JP2008187112A - プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SiO2膜103と上層感光性レジスト膜104とをマスクとして、下層有機系レジスト膜102のプラズマエッチングを行う。このプラズマエッチングにおいて、半導体ウエハの中央領域から供給する処理ガスとして、O2の単ガス又はO2/Arの混合ガス等を使用し、半導体ウエハの周縁部から供給する処理ガスとして、O2の単ガス又はO2/Arの混合ガス等に、CH4又はCOを付加した混合ガス使用する。
【選択図】図1
Description
処理ガス(中央部):O2/CF4=15/75 sccm
処理ガス(周縁部):O2/CF4=15/75 sccm
圧力:10.64Pa(80mTorr)
電力:1500W
温度(天井部及び側壁部/載置台):60/20℃
バックサイドガス圧力(中央部/周縁部):933/3333Pa(7/25Torr)
処理時間:15秒
処理ガス(中央部):O2/Ar=45/75 sccm
処理ガス(周縁部):O2/Ar/CH4=45/75/100 sccm
圧力:2.00Pa(15mTorr)
電力:500W
温度(天井部及び側壁部/載置台):60/20℃
バックサイドガス圧力(中央部/周縁部):933/3333Pa(7/25Torr)
処理時間:122秒
中央部=66/65/66 nm
周縁部=65/64/65 nm
上記の結果では、中央部における各部のCD1〜CD3の差が最大1nm、周辺部における各部のCD1〜CD3の差が最大1nm、中央部と周縁部のCD1の差、CD2の差、CD3の差が最大1nmとなっている。
処理ガス(中央部):O2/Ar=90/150 sccm
処理ガス(周縁部):O2/Ar/CO=90/150/200 sccm
圧力:4.00Pa(30mTorr)
電力:500W
温度(天井部及び側壁部/載置台):60/20℃
バックサイドガス圧力(中央部/周縁部):933/3333Pa(7/25Torr)
処理時間:57秒
中央部=65/62/62 nm
周縁部=64/61/61 nm
となった。上記の結果では、中央部における各部のCD1〜CD3の差が最大3nm、周辺部における各部のCD1〜CD3の差が最大3nm、中央部と周縁部のCD1の差、CD2の差、CD3の差が最大1nmとなっている。
処理ガス(中央部):O2/Ar=45/75 sccm
処理ガス(周縁部):O2/Ar=45/75 sccm
圧力:2.00Pa(15mTorr)
電力:500W
温度(天井部及び側壁部/載置台):60/20℃
バックサイドガス圧力(中央部/周縁部):933/3333Pa(7/25Torr)
処理時間:60秒
中央部=63/58/63 nm
周縁部=61/56/60 nm
となった。上記の結果では、中央部における各部のCD1〜CD3の差が最大5nm、周辺部における各部のCD1〜CD3の差が最大5nm、中央部と周縁部の各部のCD1の差、CD2の差、CD3の差が最大3nmとなっている。
処理ガス(中央部):O2=45 sccm
処理ガス(周縁部):O2/CH4=45/100 sccm
として、下層有機系レジスト膜のプラズマエッチングを行ったところ、実施例1の場合と略同様なエッチング形状、及び面内均一性のプラズマエッチング処理を行うことができた。
処理ガス(中央部):O2/CH4=45/50 sccm
処理ガス(周縁部):O2/CH4=45/50 sccm
として、中央部と周縁部のCH4流量を等しくした場合、半導体ウエハWの周縁部と中央部のエッチング形状が異なり均一な形状が得られなかった。また、半導体ウエハWの中央部では、エッチストップが生じてしまい、所望のエッチング形状を得ることができなかった。
Claims (15)
- 被処理基板を処理チャンバー内に収容し、
前記被処理基板と対向するように配設され、前記被処理基板の中央部と周縁部とで異なる処理ガスを供給可能とされた処理ガス供給機構から処理ガスを供給し、
前記処理ガスのプラズマを発生させて、前記被処理基板に形成された下層有機系レジスト膜を、その上層に形成された無機材料からなる中間層と上層感光性レジスト膜とをマスクとしてプラズマエッチングする方法であって、
前記処理ガスとしてCH4ガスを含む処理ガスを供給し、且つ、CH4ガスの供給量は、前記中央部よりも前記周縁部の方が多いことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1記載のプラズマエッチング方法であって、
前記処理ガスがO2ガスを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項2記載のプラズマエッチング方法であって、
前記処理ガスがArガスを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 被処理基板を処理チャンバー内に収容し、
前記被処理基板と対向するように配設され、前記被処理基板の中央部と周縁部とで異なる処理ガスを供給可能とされた処理ガス供給機構から処理ガスを供給し、
