JP2003133397A - 半導体ウェハ製造装置の回転式サセプタ支持機構 - Google Patents
半導体ウェハ製造装置の回転式サセプタ支持機構Info
- Publication number
- JP2003133397A JP2003133397A JP2001329753A JP2001329753A JP2003133397A JP 2003133397 A JP2003133397 A JP 2003133397A JP 2001329753 A JP2001329753 A JP 2001329753A JP 2001329753 A JP2001329753 A JP 2001329753A JP 2003133397 A JP2003133397 A JP 2003133397A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- support shaft
- shaft
- drive shaft
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 サセプタの傾き及び回転中心の偏芯を補正で
きる支持軸構造を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ製造装置1は、ウェハ10
を支持するサセプタ11と、サセプタ11を支持するサ
セプタ支持軸14と、回転駆動用モータ28によって回
転動力を与えられる駆動軸15と、駆動軸15に対して
サセプタ支持軸14を所望の傾き及び水平位置で固定で
きる連結部材16とを備える。連結部材16は、サセプ
タ支持軸の曲がりを補正する機構を有するため、サセプ
タ上面の偏芯と傾きを補正することで、サセプタリング
とサセプタとの間での処理ガス流れの乱れを低減するこ
とができ、エピタキシャル膜の平坦度を向上させること
ができる。
きる支持軸構造を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ製造装置1は、ウェハ10
を支持するサセプタ11と、サセプタ11を支持するサ
セプタ支持軸14と、回転駆動用モータ28によって回
転動力を与えられる駆動軸15と、駆動軸15に対して
サセプタ支持軸14を所望の傾き及び水平位置で固定で
きる連結部材16とを備える。連結部材16は、サセプ
タ支持軸の曲がりを補正する機構を有するため、サセプ
タ上面の偏芯と傾きを補正することで、サセプタリング
とサセプタとの間での処理ガス流れの乱れを低減するこ
とができ、エピタキシャル膜の平坦度を向上させること
ができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハにエピタキ
シャル膜を形成するための半導体ウェハ製造装置に関
し、特に、サセプタに回転駆動を与える支持軸の構造に
関する。
シャル膜を形成するための半導体ウェハ製造装置に関
し、特に、サセプタに回転駆動を与える支持軸の構造に
関する。
【0002】
【従来の技術】ウェハ基板上に同じ結晶方位をもったシ
リコンの単結晶層を成長させることにより、結晶欠陥が
なく、所望の抵抗率を有するシリコンウェハを製造する
技術が知られている。このシリコンの単結晶層は、例え
ば直径が200mmで厚さが0.75mmのウェハの場
合に数μm程度の厚さを有する極薄い層であり、一般的
にエピタキシャル膜と呼ばれる。このエピタキシャル膜
の成長に用いられるウェハ製造装置として、シリコンウ
ェハを1枚ずつ処理する枚葉式と称されるものがある。
リコンの単結晶層を成長させることにより、結晶欠陥が
なく、所望の抵抗率を有するシリコンウェハを製造する
技術が知られている。このシリコンの単結晶層は、例え
ば直径が200mmで厚さが0.75mmのウェハの場
合に数μm程度の厚さを有する極薄い層であり、一般的
にエピタキシャル膜と呼ばれる。このエピタキシャル膜
の成長に用いられるウェハ製造装置として、シリコンウ
ェハを1枚ずつ処理する枚葉式と称されるものがある。
【0003】この枚葉式のウェハ製造装置においては、
通常、ウェハを1枚だけ水平に支持するサセプタ(ウェ
ハ支持台)が処理チャンバ内に設けられている。また、
サセプタ上にウェハを搬送するために、ウェハをサセプ
タに対して上下動させるためのリフト機構が設けられて
いる。一般のリフト機構は、サセプタを貫通して延びる
複数本のリフトピンを有しており、これらのリフトピン
の上端にウェハを載せ、リフトピンを上下動させること
で、ウェハを昇降させることができるようになってい
る。このようなリフト機構により、搬送用アームのハン
ドに載せられてチャンバ内に運ばれてきたウェハをサセ
プタ上に移載したり、或いはその逆に、ウェハをサセプ
タからハンドに受け渡したりすることが可能となる。
通常、ウェハを1枚だけ水平に支持するサセプタ(ウェ
ハ支持台)が処理チャンバ内に設けられている。また、
サセプタ上にウェハを搬送するために、ウェハをサセプ
タに対して上下動させるためのリフト機構が設けられて
いる。一般のリフト機構は、サセプタを貫通して延びる
複数本のリフトピンを有しており、これらのリフトピン
の上端にウェハを載せ、リフトピンを上下動させること
で、ウェハを昇降させることができるようになってい
る。このようなリフト機構により、搬送用アームのハン
ドに載せられてチャンバ内に運ばれてきたウェハをサセ
プタ上に移載したり、或いはその逆に、ウェハをサセプ
タからハンドに受け渡したりすることが可能となる。
【0004】また、エピタキシャル膜の成長を行うため
には、ウェハ上に処理ガス(原料ガス及びキャリアガ
ス)を流し、サセプタ上で支持されたウェハを1000
〜1200℃程度の高温に加熱する必要がある。このた
め、多数のハロゲンランプ(赤外線ランプ又は遠赤外線
ランプ)を処理チャンバの上下に配置し、サセプタ及び
ウェハを加熱している。
には、ウェハ上に処理ガス(原料ガス及びキャリアガ
ス)を流し、サセプタ上で支持されたウェハを1000
〜1200℃程度の高温に加熱する必要がある。このた
め、多数のハロゲンランプ(赤外線ランプ又は遠赤外線
ランプ)を処理チャンバの上下に配置し、サセプタ及び
ウェハを加熱している。
【0005】近年、半導体集積回路の高集積化・高機能
化と共にデザインルールの微細化が急速に進み、半導体
ウェハに対する要求は更に厳密かつ厳格になってきてい
る。そして、エピタキシャル膜についても、表面の平坦
度や異物付着の限界サイズなどの要求が非常に厳しいも
のとなっており、中でも特にエピタキシャル膜の品質項
目として平坦度の向上が望まれている。この平坦度に影
響を与える要因として、ウェハを載置するサセプタの上
面とサセプタの周囲を囲むサセプタリング上面との上下
方向の位置ずれ、及び、サセプタとサセプタリングの隙
間の不均一があげられる。これは、位置ずれや隙間の不
均一によってウェハの上面における処理ガスの流れが乱
れ、成膜量が不均一になるからである。
化と共にデザインルールの微細化が急速に進み、半導体
ウェハに対する要求は更に厳密かつ厳格になってきてい
る。そして、エピタキシャル膜についても、表面の平坦
度や異物付着の限界サイズなどの要求が非常に厳しいも
のとなっており、中でも特にエピタキシャル膜の品質項
目として平坦度の向上が望まれている。この平坦度に影
響を与える要因として、ウェハを載置するサセプタの上
面とサセプタの周囲を囲むサセプタリング上面との上下
方向の位置ずれ、及び、サセプタとサセプタリングの隙
