JP5799538B2 - テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、計測装置および光源装置 - Google Patents
テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、計測装置および光源装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5799538B2 JP5799538B2 JP2011060429A JP2011060429A JP5799538B2 JP 5799538 B2 JP5799538 B2 JP 5799538B2 JP 2011060429 A JP2011060429 A JP 2011060429A JP 2011060429 A JP2011060429 A JP 2011060429A JP 5799538 B2 JP5799538 B2 JP 5799538B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- terahertz wave
- unit
- pulse compression
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title description 22
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 149
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 149
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 113
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 48
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 36
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 36
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 14
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N [6-(4-acetyloxy-5,9a-dimethyl-2,7-dioxo-4,5a,6,9-tetrahydro-3h-pyrano[3,4-b]oxepin-5-yl)-5-formyloxy-3-(furan-3-yl)-3a-methyl-7-methylidene-1a,2,3,4,5,6-hexahydroindeno[1,7a-b]oxiren-4-yl] 2-hydroxy-3-methylpentanoate Chemical compound CC12C(OC(=O)C(O)C(C)CC)C(OC=O)C(C3(C)C(CC(=O)OC4(C)COC(=O)CC43)OC(C)=O)C(=C)C32OC3CC1C=1C=COC=1 OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000000701 chemical imaging Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002117 illicit drug Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3581—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S5/0057—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for temporal shaping, e.g. pulse compression, frequency chirping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
- H01S5/0608—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by light, e.g. optical switch
- H01S5/0609—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by light, e.g. optical switch acting on an absorbing region, e.g. wavelength convertors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0657—Mode locking, i.e. generation of pulses at a frequency corresponding to a roundtrip in the cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
このテラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置は、サブピコ秒(数百f秒)程度のパルス幅をもつ光パルスを発生する光源装置と、光源装置で発生した光パルスが照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを有している。サブピコ秒程度のパルス幅の光パルスを発生する光源装置としては、フェムト秒ファイバーレーザーや、チタンサファイヤレーザー等が使用されている。
しかしながら、前記可飽和吸収体を用いる方法では、所望のパルス幅の光パルスを得るには、光パルスを複数の可飽和吸収体を通過させる必要があり、光源装置の長さが非常に長くなってしまうという問題がある。
また、別のパルス圧縮の方法としては、群速度分散補償媒体を用いる方法がある(例えば、特許文献2参照)。
しかしながら、前記群速度分散補償媒体を用いる方法のみでは、所望のパルス幅の光パルスを得ることができない。
本発明のテラヘルツ波発生装置は、光パルスを発生する光源装置と、
前記光源装置で発生した光パルスが照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、
前記光源装置は、光パルスを発生する光パルス発生部と、
前記光パルス発生部で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第1のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第2のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部の前段、または前記第1のパルス圧縮部と前記第2のパルス圧縮部との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部とを有することを特徴とする。
これによれば、光源装置が増幅部、第1のパルス圧縮部および第2のパルス圧縮部を有しているので、小型化を図りつつ、所望の波高で、かつ所望のパルス幅の光パルスを発生することができ、これにより、所望のテラヘルツ波を確実に発生することができる。
これにより、さらに小型化を図ることができる。
本発明のテラヘルツ波発生装置では、前記光源装置は、前記導波路の折り曲げ部分に、光パルスを反射させる反射膜を有することが好ましい。
これにより、導波路に沿って確実に光パルスを反射させることができる。
これにより、各単位ユニットから出射した光パルスを、アンテナの共通の1対の電極の電極間に照射することにより、高出力のテラヘルツ波を発生することができる。
前記テラヘルツ波発生装置から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置とを備え、
前記テラヘルツ波発生装置は、光パルスを発生する光源装置と、
前記光源装置で発生した光パルスが照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、
前記光源装置は、光パルスを発生する光パルス発生部と、
前記光パルス発生部で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第1のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第2のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部の前段、または前記第1のパルス圧縮部と前記第2のパルス圧縮部との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部とを有することを特徴とする。
これにより、前記本発明の効果を有するカメラを提供することができる。
前記テラヘルツ波発生装置から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置と、
前記テラヘルツ波検出装置の検出結果に基づいて、前記対象物の画像を生成する画像生成部とを備え、
