WO2007091638A1 - サセプタおよびエピタキシャルウェハの製造装置 - Google Patents

サセプタおよびエピタキシャルウェハの製造装置 Download PDF

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Kouichi Nishikido
Motonori Nakamura
Atsuhiko Hirosawa
Noboru Iida
Norihiko Sato
Atsushi Nagato
Toshiyuki Kamei
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Sumco Techxiv Corporation
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Definitions

  • Patent Document 1 has a counterbore portion for placing a semiconductor crystal substrate (hereinafter referred to as a substrate) on the surface of a susceptor.
  • a substrate a semiconductor crystal substrate
  • a counterclockwise angle (hereinafter referred to as a notch reference angle) with reference to a notch Wd formed in the notch portion WE is provided at 45 °, 135 °, 225 °, and 315 ° positions.
  • the second wafer edge WE is provided at the notch reference angles of 0 °, 90 °, 180 ° and 270 °.
  • At least the inner peripheral surfaces 502A, 512A, 522A and the upper surfaces 502B, 512B, 522B of the peripheral portions 502, 512, 522 are coated with SiC coating force ⁇ .
  • 512, 522 is 45 °, 135 °, 225 °, 315 ° Fitting grooves 502D, 512D, and 522D each having a substantially arcuate shape in a plan view with a substantially center in the arc direction are formed.
  • a SiC coating is coated on at least the inner peripheral surface 812A and the upper surface 812B of the peripheral portion 812.
  • a fitting groove 812D formed in a substantially ring shape along the inner peripheral edge is provided in a portion along the inner peripheral edge of the upper surface 812B of the peripheral edge 812.
  • the fitting groove 812D has a substantially square shape in plan view, and each vertex has a notch facing portion reference angular force with reference to the notch facing portion 812C, a portion of 5 °, 135 °, 225 °, 315 ° It is formed in a shape located at the minute.
  • the fitting groove 812D is formed in a shape in which the length in the planar direction of the notch facing portion reference angles of 45 °, 135 °, 225 °, and 315 ° is longer than the other portions.
  • the fitting grooves 832D, 832E, 832F are substantially slit-shaped in a plan view made of SiO.
  • any one of the parts where the reference angle of the notch facing part is 0 °, 90 °, 180 °, 270 °, 1, 2 or 3 is a material that promotes the reaction with the reaction gas.
  • Gas phase formed by A configuration with a growth controller is also possible!

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Abstract

　基板ウェハの表面外周部におけるエピタキシャル膜の膜厚ばらつきを抑制できるサセプタおよびエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。サセプタ２に、基板ウェハＷよりも大きい外形を有する略円板状のウェハ載置部２１と、このウェハ載置部２１の周縁を囲む状態に起立する内周面２２Ａおよびこの内周面２２Ａの上端からウェハ載置部２１の載置面２１Ａに沿って外側に延出形成される上面２２Ｂを有する略リング板状の周縁部２２と、を設けている。気相成長制御部２３を、内周面２３Ａが周縁部２２の内周面２２Ａに倣い、かつ、上面２３Ｂが周縁部２２の上面２２Ｂに倣う状態で、ＳｉＣ被膜と比べて反応ガスとの反応が抑制されるＳｉＯ２により形成して設けている。

Description

明 細 書
サセプタおよびェピタキシャルウェハの製造装置
技術分野
[0001] 本発明は、サセプタおよびェピタキシャルウェハの製造装置に関する。
背景技術
[0002] 近年、半導体素子の高集積ィ匕に伴い、半導体中の結晶欠陥、特に表面および表 面近傍の結晶欠陥の低減が重要になってきている。このため、基板ウェハの表面に 結晶性に優れたェピタキシャル膜を気相成長させたェピタキシャルウェハの需要が 年々高まってきている。
そして、このようなェピタキシャルウェハの製造方法が知られている（例えば、特許 文献 1参照)。
[0003] この特許文献 1に記載のものは、サセプタの表面に、半導体結晶基板 (以下、基板 と称す)を載置させるための座ぐり部が形成されて 、る。
また、基板を座ぐり部に載置させた状態で基板の上面力もサセプタの表面に至る寸 法を段差量 hとして定義するとともに、この段差量 hについて、単結晶薄膜の周縁部 での平均成長速度を中心部での平均成長速度とほぼ等しくするための最適値 (以下 、最適段差量 hOと称す)を把握する。
そして、座ぐり部の深さ DOを、基板の厚さ dと、最適段差量 hOと、の和によって一時 的に定めている。
[0004] 特許文献 1 :特開 2003— 12397号公報 (第 2頁右欄 第 5頁左欄）
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] ところで、上述したような特許文献 1のような構成では、所定の条件でェピタキシャ ルウェハを製造すると、基板ウェハの結晶方位が（100)のべベル部での気相成長の 速度が（110)のべベル部での速度よりも速くなり、（100)のべベル部の吸い込みが 大きくなる。ここで、ベベル部の吸い込みとしては、表面外周部上方の反応ガスの吸 い込みと、表面外周部からの成長途中のェピタキシャル膜の吸い込みと、が考えられ る。そして、このように反応ガスが吸い込まれると、表面外周部に供給される反応ガス の量が減り、表面外周部の膜厚が薄くなる。また、成長途中のェピタキシャル膜が吸 い込まれると、同様に表面外周部の膜厚が薄くなる。
このため、（110)の表面外周部の外縁方向への膜厚分布が略均一であっても、 (1 00)の表面外周部の膜厚が外縁に向力 に従って薄くなるという問題がある。
[0006] 本発明の目的は、基板ウェハの表面外周部におけるェピタキシャル膜の膜厚ばら つきを抑制可能なサセプタおよびェピタキシャルウェハの製造装置を提供することに ある。
課題を解決するための手段
[0007] 本発明のサセプタは、基板ウェハの表面上にェピタキシャル膜を気相成長させてェ ピタキシャルウェハを製造する際に前記基板ウェハが載置されるサセプタであって、 前記基板ウェハが載置されるゥ ハ載置部と、このゥ ハ載置部の周縁を囲む状態 に設けられた周縁部と、この周縁部の少なくとも一部分に設けられ、前記ウェハ載置 部に載置される基板ウェハのベベル部および表面外周部における気相成長の速度 を制御する気相成長制御部と、を備えて ヽることを特徴とする。
[0008] ここで、気相成長制御部は、周縁部の少なくとも一部分に設けられる力 ウェハ載置 部に載置される基板ウェハの結晶方位との関係が重要であり、基板ウェハのェピタキ シャル層のベベル部における気相成長の速度力 結晶方位によって異なるため、結 晶方位に対応した気相成長の抑制又は促進を図ることにより、前記目的を達成する ものである。具体的には、基板ウェハの結晶方位により、表面外周のベベル部の気 相成長速度が異なることにより、膜厚分布がばらつくため、膜厚が薄い部分では、気 相成長を促進するような気相成長制御を行い、膜厚が厚い部分では、気相成長を抑 制するような気相成長制御を行うことにより、膜厚分布を均一にすることが可能となる また、気相成長制御部は、周縁部を構成する材料の材質や、ウェハ載置部を構成 する材料の材質とは異なる材料によって構成したり、同様の材質を用いても異なる表 面形状とすることにより構成することができる。
