JP5811355B2 - エピタキシャルウェーハ製造装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
サセプタの傾きの評価では、サセプタの周方向の高さ分布を高さ調整の前後で測定しPV(Peak to Valley)値を算出した。PV値により、どちらの方向にどれだけ傾いているか算出可能であり、PV値が大きいほど傾きが大きいことになる。
ウェーハ載置ずれ量の評価では、高さ調整の前後で貫通孔パターン転写法によりウェーハ載置ずれ量を評価した。前記貫通孔パターン転写法とは、貫通孔を有するサセプタ上にウェーハを載置し、エピタキシャル層を成長させる温度でエッチングガスを導入することで、ウェーハ裏面に貫通孔パターンを転写させた後、裏面に転写した貫通孔パターンの位置を測定し、ウェーハの載置位置の偏心量を評価する手法である。
エピタキシャル層の膜厚の均一性の評価では、ウェーハ外周縁から2mm除外した任意の方向でのクロスセクションから膜厚均一性を算出した。サセプタ高さ調整前のエピタキシャル層の膜厚分布(%)は、±1.9%であり、ウェーハ載置ずれの影響により左右の膜厚分布が不均一となってしまった(図5)。そこで、サセプタのアーム柱部の高さ調整機構である螺合機構の雄螺子部と雌螺子部の螺合を調整してサセプタ高さ調整を行ったところ、エピタキシャル層の膜厚分布(%)は、±0.9%まで改善した(図4)。
Claims (2)
- ウェーハを載置するためのウェーハポケットが設けられたサセプタと、
前記サセプタの高さ調整機構を有し前記高さ調整機構を介して前記サセプタの少なくとも周辺部を支持する複数のアーム部と、
前記アーム部を支えるサポートシャフトと、
を具備したエピタキシャルウェーハ製造装置であり、
前記高さ調整機構により前記サセプタの傾きを調整して前記サセプタを水平にできるようにしてなり、
前記高さ調整機構が、前記アーム部のアーム柱部の一部に設けられた雄螺子部と雌螺子部との螺合を可変させて前記アーム柱部の長さ調整が可能とされた螺合機構であり、前記螺合機構により、前記サセプタの高さ調整をした後、前記螺合機構の螺合の可変を防止する外部カバーが着脱自在に設けられてなることを特徴とするエピタキシャルウェーハ製造装置。 - 前記請求項1記載のエピタキシャルウェーハ製造装置を用いて、サセプタを水平にし、前記サセプタ上のウェーハにエピタキシャル層を気相成長させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
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