置されている。

第１の内部電極１３ａは、第２の内部電極１３ｂと対向する部分である対向電極部と、対向電極部から積層体１１の第１の端面１５ａまで引き出された部分である引出電極部とを備えている。また、第２の内部電極１３ｂは、第１の内部電極１３ａと対向する部分である対向電極部と、対向電極部から積層体１１の第２の端面１５ｂまで引き出された部分である引出電極部とを備えている。

第１の内部電極１３ａの対向電極部と、第２の内部電極１３ｂの対向電極部とが内層誘電体層１２２を介して対向することにより容量が形成され、これにより、コンデンサとして機能する。

第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂは、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、およびＡｕなどの金属、ＡｇとＰｄの合金などを含有している。好ましくは、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂは、Ｎｉを含有している。第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂは、さらに誘電体層１２に含まれるセラミックと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。

第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂの厚みは、０．５μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。

第１の外部電極１４ａは、積層体１１の第１の端面１５ａの全体に形成されているとともに、第１の端面１５ａから、第１の主面１６ａ、第２の主面１６ｂ、第１の側面１７ａ、および第２の側面１７ｂに回り込むように形成されている。第１の外部電極１４ａは、第１の内部電極１３ａと電気的に接続されている。

第２の外部電極１４ｂは、積層体１１の第２の端面１５ｂの全体に形成されているとともに、第２の端面１５ｂから、第１の主面１６ａ、第２の主面１６ｂ、第１の側面１７ａ、および第２の側面１７ｂに回り込むように形成されている。第２の外部電極１４ｂは、第２の内部電極１３ｂと電気的に接続されている。

図４は、第２の外部電極１４ｂの詳細な構成を示す断面図である。以下では、第２の外部電極１４ｂの構成について説明するが、第１の外部電極１４ａの構成についても同様である。

第２の外部電極１４ｂは、Ｎｉ層４１と、Ｎｉ−Ｓｎ合金層４２と、樹脂層４３と、めっき層４４とを備える。

Ｎｉにより構成されているＮｉ層４１は、積層体１１の第２の端面１５ｂに設けられている。本実施形態では、Ｎｉ層４１は、第１の主面１６ａ、第２の主面１６ｂ、第１の側面１７ａ、および第２の側面１７ｂに回り込まずに、第２の端面１５ｂにのみ設けられている。

Ｎｉ層４１の厚みは、例えば２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。Ｎｉ層４１の厚みが２μｍ未満になると、外部から内部への水分の侵入を抑制する効果が低くなる。また、Ｎｉ層４１の厚みが１０μｍを超えると、外部電極全体の厚みが厚くなり、積層セラミックコンデンサ１０のサイズが大きくなる。

Ｎｉ層４１は、第２の内部電極１３ｂと一体焼結されている。図示は省略するが、第１の外部電極１４ａ側に設けられているＮｉ層は、第１の内部電極１３ａと一体焼結されている。Ｎｉ層４１が第２の内部電極１３ｂと一体焼結されていることにより、Ｎｉ層４１と第２の内部電極１３ｂとの密着性が高くなり、積層体１１とＮｉ層４１との界面に脆弱部位が生じることを抑制することができる。

Ｎｉ−Ｓｎ合金層４２は、ＮｉとＳｎとの合金からなる層であって、Ｎｉ層４１の上に設けられている。本実施形態では、Ｎｉ層４１と同様、Ｎｉ−Ｓｎ合金層４２は、第１の主面１６ａ、第２の主面１６ｂ、第１の側面１７ａ、および第２の側面１７ｂに回り込まないように設けられている。Ｎｉ層４１の上にＮｉ−Ｓｎ合金層が設けられていることにより、外部から内部への水分の侵入をより効果的に抑制することができ、絶縁抵抗の低下を抑制することができる。

Ｎｉ−Ｓｎ合金層４２の厚みは、１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。Ｎｉ−Ｓｎ合金層４２の厚みが１μｍ未満になると、外部から内部への水分の侵入を抑制する効果が低くなる。また、Ｎｉ−Ｓｎ合金層４２の厚みが５μｍを超えると、外部電極全体の厚みが厚くなり、積層セラミックコンデンサ１０のサイズが大きくなる。

樹脂層４３は、Ｎｉ−Ｓｎ合金層４２の上に設けられ、Ｓｎ粒子を含む金属粒子５０を含有する。樹脂層４３は、Ｎｉ−Ｓｎ合金層４２の上だけでなく、第１の主面１６ａ、第２の主面１６ｂ、第１の側面１７ａ、および第２の側面１７ｂに回り込むように設けられている。