[0009] このような発明によれば、ウェハ載置部の周縁に設けられた周縁部の少なくとも一 部分に、ウェハ載置部に載置される基板ウェハのベベル部および表面外周部、すな わち基板ウェハのエッジ部（以下、ウェハエッジ部と称す）における気相成長の速度を 制御する気相成長制御部を設けて 、るので、この気相成長制御部の近傍に位置す るゥ ハエッジ部の気相成長速度を他の部分とは異なる状態で制御して、気相成長 制御部近傍の表面外周部における外縁方向の膜厚分布を気相成長制御部を設け ない場合とは異なる膜厚分布とすることが可能となる。
このことにより、結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略均一にすることが 可能となり、表面外周部における膜厚のばらつきが抑制可能となる。
さらに、本発明では、前記周縁部は、前記ウェハ載置部を囲む状態に起立する内 周面と、この内周面の上端力 前記ウェハ載置部の載置面に沿って外側に延出形成 される上面とを備え、前記気相成長制御部は、前記周縁部の前記一部分における内 周面および上面のうち少なくともいずれか一方に、前記ェピタキシャル膜を気相成長 させるための反応ガスとの反応を促進もしくは抑制する材料により形成されて設けら れていることが好ましい。
このような発明によれば、周縁部に、ウェハ載置部を囲む状態に起立する内周面と 、この内周面の上端からウェハ載置部の載置面に沿って外側に延出形成される上面 とを設けている。そして、この周縁部の一部分における上面および内周面のうち少な くともいずれか一方に、反応ガスとの反応を促進もしくは抑制する材料により形成され た気相成長制御部を設けて!/、る。
例えば、反応ガスとの反応を促進する材料により気相成長制御部を形成した場合、 以下のような作用により、気相成長制御部近傍のベベル部の気相成長速度を、気相 成長制御部を設けない場合と比べて遅くすることが可能となる。
すなわち、気相成長制御部近傍に供給される反応ガスは、相対的に多くが気相成 長制御部で反応して、この気相成長制御部近傍のウェハエッジ部にほとんど流れな い。
一方、このような気相成長制御部を設けない場合、周縁部に供給される反応ガスは 、その一部がウェハエッジ部に流れる。つまり、気相成長制御部近傍のウェハエッジ 部に供給される反応ガスの量を、気相成長制御部を設けな 、場合と比べて少なくす ることが可能となる。このため、気相成長制御部で積極的に反応ガスが捕捉されるの で、上述したように、気相成長制御部近傍のベベル部の気相成長速度を、気相成長 制御部を設けない場合と比べて遅くすることが可能となる。
したがって、気相成長制御部近傍のベベル部における吸い込みを大きくすることに より、気相成長制御部近傍の表面外周部の外縁側の膜厚を、気相成長制御部が存 在しない場合よりも薄くする状態に制御することが可能となる。
また、例えば、反応ガスとの反応を抑制する材料により気相成長制御部を形成した 場合、以下のような作用により、気相成長制御部近傍のベベル部の気相成長速度を 、気相成長制御部を設けな 、場合と比べて速くすることが可能となる。
すなわち、気相成長制御部近傍に供給される反応ガスは、相対的に多くが気相成 長制御部で反応せずに、この気相成長制御部近傍のウェハエッジ部に流れる。 一方、このような気相成長制御部を設けない場合、周縁部に供給される反応ガスは 、その一部がウェハエッジ部に流れる。つまり、気相成長制御部近傍のウェハエッジ 部に供給される反応ガスの量を、気相成長制御部を設けな 、場合と比べて多くする ことが可能となる。このため、気相成長制御部で反応ガスが反応しない状態で滞留し 、ウェハエッジ部の反応ガス濃度が上がるので、上述したように、気相成長制御部近 傍のベベル部の気相成長速度を、
Figure imgf000006_0001
、場合と比べて速くす ることが可能となる。
したがって、気相成長制御部近傍のベベル部における吸い込みを小さくすることに より、気相成長制御部近傍の表面外周部の外縁側の膜厚を、気相成長制御部が存 在しない場合よりも厚くする状態に制御することが可能となる。
よって、気相成長制御部を反応ガスとの反応を促進もしくは抑制する材料により形 成するだけで、結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略均一にすることが可 能となり、表面外周部における膜厚のばらつきが抑制可能となる。
さらに、本発明では、前記気相成長制御部は、前記周縁部の内周面に倣う内周面 と、前記周縁部の上面に倣う上面とを有し、前記気相成長制御部の内周面は、他の 周縁部の内周面よりも、前記ウェハ載置部の載置中心側に突出していることが好まし い。 このような発明によれば、気相成長制御部の内周面が他の周縁部の内周面よりもゥ ハ載置部の載置中心側に突出しているので、気相成長制御部の内周面からウェハ 載置部の中心までの距離を他の周縁部の内周面と同じにする構成と比べて、気相成 長制御部に供給されるがウェハエッジ部の方向に流れる反応ガスをより確実にウェハ エッジ部に到達させることが可能となる。よって、表面外周部における膜厚のばらつき 力 り効率的に抑制可能となる。
[0012] また、本発明のサセプタは、基板ウェハの表面上にェピタキシャル膜を気相成長さ せてェピタキシャルウェハを製造する際に前記基板ウェハが載置されるサセプタであ つて、前記基板ウェハが載置されるウェハ載置部と、このウェハ載置部を囲む状態に 起立する内周面およびこの内周面の上端力 前記ウェハ載置部の載置面に沿って 外側に延出形成される上面を有する周縁部と、前記周縁部に形成され、前記ウェハ 載置部の中心から外側に向力 方向の長さ寸法の異なる幅広部及び幅狭部を備え、 前記ェピタキシャル膜を気相成長させるための反応ガスとの反応を促進もしくは抑制 する材料により形成されて設けられて ヽる気相成長制御部と、を備えて ヽることを特 徴とする。
[0013] このような発明によれば、前記周縁部に形成され、前記ウェハ載置部の中心力 外 側に向力う方向の長さ寸法の異なる幅広部及び幅狭部を備え、反応ガスとの反応を 促進もしくは抑制する材料により形成された気相成長制御部を設けている。
例えば、気相成長制御部を反応ガスとの反応を促進する材料により形成した場合、 気相成長制御部の幅広部に供給されてゥ ハエッジ部の方向に流れる反応ガスの 量を、気相成長制御部の幅狭部に供給されてゥ ハエッジ部の方向に流される反応 ガスの量よりも少なくすることが可能となる。
このこと〖こより、幅広部近傍に位置するべベル部の気相成長速度を幅狭部近傍に 位置するべベル部と比べてより遅くする状態に制御して、このべベル部における吸い 込みを大きくすることにより、幅広部近傍の表面外周部の外縁側の膜厚を幅狭部近 傍よりもより薄くする状態に制御することが可能となる。
また、気相成長制御部を反応ガスとの反応を抑制する材料により形成した場合、幅 広部に供給されてウェハエッジ部の方向に流される反応ガスの量を、幅狭部に供給 されてゥヱハエッジ部の方向に流される反応ガスの量よりも多くすることが可能となる このこと〖こより、幅広部近傍に位置するべベル部の気相成長速度を幅狭部近傍に 位置するべベル部と比べてより速くする状態に制御して、このべベル部における吸い 込みを小さくすることにより、幅広部近傍の表面外周部の外縁側の膜厚を幅狭部近 傍よりもより厚くする状態に制御することが可能となる。
よって、結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略均一にすることが可能とな り、表面外周部における膜厚のばらつきが抑制可能となる。
[0014] そして、本発明では、前記気相成長制御部は、前記周縁部に嵌着され、前記材料 力も成る部品として構成されて 、ることが好まし 、。
このような発明によれば、気相成長制御部を薄膜状に設ける構成と比べて、基板ゥ ェハのエッチング処理に対する耐久性を向上させることが可能となる。
このことにより、気相成長制御部を薄膜状に設ける構成と比べて、より長期間の使 用が可能となる。
[0015] また、本発明では、前記気相成長制御部は、前記反応ガスとの反応を促進もしくは 抑制する材料を離散的パターン状に露出させて構成されて 、ることが好ま 、。 このような発明によれば、気相成長制御部を反応ガスとの反応を促進もしくは抑制 する材料を離散的パターン状に露出させて構成して 、るので、連続的パターン状に 露出させる構成と比べて、気相成長制御部の所定の部分にシリコン膜が形成された 場合に膜が気相成長制御部全体に広がるのを抑制できる。
このことにより、気相成長制御部を連続的パターン状に露出させる構成と比べて、 例えばシリコン膜を除去する処理をすることなぐより長時間の使用が可能となる。
[0016] また、本発明では、前記気相成長制御部は、他の周縁部の上面よりも単位区画あ たりの表面積が大きな低平坦度部として構成されていることが好ましい。
ここで、単位区画とは、一定寸法で区画した例えば、矩形状や円形状の領域面積 を意味し、単位区画あたりの表面積が大きいということは、当該区画における平坦度 が低い、すなわち、例えば、他の周縁部の上面が平坦面であった場合、気相成長制 御部では、これよりも凹凸状態の大きな粗面状に形成されていることを意味する。 このような発明によれば、気相成長制御部を他の周縁部の上面よりも単位区画あた りの表面積が大きな低平坦度部として構成しているので、この低平坦度部に低平坦 度以外の部分 (以下、高平坦度部と称す)と比べて反応ガスが吸着しやすくなり、高 平坦度部に供給されてウェハエッジ部の方向に流される反応ガスの量を、低平坦度 部に供給されてゥヱハエッジ部の方向に流される反応ガスの量よりも多くすることが可 能となる。
このこと〖こより、高平坦度部近傍に位置するべベル部の気相成長速度を低平坦度 部近傍に位置するべベル部と比べてより速くする状態に制御して、このべベル部に おける吸い込みを小さくすることにより、高平坦度部近傍の表面外周部の外縁側の 膜厚を低平坦度部近傍よりもより厚くする状態に制御することが可能となる。よって、 結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略均一にすることが可能となり、表面 外周部における膜厚のばらつきが抑制可能となる。