前記処理ガスのプラズマを発生させて、前記被処理基板に形成された下層有機系レジスト膜を、その上層に形成された無機材料からなる中間層と上層感光性レジスト膜とをマスクとしてプラズマエッチングする方法であって、
前記処理ガスとして、前記中央部からO2ガスを含みCH4ガスを含まない第1の処理ガスを供給し、前記周縁部からO2ガスとCH4ガスとを含む第2の処理ガスを供給することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項4記載のプラズマエッチング方法であって、
前記第2の処理ガスのCH4ガス流量に対する、前記第1の処理ガスのO2ガス流量と前記第2の処理ガスのO2ガス流量を合わせた全O2ガス流量の比(全O2ガス流量/CH4ガス流量)が0.8〜1.0であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項4又は5記載のプラズマエッチング方法であって、
前記第1及び第2の処理ガスがArガスを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 被処理基板を処理チャンバー内に収容し、
前記被処理基板と対向するように配設され、前記被処理基板の中央部と周縁部とで異なる処理ガスを供給可能とされた処理ガス供給機構から処理ガスを供給し、
前記処理ガスのプラズマを発生させて、前記被処理基板に形成された下層有機系レジスト膜を、その上層に形成された無機材料からなる中間層と上層感光性レジスト膜とをマスクとしてプラズマエッチングする方法であって、
前記処理ガスとしてCOガスを含む処理ガスを供給し、且つ、COガスの供給量は、前記中央部よりも前記周縁部の方が多いことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項7記載のプラズマエッチング方法であって、
前記処理ガスがO2ガスを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項8記載のプラズマエッチング方法であって、
前記処理ガスがArガスを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 被処理基板を処理チャンバー内に収容し、
前記被処理基板と対向するように配設され、前記被処理基板の中央部と周縁部とで異なる処理ガスを供給可能とされた処理ガス供給機構から処理ガスを供給し、
前記処理ガスのプラズマを発生させて、前記被処理基板に形成された下層有機系レジスト膜を、その上層に形成された無機材料からなる中間層と上層感光性レジスト膜とをマスクとしてプラズマエッチングする方法であって、
前記処理ガスとして、前記中央部からO2ガスを含みCOガスを含まない第1の処理ガスを供給し、前記周縁部からO2ガスとCOガスとを含む第2の処理ガスを供給することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項10記載のプラズマエッチング方法であって、
前記第2の処理ガスのCOガス流量に対する、前記第1の処理ガスのO2ガス流量と前記第2の処理ガスのO2ガス流量を合わせた全O2ガス流量の比(全O2ガス流量/COガス流量)が0.8〜1.0であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項10又は11記載のプラズマエッチング方法であって、
前記第1及び第2の処理ガスがArガスを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 被処理基板を収容する処理チャンバーと、
前記被処理基板と対向するように配設され、前記被処理基板の中央部と周縁部とで異なる処理ガスを供給可能とされた処理ガス供給機構から前記処理チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理ガス供給手段から供給された前記処理ガスをプラズマ化して前記被処理基板を処理するプラズマ生成手段と、
前記処理チャンバー内で請求項1から請求項12いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるように制御する制御部と
を備えたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項1から請求項12いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるようにプラズマエッチング装置を制御することを特徴とする制御プログラム。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に請求項1から請求項12いずれか1項記載のプラズマエッチング方法が行われるようにプラズマエッチング装置を制御することを特徴とするコンピュータ記憶媒体。
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