間の不均一があげられる。これは、位置ずれや隙間の不
均一によってウェハの上面における処理ガスの流れが乱
れ、成膜量が不均一になるからである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】サセプタの支持方法と
しては図9に示すように、サセプタ11を支持するサセ
プタ支持軸44の下端部に設けられた略円錐台形状の挿
入部47を、回転運動する駆動軸45の上端に設けられ
た支持部46へ直接挿入し、上下方向の支持と回転力の
伝達を行っている。サセプタ支持軸は高温に加熱される
温度環境と、処理ガスに対する耐食性が必要であること
から石英ガラスが使用されている。このサセプタ支持軸
は、エピタキシャル膜の成膜工程において、熱源である
ハロゲンランプからの輻射熱を遮らないように、透明に
する必要がある。
しては図9に示すように、サセプタ11を支持するサセ
プタ支持軸44の下端部に設けられた略円錐台形状の挿
入部47を、回転運動する駆動軸45の上端に設けられ
た支持部46へ直接挿入し、上下方向の支持と回転力の
伝達を行っている。サセプタ支持軸は高温に加熱される
温度環境と、処理ガスに対する耐食性が必要であること
から石英ガラスが使用されている。このサセプタ支持軸
は、エピタキシャル膜の成膜工程において、熱源である
ハロゲンランプからの輻射熱を遮らないように、透明に
する必要がある。
【0007】一般に、石英製のサセプタ支持軸を透明に
するためには、支持軸の形状加工の後、研削面の仕上げ
加工として火炎が当てられる。また、サセプタ支持軸は
複数の部品を溶接によってつなぎ合わせて形成されるこ
ともある。しかし、この火炎や溶接時の加熱によりサセ
プタ支持軸に内部応力が残留するため、最終工程として
アニール処理を行い、軸内に残留する内部応力を除去し
ている。アニール処理は約1200℃の高温の炉内に、
加工後の支持軸を数時間配置するものであるが、炉内が
高温であるために石英の軟化が起こり、支持軸の形状変
化が起こる。特に、サセプタ支持軸はサセプタの回転中
心となるため、軸の曲がりが問題となる。
するためには、支持軸の形状加工の後、研削面の仕上げ
加工として火炎が当てられる。また、サセプタ支持軸は
複数の部品を溶接によってつなぎ合わせて形成されるこ
ともある。しかし、この火炎や溶接時の加熱によりサセ
プタ支持軸に内部応力が残留するため、最終工程として
アニール処理を行い、軸内に残留する内部応力を除去し
ている。アニール処理は約1200℃の高温の炉内に、
加工後の支持軸を数時間配置するものであるが、炉内が
高温であるために石英の軟化が起こり、支持軸の形状変
化が起こる。特に、サセプタ支持軸はサセプタの回転中
心となるため、軸の曲がりが問題となる。
【0008】しかしながら、従来技術の構造では、サセ
プタ支持軸の曲がり及びこれに伴う回転中心の偏芯を補
正する機構がないため、サセプタ上面は偏芯と傾きをも
った状態で回転していた。そのため、サセプタに載置さ
れたウェハ上面においては処理ガスが不均一に当たり、
その結果、成長するエピタキシャル膜の厚さが不均一に
なり、所望の平坦度の確保が困難であった。
プタ支持軸の曲がり及びこれに伴う回転中心の偏芯を補
正する機構がないため、サセプタ上面は偏芯と傾きをも
った状態で回転していた。そのため、サセプタに載置さ
れたウェハ上面においては処理ガスが不均一に当たり、
その結果、成長するエピタキシャル膜の厚さが不均一に
なり、所望の平坦度の確保が困難であった。
【0009】本出願に係る発明は、上記のような問題点
を解決するためになされたものであり、その目的とする
ところは、サセプタの傾き及び回転中心の偏芯を補正で
きる支持軸構造を提供することにある。
を解決するためになされたものであり、その目的とする
ところは、サセプタの傾き及び回転中心の偏芯を補正で
きる支持軸構造を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本出願に係る第1の発明は、ウェハを支持するサセ
プタと、前記サセプタを支持する支持軸と、回転駆動手
段によって回転動力を与えられ、回転運動する駆動軸
と、前記駆動軸に対して前記支持軸を所望の位置で固定
できる連結手段と、を有することを特徴とする半導体ウ
ェハ製造装置である。
め、本出願に係る第1の発明は、ウェハを支持するサセ
プタと、前記サセプタを支持する支持軸と、回転駆動手
段によって回転動力を与えられ、回転運動する駆動軸
と、前記駆動軸に対して前記支持軸を所望の位置で固定
できる連結手段と、を有することを特徴とする半導体ウ
ェハ製造装置である。
【0011】また、本出願に係る第2の発明は、前記連
結手段が、前記支持軸の材質よりも硬度が低い材料より
なり、前記支持軸を把持する把持手段を備えることを特
徴とする上記第1の発明に記載の半導体ウェハ製造装置
である。
結手段が、前記支持軸の材質よりも硬度が低い材料より
なり、前記支持軸を把持する把持手段を備えることを特
徴とする上記第1の発明に記載の半導体ウェハ製造装置
である。
【0012】更に、本出願に係る第3の発明は、前記把
持手段が、フッ素ゴムよりなるOリングであることを特
徴とする上記第2の発明に記載の半導体ウェハ製造装置
である。
持手段が、フッ素ゴムよりなるOリングであることを特
徴とする上記第2の発明に記載の半導体ウェハ製造装置
である。
【0013】また、本出願に係る第4の発明は、前記把
持手段が、2個のOリングと、テーパ面を持った楔と、
押圧手段とからなることを特徴とする上記第2または第
3の発明に記載の半導体ウェハ製造装置である。
持手段が、2個のOリングと、テーパ面を持った楔と、
押圧手段とからなることを特徴とする上記第2または第
3の発明に記載の半導体ウェハ製造装置である。
【0014】更に、本出願に係る第5の発明は、前記駆
動軸が円柱形状であり、前記連結手段の前記駆動軸との
連結部は、前記駆動軸の外径よりも大きい内径を有する
穴と、該穴の内壁面から突出可能な固定手段とを備え、
前記穴内に前記駆動軸を配置し、前記駆動軸の外周面に
前記固定手段を当接させることにより前記駆動軸に前記
連結手段を固定することを特徴とする上記第1〜第4の
何れか1つの発明に記載の半導体ウェハ製造装置であ
る。
動軸が円柱形状であり、前記連結手段の前記駆動軸との
連結部は、前記駆動軸の外径よりも大きい内径を有する
穴と、該穴の内壁面から突出可能な固定手段とを備え、
前記穴内に前記駆動軸を配置し、前記駆動軸の外周面に
前記固定手段を当接させることにより前記駆動軸に前記
連結手段を固定することを特徴とする上記第1〜第4の
何れか1つの発明に記載の半導体ウェハ製造装置であ
る。
【0015】
【発明の実施の形態】[実施の形態1]以下、本出願に
係る発明の第1の実施の形態について、図1〜図7に基
づいて詳細に説明する。図1は、本発明に係る半導体ウ
ェハ製造装置1の概略構造を示す縦断面である。
係る発明の第1の実施の形態について、図1〜図7に基
づいて詳細に説明する。図1は、本発明に係る半導体ウ
ェハ製造装置1の概略構造を示す縦断面である。
【0016】チャンバ2は、不図示のベースリングを石
英よりなる透光性の窓3,4によって上下から挟んでな
り、内部の閉空間は反応炉5となっている。さらに、反
応炉5を加熱する熱源6,7をチャンバ2の上下に備え
ている。本実施の形態においては、上下の熱源6,7は
それぞれ複数本のハロゲンランプから構成されている。
チャンバ2の左右には開口8,9が形成されており、一
方の流入口8から原料ガスおよびキャリアガスが流入