樹脂層４３に含まれる金属粒子５０は、Ｓｎ粒子だけでもよいし、Ｓｎ粒子の他に、Ａｇ粒子、Ｃｕ粒子、および、Ｎｉ粒子のうちの少なくとも１つが含まれていてもよい。樹脂層４３に含まれる金属粒子５０として、Ｓｎ粒子の他に、Ａｇ粒子、Ｃｕ粒子、および、Ｎｉ粒子のうちの少なくとも１つが含まれていることにより、Ｓｎ粒子だけが含まれている構成と比べて、等価直列抵抗を低くすることができる。

樹脂層４３に含まれる金属粒子５０は、扁平形状および球形状のうちの少なくとも一方の形状を有する。すなわち、樹脂層４３には、扁平形状の金属粒子５０だけが含まれていてもよいし、球形状の金属粒子５０だけが含まれていてもよいし、その両方が含まれていてもよい。球形状には、完全な球形だけでなく、球形に近い形状も含まれる。

樹脂層４３に、扁平形状の金属粒子５０が含まれていることにより、導電性が向上する。また、樹脂層４３に、球形状の金属粒子５０が含まれていることにより、積層セラミックコンデンサ１０に曲げ応力が加わったときに、外部電極１４にクラックが生じにくい構造とすることができる。このため、樹脂層４３には、扁平形状の金属粒子５０と、球形状の金属粒子５０とが含まれていることが好ましい。

樹脂層４３に含まれる樹脂としては、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いることができる。

樹脂層４３の厚みは、例えば、積層セラミックコンデンサ１０が１００５サイズ（長さ方向Ｌ：１．０ｍｍ、幅方向Ｗ：０．５ｍｍ）の場合、２０μｍ以上３０μｍ以下である。樹脂層４３は、積層体１１の第１の主面１６ａ、第２の主面１６ｂ、第１の側面１７ａ、および第２の側面１７ｂに回り込むように形成されている。

金属粒子５０の粒子径は、例えば１μｍ以上１０μｍ以下である。金属粒子が球形状ではない場合の粒子径は、球相当径である。樹脂層４３に対する金属粒子の含有率は、４０体積％以上であることが好ましい。金属粒子の含有率を４０体積％以上とすることにより、樹脂層４３の良好な導電性を確保することができる。

めっき層４４は、樹脂層４３の上に設けられている。めっき層４４には、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、ＡｇとＰｄの合金、およびＡｕなどのうちの少なくとも１つが含まれる。

めっき層４４は、１層であってもよいし、複数層であってもよい。ただし、めっき層４４は、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造であることが好ましい。Ｎｉめっき層は、樹脂層４３などが積層セラミックコンデンサ１０を実装する際のはんだによって侵食されるのを防止する機能を果たす。また、Ｓｎめっき層は、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際のはんだの濡れ性を向上させる機能を果たす。

めっき層４４の一層あたりの厚みは、例えば、２μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。

（積層セラミックコンデンサの製造方法）
初めに、誘電体セラミック粉末にバインダと有機溶剤とを配合して分散させたセラミックスラリーを用意し、樹脂フィルム上にセラミックスラリーを塗布することによって、セラミックグリーンシートを作製する。

続いて、内部電極用導電性ペーストを用意し、セラミックグリーンシートに内部電極用導電性ペーストを印刷することによって、内部電極パターンを形成する。内部電極用導電性ペーストには、例えばＮｉ粉、有機溶剤、バインダなどが含まれる。内部電極用導電性ペーストの印刷は、例えば、スクリーン印刷やグラビア印刷などの印刷方法を用いることができる。

続いて、内部電極パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その上に、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを順次積層し、さらにその上に、内部電極パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層して、マザー積層体を作製する。

続いて、マザー積層体を、剛体プレス、静水圧プレスなどの方法によりプレスする。

続いて、プレスされたマザー積層体を、押切り、ダイシング、レーザなどの切断方法により、所定のサイズにカットする。この後、バレル研磨などにより、角部および稜線部に丸みをつける。上述した工程により、未焼成積層体が得られる。この未焼成積層体では、両端面に、内部電極パターンが露出している。

続いて、テーブルに、Ｎｉを含有する導電ペーストを塗布し、Ｎｉを含有する導電ペースト層を形成する。そして、内部電極パターンが両端面に露出した未焼成積層体の一方端面を、Ｎｉを含有する導電ペースト層に浸漬し、一方端面を、Ｎｉを含有する導電ペーストで覆う。このとき、弾性体を用いて、未焼成積層体の側面を保持して、Ｎｉを含有する導電ペースト層に一方端面を浸漬するようにしてもよいし、未焼成積層体の他方端面を、粘着剤を介して図示しない保持部材と接着して保持し、Ｎｉを含有する導電ペースト層に一方端面を浸漬するようにしてもよい。なお、Ｎｉを含有する導電ペーストは、ガラスを含んでいてもよい。