[0017] また、本発明では、前記周縁部は、上面がウェハ載置部に倣う略リング状に形成さ れた周縁本体部と、この周縁本体部の上面の一部から上方に向けて突出する突出 部とを備え、前記気相成長制御部は、前記周縁本体部における前記突出部以外の 部分であり、前記ウェハ載置部に基板ウェハを載置した際に前記基板ウェハの端面 が露出する状態に形成されて 、ることが好ま 、。
このような発明によれば、周縁部における気相成長制御部に供給されてウェハエツ ジ部の方向に流される反応ガスの量を、突出部に供給されてウェハエッジ部の方向 に流される反応ガスの量よりも多くできる。
したがって、気相成長制御部近傍に位置するべベル部の気相成長速度を突出部 近傍に位置するべベル部と比べてより速くして、ベベル部での吸い込みを小さくする ことにより、気相成長制御部近傍の表面外周部の膜厚を突出部近傍のものよりもより 厚くする状態に制御することが可能となる。よって、結晶方位によらず表面外周部で の膜厚分布を略均一にすることが可能となり、表面外周部における膜厚のばらつき が抑制可能となる。
[0018] さらに、本発明では、前記気相成長制御部は、前記ウェハ載置部に載置された前 記基板ウェハの結晶方位に対応する状態で設けられて ヽることが好ま 、。 このような発明によれば、気相成長制御部を基板ウェハの結晶方位に対応する状 態で設けているので、結晶方位に依存する表面外周部における膜厚のばらつきをよ り確実に抑制可能となる。
[0019] そして、本発明のェピタキシャルウェハの製造装置は、基板ウェハの表面上にェピ タキシャル膜を気相成長させてェピタキシャルウェハを製造するェピタキシャルウェハ の製造装置であって、請求項 1から請求項 9のいずれかに記載のサセプタと、このサ セプタが内部に配置され、前記基板ゥヱハの表面上にェピタキシャル膜を気相成長 させるための反応ガスを内部に供給可能とする反応容器と、前記ェピタキシャル膜を 気相成長させる際に前記基板ウェハを加熱するための加熱装置と、を備えていること を特徴とする。
[0020] このような発明によれば、ェピタキシャルウェハの製造装置に上述した作用効果を 奏するサセプタを用いて 、る。
このことにより、表面外周部における膜厚のばらつきが抑制されたェピタキシャルゥ ェハを製造可能なェピタキシャルウェハの製造装置を提供できる。
図面の簡単な説明
[0021] [図 1]本発明の第 1実施形態に係るェピタキシャルウェハの製造装置を模式的に示す 断面図である。
[図 2A]前記第 1実施形態におけるサセプタの概略構成を示す上面図である。
[図 2B]前記図 2Aにおける B— B線の断面図である。
[図 2C]前記図 2Aにおける C— C線の断面図である。
[図 3]ェピタキシャルウェハの製造装置の作用を説明するための実験に用いた実施 例 1, 2, 3のサセプタの上面図である。
[図 4]実施例 1のサセプタを用 、たェピタキシャルウェハの製造時における第 1ウェハ エッジ部の状態およびェピタキシャル膜の膜厚分布を示す図である。
[図 5]ェピタキシャルウェハの製造装置の作用を説明するための実験に用いた比較 例のサセプタの上面図である。
[図 6]比較例のサセプタを用いたェピタキシャルウェハの製造時における第 1ウェハェ ッジ部の状態およびェピタキシャル膜の膜厚分布を示す図である。 [図 7]実施例 1のサセプタを用いて製造したェピタキシャルウェハにおける各ノッチ基 準角度での膜厚変化割合を示すグラフである。
[図 8]実施例 2のサセプタを用いて製造したェピタキシャルウェハにおける各ノッチ基 準角度での膜厚変化割合を示すグラフである。
[図 9]実施例 3のサセプタを用いて製造したェピタキシャルウェハにおける各ノッチ基 準角度での膜厚変化割合を示すグラフである。
[図 10]比較例のサセプタを用いて製造したェピタキシャルウェハにおける各ノッチ基 準角度での膜厚変化割合を示すグラフである。
[図 11A]本発明の第 2実施形態に係るサセプタの概略構成を示す上面図である。
[図 11B]前記図 11Aにおける B— B線の断面図である。
[図 11C]前記図 11 Aにおける C C線の断面図である。
[図 12]前記第 2実施形態における各ノッチ対向部基準角度での周縁本体部の上面 を基準とした内周縁の高さを表す図である。
[図 13]本発明の第 3実施形態に係るサセプタの概略構成を示す上面図である。
[図 14]本発明の第 4実施形態に係るサセプタの概略構成を示す上面図である。
[図 15]本発明の第 5実施形態に係るサセプタの概略構成を示す上面図である。
[図 16]本発明の第 6実施形態に係るサセプタの概略構成を示す上面図である。
[図 17]本発明の第 7実施形態に係るサセプタの概略構成を示す上面図である。 符号の説明
1 · · ·製造装置
2, 500, 510, 520, 800, 810, 820, 830, 840, 850…サセプタ
3 · · ·]¾心谷器
4· · ·加熱装置
21…ウェハ載置部
21Α· · ·載置面
22, 502, 512, 522, 802, 812, 822, 832, 842, 852…周縁部
22A, 502A, 512A, 522A, 812A, 822A, 832A, 842A, 852A…内周面
22B, 502B, 512B, 522B, 812B, 822B, 832B, 842B, 852B…上面 23, 503, 513, 523, 805, 813, 833A, 833B, 833C…気相成長制御部
23Α· · ·内周面
23Β· · ·上面
803 · · ·周縁本体部
804· · ·突出部
842D…低平坦度部
W- · .基板ウェハ
WE · · ·ベベル部
101
WE · · ·表面外周部
102
ΕΡ· · ·ェピタキシャル膜
EPW- · 'ェピタキシャルウェハ
発明を実施するための最良の形態
[0023] [第 1実施形態]
以下、本発明の第 1実施形態を図面に基づいて説明する。
〔ェピタキシャルウェハの製造装置の構成〕
図 1は、ェピタキシャルウェハの製造装置 1を模式的に示す断面図である。 製造装置 1は、基板ウエノ、 W上にェピタキシャル膜 EPを気相成長させてェピタキシ ャルウェハ EPWを製造する枚葉式の製造装置である。この製造装置 1は、直径寸法 力 S 200mmのェピタキシャルウェハ EPWの製造装置として構成されている。なお、直 径寸法が 200mm以上のェピタキシャルウェハ EPWを対象とした製造装置 1としても よい。この製造装置 1は、図 1に示すように、サセプタ 2と、反応容器 3と、加熱装置 4と 、を備える。
ここで、この第 1実施形態、および、後述する第 2〜第 7実施形態において、表面外 周部とは、基板ウエノ、 Wの外縁およびこの外縁から 5mmの間の領域を意味している 力 基板ウェハ Wの直径にかかわらず上述した領域に限るものでなぐ例えば外縁か ら lmmや 7mmと ヽつた領域を意味する場合もある。
[0024] サセプタ 2は、具体的には後述する力 基板ウェハ Wが載置される部材であり、反 応容器 3内部に設置される。 [0025] 反応容器 3は、サセプタ 2が内部に設置され、内部に反応ガスを供給可能に構成さ れている。そして、反応ガスをサセプタ 2上に載置された基板ウェハ Wに供給すること で、基板ウェハ Wの表面上にェピタキシャル膜 EPを気相成長させる。この反応容器 3は、図 1に示すように、上側ドーム 31と、下側ドーム 32と、ドーム取付体 33と、サセ プタ支持部 34とを備える。
上側ドーム 31および下側ドーム 32は、石英等の透光性部材から構成され、平面視 略中央部分が反応容器 3の内部から外側に向けて窪む略凹状に形成されて 、る。 ドーム取付体 33は、上方および下方が開放された略筒状部材カも構成され、上方 側の開口部分および下方側の開口部分にて上側ドーム 31および下側ドーム 32を支 持するものである。そして、ドーム取付体 33に上側ドーム 31および下側ドーム 32を 取り付けることで、図 1に示すように、反応容器 3内部に反応室 3Aが形成される。 このドーム取付体 33において、その側面には、図 1に示すように、反応ガス供給管 331および反応ガス排出管 332が設けられている。そして、これら反応ガス供給管 33 1および反応ガス排出管 332は、反応室 3Aおよび反応容器 3外部を連通するように 形成されている。
[0026] 反応ガス供給管 331および反応ガス排出管 332は、反応容器 3の上方側に対向配 置するように設けられる。そして、このような構成では、反応ガス供給管 331を介して 反応容器 3外部から反応室 3A内に反応ガスを供給すると、サセプタ支持部 34にて 支持されたサセプタ 2上の基板ウェハ Wの表面を水平に反応ガスが流通するとともに 、反応ガス排出管 332を介して反応室 3A内の反応ガス等が反応容器 3外部に排出 される。
ここで、反応ガスとしては、ェピタキシャル膜 EPを気相成長させるためのシリコン原 子を含んだ原料ガスの他、キャリアガスを混合させたものを採用できる。原料ガスとし ては、気相成長させるェピタキシャル膜 EPに応じたものを採用すればよぐ例えば、 シリコンソースである SiHClおよびボロンドーパントソースである B Hを水素ガスで
3 2 6
希釈した混合反応ガスを採用できる。また、キャリアガスとしては、例えば水素を含ん だものを採用できる。
[0027] サセプタ支持部 34は、石英等の透光性部材から構成され、反応容器 3の下側ドー ム 32の略中央部分力も反応室 3A内に突出し、サセプタ 2を水平状態で反応容器 3 内に設置するとともに、ウェハをサセプタ 2に設置するものである。そして、このサセプ タ支持部 34は、例えば、外部の図示しない制御装置による制御の下、回転軸 Rを中 心として回転自在に構成されている。このサセプタ支持部 34は、図 1に示すように、 サセプタ支持部本体 341と、ウェハ昇降部 342とを備える。