前記テラヘルツ波発生装置は、光パルスを発生する光源装置と、
前記光源装置で発生した光パルスが照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、
前記光源装置は、光パルスを発生する光パルス発生部と、
前記光パルス発生部で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第1のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第2のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部の前段、または前記第1のパルス圧縮部と前記第2のパルス圧縮部との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部とを有することを特徴とする。
これにより、前記本発明の効果を有するイメージング装置を提供することができる。
前記テラヘルツ波発生装置から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置と、
前記テラヘルツ波検出装置の検出結果に基づいて、前記対象物を計測する計測部とを備え、
前記テラヘルツ波発生装置は、光パルスを発生する光源装置と、
前記光源装置で発生した光パルスが照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、
前記光源装置は、光パルスを発生する光パルス発生部と、
前記光パルス発生部で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第1のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第2のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部の前段、または前記第1のパルス圧縮部と前記第2のパルス圧縮部との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部とを有することを特徴とする。
これにより、前記本発明の効果を有する計測装置を提供することができる。
本発明の光源装置は、光パルスを発生する光パルス発生部と、
前記光パルス発生部で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第1のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第2のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部の前段、または前記第1のパルス圧縮部と前記第2のパルス圧縮部との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部とを有することを特徴とする。
<第1実施形態>
図1は、本発明のテラヘルツ波発生装置の第1実施形態を摸式的に示す図、図2は、図1に示すテラヘルツ波発生装置の光源装置の断面斜視図、図3は、図2中のA−A線での断面図、図4は、図2中のB−B線での断面図である。
アンテナ2は、本実施形態では、ダイポール形状光伝導アンテナ(PCA)であり、半導体基板である基板21と、半導体基板21上に設けられ、ギャップ23を介して対向配置された1対の電極22とを有している。この電極22間に、光パルスが照射されると、アンテナ2は、テラヘルツ波を発生する。なお、テラヘルツ波とは、周波数が、100GHz以上30THz以下の電磁波、特に、300GHz以上3THz以下の電磁波を言う。
また、1対の電極22の電極間距離は、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、1μm以上10μm以下であることが好ましい。
増幅部6は、第1のパルス圧縮部5の前段、または第1のパルス圧縮部5と第2のパルス圧縮部7との間に設けられるが、図示の構成では、増幅部6は、第1のパルス圧縮部5と第2のパルス圧縮部7との間に設けられている。これにより、第1のパルス圧縮部5でパルス圧縮がなされた光パルスが、増幅部6で増幅され、増幅部6で増幅された光パルスが、第2のパルス圧縮部7でパルス圧縮がなされる。
また、光パルス発生部4は、例えば、DBRレーザー、DFBレーザー、モード同期レーザー等を用いることができる。この光パルス発生部4で発生する光パルスのパルス幅は、特に限定されないが、1p秒以上100p秒以下であることが好ましい。
また、第2のパルス圧縮部7は、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行うものである。すなわち、第1のパルス圧縮部5は、群速度分散補償媒体、本実施形態では、結合導波路構造を有しており、その結合導波路構造により、光パルスを圧縮し、そのパルス幅を減少させる。
具体的には、光源装置3は、半導体基板である基板31と、基板31上に設けられたクラッド層32と、クラッド層32上に設けられた活性層33と、活性層33上に設けられた導波路構成プロセス用エッチングストップ層34と、導波路構成プロセス用エッチングストップ層34上に設けられたクラッド層35と、クラッド層35上に設けられたコンタクト層36と、導波路構成プロセス用エッチングストップ層36上に設けられた絶縁層37と、基板31の表面に設けられたクラッド層32側の電極38と、コンタクト層36および絶縁層37の表面に設けられたクラッド層35側の電極391、392、393、394および395とを有している。また、第2のパルス圧縮部7の導波路構成プロセス用エッチングストップ層34と、クラッド層35との間には、回折格子30が設けられている。なお、導波路構成プロセス用エッチングストップ層は、活性層の直上に限らず、例えば、クラッド層の中に設けられていてもよい。
なお、光源装置3の全体形状は、図示の構成では、直方体をなしているが、これに限定されないことは、言うまでもない。
また、光源装置3の寸法は、特に限定されないが、例えば、1mm以上10mm以下×0.5mm以上5mm以下×0.1mm以上1mm以下とすることができる。
テラヘルツ波発生装置1では、まず、光源装置3の光パルス発生部4で光パルスを発生する。この光パルスのパルス幅は、目標のパルス幅に比べて大きい。光パルス発生部4で発生した光パルスは、導波路を通り、第1のパルス圧縮部5、増幅部6、第2のパルス圧縮部7をこの順序で順次通過する。
光源装置3から出射した光パルスは、アンテナ2の電極22間に照射され、そのアンテナ2で、テラヘルツ波が発生する。
図5は、本発明のテラヘルツ波発生装置の第2実施形態における光源装置を示す断面斜視図である。
以下、第2実施形態について、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
また、各単位ユニット8から出射した光パルスは、アンテナ2の共通の1対の電極2の電極間に照射されるよう構成されている。これにより、高出力のテラヘルツ波を発生することができる。
また、このテラヘルツ波発生装置1を複数用意し、各テラヘルツ波発生装置1で発生したテラヘルツ波を合成することにより、さらに高出力のテラヘルツ波を得ることができる。
なお、この第2実施形態は、後述する第3実施形態、第4実施形態および第5実施形態にも適用することができる。
図6は、本発明のテラヘルツ波発生装置の第3実施形態における光源装置を摸式的に示す平面図である。なお、図6では、導波路91を破線で示し、また、第1のパルス圧縮部5、増幅部6および第2のパルス圧縮部7をそれぞれ破線で囲って示す。
以下、第3実施形態について、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
また、第1のパルス圧縮部5は、図6中下側に位置し、また、増幅部6は、図6中上側に位置している。そして、第1のパルス圧縮部5および増幅部6において、それぞれ導波路91が複数回折り曲げられている。また、光パルス発生部4と第1のパルス圧縮部5との境界部、増幅部6と第2のパルス圧縮部7との境界部において、それぞれ導波路91が1回折り曲げられている。
なお、光源装置3の光パルスの出射部93には、反射膜92は設けられていない。また、出射部93には、反射防止膜(図示せず)を設けてもよい。
このテラヘルツ波発生装置1によれば、光源装置3の導波路91が複数回折り曲げられているので、光路長、すなわち、導波路91の直線距離を長くすることができ、これにより、光源装置3の長さを短くすることができ、さらに小型化を図ることができる。
図7は、本発明のテラヘルツ波発生装置の第4実施形態における光源装置を示す平面図である。なお、図7では、導波路を破線で示し、また、第1のパルス圧縮部5、増幅部6および第2のパルス圧縮部7をそれぞれ破線で囲って示す。
以下、第4実施形態について、前述した第3実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
なお、増幅部6を第1のパルス圧縮部5の前段に設ける場合は、第1のパルス圧縮部5において、導波路91は、1回だけ折り曲げられる。
図8は、本発明のテラヘルツ波発生装置の第5実施形態における光源装置を摸式的に示す平面図である。なお、図8では、導波路を破線で示し、また、第1のパルス圧縮部5、増幅部6および第2のパルス圧縮部7をそれぞれ破線で囲って示す。