し、他方の排出口9から反応後のガスおよびキャリアガ
スが排出される。
英よりなる透光性の窓3,4によって上下から挟んでな
り、内部の閉空間は反応炉5となっている。さらに、反
応炉5を加熱する熱源6,7をチャンバ2の上下に備え
ている。本実施の形態においては、上下の熱源6,7は
それぞれ複数本のハロゲンランプから構成されている。
チャンバ2の左右には開口8,9が形成されており、一
方の流入口8から原料ガスおよびキャリアガスが流入
し、他方の排出口9から反応後のガスおよびキャリアガ
スが排出される。
【0017】反応炉5内には、ウェハ10を上部に支持
するサセプタ11を収納している。サセプタ11は上方
から見ると円板形状をしており、その直径はウェハ10
よりも大きく、サセプタ11の上面にはウェハ10が収
納される円形状のウェハ収納用凹部12を設けている。
サセプタ11は、本実施の形態においては炭素Cの基材
に炭化シリコンSiCの被膜を施したものであり、ウェ
ハ10を加熱する際にウェハ10全体の温度を均一に保
つ均熱盤としての役割を果たす。そのため、サセプタ1
1はウェハ10よりも数倍の厚さ、すなわち数倍の熱容
量を有している。サセプタ11はエピタキシャル膜の成
長処理操作の間、ウェハ10の板面と平行な面内におい
て、垂直軸を回転中心として回転動を行う。
するサセプタ11を収納している。サセプタ11は上方
から見ると円板形状をしており、その直径はウェハ10
よりも大きく、サセプタ11の上面にはウェハ10が収
納される円形状のウェハ収納用凹部12を設けている。
サセプタ11は、本実施の形態においては炭素Cの基材
に炭化シリコンSiCの被膜を施したものであり、ウェ
ハ10を加熱する際にウェハ10全体の温度を均一に保
つ均熱盤としての役割を果たす。そのため、サセプタ1
1はウェハ10よりも数倍の厚さ、すなわち数倍の熱容
量を有している。サセプタ11はエピタキシャル膜の成
長処理操作の間、ウェハ10の板面と平行な面内におい
て、垂直軸を回転中心として回転動を行う。
【0018】サセプタ11には貫通穴が設けられてお
り、その貫通穴にウェハ10を昇降させるためのリフト
ピン36が挿通している。リフトピン36の形状や、リ
フトピン36の昇降機構については、従来より種々のも
のが知られているため、本実施の形態においてはリフト
ピン36の機構についての具体的な説明は省略する。
り、その貫通穴にウェハ10を昇降させるためのリフト
ピン36が挿通している。リフトピン36の形状や、リ
フトピン36の昇降機構については、従来より種々のも
のが知られているため、本実施の形態においてはリフト
ピン36の機構についての具体的な説明は省略する。
【0019】サセプタ11を支持するために、サセプタ
11の下面には3本の支持アーム13(図において1本
は不図示)が当接している。支持アーム13はサセプタ
支持軸の頂上部に設けられており、サセプタ11の上方
から見たときに3本の支持アーム13それぞれの成す角
度が等しくなるように、サセプタ支持軸14の頂上部を
中心として放射状に配置される。支持アーム13とサセ
プタ11下面との3点の当接部は、正三角形状に配置さ
れるのが好ましく、更にその正三角形の重心位置がサセ
プタ11の重心位置と一致することが望ましい。サセプ
タ支持軸14は、サセプタ支持軸14の軸心とサセプタ
11の重心とが一致する位置に設けられ、サセプタ支持
軸14の回転によりサセプタ11が安定して回転する。
サセプタ支持軸14への回転は、後述する回転駆動用モ
ータ28によって与えられる。
11の下面には3本の支持アーム13(図において1本
は不図示)が当接している。支持アーム13はサセプタ
支持軸の頂上部に設けられており、サセプタ11の上方
から見たときに3本の支持アーム13それぞれの成す角
度が等しくなるように、サセプタ支持軸14の頂上部を
中心として放射状に配置される。支持アーム13とサセ
プタ11下面との3点の当接部は、正三角形状に配置さ
れるのが好ましく、更にその正三角形の重心位置がサセ
プタ11の重心位置と一致することが望ましい。サセプ
タ支持軸14は、サセプタ支持軸14の軸心とサセプタ
11の重心とが一致する位置に設けられ、サセプタ支持
軸14の回転によりサセプタ11が安定して回転する。
サセプタ支持軸14への回転は、後述する回転駆動用モ
ータ28によって与えられる。
【0020】サセプタ支持軸14及び支持アーム13
は、下部熱源7からの光を遮ることのないよう、透光性
の石英によって形成される。一般にサセプタ支持軸14
は、ステンレス製の円筒状の駆動軸15の上端に連結し
ている。図2(a)にサセプタ支持軸14と駆動軸15
との連結構造を示す。サセプタ支持軸14と駆動軸15
とは、軸継手であるステンレス製の連結部材16によっ
て相互に連結される。連結部材16は略円柱形状をな
し、円柱上面にはサセプタ支持軸14が嵌合するための
上部円柱穴17を設けている。また、連結部材16の円
柱下面には駆動軸15が挿入されるための下部円柱穴1
8を設けている。連結部材16の中腹には、内部壁19
を設けている。
は、下部熱源7からの光を遮ることのないよう、透光性
の石英によって形成される。一般にサセプタ支持軸14
は、ステンレス製の円筒状の駆動軸15の上端に連結し
ている。図2(a)にサセプタ支持軸14と駆動軸15
との連結構造を示す。サセプタ支持軸14と駆動軸15
とは、軸継手であるステンレス製の連結部材16によっ
て相互に連結される。連結部材16は略円柱形状をな
し、円柱上面にはサセプタ支持軸14が嵌合するための
上部円柱穴17を設けている。また、連結部材16の円
柱下面には駆動軸15が挿入されるための下部円柱穴1
8を設けている。連結部材16の中腹には、内部壁19
を設けている。
【0021】上部円柱穴17の内径は、サセプタ支持軸
14の直径よりもやや大きく、サセプタ支持軸14は上
部円柱穴17内にOリング20を介して支持される。上
部円柱穴17の内壁面には、内周に沿って2本の環状溝
21を設けており、この環状溝21に輪状のOリング2
0を内側から嵌合させる。サセプタ支持軸14は上方か
ら上部円柱穴17に挿入され、Oリング20によって連
結部材16内に把持される。
14の直径よりもやや大きく、サセプタ支持軸14は上
部円柱穴17内にOリング20を介して支持される。上
部円柱穴17の内壁面には、内周に沿って2本の環状溝
21を設けており、この環状溝21に輪状のOリング2
0を内側から嵌合させる。サセプタ支持軸14は上方か
ら上部円柱穴17に挿入され、Oリング20によって連
結部材16内に把持される。
【0022】Oリング20は、石英製のサセプタ支持軸
14が割れるのを防止するために設けるものであり、石
英よりも軟質な樹脂のような部材や、ゴムのような弾性
部材によって形成する必要がある。また、サセプタ支持
軸14から成膜処理時の熱が伝達するため、耐熱性を有
することも必要とされる。Oリング20の材質として
は、耐熱性を有するフッ素ゴム等を用いることができ
る。このようにしてサセプタ支持軸14は、連結部材1
6の上部円柱穴17内に上下方向及び回転方向に不動に
支持される。このとき、サセプタ支持軸14の下端面
は、剛体との接触による破損を防止するために、内部壁
19には接触していない方が好ましい。
14が割れるのを防止するために設けるものであり、石
英よりも軟質な樹脂のような部材や、ゴムのような弾性
部材によって形成する必要がある。また、サセプタ支持
軸14から成膜処理時の熱が伝達するため、耐熱性を有
することも必要とされる。Oリング20の材質として