サセプタ支持部本体 341は、下側ドーム 32の略中央部分力も反応室 3A内に突出 する基部 341Aと、基部 341Aの上方側端部から、反応室 3A内にてドーム取付体 33 の内側面に近接する方向に延出する 3つの延出部 341Bとを備える。そして、サセプ タ支持部本体 341は、 3つの延出部 341Bの先端部分が上方に向けて延出し、この 先端部分にてサセプタ 2の下面外周縁部分を 3点で支持する。サセプタ支持部本体 341がサセプタ 2を支持することで、サセプタ 2は、反応室 3A内に水平状態で設置さ れる。
なお、サセプタ支持部本体 341の形状は、上述したものに限らず、延出部 341Bを 3つ以上形成してもよぐ延出部 341Bを基部 341Aの上方側端部力も放射状に拡が る平面視円形状となるように形成してもよ ヽ。
ウェハ昇降部 342は、サセプタ支持部 34の基端部分を囲うように筒状に形成された 基部 342Aと、基部 342Aの上方側端部から、反応室 3A内にてドーム取付体 33の 内側面に近接する方向に延出する 3つの延出部 342Bと、 3つの延出部の先端部分 に取り付けられ上方に向けて延びる 3つのピン状部材 342Cとを備える。
このウェハ昇降部 342は、回転軸 Rを中心として回転自在に構成されているとともに 、サセプタ支持部本体 341に対して上下方向に進退自在に構成されている。そして 、ウェハ昇降部 342が上下方向に進退移動することで、ピン状部材 342Cの先端部 分がサセプタ 2の後述するピン揷通孔 21Bを介して基板ウェハ Wに当接し、この基板 ウェハ Wを上下方向に移動させる。
すなわち、本実施形態の製造装置 1は、この製造装置 1へのウェハ搬入、搬出を行 う図示しない搬送治具とサセプタ 2間の移載方式力 ウェハ下面をピン状部材 342C にて支持してウェハ昇降部 342の進退移動によりウェハを移載するタイプで構成され ている。 なお、ウェハ昇降部 342を省略し、製造装置 1へのウェハ搬入、搬出を行う前記搬 送治具とサセプタ 2間の移載方式として、ベルヌイチャック方式または前記搬送治具 の昇降方式によりウェハを移載するタイプを採用してもよい。
[0029] 加熱装置 4は、反応容器 3の上方側および下方側にそれぞれ配設され、反応容器 3の上側ドーム 31および下側ドーム 32を介して、サセプタ 2上に載置された基板ゥェ „、およびサセプタ 2を放射熱により加熱し、基板ウェハ Wを所定温度に設定する ものである。この加熱装置 4としては、例えば、ハロゲンランプや赤外ランプ等を採用 できる。なお、加熱装置 4としては、放射熱により加熱するものの他、誘導加熱により 基板ウェハ Wを加熱する高周波加熱方式を採用してもよい。
[0030] 〔サセプタの構成〕
図 2A〜図 2Cは、それぞれサセプタ 2の概略構成を示す図であり、図 2Aはサセプ タ 2の上面図であり、図 2Bは図 2Aにおける B— B線の断面図であり、図 2Cは図 2A における C— C線の断面図である。
[0031] サセプタ 2は、図 2Aに示すように、例えば炭素基材により基板ウェハ Wよりも大きい 外形を有する略円板状に形成され、基板ウェハ Wが載置される載置面 21 Aを有する ウェハ載置部 21を備えている。
ここで、基板ウエノ、 Wのウェハエッジ部 WEには、結晶方位が（100)となる第 1ゥェ ハエッジ部 WE と、（110)となる第 2ウェハエッジ部 WE と、が約 45° 間隔で円周
10 11
方向に交互に並んだ状態で設けられている。第 1ウェハエッジ部 WE は、ウェハエツ
10
ジ部 WEに切り欠き形成されたノッチ Wdを基準とした反時計回りの角度（以下、ノッチ 基準角度と称す）が 45° 、 135° 、 225° 、315° の位置に設けられている。第 2ゥ ェハエッジ部 WE は、ノッチ基準角度が 0° 、 90° 、 180° 、 270° の位置に設けら
11
れている。
[0032] ウェハ載置部 21には、図 2A,図 2Bに示すように、サセプタ支持部 34を構成するゥ ェハ昇降部 342のピン状部材 342Cを揷通可能とする 3つのピン揷通孔 21Bが形成 されている。また、ウェハ載置部 21には、図 2A,図 2Cに示すように、軸方向が上下 方向と交差する 3つの空気孔 21Cが形成されている。
なお、空気孔 21Cの代わりに、上下方向略中央に軸方向が左右方向と略一致する 部分を有する空気孔 21Dや、軸方向が上下方向と略一致する空気孔 21Eを設ける 構成としてもよい。
[0033] また、ウェハ載置部 21には、中心がウェハ載置部 21の中心と略一致し、かつ、ノッ チ Wdが常に特定の位置に位置する状態 (以下、特定載置状態と称す)で、基板ゥ ハ Wが載置される。
さらに、ウェハ載置部 21には、このウェハ載置部 21の周縁を囲む状態に起立する 内周面 22Aと、この内周面 22Aの上端からウェハ載置部 21の載置面 21Aに沿って 外側に延出形成される上面 22Bと、を有する略リング板状の周縁部 22がー体的に設 けられている。
[0034] 周縁部 22の少なくとも内周面 22Aおよび上面 22Bには、例えば SiC被膜がコーテ イングされている。また、周縁部 22における特定載置状態で載置された基板ウェハ W のノッチ Wdに対向するノッチ対向部 22Cを基準とした反時計回りの角度（以下、ノッ チ対向部基準角度と称す)が 45° 、 135° 、 225° 、315° となる内周縁近傍部分 には、この部分を円弧方向の略中央とした平面視略三日月形状の嵌合溝 22Dがそ れぞれ形成されている。すなわち、周縁部 22には、基板ウェハ Wの第 1ウェハエッジ 部 WE に対向する部分に嵌合溝 22Dが形成され、第 2ウェハエッジ部 WE に対向
10 11 する部分に嵌合溝 22Dが形成されて 、な 、。
ここで、嵌合溝 22Dは、ノッチ基準角度が 0° 、 90° 、 180° 、 270° の位置に第 1 ウェハエッジ部 WE が設けられた基板ウェハ Wを載置対象とする場合、ノッチ対向部
10
基準角度が 0° 、 90° 、 180° 、 270° の位置に形成される。
[0035] 嵌合溝 22Dには、 SiCと比べて反応ガスとの反応が抑制される材料である石英す なわち SiO力も成る、嵌合溝 22Dの形状に対応する平面視略三日月形状の部品と
2
して構成された気相成長制御部 23が取り付けられている。すなわち、嵌合溝 22Dに は、内周面 23Aが周縁部 22の内周面 22Aに倣い、かつ、上面 23Bが周縁部 22の 上面 22Bに倣う状態で、気相成長制御部 23が取り付けられている。また、気相成長 制御部 23は、ノッチ対向部基準角度が 45° 、 135。 、 225。 、 315° の部分におけ る上面 23Bの上面 22Bに倣う方向の長さが最も長ぐこれらの部分力も離間するに従 つて上面 23Bの上面 22Bに倣う方向の長さが短くなる状態に取り付けられている。 なお、気相成長制御部 23としては、 SiOで形成する構成に限らず、 SiCと比べて
2
反応ガスとの反応が抑制される材料、例えば SiNなどの材料で形成する構成としても よい。
[0036] 〔ェピタキシャルウェハの製造装置の動作〕
次に、上述した製造装置 1の動作として、ェピタキシャルウェハ EPWの製造処理を 説明する。
[0037] 先ず、上述したウェハの移載方式により、図示しない搬送治具を移動させるとともに ウェハ昇降部 342のピン状部材 342Cを進退移動させることで、基板ウェハ Wをサセ プタ 2のウェハ載置部 21に特定載置状態で載置する。ここで、搬送治具に図示しな Vヽ高精度位置確認用センサを取り付けて、基板ウェハ Wを確実に特定載置状態で 載置する構成が望ましい。
そして、加熱装置 4により高温に加熱された反応室 3 A内に反応ガス供給管 331を 介して Hガスを供給し、高温のガスエッチングにより基板ウェハ W表面の自然酸ィ匕膜
2
を除去する。
[0038] この後、以下に示すように、基板ウエノ、 W上にェピタキシャル膜 EPを気相成長させ る。
すなわち、先ず、加熱装置 4により、基板ウェハ Wを所望の成長温度に加熱する。 そして、回転軸 Rを中心としてサセプタ支持部 34を回転させながら、反応ガス供給 管 331を介して基板ウェハ Wの表面上に水平に反応ガスを供給する。このようにして 気相成長を実施することにより、基板ウェハ Wの表面上にェピタキシャル膜 EPが形 成され、ェピタキシャルゥヱハ EPWが製造される。
[0039] 〔ェピタキシャルウェハの製造装置の作用〕
次に、上述したェピタキシャルウェハ EPWの製造装置 1の作用を説明する。
ここで、ェピタキシャルウェハ EPWの中心からの距離が 96mm、 97mm, 98mm,
99mmの位置のそれぞれの膜厚から、 95mmの位置の膜厚を減じて 95mmの位置 の膜厚で除した値を、膜厚変化割合と称して説明する。
図 3は、ェピタキシャルウェハ EPWの製造装置 1の作用を説明するための実験に用 いた実施例 1, 2, 3のサセプタ 500, 510, 520の上面図である。図 4は、実施例 1の サセプタ 500を用いたェピタキシャルウェハ EPWの製造時における第 1ウェハエッジ 部 WE の状態およびェピタキシャル膜 EPの膜厚分布を示す図である。図 5は、ェピ
10
タキシャルウェハ EPWの製造装置 1の作用を説明するための実験に用 、た比較例 のサセプタ 700の上面図である。図 6は、比較例のサセプタ 700を用いたェピタキシ ャルウェハ EPWの製造時における第 1ウェハエッジ部 WE の状態およびェピタキシ
10
ャル膜 EPの膜厚分布を示す図である。図 7は、実施例 1のサセプタ 500を用いて製 造したェピタキシャルウェハ EPWにおける各ノッチ基準角度での膜厚変化割合を示 すグラフである。図 8は、実施例 2のサセプタ 510を用いて製造したェピタキシャルゥ ェハ EPWにおける各ノッチ基準角度での膜厚変化割合を示すグラフである。図 9は 、実施例 3のサセプタ 520を用いて製造したェピタキシャルウェハ EPWにおける各ノ ツチ基準角度での膜厚変化割合を示すグラフである。図 10は、比較例のサセプタ 70 0を用いて製造したェピタキシャルウェハ EPWにおける各ノッチ基準角度での膜厚 変化割合を示すグラフである。