以下、第5実施形態について、前述した第4実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
また、導波路91の折り曲げ部分における図8に示す角度θは、臨界角以上に設定されている。これにより、導波路91の折り曲げ部分に反射膜92を設けることなく、光パルスを反射させることができ、構造を簡素化することができる。
また、光源装置3の光パルスの出射部93に反射防止膜94が設けられている。これにより、出射部93から光パルスを出射させることができる。
なお、この第5実施形態は、前記第3実施形態にも適用することができる。
図9は、本発明のイメージング装置の実施形態を示すブロック図である。図10は、図9に示すイメージング装置のテラヘルツ波検出装置を示す平面図である。
図9に示すように、イメージング装置100は、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置1と、テラヘルツ波発生装置1から出射し、対象物150を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置11と、テラヘルツ波検出装置11の検出結果に基づいて、対象物150の画像、すなわち、画像データを生成する画像生成部12とを備えている。
テラヘルツ波発生置1としては、本実施形態では、前記第1実施形態〜第5実施形態のうちのいずれかのものを用いる。
また、各画素16は、互いに異なる波長のテラヘルツ波を通過させる複数の領域、すなわち、通過させるテラヘルツ波の波長(以下、「通過波長」とも言う)が互いに異なる複数の領域を有している。なお、図示の構成では、各画素16は、第1の領域161、第2の領域162、第3の領域163および第4の領域164を有している。
まず、分光イメージングの対象となる対象物150は、3つの物質A、BおよびCで構成されている。イメージング装置100は、この対象物150の分光イメージングを行う。また、ここでは、一例として、テラヘルツ波検出装置1は、対象物150を反射したテラヘルツ波を検出することとする。
テラヘルツ波検出装置1のフィルター15の各画素16においては、第1の領域161および第2の領域162を使用する。
また、第1の領域161の通過波長をλ1、第2の領域162の通過波長をλ2とし、対象物150で反射したテラヘルツ波の波長λ1の成分の強度をα1、波長λ2の成分の強度をα2としたとき、その強度α2と強度α1の差分(α2−α1)が、物質Aと物質Bと物質Cとで、互いに顕著に区別できるように、前記第1の領域161の通過波長λ1および第2の領域162の通過波長λ2が設定されている。
また、物質Bにおいては、強度α2と強度α1の差分(α2−α1)は、零となる。
また、物質Cにおいては、強度α2と強度α1の差分(α2−α1)は、負値となる。
なお、イメージング装置100の用途は、前記のものに限らず、例えば、人物に対してテラヘルツ波を照射し、その人物を透過または反射したテラヘルツ波を検出し、画像生成部12において処理を行うことにより、その人物が、拳銃、ナイフ、違法な薬物等を所持しているか否かを判別することもできる。
図13は、本発明の計測装置の実施形態を示すブロック図である。
以下、計測装置の実施形態について、前述したイメージング装置の実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図13に示すように、計測装置200は、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置1と、テラヘルツ波発生装置1から出射し、対象物160を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置11と、テラヘルツ波検出装置11の検出結果に基づいて、対象物160を計測する計測部13とを備えている。
計測装置200により、対象物160の分光計測を行う際は、まず、テラヘルツ波発生装置1により、テラヘルツ波を発生し、そのテラヘルツ波を対象物160に照射する。そして、対象物160を透過または反射したテラヘルツ波をテラヘルツ波検出装置11で検出する。この検出結果は、計測部13に送出される。なお、この対象物160へのテラヘルツ波の照射および対象物160を透過または反射したテラヘルツ波の検出は、対象物160の全体に対して行う。
計測部13においては、前記検出結果から、フィルター15の第1の領域161、第2の領域162、第3の領域163および第4の領域164を通過したテラヘルツ波のそれぞれの強度を把握し、対象物160の成分およびその分布の分析等を行う。
図14は、本発明のカメラの実施形態を示すブロック図である。
以下、カメラの実施形態について、前述したイメージング装置の実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図14に示すように、カメラ300は、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置1と、テラヘルツ波発生装置1から出射し、対象物170を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置11とを備えている。
カメラ300により、対象物170を撮像する際は、まず、テラヘルツ波発生装置1により、テラヘルツ波を発生し、そのテラヘルツ波を対象物170に照射する。そして、対象物170を透過または反射したテラヘルツ波をテラヘルツ波検出装置11で検出する。この検出結果は、記憶部14に送出され、記憶される。なお、この対象物170へのテラヘルツ波の照射および対象物170を透過または反射したテラヘルツ波の検出は、対象物170の全体に対して行う。また、前記検出結果は、例えば、パーソナルコンピュータ等の外部装置に送信することもできる。パーソナルコンピュータでは、前記検出結果に基づいて、各処理を行うことができる。
また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の2以上の構成(特徴)を組み合わせたものであってもよい。
なお、本発明では、光源装置3において、光パルス発生部が別体になっていてもよい。
Claims (9)
- 光パルスを発生する光源装置と、
前記光源装置で発生した光パルスが照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、
前記光源装置は、光パルスを発生する光パルス発生部と、
前記光パルス発生部で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第1のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第2のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部の前段、または前記第1のパルス圧縮部と前記第2のパルス圧縮部との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部とを有し、
前記パルス発生部、前記第1のパルス圧縮部、前記増幅部および前記第2のパルス圧縮部は導波路を有し、
前記第1のパルス圧縮部および前記増幅部は前記導波路に沿って複数設けられ、
複数の前記第1パルス圧縮部には共通の第1電極が設けられ、複数の前記増幅部には共通の第2電極が設けられることを特徴とするテラヘルツ波発生装置。 - 前記導波路は、前記第1のパルス圧縮部または前記増幅部において、少なくとも1回、折り曲げられている請求項1に記載のテラヘルツ波発生装置。
- 前記第1のパルス圧縮部および前記増幅部は、前記導波路に沿って交互に設けられている請求項1または2に記載のテラヘルツ波発生装置。
- 前記光源装置は、前記導波路の折り曲げ部分に、光パルスを反射させる反射膜を有する請求項2または3に記載のテラヘルツ波発生装置。
- 前記光源装置は、前記光パルス発生部と、前記第1のパルス圧縮部と、前記第2のパルス圧縮部と、前記増幅部とを有する複数の単位ユニットを備え、該複数の単位ユニットが並設されている請求項1ないし4のいずれかに記載のテラヘルツ波発生装置。
- テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置と、
前記テラヘルツ波発生装置から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置とを備え、
前記テラヘルツ波発生装置は、光パルスを発生する光源装置と、
前記光源装置で発生した光パルスが照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、
前記光源装置は、光パルスを発生する光パルス発生部と、
前記光パルス発生部で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第1のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第2のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部の前段、または前記第1のパルス圧縮部と前記第2のパルス圧縮部との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部とを有し、