は、耐熱性を有するフッ素ゴム等を用いることができ
る。このようにしてサセプタ支持軸14は、連結部材1
6の上部円柱穴17内に上下方向及び回転方向に不動に
支持される。このとき、サセプタ支持軸14の下端面
は、剛体との接触による破損を防止するために、内部壁
19には接触していない方が好ましい。
【0023】一方、下部円柱穴18の内径は、駆動軸1
5の直径よりも大分大きく形成されている。例えば、直
径12mmの駆動軸15に対して、内径13mmの下部
円柱穴18が用いられる。図2(b)は図2(a)のA
−A´断面図である。図2(b)に示すように連結部材
16の下部円柱穴18の肉厚部22には、軸心から放射
状に3本の雌ねじ23a〜23cが切られている。3本
の雌ねじ23a〜23cは連結部材16の中心軸を法線
とする同一の水平面上に配置され、下部円柱穴18の肉
厚部22を貫通して、連結部材16の外周壁に開口を有
している。更に、図2(a)に示すように同様の位置関
係を有する3本の雌ねじ23d〜23f(23fは不図
示)が、連結部材16の中心軸を法線とする前記とは異
なる他の水平面上に配置されている。従って、下部円柱
穴18の肉厚部22には計6本の雌ねじ23d〜23f
が穿設されている。
5の直径よりも大分大きく形成されている。例えば、直
径12mmの駆動軸15に対して、内径13mmの下部
円柱穴18が用いられる。図2(b)は図2(a)のA
−A´断面図である。図2(b)に示すように連結部材
16の下部円柱穴18の肉厚部22には、軸心から放射
状に3本の雌ねじ23a〜23cが切られている。3本
の雌ねじ23a〜23cは連結部材16の中心軸を法線
とする同一の水平面上に配置され、下部円柱穴18の肉
厚部22を貫通して、連結部材16の外周壁に開口を有
している。更に、図2(a)に示すように同様の位置関
係を有する3本の雌ねじ23d〜23f(23fは不図
示)が、連結部材16の中心軸を法線とする前記とは異
なる他の水平面上に配置されている。従って、下部円柱
穴18の肉厚部22には計6本の雌ねじ23d〜23f
が穿設されている。
【0024】連結部材16の下方から下部円柱穴18内
に駆動軸15を挿入し、外周から雌ねじ23a〜23f
にステンレス製のいもねじ24a〜24fをねじ込む。
このように6点で支持することにより、連結部材16は
所望の水平位置及び傾きを保った状態で駆動軸15に確
実に固定される。
に駆動軸15を挿入し、外周から雌ねじ23a〜23f
にステンレス製のいもねじ24a〜24fをねじ込む。
このように6点で支持することにより、連結部材16は
所望の水平位置及び傾きを保った状態で駆動軸15に確
実に固定される。
【0025】さらに図2(a)に示すように、本実施の
形態においては、駆動軸15の上端に駆動突起34を備
え、サセプタ支持軸14の下端部には駆動凹部35を備
えている。駆動突起34は直方体形状をなし、駆動凹部
35は駆動突起34が嵌合するように直方体形状に凹ん
だ形状をなしている。連結部材16の中腹に設けられた
内部壁19には、駆動突起34が挿通するための貫通穴
が設けてあり、駆動突起34はこの貫通穴を通って駆動
凹部35に所定の遊びをもって緩く嵌合する。なお、こ
の駆動突起34と駆動凹部35は、サセプタ支持軸14
と駆動軸15が空回りするのを防止するために設けたも
のであり、本発明の必須の構成要件ではないため、設計
的事項として適宜省略することもできる。
形態においては、駆動軸15の上端に駆動突起34を備
え、サセプタ支持軸14の下端部には駆動凹部35を備
えている。駆動突起34は直方体形状をなし、駆動凹部
35は駆動突起34が嵌合するように直方体形状に凹ん
だ形状をなしている。連結部材16の中腹に設けられた
内部壁19には、駆動突起34が挿通するための貫通穴
が設けてあり、駆動突起34はこの貫通穴を通って駆動
凹部35に所定の遊びをもって緩く嵌合する。なお、こ
の駆動突起34と駆動凹部35は、サセプタ支持軸14
と駆動軸15が空回りするのを防止するために設けたも
のであり、本発明の必須の構成要件ではないため、設計
的事項として適宜省略することもできる。
【0026】図1に示すように、駆動軸15はブラケッ
ト25に固定されたベアリングユニット26に垂直に保
持され、さらに駆動軸15の軸心を中心に回転動自在に
支持されている。駆動軸15はその軸下部がベアリング
ユニット26を貫通して延び出ており、軸下端部にはギ
ヤ27を固定している。ブラケット25には回転軸を垂
直下方に向けて配置された回転駆動用モータ28が固定
され、この回転駆動用モータ28の回転軸端部には駆動
ギヤ29を設けている。
ト25に固定されたベアリングユニット26に垂直に保
持され、さらに駆動軸15の軸心を中心に回転動自在に
支持されている。駆動軸15はその軸下部がベアリング
ユニット26を貫通して延び出ており、軸下端部にはギ
ヤ27を固定している。ブラケット25には回転軸を垂
直下方に向けて配置された回転駆動用モータ28が固定
され、この回転駆動用モータ28の回転軸端部には駆動
ギヤ29を設けている。
【0027】駆動ギヤ29とギヤ27をわたって円環状
のタイミングベルト30が掛けられており、回転駆動用
モータ28の回転駆動が駆動ギヤ29からタイミングベ
ルト30を伝わってギヤ27に与えられる。ギヤ27の
回転により駆動軸15に与えられた回転動力は、連結部
材16を回転させ、連結部材16の上部にOリング20
を介して固定されたサセプタ支持軸14が回転する。
のタイミングベルト30が掛けられており、回転駆動用
モータ28の回転駆動が駆動ギヤ29からタイミングベ
ルト30を伝わってギヤ27に与えられる。ギヤ27の
回転により駆動軸15に与えられた回転動力は、連結部
材16を回転させ、連結部材16の上部にOリング20
を介して固定されたサセプタ支持軸14が回転する。
【0028】サセプタ支持軸14は、内部応力を除去す
るために焼きなまし処理が行われるが、その焼きなまし
処理の際に1200℃程度まで加熱されるため、本来直
線状であるべきはずのサセプタ支持軸14が図3に示す
ように曲がってしまう場合がある。図3の場合において
は、サセプタ11の中心に対してサセプタ支持軸14の
下端部はαmmだけ水平方向にずれており、更に下端部
は垂直方向に対してβ°傾いている。
るために焼きなまし処理が行われるが、その焼きなまし
処理の際に1200℃程度まで加熱されるため、本来直
線状であるべきはずのサセプタ支持軸14が図3に示す
ように曲がってしまう場合がある。図3の場合において
は、サセプタ11の中心に対してサセプタ支持軸14の
下端部はαmmだけ水平方向にずれており、更に下端部
は垂直方向に対してβ°傾いている。
【0029】このようにサセプタ支持軸14が曲がって
いる状態で駆動軸15に連結させると、図4(a)に示
すようにサセプタ11の中心が駆動軸15の回転中心に
対してαmmだけ偏芯し、さらにサセプタ11の上面が
サセプタリング31の上面に対してβ°傾くことにな
る。このようにサセプタ11が偏芯した状態で成膜処理
を行うと、サセプタリング31とサセプタ11との隙間
が不均一であるために、サセプタリング31とサセプタ
11の間に流れ込む処理ガスの流れが不均一になり、ウ
ェハ10上に形成されるエピタキシャル膜の平坦度に影
響することがある。
いる状態で駆動軸15に連結させると、図4(a)に示
すようにサセプタ11の中心が駆動軸15の回転中心に
対してαmmだけ偏芯し、さらにサセプタ11の上面が