[0040] 先ず、ェピタキシャルウェハ EPWの製造装置 1の作用を説明するための実験に用 いた実施例 1, 2, 3のサセプタ 500, 510, 520の構成を説明する。
[0041] 実施例 1, 2, 3のサセプタ 500, 510, 520は、本発明を適用したサセプタ 2と同様 の構成を有し、図 3に示すように、ウェハ載置部 21と、周縁部 502, 512, 522と、を 備える。
周縁部 502, 512, 522の少なくとも内周面 502A, 512A, 522Aおよび上面 502 B, 512B, 522Bには、 SiC被膜力 ^コーティングされている。また、周縁部 502, 512 , 522のノッチ対向部 502C, 512C, 522Cを基準としたノッチ対向部基準角度が 45 ° 、 135° 、 225° 、 315° となる内周縁近傍部分には、この部分を円弧方向の略 中央とした平面視略円弧状の嵌合溝 502D, 512D, 522Dがそれぞれ形成されて いる。
ここで、嵌合溝 502Dは、幅 Lが 2mmかつ角度 Θが 45。 の形状に形成されている 。また、嵌合溝 512Dは、幅 Lが 2mmかつ角度 Θ力 の形状に形成されている。 さら〖こ、嵌合溝 522Dは、幅 Lが 5mmかつ角度 Θ力 の形状に形成されている。 そして、嵌合溝 502D, 512D, 522Dに ίま、 SiO力ら成る嵌合溝 502D, 512D, 5 22Dの形状に対応する平面視略円弧状の部品として構成された気相成長制御部 50
3, 513, 523力取り付けられている。
[0042] 次に、実施例 1のサセプタ 500を用いて製造したェピタキシャルウェハ EPWのェピ タキシャル膜 EPの形成状態について説明する。なお、実施例 2, 3のサセプタ 510,
520を用いた場合のェピタキシャル膜 EPの形成状態も実施例 1のサセプタ 500を用 いた場合と同様なので、ここでは説明を省略する。
[0043] 実施例 1のサセプタ 500に、ノッチ基準角度が 45° 、 135° 、 225° 、 315° の位 置に設けられた第 1ウェハエッジ部 WE と、ノッチ基準角度が 0° 、 90° 、 180° 、2
10
70° の位置に設けられた第 2ウェハエッジ部 WE と、を有する基板ウェハ Wを特定
11
載置状態で載置する。そして、この基板ウェハ W上にェピタキシャル膜 EPを気相成 長させて、ェピタキシャルウェハ EPWを製造した場合、基板ウェハ Wにおける例えば ノッチ基準角度が 90° となる第 2ゥヱハエッジ部 WE 近傍には、気相成長制御部 50
11
3ではなく SiC被膜がコーティングされた周縁部 502の上面 502Bが存在するので、こ こでは図示しないが、上面 502Bに向けて供給される反応ガス G1 (以下、周縁供給 反応ガス G1と称す。図 4参照）は、相対的に多くが上面 502Bで反応して基板ウェハ Wの方向に流れない。また、基板ウェハ Wに向けて供給される反応ガス G2 (以下、ゥ ェハ供給反応ガス G2と称す。図 4参照）は、基板ウェハ Wに向けて供給される。
そして、第 2ウェハエッジ部 WE に周縁供給反応ガス G1が到達せずにウェハ供給
11
反応ガス G2のみが到達するため、この第 2ウェハエッジ部 WE のべベル部における
11
ェピタキシャル膜 EPの気相成長の速度が所定の速度となり、ベベル部の吸 、込み が所定の大きさとなる。これにより、第 2ウェハエッジ部 WE の表面外周部における膜
11
厚分布が略均一となる。
[0044] また、基板ウエノ、 Wにおける例えばノッチ基準角度が 45° となる第 1ウェハエッジ部 WE 近傍には、 SiCと比べて周縁供給反応ガス G1との反応が抑制される SiOで形
10 2 成された気相成長制御部 503が存在するので、図 4に示すように、気相成長制御部 503に向けて供給される周縁供給反応ガス G1は、一部が気相成長制御部 503で反 応せずに第 1ウェハエッジ部 WE の方向に流れる。さらに、ウェハ供給反応ガス G2
10
は、基板ウェハ wに向けて供給される。 そして、第 1ウェハエッジ部 WE に周縁供給反応ガス G1およびウェハ供給反応ガ
10
ス G2が到達するため、この第 1ウェハエッジ部 WE のべベル部 WE におけるェピ
10 101
タ
キシャル膜 EPの気相成長の速度がウェハ供給反応ガス G2のみが到達する場合と比 ベて速くなり、ベベル部 WE の吸い込みが小さくなる。これにより、第 1ウェハエッジ
101
部
WE の表面外周部 WE における外縁側の膜厚が気相成長制御部 503を設けない
10 102
場
合と比べて厚くなる。
また、後述するが、第 1ウェハエッジ部 WE にウェハ供給反応ガス G2のみが到達
10
する場合、第 2ウェハエッジ部 WE にウェハ供給反応ガス G2のみが到達した場合よ
11
りもべベル部 WE における気相成長の速度が遅くなるため、表面外周部 WE の膜
101 102 厚が外縁に向力うに従って薄くなる。
これらのことから、第 1ウェハエッジ部 WE の表面外周部 WE における膜厚分布
10 102
は、気相成長制御部 503を設けずに第 1ウェハエッジ部 WE に周縁供給反応ガス G
10
1を到達させな ヽ場合と比べて略均一となる。
[0045] 次に、ェピタキシャルウェハ EPWの製造装置 1の作用を説明するための実験に用
V、た比較例のサセプタ 700の構成を説明する。
[0046] 比較例のサセプタ 700は、図 5に示すように、ウェハ載置部 21と、周縁部 702と、を 備える。
そして、周縁部 702の少なくとも内周面 702Aおよび上面 702Bには、 SiC被膜がコ 一ティングされている。
また、周縁部 702は、ウェハ載置部 21の載置面 21Aに対する上面 702Bの高さが 、実施 ί列 1, 2, 3のサセプタ 500, 510, 520におけるウエノヽ載置咅 の載置面 21A に対する周縁咅 512, 522の上面 502Β, 512B, 522Βの高さと同一となる形 状に形成されている。
さらに、周縁部 702には、特定載置状態、すなわちノッチ対向部 702Cにノッチ Wd が対向する状態で基板ウェハ Wが載置される。 [0047] 次に、比較例のサセプタ 700を用いて製造したェピタキシャルウェハ EPWのェピタ キシャル膜 EPの形成状態にっ 、て説明する。
[0048] 実施例 1のサセプタ 500を用いた場合と同様にして比較例のサセプタ 700を用いて ェピタキシャルウェハ EPWを製造した場合、基板における第 2ウェハエッジ部 WE
11 近傍には、ウェハ載置部 21に対して周縁部 502と同一状態で設けられた周縁部 70 2の上面 702Bが存在するので、ここでは図示しないが、実施例 1のサセプタ 500を 用いた場合と同様に、周縁供給反応ガス G1およびウェハ供給反応ガス G2がそれぞ れ上面 702Bおよび基板ゥヱハ Wに向けて供給され、第 2ゥヱハエッジ部 WE の表
11 面外周部における膜厚分布が略均一となる。
[0049] また、基板ウエノ、 Wにおける第 1ウェハエッジ部 WE 近傍にも上面 702Bが存在す
10
るので、図 6に示すように、周縁供給反応ガス G1およびウェハ供給反応ガス G2がそ れぞれ上面 702Bおよび基板ウェハ Wに向けて供給される。
さらに、この第 1ウェハエッジ部 WE のべベル部 WE におけるェピタキシャル膜
10 101
EPの気相成長の速度が第 2ゥヱハエッジ部 WE のべベル部における速度よりも速く
11
なるので、ベベル部 WE の吸い込みが大きくなり、表面外周部 WE の膜厚が外縁
101 102
に向かうに従って薄くなり膜厚分布が不均一となる。
[0050] そして、実施例 1, 2, 3のサセプタ 500, 510, 520、比較例のサセプタ 700を用い て同一条件でェピタキシャルウェハ EPWを製造して、これらのェピタキシャルウェハ EPWにおける各ノッチ基準角度での膜厚変化割合を比較した。
実施例 1, 2, 3のサセプタ 500, 510, 520を用いたェピタキシャルウェハ EPWで は、図 7, 8, 9に示すように、ノッチ基準角度が 45° 、 135° 、 225° 、 315° の第 1 ウェハエッジ部 WE における膜厚変化割合が 99mmの位置でも約 3. 5%以上と
10
なることが確認された。特に、実施例 1のサセプタ 500を用いた場合、膜厚変化割合 が 99mmの位置でも約— 2. 5%以上となり、膜厚分布が最も均一に近い状態となる ことが確認された。
一方、比較例のサセプタ 700を用いたェピタキシャルウェハ EPWでは、図 10に示 すように、第 1ゥヱハエッジ部 WE における膜厚変化割合が 99mmの位置でも約ー4
10
. 40/0以上となり、実施 ί列 1， 2, 3のサセプタ 500， 510， 520を用！/、た場合と i:匕べて、 膜厚分布が不均一となることが確認された。
[0051] 〔ェピタキシャルウェハの製造装置の効果〕
上述した第 1実施形態によれば、以下の効果がある。
(1)製造装置 1におけるウェハ載置部 21の周縁に設けられた周縁部 22の 4つの部分 に、ウェハ載置部 21に載置される基板ウェハ Wのウェハエッジ部 WEにおけるェピタ キシャル膜 EPの気相成長速度を制御する気相成長制御部 23を設けている。
このため、気相成長制御部 23の近傍に位置する基板ウェハ Wのウェハエッジ部 W Eの気相成長の速度を他の部分とは異なる状態に制御して、気相成長制御部 23近 傍のウェハエッジ部 WEの表面外周部における外縁方向の膜厚分布を気相成長制 御部 23を設けない場合とは異なる膜厚分布とすることが可能となる。
したがって、結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略均一にすることができ 、表面外周部における膜厚のばらつきを抑制できる。
[0052] (2)周縁部 22に、ウェハ載置部 21を囲む状態に起立する内周面 22Aと、この内周 面 22Aの上端からウェハ載置部 21の載置面 21Aに沿って外側に延出形成される上 面 22Bとを設けている。さらに、気相成長制御部 23を、内周面 23Aが周縁部 22の内 周面 22Aに倣い、かつ、上面 23Bが周縁部 22の上面 22Bに倣う状態で、 SiC被膜と 比べて反応ガスとの反応が抑制される SiOにより形成して設けている。
