JP5709505B2 - プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および記憶媒体 - Google Patents
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Description
また、そのようなプラズマ処理方法を実施するためのプログラムが記憶された記憶媒体を提供することを課題とする。
図1は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置を示す概略断面図である。
最初に、ゲートバルブ86を開状態とし、搬入出口85を介してエッチング対象である半導体ウエハWをチャンバ10内に搬入し、サセプタ16上に載置する。このときのエッチング対象膜は特に限定されないが、レジストエッチング、すなわちアッシングに対して好適に適用することができる。
ここでは、処理ガスとしてO2ガスを用いてレジストをアッシングした結果について説明する。
16…サセプタ(下部電極)
34…上部電極
36…電極板
38…電極支持体
40…ガス拡散室
40a…中央室
40b…周辺室
48…ガス供給ユニット
49…ガスボックス
50…ガス供給配管
51…マスフローコントローラ(MFC)
54a…中央配管
54b…周辺配管
56…フロースプリッター
58a、58b…圧力計
70…温度コントローラ
74…可変直流電源
84…排気装置
88…第1の高周波電源
90…第2の高周波電源
100…制御部
102…記憶部
W…半導体ウエハ(被処理基板)
Claims (12)
- 被処理基板に対して処理ガスのプラズマによりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
被処理基板が収容され、内部が真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内に配置され、被処理基板の載置台として機能する下部電極と、
前記下部電極に対向するように前記処理容器内に配置され、処理ガスをシャワー状に前記処理容器内に吐出する着脱可能な電極板を有する上部電極と、
前記上部電極に処理ガスを供給するガス配管を含むガス供給ユニットと、
前記上部電極または前記下部電極の少なくとも一方にプラズマ生成用の高周波電力を印加するプラズマ生成用高周波電力印加ユニットと、
前記ガス配管内の圧力を検出する圧力計と、
前記圧力計による前記ガス配管内の圧力の検出値に基づいて前記電極板の消耗度を求め、その際の電極板の消耗による処理レートの変動を算出し、この処理レートの変動を解消するように処理条件を調整する制御部と
を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、前記処理条件として、前記上部電極の温度を用いることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記制御部は、前記処理条件として、前記処理ガスの流量を用いることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマ処理はプラズマエッチングであり、前記処理レートはエッチングレートであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマエッチングの対象が、被処理基板のレジスト膜であることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス供給ユニットは、前記電極板の互いに異なる領域から処理ガスを吐出させるように処理ガスを供給する第1の配管および第2の配管と、これら第1の配管および第2の配管の圧力を検出し、その圧力に基づいて前記第1の配管および前記第2の配管に所定の流量比で処理ガスを分配するフロースプリッターとを有し、前記圧力計として、前記フロースプリッターにおいて配管の圧力を検出するための圧力計を用いることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 被処理基板が収容され、内部が真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に配置され、被処理基板の載置台として機能する下部電極と、前記下部電極に対向するように前記処理容器内に配置され、処理ガスをシャワー状に前記処理容器内に吐出する着脱可能な電極板を有する上部電極と、前記上部電極に処理ガスを供給するガス配管を含むガス供給ユニットと、前記上部電極または前記下部電極の少なくとも一方にプラズマ生成用の高周波電力を印加するプラズマ生成用高周波電力印加ユニットとを有するプラズマ処理装置を用い、処理ガスのプラズマにより被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記ガス配管の圧力値に基づいて前記電極板の消耗度を求め、その際の電極板の消耗による処理レートの変動を算出し、この処理レートの変動を解消するように処理条件を調整することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記処理条件として、前記上部電極の温度を用いることを特徴とする請求項7に記載のプラズマ処理方法。
- 前記処理条件として、前記処理ガスの流量を用いることを特徴とする請求項7に記載のプラズマ処理方法。
- 前記プラズマ処理はプラズマエッチングであり、前記処理レートはエッチングレートであることを特徴とする請求項7から請求項9のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記プラズマエッチングの対象が、被処理基板のレジスト膜であることを特徴とする請求項10に記載のプラズマ処理方法。
- コンピュータ上で動作し、プラズマ処理装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項7から請求項11のいずれかのプラズマ処理方法が行われるように、コンピュータに前記プラズマ処理装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
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