サセプタリング31の上面に対してβ°傾くことにな
る。このようにサセプタ11が偏芯した状態で成膜処理
を行うと、サセプタリング31とサセプタ11との隙間
が不均一であるために、サセプタリング31とサセプタ
11の間に流れ込む処理ガスの流れが不均一になり、ウ
ェハ10上に形成されるエピタキシャル膜の平坦度に影
響することがある。
【0030】また、サセプタ11が傾いた状態で成膜処
理を行うと、サセプタ11上に配置されたウェハ10に
対して処理ガスが均一に当たらないため、図4(b)に
示すようにウェハ10の上面に形成されるエピタキシャ
ル膜厚が不均一になり、平坦度が保てないことがある。
例えば、形成されるエピタキシャル膜厚の目標値を6μ
mとしたときに、±0.1μm程度の不均一を生じるこ
とがある。
理を行うと、サセプタ11上に配置されたウェハ10に
対して処理ガスが均一に当たらないため、図4(b)に
示すようにウェハ10の上面に形成されるエピタキシャ
ル膜厚が不均一になり、平坦度が保てないことがある。
例えば、形成されるエピタキシャル膜厚の目標値を6μ
mとしたときに、±0.1μm程度の不均一を生じるこ
とがある。
【0031】[動作説明]そのため本願発明において
は、まず図5に示すようにサセプタ支持軸14と駆動軸
15とを連結部材16によって仮止めする。この時点で
は、いもねじ24a〜24fはきつくねじ込むのではな
く、駆動軸15に対して連結部材16が動かない程度に
ゆるく締めておく。サセプタ11とサセプタリング31
との隙間を検出するレーザー変位計32と、サセプタ1
1上面の高さの変位を検出するレーザー変位計33を配
置し、その状態で駆動軸15をゆっくりと回転させる。
は、まず図5に示すようにサセプタ支持軸14と駆動軸
15とを連結部材16によって仮止めする。この時点で
は、いもねじ24a〜24fはきつくねじ込むのではな
く、駆動軸15に対して連結部材16が動かない程度に
ゆるく締めておく。サセプタ11とサセプタリング31
との隙間を検出するレーザー変位計32と、サセプタ1
1上面の高さの変位を検出するレーザー変位計33を配
置し、その状態で駆動軸15をゆっくりと回転させる。
【0032】レーザー変位計32によってサセプタ11
とサセプタリング31との隙間の変化を検出することに
より、サセプタ11の偏芯の距離α及び偏芯の位置を検
出することができる。また、レーザー変位計33によっ
てサセプタ11上面の高さの変位を検出することによ
り、サセプタ11の傾きを検出することができる。な
お、レーザー変位計33としては、回転するサセプタ1
1上面の高さの変位を検出するものであっても、また、
サセプタリング31の上面とサセプタ11の上面との差
分を検出するものであっても良い。
とサセプタリング31との隙間の変化を検出することに
より、サセプタ11の偏芯の距離α及び偏芯の位置を検
出することができる。また、レーザー変位計33によっ
てサセプタ11上面の高さの変位を検出することによ
り、サセプタ11の傾きを検出することができる。な
お、レーザー変位計33としては、回転するサセプタ1
1上面の高さの変位を検出するものであっても、また、
サセプタリング31の上面とサセプタ11の上面との差
分を検出するものであっても良い。
【0033】続いて、上記の検出結果に基づいて、いも
ねじ24a〜24fのねじ込み具合を調節することによ
って駆動軸15に対するサセプタ支持軸14の偏芯αお
よび傾きβを補正する。連結部材16によって傾きを補
正した状態を図6(a)に示す。図2を用いて説明した
ように、サセプタ支持軸14の下端部は連結部材16の
上部円柱穴17に対して真直ぐに固定されるだけであ
り、サセプタ支持軸14と連結部材16との固定角度を
変化させることはできない。したがって、傾きβ及び偏
芯αの補正は、サセプタ支持軸14よりも強度が高い駆
動軸15と連結部材16との固定部で行う。
ねじ24a〜24fのねじ込み具合を調節することによ
って駆動軸15に対するサセプタ支持軸14の偏芯αお
よび傾きβを補正する。連結部材16によって傾きを補
正した状態を図6(a)に示す。図2を用いて説明した
ように、サセプタ支持軸14の下端部は連結部材16の
上部円柱穴17に対して真直ぐに固定されるだけであ
り、サセプタ支持軸14と連結部材16との固定角度を
変化させることはできない。したがって、傾きβ及び偏
芯αの補正は、サセプタ支持軸14よりも強度が高い駆
動軸15と連結部材16との固定部で行う。
【0034】図7は図6(a)のB部を拡大表示したも
のであり、サセプタ支持軸14の下端部を左に傾けた状
態で固定している様子を示している。同図において、左
下に位置しているいもねじ24aのねじ込み量を少なく
し、右下に位置しているいもねじ24bのねじ込み量を
多くしている。また左上に位置しているいもねじ24d
のねじ込み量は、左下のいもねじ24aのねじ込み量よ
りも多く、右上に位置しているいもねじ24eのねじ込
み量は右下のいもねじ24bのねじ込み量よりも少な
い。このようにステンレス製の駆動軸15に対して6本
のいもねじ24a〜24f(24c、24fは図7にお
いては記載を省略している。)によって連結部材16を
固定しているため、駆動軸15と連結部材16を確実に
固定することができる。
のであり、サセプタ支持軸14の下端部を左に傾けた状
態で固定している様子を示している。同図において、左
下に位置しているいもねじ24aのねじ込み量を少なく
し、右下に位置しているいもねじ24bのねじ込み量を
多くしている。また左上に位置しているいもねじ24d
のねじ込み量は、左下のいもねじ24aのねじ込み量よ
りも多く、右上に位置しているいもねじ24eのねじ込
み量は右下のいもねじ24bのねじ込み量よりも少な
い。このようにステンレス製の駆動軸15に対して6本
のいもねじ24a〜24f(24c、24fは図7にお
いては記載を省略している。)によって連結部材16を
固定しているため、駆動軸15と連結部材16を確実に
固定することができる。
【0035】また、いもねじ24a〜24fのねじ込み
量を調節することにより、駆動軸15に対する連結部材
16の傾きを調整することができる。更に、下部円柱穴
18の穴径を駆動軸15の直径よりも大きく形成してい
るため、水平方向の偏芯も補正することができる。この
ように連結部材16を6個の支持点で駆動軸15に固定
することにより、駆動軸15に対して連結部材16を所
望の傾き及び偏芯位置で固定することができ、サセプタ
11の中心を回転中心に一致させることができる。な
お、本実施の形態においては、6本のいもねじ24a〜
24fによって固定する例を示しているが、支持点の数
は6点に限られるものではなく、上方及び下方のそれぞ
れに4点以上の支持点を設けても良い。
量を調節することにより、駆動軸15に対する連結部材
16の傾きを調整することができる。更に、下部円柱穴
18の穴径を駆動軸15の直径よりも大きく形成してい
るため、水平方向の偏芯も補正することができる。この
ように連結部材16を6個の支持点で駆動軸15に固定
することにより、駆動軸15に対して連結部材16を所
望の傾き及び偏芯位置で固定することができ、サセプタ
11の中心を回転中心に一致させることができる。な
お、本実施の形態においては、6本のいもねじ24a〜
24fによって固定する例を示しているが、支持点の数
は6点に限られるものではなく、上方及び下方のそれぞ
れに4点以上の支持点を設けても良い。
【0036】図6(a)に示すように、傾き及び偏芯を
補正した状態でサセプタ11を回転させると、サセプタ