2
このため、上述したように気相成長制御部 23により反応ガスの流れを制御でき、気 相成長制御部 23近傍に位置する第 1ゥヱハエッジ部 WE のべベル部 WE におけ
10 101 る:^
相成長速度を気相成長制御部 23が存在しない場合と比べて速くして、第 1ウェハェ ッジ部 WE の表面外周部 WE の膜厚を気相成長制御部 23が存在しない場合より
10 102
も厚く
する状態に制御できる。したがって、気相成長制御部 23を反応ガスとの反応が抑制 される SiOにより形成するだけで、結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略
2
均一にすることができ、表面外周部における膜厚のばらつきを抑制できる。
[0053] (3)気相成長制御部 23を、 SiO力も成る部品として構成して周縁部 22に設けている このため、気相成長制御部 23を薄膜状に設ける構成と比べて、基板ウェハ Wのェ ツチング処理に対する耐久性を向上させることができる。
したがって、気相成長制御部 23を薄膜状に設ける構成と比べて、より長期間使用 できる。
[0054] (4)気相成長制御部 23を、ウェハ載置部 21に特定載置状態で載置された基板ゥ ハ Wにおける第 1ウェハエッジ部 WE に対向する状態で設けている。
10
このため、気相成長制御部 23を基板ウェハ Wの第 1ウェハエッジ部 WE に対向す
10 る状態で設けているので、結晶方位に依存する表面外周部における膜厚のばらつき をより確実に抑制できる。
[0055] (5)ェピタキシャルウェハ EPWの製造装置 1に上述した作用効果を奏するサセプタ 2 を用いている。
このため、表面外周部における膜厚のばらつきが抑制されたェピタキシャルウェハ EPWを製造可能なェピタキシャルウェハ EPWの製造装置 1を提供できる。
[0056] (6)ウェハ載置部 21に、空気孔 21Cを設けて ヽる。
このため、基板ウェハ Wがウェハ載置部 21に載置された際に、基板ウェハ Wおよび ウェハ載置部 21の間に存在する空気を、空気孔 21Cを介してウェハ載置部 21の下 方に排出できる。
したがって、基板ウエノ、 Wおよびウェハ載置部 21の間に空気が存在することによる 基板ウェハ Wの滑りを抑制できる。なお、空気孔 21D, 21Eを設けた場合も、作用効 果を奏することができる。
[0057] (7)空気孔 21Cを、軸方向が上下方向と交差する形状に設けている。
このため、加熱装置 4からの光が基板ウェハ Wに直接照射されるのを防ぐことができ 、いわゆるナノトポゃ膜厚分布の悪ィ匕を抑えることができる。なお、空気孔 21Dを設け た場合も、同様の効果を奏することができる。
[0058] [第 2実施形態]
次に、本発明の第 2実施形態を図面に基づいて説明する。
以下の説明では、前記第 1実施形態と同様の構造および同一部材には同一符号 を付して、その詳細な説明は省略または簡略化する。 図 11 A〜図 11Cは、それぞれ第 2実施形態に係るサセプタ 800の概略構成を示す 図であり、図 11Aはサセプタ 800の上面図であり、図 11Bは図 11Aにおける B— B線 の断面図であり、図 11Cは図 11Aにおける C— C線の断面図である。図 12は、各ノッ チ対向部基準角度での周縁本体部の上面を基準とした内周縁の高さを表す図であ る。
[0059] 〔サセプタの構成〕
サセプタ 800は、図 11A、図 11B、図 11Cに示すように、ウェハ載置部 21と、このゥ ェハ載置部 21の周縁を囲む略リング板状に形成された周縁部 802がー体的に設け られている。
[0060] 周縁部 802は、上面がウェハ載置部 21の載置面 21Aに倣う略リング板状に形成さ れた周縁本体部 803を備える。この周縁本体部 803におけるノッチ対向部 803Cを 基準としたノッチ対向部基準角度が 60° 〜120° の部分、 150° 〜210° の部分、 240° 〜300° の部分、 330° 〜30° の部分には、上方に向けて平面視略円弧状 の略四角錐状に突出する突出部 804がー体的に形成されている。すなわち、特定載 置状態で載置された基板ウェハ Wの第 2ウェハエッジ部 WE に対向する部分に突出
11
部 804が形成されている。
[0061] この突出部 804は、上辺よりも下辺が長い略台形状を有しウェハ載置部 21の載置 面 21 Aと略直交する方向に起立する内縁側面 804Aと、この内縁側面 804Aと共通 の上辺を有しこの上辺よりの下辺が長い略台形状の外縁側面 804Bと、内縁側面 80 4Aおよび外縁側面 804Bと共通の斜辺を有する略三角形状の右側面 804Cと、この 右側面 804Cと略同一形状を有する左側面 804Dと、を備える。また、内縁側面 804 Aは、図 12に示すように、ノッチ対向部基準角度が 85° 〜95° の部分、 175° 〜1 85° の部分、 265° 〜275° の部分、 355° 〜5° の部分に上辺が位置し、かつ、 周縁本体部 803の上面を基準とした高さが 0. 6mmの略台形状を有している。ここで 、この略台形状の高さとしては、基板ウェハ Wの厚さの 0. 7〜1. 3倍の範囲で任意に 選択可能である。
さらに、周縁本体部 803におけるノッチ対向部基準角度が 30° 〜60° の部分、 1 20° 〜150° の部分、 210° 〜240° の部分、 300° 〜330° の部分は、突出部 804の上端すなわち周縁部 802の上端よりも低 、上面を有し、ウェハ載置部 21に基 板ウェハ Wを載置した際に基板ウェハ Wの端面が露出する状態に形成された気相成 長制御部 805とされている。
そして、突出部 804および気相成長制御部 805には、 SiC被膜がコーティングされ ている。
[0062] 〔ェピタキシャルウェハの製造装置の効果〕
上述した第 2実施形態によれば、第 1実施形態の（1)、（4)〜（7)と同様の効果に 加え、以下の作用効果がある。
(8)周縁部 802に、周縁本体部 803の上端よりも低い上面を有し、ウェハ載置部 21 に基板ウェハ Wを載置した際に基板ウェハ Wの端面が露出する状態に形成された気 相成長制御部 805を設けて 、る。
このため、周縁部 802における気相成長制御部 805に供給されてウェハエッジ部 WEの方向に流される反応ガスの量を、突出部 804に供給されてウェハエッジ部 WE の方向に流される反応ガスの量よりも多くできる。
したがって、気相成長制御部 805近傍に位置する第 1ゥヱハエッジ部 WE のべべ
10 ル部の気相成長速度を突出部 804近傍に位置する第 2ウェハエッジ部 WE のべべ
11 ル部と比べてより速くして、ベベル部での吸い込みを小さくすることにより、第 1ウエノ、 エッジ部 WE の表面外周部の膜厚を第 2ウェハエッジ部 WE よりもより厚くする状態
10 11 に制御することができる。よって、結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略均 一にすることが可能となり、表面外周部における膜厚のばらつきを抑制できる。
[0063] [第 3実施形態]
次に、本発明の第 3実施形態を図面に基づいて説明する。
以下の説明では、前記第 1実施形態と同様の構造および同一部材には同一符号 を付して、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図 13は、第 3実施形態に係るサセプタ 810の概略構成を示す上面図である。
[0064] 〔サセプタの構成〕
サセプタ 810は、図 13に示すように、ウェハ載置部 21と、このウェハ載置部 21の周 縁を囲む状態に起立する内周面 812Aおよびこの内周面 812Aの上端からウェハ載 置部 21の載置面 21Aに沿って外側に延出形成される上面 812Bを有する略リング 板状の周縁部 812と、を備える。
周縁部 812の少なくとも内周面 812Aおよび上面 812Bには、例えば SiC被膜がコ 一ティングされている。また、周縁部 812の上面 812Bにおける内周縁に沿った部分 には、内周縁に沿って略リング状に形成された嵌合溝 812Dが設けられている。 この嵌合溝 812Dは、外形が平面視略正方形状を有し、かつ、各頂点がノッチ対向 部 812Cを基準としたノッチ対向部基準角度力 5° 、135° 、 225° 、315° の部 分に位置する形状に形成されている。すなわち、嵌合溝 812Dは、ノッチ対向部基準 角度が 45° 、 135° 、 225° 、 315° の部分の平面方向長さが他の部分よりも長く なる形状に形成されて ヽる。
また、嵌合溝 812Dには、 SiO力も成る平面視略リング状の部品として構成された
2
気相成長制御部 813が取り付けられている。
そして、気相成長制御部 813は、ノッチ対向部基準角度力 5° 、135° 、 225° 、 315° となる部分において、ウェハ載置部 21の基板ウェハの載置中心力も外側に向 力う方向に頂点が位置する平面視略二等辺三角形状の 4つの幅広部 813Aと、この 幅広部 813Aに隣接して形成され、基板ウェハの載置中心力も外側に向力 方向の 寸法が幅広部 813Aよりも小さな幅狭部 813Bとを備えて 、る。
すなわち、気相成長制御部 813は、幅広部 813Aと、この幅広部 813Aよりも平面 方向長さが短い幅狭部 813Bと、を備え、特定載置状態で載置された基板ウェハ W の第 1ウェハエッジ部 WE に対向する部分に幅広部 813Aが設けられる構成を有し
10
ている。
[0065] 〔ェピタキシャルウェハの製造装置の効果〕
上述した第 3実施形態によれば、第 1実施形態の（1)〜（7)と同様の作用効果に加 え、以下の作用効果がある。
[0066] (9)周縁部 812に、 SiOにより幅広部 813Aおよび幅狭部 813Bが交互に設けられ
2
た略リング板状に形成された気相成長制御部 813を設けている。