前記パルス発生部、前記第1のパルス圧縮部、前記増幅部および前記第2のパルス圧縮部は導波路を有し、
前記第1のパルス圧縮部および前記増幅部は前記導波路に沿って複数設けられ、
複数の前記第1パルス圧縮部には共通の第1電極が設けられ、複数の前記増幅部には共通の第2電極が設けられることを特徴とするカメラ。 - テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置と、
前記テラヘルツ波発生装置から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置と、
前記テラヘルツ波検出装置の検出結果に基づいて、前記対象物の画像を生成する画像生成部とを備え、
前記テラヘルツ波発生装置は、光パルスを発生する光源装置と、
前記光源装置で発生した光パルスが照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、
前記光源装置は、光パルスを発生する光パルス発生部と、
前記光パルス発生部で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第1のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第2のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部の前段、または前記第1のパルス圧縮部と前記第2のパルス圧縮部との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部とを有し、
前記パルス発生部、前記第1のパルス圧縮部、前記増幅部および前記第2のパルス圧縮部は導波路を有し、
前記第1のパルス圧縮部および前記増幅部は前記導波路に沿って複数設けられ、
複数の前記第1パルス圧縮部には共通の第1電極が設けられ、複数の前記増幅部には共通の第2電極が設けられることを特徴とするイメージング装置。 - テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置と、
前記テラヘルツ波発生装置から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置と、
前記テラヘルツ波検出装置の検出結果に基づいて、前記対象物を計測する計測部とを備え、
前記テラヘルツ波発生装置は、光パルスを発生する光源装置と、
前記光源装置で発生した光パルスが照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、
前記光源装置は、光パルスを発生する光パルス発生部と、
前記光パルス発生部で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第1のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第2のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部の前段、または前記第1のパルス圧縮部と前記第2のパルス圧縮部との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部とを有し、
前記パルス発生部、前記第1のパルス圧縮部、前記増幅部および前記第2のパルス圧縮部は導波路を有し、
前記第1のパルス圧縮部および前記増幅部は前記導波路に沿って複数設けられ、
複数の前記第1パルス圧縮部には共通の第1電極が設けられ、複数の前記増幅部には共通の第2電極が設けられることを特徴とする計測装置。 - 光パルスを発生する光パルス発生部と、
前記光パルス発生部で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第1のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第2のパルス圧縮部と、
前記第1のパルス圧縮部の前段、または前記第1のパルス圧縮部と前記第2のパルス圧縮部との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部とを有し、
前記パルス発生部、前記第1のパルス圧縮部、前記増幅部および前記第2のパルス圧縮部は導波路を有し、
前記第1のパルス圧縮部および前記増幅部は前記導波路に沿って複数設けられ、
複数の前記第1パルス圧縮部には共通の第1電極が設けられ、複数の前記増幅部には共通の第2電極が設けられることを特徴とする光源装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011060429A JP5799538B2 (ja) | 2011-03-18 | 2011-03-18 | テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、計測装置および光源装置 |
US13/405,434 US9341567B2 (en) | 2011-03-18 | 2012-02-27 | Terahertz wave generation device, light source device, camera, imaging device, and measurement device |
CN201210064217.XA CN102684041B (zh) | 2011-03-18 | 2012-03-12 | 太赫兹波产生装置、光源装置、摄像机及成像装置 |
EP20120159857 EP2500713A3 (en) | 2011-03-18 | 2012-03-16 | Terahertz wave generation device, light source device, camera, imaging device, and measurement device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011060429A JP5799538B2 (ja) | 2011-03-18 | 2011-03-18 | テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、計測装置および光源装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012195545A JP2012195545A (ja) | 2012-10-11 |
JP2012195545A5 JP2012195545A5 (ja) | 2014-05-01 |
JP5799538B2 true JP5799538B2 (ja) | 2015-10-28 |
Family
ID=45841355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011060429A Expired - Fee Related JP5799538B2 (ja) | 2011-03-18 | 2011-03-18 | テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、計測装置および光源装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9341567B2 (ja) |
EP (1) | EP2500713A3 (ja) |
JP (1) | JP5799538B2 (ja) |
CN (1) | CN102684041B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014053346A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Seiko Epson Corp | 短光パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、および計測装置 |
JP2014165412A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Seiko Epson Corp | 短光パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、および計測装置 |
JP2014174082A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Seiko Epson Corp | 標本検査装置 |
JP2014235144A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | セイコーエプソン株式会社 | テラヘルツ波検出装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
CN104037595B (zh) * | 2014-06-20 | 2017-05-24 | 华北水利水电大学 | 一种基于光学参量效应的太赫兹波放大器 |
WO2017177469A1 (zh) * | 2016-04-16 | 2017-10-19 | 浙江大学 | 一种适用于肠道病变检测的太赫兹内窥镜及检测方法 |