11とサセプタリング31との隙間がほぼ一定であり、
さらにサセプタ11上面とサセプタリング31の上面の
高さ変位も一定になっていることがわかる。図6(b)
は、補正後のウェハ製造装置1によってエピタキシャル
膜を製造したときの、エピタキシャル膜厚の変位を示す
グラフである。図4(b)に比べると、ウェハ10の中
心からの位置によってエピタキシャル膜の厚さが変化す
ることなく、一定の厚さを保っていることがわかる。
補正した状態でサセプタ11を回転させると、サセプタ
11とサセプタリング31との隙間がほぼ一定であり、
さらにサセプタ11上面とサセプタリング31の上面の
高さ変位も一定になっていることがわかる。図6(b)
は、補正後のウェハ製造装置1によってエピタキシャル
膜を製造したときの、エピタキシャル膜厚の変位を示す
グラフである。図4(b)に比べると、ウェハ10の中
心からの位置によってエピタキシャル膜の厚さが変化す
ることなく、一定の厚さを保っていることがわかる。
【0037】このように本発明によれば、半導体ウェハ
に要求される厳密かつ厳格なエピタキシャル膜の平坦度
という基準をクリアすることができ、高品質のウェハを
提供することができる。
に要求される厳密かつ厳格なエピタキシャル膜の平坦度
という基準をクリアすることができ、高品質のウェハを
提供することができる。
【0038】[実施の形態2]次に、本発明の第2の実
施の形態について、図8を用いて説明する。本実施の形
態は、サセプタ支持軸14と駆動軸15との連結部の構
造のみが上記の第1の実施の形態と異なるため、連結部
分についてのみ詳細に説明する。本実施の形態において
は、サセプタ支持軸114と駆動軸115との間に駆動
突起32及び駆動凹部33による噛合いがないものを用
いて説明するが、駆動突起32及び駆動凹部33による
連結を排除するものではない。
施の形態について、図8を用いて説明する。本実施の形
態は、サセプタ支持軸14と駆動軸15との連結部の構
造のみが上記の第1の実施の形態と異なるため、連結部
分についてのみ詳細に説明する。本実施の形態において
は、サセプタ支持軸114と駆動軸115との間に駆動
突起32及び駆動凹部33による噛合いがないものを用
いて説明するが、駆動突起32及び駆動凹部33による
連結を排除するものではない。
【0039】連結部材116は、サセプタ支持軸114
と上部円柱穴117との固定部分に特徴を有している。
上部円柱穴117は、サセプタ支持軸114が若干の公
差をもって嵌合する第一穴100と、第一穴100の穴
径よりも大きな穴径を有する第二穴101より構成され
る。第二穴101の底部には、耐熱性のフッ素ゴムより
なる輪状のOリング102を配置し、その上に断面形状
が台形状をなすリング状の楔部材103を配置する。楔
部材103はステンレスで形成され、外周の直径は第二
穴101の穴径よりも小さく、第二穴101に対して上
下動可能になっている。さらに、楔部材103の上にO
リング104を配置し、その上にステンレス製のリング
ワッシャー105を載置する。
と上部円柱穴117との固定部分に特徴を有している。
上部円柱穴117は、サセプタ支持軸114が若干の公
差をもって嵌合する第一穴100と、第一穴100の穴
径よりも大きな穴径を有する第二穴101より構成され
る。第二穴101の底部には、耐熱性のフッ素ゴムより
なる輪状のOリング102を配置し、その上に断面形状
が台形状をなすリング状の楔部材103を配置する。楔
部材103はステンレスで形成され、外周の直径は第二
穴101の穴径よりも小さく、第二穴101に対して上
下動可能になっている。さらに、楔部材103の上にO
リング104を配置し、その上にステンレス製のリング
ワッシャー105を載置する。
【0040】連結部材116の上部円柱穴117上端に
キャップ部材106を取り付け、リングワッシャー10
5が外れないように押さえつけられる。キャップ部材1
06は押圧面107と雌ねじ部108を有しており、連
結部材116の上部外周に形成された雄ねじ部109に
キャップ部材106の雌ねじ部108が螺合する。
キャップ部材106を取り付け、リングワッシャー10
5が外れないように押さえつけられる。キャップ部材1
06は押圧面107と雌ねじ部108を有しており、連
結部材116の上部外周に形成された雄ねじ部109に
キャップ部材106の雌ねじ部108が螺合する。
【0041】キャップ部材106をねじ込むことにより
押圧面107が下降し、押圧面107によってリングワ
ッシャー105が下方に押し付けられる。リングワッシ
ャー105の上面と押圧面107は摺動するため、リン
グワッシャー105は回転することなく下降し、Oリン
グ104を楔部材103に押し付ける。押し付けられた
楔部材103は上下動可能であるため、さらに下降して
Oリング102を押し付ける。押圧された2本のOリン
グ102,104は、楔部材103のテーパ面にならっ
てサセプタ支持軸114に向かって押し出され、サセプ
タ支持軸114を把持する。連結部材116の下部は、
第1の実施の形態と同様に6本のいもねじ124a〜1
24fによって駆動軸115に固定される。
押圧面107が下降し、押圧面107によってリングワ
ッシャー105が下方に押し付けられる。リングワッシ
ャー105の上面と押圧面107は摺動するため、リン
グワッシャー105は回転することなく下降し、Oリン
グ104を楔部材103に押し付ける。押し付けられた
楔部材103は上下動可能であるため、さらに下降して
Oリング102を押し付ける。押圧された2本のOリン
グ102,104は、楔部材103のテーパ面にならっ
てサセプタ支持軸114に向かって押し出され、サセプ
タ支持軸114を把持する。連結部材116の下部は、
第1の実施の形態と同様に6本のいもねじ124a〜1
24fによって駆動軸115に固定される。
【0042】本実施の形態によれば、キャップ部材10
6のねじ込み量によってOリング102,104による
把持力を調節することができるため、連結部材106に
対してサセプタ支持軸114を確実に固定することがで
きる。
6のねじ込み量によってOリング102,104による
把持力を調節することができるため、連結部材106に
対してサセプタ支持軸114を確実に固定することがで
きる。
【0043】
【発明の効果】本願発明は、サセプタ支持軸と駆動軸の
間に、サセプタ支持軸の曲がりを補正する機構をもつ連
結部材を設け、サセプタ上面の偏芯と傾きを補正するこ
とで、サセプタリングとサセプタとの間での処理ガス流
れの乱れを低減することができ、エピタキシャル膜の平
坦度を向上させることができる。
間に、サセプタ支持軸の曲がりを補正する機構をもつ連
結部材を設け、サセプタ上面の偏芯と傾きを補正するこ
とで、サセプタリングとサセプタとの間での処理ガス流
れの乱れを低減することができ、エピタキシャル膜の平
坦度を向上させることができる。
【図1】本願発明のウェハ製造装置の概略を示す、縦断
面図である。
面図である。
【図2】図2(a)は駆動軸とセサプタ支持軸を連結す
る連結部材の縦断面図、図2(b)は図2(a)のA−
A´断面図である。
る連結部材の縦断面図、図2(b)は図2(a)のA−
A´断面図である。
【図3】サセプタ支持軸が曲がった様子を示す概念図で
ある。
ある。
【図4】図4(a)はサセプタ支持軸が曲がった状態で
本願発明の連結部材を用いることなく駆動軸に連結した
状態を示す概念図、図4(b)はウェハ上に成長するエ
ピタキシャル膜厚のX方向に対する変位を示すグラフで