このため、幅広部 813Aに供給されてゥヱハエッジ部 WEの方向に流される反応ガ スの量を、幅広部 813Aよりも平面方向長さが短い幅狭部 813Bに供給されてウェハ エッジ部 WEの方向に流される反応ガスの量よりも多くすることができる。 したがって、幅広部 813A近傍に位置する第 1ゥヱハエッジ部 WE のべベル部の
10
気相成長速度を幅狭部 813B近傍に位置する第 2ウェハエッジ部 WE のべベル部と
11
比べてより速くする状態に制御して、ベベル部での吸い込みを小さくすることにより、 第 1ウェハエッジ部 WE の表面外周部の膜厚を第 2ウェハエッジ部 WE よりもより厚
10 11 くする状態に制御することができる。よって、結晶方位によらず表面外周部での膜厚 分布を略均一にすることができ、表面外周部における膜厚のばらつきを抑制できる。
[0067] [第 4実施形態]
次に、本発明の第 4実施形態を図面に基づいて説明する。
以下の説明では、前記第 1実施形態と同様の構造および同一部材には同一符号 を付して、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図 14は、第 4実施形態に係るサセプタ 820の概略構成を示す上面図である。
[0068] 〔サセプタの構成〕
サセプタ 820は、図 14に示すように、ウェハ載置部 21と、このウェハ載置部 21の周 縁を囲む状態に起立する内周面 822Aおよびこの内周面 822Aの上端からウェハ載 置部 21の載置面 21Aに沿って外側に延出形成される上面 822Bを有する略リング 板状の周縁部 822と、を備える。
周縁部 822の内縁には、ノッチ対向部 822Cを基準としたノッチ対向部基準角度が 0° 、 90° 、 180° 、 270° の部分を円弧方向の略中央とした平面視略三日月状の 切欠部 822Eが形成されている。すなわち、内周面 822Aにおけるノッチ対向部基準 角度が 0° 、90° 、 180° 、 270° の部分からウェハ載置部 21の中心までの距離が 、45° 、 135° 、 225° 、 315° の部分よりも長くなる形状に形成されている。
また、周縁部 822の少なくとも内周面 822Aおよび上面 822Bには、例えば SiC被 膜がコーティングされている。さらに、周縁部 822の上面 822Bには、第 1実施形態の 嵌合溝 22Dと略同一形状の嵌合溝 822Dが形成されている。
そして、嵌合溝 822Dには、気相成長制御部 23が取り付けられている。すなわち、 気相成長制御部 23は、内周面 23Aが周縁部 822の内周面 822Aよりもウェハ載置 部 21の載置中心に突出する状態に取り付けられている。 [0069] 〔ェピタキシャルウェハの製造装置の効果〕
上述した第 4実施形態によれば、第 1実施形態の（1)〜（7)と同様の作用効果に加 え、以下の作用効果がある。
[0070] (10)気相成長制御部 23を、内周面 23Aが周縁部 822の内周面 822Aよりもウェハ 載置部 21の載置中心に突出する状態に設けている。
このため、基板ウェハ Wが特定載置状態で載置された際に、気相成長制御部 23が 設けられた部分を設けられて 、な 、部分よりもウェハエッジ部 WE近傍に位置させる ことができる。
したがって、気相成長制御部 23が設けられた部分における内縁からウェハ載置部 21の中心までの距離を他の部分と同じにする構成、すなわち第 1実施形態のサセプ タ 2の構成と比べて、気相成長制御部 23に供給されるがウェハエッジ部 WEの方向 に流れる反応ガスをより確実にウェハエッジ部 WEに到達させることができる。よって、 表面外周部における膜厚のばらつきをより効率的に抑制できる。
[0071] [第 5実施形態]
次に、本発明の第 5実施形態を図面に基づいて説明する。
以下の説明では、前記第 1実施形態と同様の構造および同一部材には同一符号 を付して、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図 15は、第 5実施形態に係るサセプタ 830の概略構成を示す上面図である。
[0072] 〔サセプタの構成〕
サセプタ 830は、図 15に示すように、ウェハ載置部 21と、このウェハ載置部 21の周 縁を囲む状態に起立する内周面 832Aおよびこの内周面 832Aの上端からウェハ載 置部 21の載置面 21Aに沿って外側に延出形成される上面 832Bを有する略リング 板状の周縁部 832と、を備える。
周縁部 832の少なくとも内周面 832Aおよび上面 832Bには、例えば SiC被膜がコ 一ティングされている。また、周縁部 832の内縁側には、ノッチ対向部 832Cを基準と したノッチ対向部基準角度が 45° の部分を円弧方向の略中央とした平面視略円弧 スリット状の嵌合溝 832D, 832E, 832Fが径方向外側に向けて所定間隔毎に並設 されている。これら嵌合溝 832D, 832E, 832Fは、径方向外側に位置するものほど 円弧方向の長さが短くなつている。さらに、周縁部 832におけるノッチ対向部基準角 度力 135° 、 225° 、 315° の咅分にも、嵌合溝 832D, 832E, 832F力 S形成されて いる。
そして、嵌合溝 832D, 832E, 832F〖こは、 SiOから成る平面視略円弧スリット状
2
の部品として構成された気相成長制御部 833A, 833B, 833Cが取り付けられてい る。すなわち、気相成長制御部 833A, 833B, 833Cは、 SiOを離散的パターン状
2
に露出させる状態に取り付けられて 、る。
なお、気相成長制御部 833A, 833B, 833Cを離散的パターン状に露出させる構 成としては、例えば平面視水玉状など他の離散的パターン状に露出させてもよい。
[0073] 〔ェピタキシャルウェハの製造装置の効果〕
上述した第 5実施形態によれば、第 1実施形態の（1)〜（7)と同様の作用効果に加 え、以下の作用効果がある。
[0074] (11)気相成長制御部 833A, 833B, 833Cを、 SiOが離散的パターン状に露出さ
2
れる状態に設けている。
このため、例えば第 1実施形態の気相成長制御部 23のように連続的パターン状に 露出させる構成と比べて、例えば気相成長制御部 833Aにシリコン膜が形成された 場合に、これに伴う気相成長制御部 833B, 833Cでのシリコン膜の形成を抑制でき る。
したがって、気相成長制御部 23のように連続的パターン状に露出させる構成と比 ベて、例えばシリコン膜を除去する処理をすることなぐより長時間使用できる。
[0075] [第 6実施形態]
次に、本発明の第 6実施形態を図面に基づいて説明する。
以下の説明では、前記第 1実施形態と同様の構造および同一部材には同一符号 を付して、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図 16は、第 6実施形態に係るサセプタ 840の概略構成を示す上面図である。
[0076] 〔サセプタの構成〕
サセプタ 840は、図 16に示すように、ウェハ載置部 21と、このウェハ載置部 21の周 縁を囲む状態に起立する内周面 842Aおよびこの内周面 842Aの上端からウェハ載 置部 21の載置面 21Aに沿って外側に延出形成される上面 842Bを有する略リング 板状の周縁部 842と、を備える。
周縁部 842の少なくとも内周面 842Aおよび上面 842Bには、例えば SiC被膜がコ 一ティングされている。
周縁部 842の上面 842Bには、ノッチ対向部 842Cを基準としたノッチ対向部基準 角度が 0° 、90° 、180° 、 270° の部分を円弧方向の略中央とした平面視略三日 月状を有し、他の部分よりも単位区画あたりの表面積が大きい低平坦度部 842Dが 設けられている。すなわち、特定載置状態で載置された基板ウェハ Wの第 2ウェハェ ッジ部 WE に対向する部分に低平坦度部 842Dが設けられている。また、上面 842
11
Bにおける低平坦度部 842D以外の部分は、高平坦度部 842Eとされて 、る。
ここで、低平坦度部 842Dおよび高平坦度部 842Eを設ける方法としては、例えば 低平坦度部 842Dの部分の単位区画あたりの表面積が大きくなる状態に部材を設け たり削ったりする方法を適用してもよいし、高平坦度部 842Eの部分の単位区画あた りの表面積力 、さくなる状態に部材を設けたり鏡面状態に加工したりする方法を適用 してちよい。
[0077] 〔ェピタキシャルウェハの製造装置の効果〕
上述した第 6実施形態によれば、第 1実施形態の（1)、（4)〜（7)と同様の作用効 果に加え、以下の作用効果がある。
[0078] (12)周縁部 842に、単位区画あたりの表面積が大きい低平坦度部 842Dを設けて いる。
このため、低平坦度部 842Dに高平坦度部 842Eと比べて反応ガスが吸着しやすく なり、高平坦度部 842Eに供給されてウェハエッジ部 WEの方向に流される反応ガス の量を低平坦度部 842Dに供給されてウェハエッジ部 WEの方向に流される反応ガ スの量よりも多くすることができる。
したがって、高平坦度部 842E近傍に位置する第 1ウェハエッジ部 WE のべベル
10 部の気相成長速度を低平坦度部 842D近傍に位置する第 2ウェハエッジ部 WE の
11 ベベル部と比べてより速くする状態に制御して、ベベル部での吸い込みを小さくする ことにより、第 1ウェハエッジ部 WE の表面外周部の膜厚を第 2ウェハエッジ部 WE よりもより厚くする状態に制御することができる。よって、結晶方位によらず表面外周 部での膜厚分布を略均一にすることができ、表面外周部における膜厚のばらつきを 抑制できる。
[0079] [第 7実施形態]
次に、本発明の第 7実施形態を図面に基づいて説明する。
以下の説明では、前記第 1実施形態と同様の構造および同一部材には同一符号 を付して、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図 17は、第 7実施形態に係るサセプタ 850の概略構成を示す上面図である。
[0080] 〔サセプタの構成〕
サセプタ 850は、図 17に示すように、ウェハ載置部 21と、このウェハ載置部 21の周 縁を囲む状態に起立する内周面 852Aおよびこの内周面 852Aの上端からウェハ載 置部 21の載置面 21Aに沿って外側に延出形成される上面 852Bを有する略リング 板状の周縁部 852と、を備える。