CN106067656B (zh) * | 2016-06-08 | 2018-09-28 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法 |
FR3067167B1 (fr) * | 2017-06-06 | 2019-06-28 | Office National D'etudes Et De Recherches Aerospatiales | Element de conversion spectrale pour rayonnement electromagnetique |
US9934927B1 (en) * | 2017-08-02 | 2018-04-03 | College Of William And Mary | Infrared light generating system |
Family Cites Families (102)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3983406A (en) * | 1975-06-16 | 1976-09-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of and apparatus for generating tunable coherent radiation by nonlinear light mixing in systems having folded noncollinear geometries |
JPH0715979B2 (ja) * | 1987-08-27 | 1995-02-22 | 三菱電機株式会社 | 超格子撮像素子 |
US4979234A (en) * | 1988-12-20 | 1990-12-18 | At&T Bell Laboratories | Saturated semiconductor laser amplifier for compensation of optical fibre dispersion |
JP2721537B2 (ja) * | 1989-02-22 | 1998-03-04 | 日立電線株式会社 | ガラス導波路 |
JPH07119204B2 (ja) | 1990-06-01 | 1995-12-20 | キッセイ薬品工業株式会社 | フェニルスルフィニルアルキルカルボン酸誘導体 |
JPH0436268U (ja) * | 1990-07-20 | 1992-03-26 | ||
US5167000A (en) * | 1990-08-28 | 1992-11-24 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Optical wavelength converter |
WO1992005466A1 (fr) * | 1990-09-18 | 1992-04-02 | Fujitsu Limited | Amplificateur optique |
JP2672710B2 (ja) * | 1990-11-29 | 1997-11-05 | 松下電子工業株式会社 | 光増幅器および光集積回路 |
US5088105A (en) | 1991-03-26 | 1992-02-11 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Optical amplifier with folded light path and laser-amplifier combination |
JP3171265B2 (ja) * | 1991-04-05 | 2001-05-28 | 日本電信電話株式会社 | 固体パルスレーザ装置 |
JPH0595152A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体短光パルス発生装置および短光パルスの発生方法 |
US5305345A (en) * | 1992-09-25 | 1994-04-19 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Zigzag laser with reduced optical distortion |
US5260954A (en) * | 1992-10-29 | 1993-11-09 | The Unived States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Pulse compression and prepulse suppression apparatus |
US5400350A (en) | 1994-03-31 | 1995-03-21 | Imra America, Inc. | Method and apparatus for generating high energy ultrashort pulses |
US5710430A (en) | 1995-02-15 | 1998-01-20 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for terahertz imaging |
US5623145A (en) * | 1995-02-15 | 1997-04-22 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for terahertz imaging |
US5640480A (en) * | 1995-08-07 | 1997-06-17 | Northrop Grumman Corporation | Zig-zag quasi-phase-matched wavelength converter apparatus |
JP3036424B2 (ja) * | 1996-01-12 | 2000-04-24 | 日本電気株式会社 | 信号再生機能を有する光中継器 |
US5689361A (en) * | 1996-01-22 | 1997-11-18 | Lucent Technologies Inc. | Apparatus and method for femtosecond pulse compression based on selective attenuation of a portion of an input power spectrum |
US5847863A (en) * | 1996-04-25 | 1998-12-08 | Imra America, Inc. | Hybrid short-pulse amplifiers with phase-mismatch compensated pulse stretchers and compressors |
US5880887A (en) | 1996-08-16 | 1999-03-09 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lenticular lens sheet, display front plate and transmission type projection screen |
US6249630B1 (en) | 1996-12-13 | 2001-06-19 | Imra America, Inc. | Apparatus and method for delivery of dispersion-compensated ultrashort optical pulses with high peak power |
US5880877A (en) | 1997-01-28 | 1999-03-09 | Imra America, Inc. | Apparatus and method for the generation of high-power femtosecond pulses from a fiber amplifier |
JP3014039B2 (ja) | 1997-01-31 | 2000-02-28 | 株式会社日立製作所 | 光パルス分散補償器、及びこれを用いた光パルス圧縮器、半導体短パルスレーザ素子並びに光通信システム |
US6081361A (en) * | 1997-10-17 | 2000-06-27 | Lucent Technologies Inc. | Sub-carrier multiplexing in broadband optical networks |
JP2976958B2 (ja) * | 1998-02-04 | 1999-11-10 | 株式会社日立製作所 | 光分散補償素子および該素子を用いた半導体レーザ装置ならびに光通信システム |
JP3468696B2 (ja) * | 1998-06-24 | 2003-11-17 | 日本電信電話株式会社 | 衝突パルスモード同期半導体レーザ |
JP3057229B1 (ja) * | 1999-05-20 | 2000-06-26 | 金沢大学長 | 電磁波増幅器および電磁波発生器 |
JP3328881B2 (ja) * | 1999-05-26 | 2002-09-30 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 半導体光パルス圧縮導波路素子及び半導体光パルス発生レーザ |