なお、テーブル上に形成されたＮｉを含有する導電ペースト層の厚みは、未焼成積層体の稜線部のＲ量以下であることが好ましい。Ｎｉを含有する導電ペースト層の厚みが未焼成積層体の稜線部のＲ量以下であれば、Ｎｉを含有する導電ペースト層に未焼成積層体の端面を浸漬したときに、ほぼ端面のみに、Ｎｉを含有する導電ペーストを塗布することができる。

同様の方法により、未焼成積層体の他方端面にも、Ｎｉを含有する導電ペーストを塗布する。

なお、未焼成積層体の端面にＮｉを含有する導電ペーストを塗布する方法が上述した方法に限定されることはなく、スクリーン印刷など、他の方法を用いてもよい。

続いて、乾燥させることにより、Ｎｉを含有する導電ペーストに含まれる有機溶剤を取り除く。例えば、８０℃以上１５０℃以下の高温雰囲気中で乾燥させる。ただし、乾燥方法に特に制約はなく、例えば温風を吹き付けてもよいし、遠赤外線を用いて乾燥させてもよい。

続いて、Ｎｉを含有する導電ペーストが塗布された未焼成積層体を、例えば１０００℃以上１２００℃以下の温度で焼成する。本実施形態では、未焼成積層体と、Ｎｉを含有する導電ペーストとを同時に焼成する、いわゆるコファイアによって、焼成された積層体とＮｉ層とを得る。未焼成積層体とＮｉを含有する導電ペーストとを一体焼成することにより、焼成後に得られる積層体とＮｉ層との密着性が高くなり、積層体とＮｉ層との界面に脆弱部位が形成されることを抑制することができる。

また、内部電極用導電性ペーストに含まれる金属粉としてＮｉ粉を用いることにより、焼成後に得られる内部電極とＮｉ層との結合力をより高めることができる。

また、Ｎｉを含有する導電ペーストは、端面にのみ塗布されているので、焼成時に、Ｎｉ層の形成過程で収縮による締め付けが積層体に発生せず、収縮による積層体のクラックの発生を抑制することができる。

また、生産性向上のために、大量の未焼成積層体を一度に焼成する場合、側面や主面にＮｉを含有する導電ペーストが塗布されていると、Ｎｉを含有する導電ペーストを介して他の未焼成積層体に付着する可能性がある。しかしながら、本実施形態では、側面および主面にはＮｉを含有する導電ペーストが塗布されていないので、他の未焼成積層体への付着を抑制することができ、生産性が向上する。

続いて、エポキシ樹脂に金属粒子を混ぜた樹脂ペーストをテーブルに塗布して、樹脂ペースト層を形成する。金属粒子には少なくともＳｎ粒子が含まれる。樹脂ペースト層の厚みは、テーブルに形成したＮｉを含有する導電ペースト層の厚みよりも厚い方が好ましい。

そして、積層体の端面に設けられたＮｉ層を樹脂ペースト層に浸漬する。樹脂ペースト層への浸漬は、上述したＮｉを含有する導電ペースト層への浸漬と同じ方法により行うことができる。

積層体の両端面に設けられているＮｉ層を樹脂ペースト層に浸漬した後、１００℃以上２００℃以下の温度で樹脂ペーストを熱硬化させ、さらに、４００℃以上６００℃以下の温度で熱処理を行う。熱処理により、樹脂ペーストに含まれるＳｎ粒子と、Ｎｉ層に含まれるＮｉとが反応して、焼結したＮｉ層の上にＮｉ−Ｓｎ合金層が形成される。また、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の上には、金属粒子を含む樹脂層が形成される。

続いて、樹脂層の上にめっき層を形成する。例えば、樹脂層の上にＮｉめっき層を形成し、Ｎｉめっき層の上にＳｎめっき層を形成する。めっき層は、例えば電解めっきにより形成することができる。

上述した工程により、誘電体層と内部電極とが交互に複数積層された積層体の両端面に、Ｎｉ層、Ｎｉ−Ｓｎ合金層、Ｓｎ粒子を含む金属粒子を含有する樹脂層、および、めっき層を含む外部電極が形成された積層セラミックコンデンサが作製される。