ある。
本願発明の連結部材を用いることなく駆動軸に連結した
状態を示す概念図、図4(b)はウェハ上に成長するエ
ピタキシャル膜厚のX方向に対する変位を示すグラフで
ある。
【図5】レーザー変位計によって、サセプタとサセプタ
リングの隙間およびサセプタの高さ方向の変位を検出し
ている状態を示す概念図である。
リングの隙間およびサセプタの高さ方向の変位を検出し
ている状態を示す概念図である。
【図6】図6(a)は、駆動軸とサセプタ支持軸を連結
部材によって補正した状態を示す概念図、図6(b)
は、ウェハ上に成長するエピタキシャル膜厚のX方向に
対する変位を示すグラフである。
部材によって補正した状態を示す概念図、図6(b)
は、ウェハ上に成長するエピタキシャル膜厚のX方向に
対する変位を示すグラフである。
【図7】図6(a)のB部分を拡大して示した縦断面図
である。
である。
【図8】本発明の第2の実施の形態に係る連結部材の縦
断面図である。
断面図である。
【図9】従来技術におけるサセプタ支持軸と駆動軸との
連結構造である。
連結構造である。
1…ウェハ製造装置
2…チャンバ
3…上部窓
4…下部窓
5…反応炉
6…上部熱源
7…下部熱源
8…ガス流入口
9…ガス排出口
10…ウェハ
11…サセプタ
12…ウェハ収納用凹部
13…支持アーム
14…サセプタ支持軸
15…駆動軸
16…連結部材
17…上部円柱穴
18…下部円柱穴
19…内部壁
20…Oリング
21…環状溝
22…肉厚部
23a〜23f…雌ねじ
24a〜24f…いもねじ
25…ブラケット
26…ベアリングユニット
27…ギヤ
28…回転駆動用モータ
29…駆動ギヤ
30…タイミングベルト
31…サセプタリング
32…レーザー変位計
33…レーザー変位計
34…駆動突起
35…駆動凹部
36…リフトピン
44…サセプタ支持軸
45…駆動軸
46…支持部
47…挿入部
100…第一穴
101…第二穴
102…Oリング
103…楔部材
104…Oリング
105…リングワッシャー
106…キャップ部材
107…押圧面
108…雌ねじ部
109…雄ねじ部
114…サセプタ支持軸
115…駆動軸
116…連結部材
117…上部円柱穴
118…下部円柱穴
124a〜124f…いもねじ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 武田 英俊
神奈川県平塚市万田1200番地 株式会社小
松製作所研究本部内
Fターム(参考) 5F031 CA02 EA07 FA01 HA02 HA07
HA33 KA02 LA01 LA07 LA13
LA14 MA28 PA14
5F045 AB02 AF03 BB02 DP03 DQ10
EK12 EM10
Claims (5)
- 【請求項1】ウェハを支持するサセプタと、 前記サセプタを支持する支持軸と、 回転駆動手段によって回転動力を与えられ、回転運動す
る駆動軸と、 前記駆動軸に対して前記支持軸を所望の位置で固定でき
る連結手段と、を有することを特徴とする半導体ウェハ
製造装置。 - 【請求項2】前記連結手段は、 前記支持軸の材質よりも硬度が低い材料よりなり、前記
支持軸を把持する把持手段を備えることを特徴とする請
求項1に記載の半導体ウェハ製造装置。 - 【請求項3】前記把持手段は、フッ素ゴムよりなるOリ
ングであることを特徴とする請求項2に記載の半導体ウ
ェハ製造装置。 - 【請求項4】前記把持手段は、 2個のOリングと、テーパ面を持った楔と、押圧手段と
からなることを特徴とする請求項2または3に記載の半
導体ウェハ製造装置。 - 【請求項5】前記駆動軸が円柱形状であり、 前記連結手段の前記駆動軸との連結部は、前記駆動軸の
外径よりも大きい内径を有する穴と、該穴の内壁面から
突出可能な固定手段とを備え、 前記穴内に前記駆動軸を配置し、前記駆動軸の外周面に
前記固定手段を当接させることにより前記駆動軸に前記
連結手段を固定することを特徴とする請求項1〜4の何
れか1つに記載の半導体ウェハ製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001329753A JP2003133397A (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 半導体ウェハ製造装置の回転式サセプタ支持機構 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001329753A JP2003133397A (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 半導体ウェハ製造装置の回転式サセプタ支持機構 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003133397A true JP2003133397A (ja) | 2003-05-09 |
Family
ID=19145600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001329753A Pending JP2003133397A (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 半導体ウェハ製造装置の回転式サセプタ支持機構 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003133397A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007088303A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Sumco Techxiv株式会社 | ウェーハ支持構造及びウェーハ製造装置 |
KR101132633B1 (ko) * | 2005-05-19 | 2012-04-02 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 제조 장치 |
KR101136733B1 (ko) * | 2009-10-08 | 2012-04-19 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 |
KR101288037B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2013-07-18 | 주성엔지니어링(주) | 대면적 기판안치대의 지지수단 |
JP2013229367A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハ製造装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 |
KR20130125528A (ko) * | 2012-05-09 | 2013-11-19 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
KR101490441B1 (ko) * | 2008-10-29 | 2015-02-11 | 주성엔지니어링(주) | 기판처리장치 |
KR20160011162A (ko) * | 2014-07-21 | 2016-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기를 위한 페데스탈 조립체를 조정하기 위한 장치 및 방법 |