US20010053008A1 (en) * | 1999-09-01 | 2001-12-20 | Yoshiyasu Ueno | Optical pulse generating apparatus and optical signal apparatus using the same |
EP1087478A1 (en) | 1999-09-27 | 2001-03-28 | Nortel Networks Limited | Generation of short optical pulses using strongly complex coupled DFB lasers. |
US6324204B1 (en) * | 1999-10-19 | 2001-11-27 | Sparkolor Corporation | Channel-switched tunable laser for DWDM communications |
US6243517B1 (en) * | 1999-11-04 | 2001-06-05 | Sparkolor Corporation | Channel-switched cross-connect |
US6934313B1 (en) * | 1999-11-04 | 2005-08-23 | Intel Corporation | Method of making channel-aligned resonator devices |
US6885683B1 (en) * | 2000-05-23 | 2005-04-26 | Imra America, Inc. | Modular, high energy, widely-tunable ultrafast fiber source |
US7190705B2 (en) * | 2000-05-23 | 2007-03-13 | Imra America. Inc. | Pulsed laser sources |
US7088756B2 (en) * | 2003-07-25 | 2006-08-08 | Imra America, Inc. | Polarization maintaining dispersion controlled fiber laser source of ultrashort pulses |
US7103245B2 (en) * | 2000-07-10 | 2006-09-05 | Massachusetts Institute Of Technology | High density integrated optical chip |
JP2002072269A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-12 | Inst Of Physical & Chemical Res | テラヘルツ波発生方法及び装置 |
US6587488B1 (en) * | 2000-11-08 | 2003-07-01 | Maxios Laser Corporation | Control of parasitic laser oscillations in solid-state lasers by frustrating total internal reflections |
US20020171913A1 (en) * | 2000-11-16 | 2002-11-21 | Lightbit Corporation | Method and apparatus for acheiving |
US6603600B2 (en) * | 2001-11-21 | 2003-08-05 | Coherent, Inc. | Chirped pulse amplification method and apparatus |
GB2395353B (en) * | 2002-02-18 | 2004-10-13 | Univ Southampton | Pulsed light sources |
AT411503B8 (de) * | 2002-02-28 | 2004-05-25 | Femtolasers Produktions Gmbh | Einrichtung zur erzeugung von terahertz-strahlung sowie halbleiterbauelement |
US20030223673A1 (en) * | 2002-03-15 | 2003-12-04 | Garito Anthony F. | Integrated optical waveguide structures |
US6760356B2 (en) * | 2002-04-08 | 2004-07-06 | The Regents Of The University Of California | Application of Yb:YAG short pulse laser system |
EP1512203A2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-03-09 | Elop Electro-Optics Industries Ltd. | System and method for introducing pump radiation into high-power fiber laser and amplifier |
WO2003096495A1 (en) * | 2002-05-10 | 2003-11-20 | The Regents Of The University Of Colorado | Pulse amplification with stretcher providing negative dispersion |
US6870987B2 (en) * | 2002-08-20 | 2005-03-22 | Lnl Technologies, Inc. | Embedded mode converter |
KR100519920B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2005-10-10 | 한국전자통신연구원 | 포화 흡수체와 이득 고정 광 증폭기가 집적된 초고속광신호 처리장치 |
US7218443B2 (en) * | 2003-02-25 | 2007-05-15 | Toptica Photonics Ag | Generation of tunable light pulses |
FR2852155B1 (fr) * | 2003-03-03 | 2006-08-25 | Fastlite | Procede et dispositif pour le controle de l'amplitude du spectre en longueurs d'ondes des impulsions lumineuses ultra breves emises par les amplificateurs laser a passages multiples |
US7095772B1 (en) * | 2003-05-22 | 2006-08-22 | Research Foundation Of The University Of Central Florida, Inc. | Extreme chirped/stretched pulsed amplification and laser |
US7386018B2 (en) * | 2004-02-04 | 2008-06-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Mode-locked laser and optical multi-carrier source using same |
US20050242287A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Hosain Hakimi | Optical terahertz generator / receiver |
US20050271094A1 (en) * | 2004-05-14 | 2005-12-08 | Miller Robert J D | Method and apparatus for high power optical amplification in the infrared wavelength range (0.7-20 mum) |
JP5166024B2 (ja) * | 2004-05-26 | 2013-03-21 | ピコメトリクス、エルエルシー | 荷物及び人を検査するための反射及び透過モードのテラヘルツ画像化 |
JP2006024803A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Hitachi Ltd | 小型テラヘルツ光発生検出装置 |
JP3913253B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2007-05-09 | キヤノン株式会社 | 光半導体装置およびその製造方法 |