ウェハ載置部 21には、ノッチ Wdが常に特定の方向に向き、かつ、ノッチ Wd近傍の 外縁が周縁部 852の内周面 852Aに当接する状態で、基板ウエノ、 Wが載置される。 すなわち、ウェハ載置部 21には、中心がウェハ載置部 21の中心力 ずれた状態（以 下、中心不一致載置状態と称す)で基板ウェハ Wが載置される。
ここで、基板ウェハ Wを中心不一致載置状態で載置する方法としては、ウェハ載置 部 21の載置面 21Aや、搬送治具を構成するウェハハンドやリフトピンに傾斜をつけ て、基板ウェハ Wをノッチ Wdの方向に滑らせた状態で載置する方法が例示できる。
[0081] 周縁部 852の少なくとも内周面 852Aおよび上面 852Bには、例えば SiC被膜がコ 一ティングされている。また、周縁部 852におけるノッチ対向部 852Cを基準としたノ ツチ対向部基準角度が 45° 、135° 、 225° 、315° となる部分には、第 1実施形 態の嵌合溝 22Dと略同一形状の嵌合溝 852D, 852E, 852F, 852Gが形成されて いる。
ここで、嵌合溝 852D, 852E, 852F, 852Gは、それぞれの内縁および中心不一 致載置状態で載置された基板ウェハ Wの外縁が略平行となり、かつ、基板ウェハ Wま での距離 Nが略同一となる位置に設けられている。すなわち、嵌合溝 852D, 852G は、嵌合溝 852E, 852Fよりも周縁部 852の内縁から離れた位置に設けられている。 そして、嵌合溝 852D, 852E, 852F, 852Gには、気相成長制御部 23が取り付け られている。
[0082] 〔ェピタキシャルウェハの製造装置の効果〕
上述した第 7実施形態によれば、第 1実施形態の（1)〜（7)と同様の作用効果に加 え、以下の作用効果がある。
[0083] (13)サセプタ 850に、基板ウェハ Wをノッチ Wd近傍の外縁が周縁部 852の内周面 852Aに当接する状態で載置する構成としている。
このため、例えば第 1実施形態のようにウェハ載置部 21の略中央に基板ウェハ Wを 載置する構成と比べて、基板ウェハ Wの位置決めを容易にできる。
[0084] [他の実施形態]
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなぐ本発明の要旨を逸 脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能である。
[0085] すなわち、第 1, 3, 4, 5, 7実施形態【こお!ヽて、サセプタ 2, 810, 820, 830, 850 の気ネ目成長帘 IJ御咅 813, 23, 833A~833C, 23を咅品として構成した力 薄 膜状に上面 22B, 812B, 822B, 832B, 852Bや、内周面 22A, 812A, 822A, 8 32A, 852Aに形成してもよい。
また、第 1, 4, 5, 7実施形態において、ノッチ対向部基準角度が 45° 、 135° 、 2 25° 、315° となる部分のうちいずれか 1, 2, 3つの部分に気相成長制御部 23, 23 , 833A〜833C, 23を設けない構成としてもよい。
そして、第 3実施形態において、ノッチ対向部基準角度が 45° 、 135° 、 225° 、 3 15° となる部分のうちいずれか 1, 2, 3つの部分に幅広部 813Aを設けない構成とし てもよい。
また、第 2, 6実施形態において、ノッチ対向部基準角度が 0° 、 90° 、 180° 、 27 0° となる部分のうちいずれか 1, 2, 3つの部分に突出部 804、低平坦度部 842Dを 設けない構成としてもよい。
[0086] さらに、ノッチ対向部基準角度が 0° 、90° 、 180° 、 270° となる部分のうちいず れか 1, 2, 3つの部分に、反応ガスとの反応が促進される材料により形成された気相 成長制御部を設ける構成としてもよ!ヽ。
このような構成の場合、ウェハエッジ部 WEに供給されるウェハ供給反応ガスは、相 対的に多くが気相成長制御部の方向に流れることとなる。一方、このような気相成長 制御部を設けない場合、ウェハ供給反応ガスは、そのままウェハエッジ部 WEに流れ 周縁部の方向にほとんど流れな ヽ。
このことにより、気相成長制御部近傍に位置するべベル部の気相成長速度を気相 成長制御部が存在しない場合と比べて遅くする状態に制御して、このべベル部にお ける吸い込みを大きくすることにより、気相成長制御部近傍の表面外周部の外縁側 の膜厚を気相成長制御部が存在しない場合よりも薄くする状態に制御することができ る。したがって、気相成長制御部を反応ガスとの反応を促進する材料により形成する だけで、結晶方位によらず表面外周部での膜厚分布を略均一にすることができ、表 面外周部における膜厚のばらつきを抑制できる。
[0087] 本発明を実施するための最良の構成などは、以上の記載で開示されている力 本 発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態 に関して特に図示され、かつ、説明されているが、本発明の技術的思想および目的 の範囲力 逸脱することなぐ以上述べた実施形態に対し、形状、材質、数量、その 他の詳細な構成において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。 したがって、上記に開示した形状、材質などを限定した記載は、本発明の理解を容 易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではな 、から、 それらの形状、材質などの限定の一部若しくは全部の限定を外した部材の名称での 記載は、本発明に含まれるものである。
産業上の利用可能性
[0088] 本発明のサセプタは、ェピタキシャルウェハを製造するにあたって、基板ウェハの表 面外周部におけるェピタキシャル膜の膜厚ばらつきを抑制できるため、ェピタキシャ ルウェハを製造する製造装置に用いられるサセプタとして有用である。

Claims

請求の範囲
[1] 基板ウェハの表面上にェピタキシャル膜を気相成長させてェピタキシャルウェハを 製造する際に前記基板ウェハが載置されるサセプタであって、
前記基板ウェハが載置されるウェハ載置部と、
このウェハ載置部の周縁を囲む状態に設けられた周縁部と、
この周縁部の少なくとも一部分に設けられ、前記ウェハ載置部に載置される基板ゥ ハのべベル部および表面外周部における気相成長の速度を制御する気相成長制 御部と、
を備えて 、ることを特徴とするサセプタ。
[2] 請求項 1に記載のサセプタであって、
前記周縁部は、前記ウェハ載置部を囲む状態に起立する内周面と、この内周面の 上端力も前記ウェハ載置部の載置面に沿って外側に延出形成される上面とを備え、 前記気相成長制御部は、前記周縁部の前記一部分における内周面および上面の うち少なくともいずれか一方に、前記ェピタキシャル膜を気相成長させるための反応 ガスとの反応を促進もしくは抑制する材料により形成されて設けられている
ことを特徴とするサセプタ。
[3] 請求項 2に記載のサセプタであって、
前記気相成長制御部は、前記周縁部の内周面に倣う内周面と、前記周縁部の上 面に倣う上面とを有し、
前記気相成長制御部の内周面の少なくとも一部は、他の周縁部の内周面よりも、前 記ウェハ載置部の載置中心側に突出している
ことを特徴とするサセプタ。
[4] 基板ウェハの表面上にェピタキシャル膜を気相成長させてェピタキシャルウェハを 製造する際に前記基板ウェハが載置されるサセプタであって、
前記基板ウェハが載置されるウェハ載置部と、
このウェハ載置部を囲む状態に起立する内周面およびこの内周面の上端力 前記 ウェハ載置部の載置面に沿って外側に延出形成される上面を有する周縁部と、 前記周縁部に形成され、前記ゥ ハ載置部の中心力 外側に向力う方向の長さ寸 法の異なる幅広部及び幅狭部を備え、前記ェピタキシャル膜を気相成長させるため の反応ガスとの反応を促進もしくは抑制する材料により形成されて設けられて ヽる気 相成長制御部と、
を備えて 、ることを特徴とするサセプタ。
[5] 請求項 2な 、し請求項 4の 、ずれかに記載のサセプタであって、
前記気相成長制御部は、前記周縁部に嵌着され、前記材料力 成る部品として構 成されている
ことを特徴とするサセプタ。
[6] 請求項 2から請求項 5の 、ずれかに記載のサセプタであって、
前記気相成長制御部は、前記反応ガスとの反応を促進もしくは抑制する材料を離 散的パターン状に露出させて構成されて 、る ことを特徴とするサセプタ。
[7] 請求項 1に記載のサセプタであって、
前記気相成長制御部は、他の周縁部の上面よりも単位区画あたりの表面積が大き な低平坦度部として構成されて ヽる
ことを特徴とするサセプタ。
[8] 請求項 1に記載のサセプタであって、
前記周縁部は、上面がウェハ載置部に倣う略リング状に形成された周縁本体部と、 この周縁本体部の上面の一部力 上方に向けて突出する突出部とを備え、
前記気相成長制御部は、前記周縁本体部における前記突出部以外の部分であり 、前記ウェハ載置部に基板ウェハを載置した際に前記基板ウェハの端面が露出する 状態に形成されている
ことを特徴とするサセプタ。
[9] 請求項 1から請求項 8の 、ずれかに記載のサセプタであって、
前記気相成長制御部は、前記ウェハ載置部に載置された前記基板ウェハの結晶 方位に対応する状態で設けられて ヽる
ことを特徴とするサセプタ。
[10] 基板ウェハの表面上にェピタキシャル膜を気相成長させてェピタキシャルウェハを 製造するェピタキシャルウェハの製造装置であって
請求項 1から請求項 9のいずれかに記載のサセプタと、
このサセプタが内部に配置され、前記基板ウェハの表面上にェピタキシャル膜を気 相成長させるための反応ガスを内部に供給可能とする反応容器と、
前記ェピタキシャル膜を気相成長させる際に前記基板ウェハを加熱するための加 熱装置と、
を備えていることを特徴とするェピタキシャルウェハの製造装置。
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