JP5757354B2 - 圧電アクチュエータの製造方法及び液体移送装置の製造方法 - Google Patents
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3)。
また、本発明の液体移送装置の製造方法においては、前記セラミックス層成膜工程において、ジルコニアからなるセラミックス層を成膜することが好ましい(請求項6)。
面に配置されている。
ート21に圧力室10を形成しているので、キャビティプレート21の構成原子が振動層41及び圧電層42に拡散したとしても、圧電層42の圧力室10と対向する部分には拡散しにくい。したがって、圧電層42の圧力室10に対向する部分の圧電特性が低下してしまうのが抑制され、圧電アクチュエータ32を駆動したときの圧電層42及び振動層41の変形量が低下してしまうのを抑制することができる。
方向に関する圧力室10の長さが小さくても、振動層41を十分に変形させることができる。したがって、圧力室10及び圧電アクチュエータ32の圧力室10と対向する駆動部分を高集積化することができる。
加熱することになると、この加熱の際に、キャビティプレート21の構成原子が圧力室10と対向する部分を含む振動層41の全域に拡散してしまう。したがって、この後、キャビティプレート21に圧力室10を形成してから、圧電層42にアニールを行うために加熱を行ったとしても、振動層41の圧力室10と対向する部分に拡散していたキャビティプレート21の構成原子が、振動層41からさらに圧電層42の圧力室10と対向する部分に拡散して、圧電層42のこの部分における圧電特性が低下してしまう虞がある。
極73は、共通電極43と同様、スクリーン印刷やスパッタ法等によって形成する。
力室10の幅方向に向かう第1電界E1が生じるとともに、第2区域143の圧電層42に圧力室10の長手方向に向かう第2電界E2が生じる。
10 圧力室
21 キャビティプレート
32 圧電アクチュエータ
41 振動層
42 圧電層
43 共通電極
44 個別電極
71 圧電層
72 圧電層
73 共通電極
74 個別電極
Claims (10)
- 金属又はシリコンからなる基材の一表面に、セラミックス材料からなる振動層を成膜する振動層成膜工程と、
前記振動層の前記基材と反対側に、圧電層を成膜する圧電層成膜工程と、
前記圧電層成膜工程よりも後に行われる工程であって、前記基材の一部を除去することで、前記基材の前記振動層とは反対側から前記振動層を臨むことのできる貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記圧電層の少なくとも前記貫通孔と対向する部分に電極を形成する電極形成工程と、
前記圧電層成膜工程によって成膜した圧電層を加熱する加熱工程と、を備え、
前記振動層成膜工程において、前記加熱工程で圧電層を加熱する温度よりも低い温度で、前記振動層を成膜することを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法。 - 前記圧電層成膜工程において、前記圧電層はエアロゾルデポジション法によって成膜されることを特徴とする請求項1に記載の圧電アクチュエータの製造方法。
- 前記振動層成膜工程において、前記振動層はエアロゾルデポジション法によって成膜されることを特徴とする請求項1又は2に記載の圧電アクチュエータの製造方法。
- 前記振動層成膜工程において、ジルコニアからなる振動層を成膜することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の圧電アクチュエータの製造方法。
- 液体を吐出するためノズルと連通する圧力室が形成された圧力室プレートと、前記圧力室を覆うように前記圧力室プレートの一表面側に配置され、セラミックス材料からなるセラミックス層と、前記セラミックス層の前記圧力室プレートと反対側に配置された圧電層と、前記圧電層の少なくとも前記圧力室と対向する部分に配置された電極とを備えた液体移送装置の製造方法であって、
前記圧力室プレートの一表面側に、前記セラミックス層の前記圧力室プレートと反対側に配置された圧電層を加熱する際の加熱温度よりも低い温度で、前記セラミックス層を成膜するセラミックス層成膜工程と、
前記セラミックス層成膜工程により成膜した前記セラミックス層の前記圧力室プレートと反対側に、前記圧電層及び前記電極を形成する工程と、
前記圧力室プレートの一部を除去することで、前記圧力室を形成する圧力室形成工程と、を備えたことを特徴とする液体移送装置の製造方法。 - 前記セラミックス層成膜工程において、ジルコニアからなるセラミックス層を成膜することを特徴とする請求項5に記載の液体移送装置の製造方法。
- 金属又はシリコンからなる基材の一表面に、セラミックス材料からなる振動層を成膜する振動層成膜工程と、
前記圧電層成膜工程よりも後に行われる工程であって、前記振動層の前記基材と反対側に、圧電層を成膜する圧電層成膜工程と、
前記基材の一部を除去することで、前記基材の前記振動層とは反対側から前記振動層を臨むことのできる貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記圧電層の少なくとも前記貫通孔と対向する部分に電極を形成する電極形成工程と、を備え、
前記振動層成膜工程において、常温で、前記振動層を成膜することを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法。 - 液体を吐出するためノズルと連通する圧力室が形成された圧力室プレートと、前記圧力室を覆うように前記圧力室プレートの一表面側に配置され、セラミックス材料からなるセラミックス層と、前記セラミックス層の前記圧力室プレートと反対側に配置された圧電層と、前記圧電層の少なくとも前記圧力室と対向する部分に配置された電極とを備えた液体移送装置の製造方法であって、
前記圧力室プレートの一表面側に、常温で、前記セラミックス層を成膜するセラミックス層成膜工程と、
前記セラミックス層成膜工程により成膜した前記セラミックス層の前記圧力室プレートと反対側に、前記圧電層及び前記電極を形成する工程と、
前記圧力室プレートの一部を除去することで、前記圧力室を形成する圧力室形成工程と、を備えたことを特徴とする液体移送装置の製造方法。 - 金属又はシリコンからなる基材の一表面に、セラミックス材料からなる振動層を成膜する振動層成膜工程と、
前記圧電層成膜工程よりも後に行われる工程であって、前記振動層の前記基材と反対側に、圧電層を成膜する圧電層成膜工程と、
前記基材の一部を除去することで、前記基材の前記振動層とは反対側から前記振動層を臨むことのできる貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記圧電層の少なくとも前記貫通孔と対向する部分に電極を形成する電極形成工程と、を備え、
前記振動層成膜工程において、850℃よりも低い温度で、前記振動層を成膜することを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法。 - 液体を吐出するためノズルと連通する圧力室が形成された圧力室プレートと、前記圧力室を覆うように前記圧力室プレートの一表面側に配置され、セラミックス材料からなるセラミックス層と、前記セラミックス層の前記圧力室プレートと反対側に配置された圧電層と、前記圧電層の少なくとも前記圧力室と対向する部分に配置された電極とを備えた液体移送装置の製造方法であって、
前記圧力室プレートの一表面側に、850℃よりも低い温度で、前記セラミックス層を成膜するセラミックス層成膜工程と、
前記セラミックス層成膜工程により成膜した前記セラミックス層の前記圧力室プレートと反対側に、前記圧電層及び前記電極を形成する工程と、
前記圧力室プレートの一部を除去することで、前記圧力室を形成する圧力室形成工程と、を備えたことを特徴とする液体移送装置の製造方法。
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