US7508853B2 (en) * | 2004-12-07 | 2009-03-24 | Imra, America, Inc. | Yb: and Nd: mode-locked oscillators and fiber systems incorporated in solid-state short pulse laser systems |
US7528342B2 (en) * | 2005-02-03 | 2009-05-05 | Laserfacturing, Inc. | Method and apparatus for via drilling and selective material removal using an ultrafast pulse laser |
JP4878180B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2012-02-15 | キヤノン株式会社 | 電磁波を用いる検査装置 |
FR2884936B1 (fr) * | 2005-04-25 | 2007-06-22 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Generation d'onde par compensation de dephasage de propagation d'ondes dans un milieu optiquement non lineaire |
US8618470B2 (en) * | 2005-11-30 | 2013-12-31 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Laser based identification of molecular characteristics |
US7601977B2 (en) * | 2005-12-13 | 2009-10-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Phase-matched terahertz emitter |
US8189971B1 (en) * | 2006-01-23 | 2012-05-29 | Raydiance, Inc. | Dispersion compensation in a chirped pulse amplification system |
US8274058B1 (en) * | 2006-01-25 | 2012-09-25 | Sandia Corporation | Integrated heterodyne terahertz transceiver |
US7822347B1 (en) * | 2006-03-28 | 2010-10-26 | Raydiance, Inc. | Active tuning of temporal dispersion in an ultrashort pulse laser system |
US7430074B2 (en) * | 2006-07-03 | 2008-09-30 | Terahertz Technologies, Llc | Generation of Terahertz waves |
KR100784837B1 (ko) * | 2006-07-05 | 2007-12-14 | 한국과학기술원 | 3차 분산 처핑을 이용한 스펙트럼 배증 광 매개형 처프펄스 증폭장치 |
FR2903820B1 (fr) * | 2006-07-11 | 2008-09-05 | Thales Sa | Procede d'amplification a derive de frequence spatio-temporelle et dispositif de mise en oeuvre |
US7531803B2 (en) * | 2006-07-14 | 2009-05-12 | William Marsh Rice University | Method and system for transmitting terahertz pulses |
US7929580B2 (en) * | 2006-09-22 | 2011-04-19 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Inexpensive terahertz pulse wave generator |
KR100851973B1 (ko) * | 2006-11-02 | 2008-08-12 | 삼성전자주식회사 | 굽은 도파로, 이의 제조방법, 굽은 도파로를 이용한 광전송모듈 및 굽은 도파로를 채용한 열보조 자기기록 헤드 |
JP4398972B2 (ja) | 2006-12-11 | 2010-01-13 | 株式会社東芝 | 電磁波センサ、撮像素子及び撮像装置 |
KR100846515B1 (ko) * | 2007-03-19 | 2008-07-17 | 삼성전자주식회사 | 테이퍼진 c-형 개구를 갖는 90도 굽어진 금속 도파로,상기 도파로의 제조 방법, 상기 도파로를 이용한 광전송모듈 및 상기 도파로를 채용한 열보조 자기기록 헤드 |
US8067739B2 (en) * | 2007-06-22 | 2011-11-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive element for generation and detection of terahertz wave |
JP5222532B2 (ja) * | 2007-11-14 | 2013-06-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光導電アンテナ素子 |
US7903326B2 (en) * | 2007-11-30 | 2011-03-08 | Radiance, Inc. | Static phase mask for high-order spectral phase control in a hybrid chirped pulse amplifier system |
JP4975000B2 (ja) * | 2007-12-07 | 2012-07-11 | キヤノン株式会社 | 電磁波発生素子、電磁波集積素子、及び電磁波検出装置 |
FR2926406B1 (fr) * | 2008-01-16 | 2010-01-15 | Amplitude Systemes | Amplificateur a fibre a derive de frequence a compensation non lineaire |
JP4834718B2 (ja) | 2008-01-29 | 2011-12-14 | キヤノン株式会社 | パルスレーザ装置、テラヘルツ発生装置、テラヘルツ計測装置及びテラヘルツトモグラフィー装置 |
US7787724B2 (en) * | 2008-03-13 | 2010-08-31 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Nonlinear crystal and waveguide array for generation of terahertz radiation |
US7941014B1 (en) * | 2008-04-09 | 2011-05-10 | Sandia Corporation | Optical waveguide device with an adiabatically-varying width |
US8189257B2 (en) * | 2008-05-01 | 2012-05-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Optimized cascaded raman fiber-based laser source for high efficiency mid-infrared spectral generation |
FR2930851B1 (fr) * | 2008-05-05 | 2016-03-18 | Amplitude Technologies | Dispositif d'amplification d'impulsions lumineuses ultra-breves de forte energie |
JP5419411B2 (ja) * | 2008-10-08 | 2014-02-19 | キヤノン株式会社 | テラヘルツ波発生素子 |
KR101191377B1 (ko) * | 2008-12-22 | 2012-10-15 | 한국전자통신연구원 | 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 및 그 제조 방법 |
JP5361054B2 (ja) * | 2009-01-14 | 2013-12-04 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 | チャープパルス増幅を利用した光発振器内での強光電磁場発生器 |