JP2017220569A (ja) * | 2016-06-08 | 2017-12-14 | サムコ株式会社 | 基板処理装置 |
JP7503652B2 (ja) | 2020-04-27 | 2024-06-20 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | 半導体材料からなる基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積するための方法および装置 |
-
2001
- 2001-10-26 JP JP2001329753A patent/JP2003133397A/ja active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101132633B1 (ko) * | 2005-05-19 | 2012-04-02 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 제조 장치 |
JP4575262B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2010-11-04 | Sumco Techxiv株式会社 | ウェーハ支持構造及びウェーハ製造装置 |
JP2007088303A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Sumco Techxiv株式会社 | ウェーハ支持構造及びウェーハ製造装置 |
KR101288037B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2013-07-18 | 주성엔지니어링(주) | 대면적 기판안치대의 지지수단 |
KR101490441B1 (ko) * | 2008-10-29 | 2015-02-11 | 주성엔지니어링(주) | 기판처리장치 |
KR101136733B1 (ko) * | 2009-10-08 | 2012-04-19 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 |
JP2013229367A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハ製造装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 |
KR20130125528A (ko) * | 2012-05-09 | 2013-11-19 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
KR101935958B1 (ko) | 2012-05-09 | 2019-01-07 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 방법 |
KR20160011162A (ko) * | 2014-07-21 | 2016-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기를 위한 페데스탈 조립체를 조정하기 위한 장치 및 방법 |
US11417563B2 (en) | 2014-07-21 | 2022-08-16 | Asm America, Inc. | Apparatus and method for adjusting a pedestal assembly for a reactor |
KR102479582B1 (ko) * | 2014-07-21 | 2022-12-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기를 위한 페데스탈 조립체를 조정하기 위한 장치 및 방법 |
JP2017220569A (ja) * | 2016-06-08 | 2017-12-14 | サムコ株式会社 | 基板処理装置 |
JP7503652B2 (ja) | 2020-04-27 | 2024-06-20 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | 半導体材料からなる基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積するための方法および装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4592849B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
US7772527B2 (en) | Heat reflector and substrate processing apparatus comprising the same | |
CN110494957B (zh) | 外延生长装置及预热环以及使用这些的外延晶片的制造方法 | |
JP4575262B2 (ja) | ウェーハ支持構造及びウェーハ製造装置 | |
JP2001313329A (ja) | 半導体製造装置におけるウェハ支持装置 | |
JP2003133397A (ja) | 半導体ウェハ製造装置の回転式サセプタ支持機構 | |
US8591700B2 (en) | Susceptor support system | |
KR101079175B1 (ko) | 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 | |
JP5098873B2 (ja) | 気相成長装置用のサセプタ及び気相成長装置 | |
JP5464068B2 (ja) | エピタキシャル成長装置における内部部材の位置調整方法 | |
JP2001010894A (ja) | 結晶成長用サセプタとこれを用いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハとその製造方法 | |
JP2002261036A (ja) | 熱処理装置 | |
CN113508452A (zh) | 气相沉积装置及外延硅晶片的制造方法 | |
JPH11106293A (ja) | エピタキシャルウエハ製造方法及び装置 | |
CN108728819B (zh) | 一种连接装置及半导体加工设备 | |
JP6551335B2 (ja) | サセプタサポートシャフト及びエピタキシャル成長装置 | |
JP2009135258A (ja) | サセプターサポートシャフト及びエピタキシャル成長装置 | |
JP2000269137A (ja) | 半導体製造装置及びウェハ取扱方法 | |
JPH0268922A (ja) | 気相成長用サセプタ | |
JP2010232220A (ja) | 載置台構造、この製造方法及び処理装置 | |
KR100392796B1 (ko) | 웨이퍼 가열용 턴테이블 장치 | |
KR101436059B1 (ko) | 반도체 제조 장치 및 방법 | |
JP2019117890A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ | |
JPH11150074A (ja) | 半導体ウエハ保持装置 | |
EP0330708B1 (en) | Apparatus for forming thin films |