本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。

例えば、上述した実施形態では、外部電極がめっき層を備えるものとして説明したが、めっき層を設けない構成としてもよい。

電子部品である積層セラミックコンデンサ１０の製造方法が上述した方法に限定されることはない。上述した実施形態では、外部電極を形成する際に、Ｎｉ層の上に、Ｓｎ粒子を含む金属粒子を含有する樹脂ペーストを塗工した後、熱処理を行うことによって、Ｎｉ−Ｓｎ合金層と樹脂層とを同時に形成するものとして説明した。しかし、積層順に、Ｎｉ層、Ｎｉ−Ｓｎ合金層、および、樹脂層を順に形成するようにしてもよい。

１０ 積層セラミックコンデンサ
１１ 積層体
１２ 誘電体層
１３ａ 第１の内部電極
１３ｂ 第２の内部電極
１４ａ 第１の外部電極
１４ｂ 第２の外部電極
１５ａ 第１の端面
１５ｂ 第２の端面
１６ａ 第１の主面
１６ｂ 第２の主面
１７ａ 第１の側面
１７ｂ 第２の側面
４１ Ｎｉ層
４２ Ｎｉ−Ｓｎ合金層
４３ 樹脂層
４４ めっき層
５０ 金属粒子
１２１ 外層誘電体層
１２２ 内層誘電体層

Claims (3)

1. 長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、厚み方向に相対する第１の主面および第２の主面と、幅方向に相対する第１の側面および第２の側面とを有し、誘電体層と、Ｎｉを含有する第１の内部電極および第２の内部電極とを含む積層体と、
   前記積層体の前記第１の端面および前記第２の端面に設けられた外部電極と、
   を備え、
   前記誘電体層は、前記積層体の前記厚み方向の外側に位置し、厚みが２０μｍ以上である外層誘電体層と、前記第１の内部電極と前記第２の内部電極との間に位置する内層誘電体層とを含み、
   前記第１の内部電極は、前記第１の端面に引き出されて前記外部電極と接続され、前記第２の内部電極は、前記第２の端面に引き出されて前記外部電極と接続されており、
   前記外部電極は、
   前記第１の端面および前記第２の端面に設けられたＮｉ層と、
   前記Ｎｉ層の上に設けられたＮｉ−Ｓｎ合金層と、
   前記Ｎｉ−Ｓｎ合金層の上に設けられ、Ｓｎ粒子を含む金属粒子を含有する樹脂層と、
   を含み、
   前記Ｎｉ層と、前記第１の内部電極および前記第２の内部電極は、焼結されており、
   前記Ｎｉ層の厚みは、２μｍ以上１０μｍ以下であり、かつ、前記積層体の稜線部のＲ量以下であり、
   前記金属粒子には、前記Ｓｎ粒子の他に、Ａｇ粒子、Ｃｕ粒子、および、Ｎｉ粒子のうちの少なくとも１つが含まれ、
   前記金属粒子は、扁平形状および球形状のうちの少なくとも一方の形状を有し、
   前記樹脂層に対する前記金属粒子の含有率は、４０体積％以上であり、
   前記樹脂層は、前記第１の主面、前記第２の主面、前記第１の側面および前記第２の側面において、前記積層体と直接接していることを特徴とする電子部品。
2. 誘電体層と、Ｎｉを含有する内部電極とが交互に複数積層され、前記内部電極が両端面に引き出された積層体を備える電子部品の製造方法であって、
   前記誘電体層のうち、前記積層体の厚み方向外側に位置する外部誘電体層の厚みが２０μｍ以上となるように、焼成後に前記積層体となる未焼成積層体を用意する工程と、
   前記未焼成積層体の前記両端面に、Ｎｉを含有する導電性ペーストを、前記未焼成積層体の稜線部のＲ量以下の厚みに塗工する工程と、
   前記Ｎｉを含有する導電ペーストと前記未焼成積層体とを一体焼成することによって、端面に厚みが２μｍ以上１０μｍ以下であるＮｉ層が形成された前記積層体を得る工程と、
   前記Ｎｉ層の上に、Ｓｎ粒子と、Ａｇ粒子、Ｃｕ粒子、および、Ｎｉ粒子のうちの少なくとも１つの粒子とを含み、扁平形状および球形状のうちの少なくとも一方の形状を有する金属粒子を含有する樹脂ペーストを塗工する工程と、
   前記樹脂ペーストが塗工された前記積層体に熱処理を施して、前記Ｎｉ層の上にＮｉ−Ｓｎ合金層を形成し、かつ、前記Ｎｉ−Ｓｎ合金層の上に、前記積層体の主面と側面において前記積層体と直接接するように、前記金属粒子の含有率が４０体積％以上である樹脂層を形成する工程と、
   を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
3. 前記熱処理を行う際の温度は、５００℃より高く６００℃以下であることを特徴とする請求項２に記載の電子部品の製造方法。

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