US8861075B2 (en) * | 2009-03-05 | 2014-10-14 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Laser amplification system |
JP5441469B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2014-03-12 | キヤノン株式会社 | 共振器 |
US8780440B2 (en) * | 2009-08-03 | 2014-07-15 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Dispersion compensation in chirped pulse amplification systems |
CN101738380A (zh) | 2009-12-14 | 2010-06-16 | 西北工业大学 | 一种单象素太赫兹相机 |
US8213476B1 (en) * | 2010-01-25 | 2012-07-03 | Sandia Corporation | Integration of a terahertz quantum cascade laser with a hollow waveguide |
FR2965673B1 (fr) * | 2010-09-30 | 2013-08-23 | Ecole Polytech | Dispositif d'amplification a derive de frequence pour un laser impulsionnel |
JP2014501053A (ja) * | 2010-10-12 | 2014-01-16 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | テラヘルツ放射線に対するワイヤ型ウェーブガイド |
US9040919B2 (en) * | 2010-10-25 | 2015-05-26 | Thomas E. Darcie | Photomixer-waveguide coupling tapers |
JP5765086B2 (ja) * | 2011-06-24 | 2015-08-19 | セイコーエプソン株式会社 | テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
JP2013104804A (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-30 | Seiko Epson Corp | 半導体短パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
JP5910064B2 (ja) * | 2011-12-20 | 2016-04-27 | セイコーエプソン株式会社 | 光伝導アンテナ、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
JP6003063B2 (ja) * | 2012-01-18 | 2016-10-05 | セイコーエプソン株式会社 | 光伝導アンテナ、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
-
2011
- 2011-03-18 JP JP2011060429A patent/JP5799538B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-02-27 US US13/405,434 patent/US9341567B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-12 CN CN201210064217.XA patent/CN102684041B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-16 EP EP20120159857 patent/EP2500713A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2500713A2 (en) | 2012-09-19 |
CN102684041A (zh) | 2012-09-19 |
CN102684041B (zh) | 2017-04-12 |
US20120236155A1 (en) | 2012-09-20 |
JP2012195545A (ja) | 2012-10-11 |
US9341567B2 (en) | 2016-05-17 |
EP2500713A3 (en) | 2015-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5799538B2 (ja) | テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、計測装置および光源装置 | |
JP5765086B2 (ja) | テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 | |
JP2012222303A (ja) | テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 | |
JP6003063B2 (ja) | 光伝導アンテナ、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 | |
JP2012202689A (ja) | テラヘルツ波検出装置、テラヘルツ波長フィルター、イメージング装置および計測装置 | |
JP5998479B2 (ja) | 光伝導アンテナ、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 | |
US11874227B2 (en) | Method and apparatus for terahertz or microwave imaging | |
US11096586B1 (en) | Systems for detecting carious lesions in teeth using short-wave infrared light | |
JP5910064B2 (ja) | 光伝導アンテナ、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 | |
JP2013104804A (ja) | 半導体短パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 | |
JP2014053346A (ja) | 短光パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、および計測装置 | |
JP2015118241A (ja) | 短光パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、および計測装置 | |
JP5987346B2 (ja) | アンテナ、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、および計測装置 | |
JP2016009054A (ja) | 短光パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、および計測装置 | |
JP2015119034A (ja) | 短光パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、および計測装置 | |
JP2015118244A (ja) | 短光パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、および計測装置 | |
JP2015118245A (ja) | 短光パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、および計測装置 | |
US20190386452A1 (en) | Radiation-emitting semiconductor arrangement and device having a radiation-emitting semiconductor arrangement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140314 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140314 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141224 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150728 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150810 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5799538 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |