JP5705857B2 - 微小コイル装置およびその製作方法 - Google Patents
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Description
2009年12月10日に公開された「ジンバル式走査微小ミラー装置(Gimbaled scanning micro−mirror apparatus)」なる表題のPCT特許出願第PCT/IL2008/000743号が同時係属中である。
1.Taiらに付与された米国特許第5,724,015号明細書、
2.Yeoらに付与された米国特許第6,535,098号明細書、
3.Liらに付与された米国特許第6,493,861号明細書、
4.Miyamotoらに付与された米国特許第4,818,966号明細書、
5.Chatterjeeらに付与された米国特許第5,711,912号明細書、
6.Merrillらに付与された米国特許第5,610,433号明細書、
7.Asadaに付与された米国特許第5,912,608号明細書、
8.Ghoshらに付与された米国特許第6,171,886号明細書、
9.Nakagawaらに付与された米国特許第5,543,956号明細書、
10.Ramotに関わるPCT出願国際公開第2008/072248号パンフレット
である。
Sitaram R Arkalgudら、「VLSI Tech.ダイジェスト版(VLSI Tech.Dig.)」、2009年、p68、
K−W Leeら、「IEDM Tech.ダイジェスト版(IEDM Tech.Dig.)」、2009年、p531、
Wei−Chung Loら、「IEDM Tech.ダイジェスト版(IEDM Tech.Dig.)」、2009年、p70、
が挙げられる。
但し、Nはコイル巻線の数、iは印加電流である。モータの運転の散逸出力は、
によって記述できる。但し、Rはコイルのインピーダンスであり、
として計算できる。但し、Lcはコイルの長さ、Acはコイルの断面積、ρはコイルの比密度である。従って、コイルの長さは、コイルの巻線の数の関数であり、各巻線の長さを円の周囲長さとして推定する。N個の巻き数を有するコイルの抵抗率は、
として表現することができ、初期半径r0およびピッチpを有するコイルの1つの層当たりの全体出力は、
として表現することができる。
aa.ステップ310―最初に、周囲物質の材料が、金属断面、巻線の数およびピッチのような、但しこれには限定されない、コイルの仕様に従って、深いSiエッチを用いてパターン化される。
bb.続いて、ステップ320において巻線が絶縁される。
cc.コイルの金属化(ステップ330〜350)。
dd.ステップ360〜400において、コイルへの接続線がコイルの両側においてパターン化される(コイルへのおよびコイルからの接続線)。
310:深いSiエッチの実施
320:エッチされたトレンチの不動態化
330:シード層プロセス
340:電気メッキ
350:前面側CMP
360:前面側不動態化
370:不動態化層における接点開口
380:ウエハ研摩/エッチ
390:裏面側不動態化
400:不動態化層における接点開口
410:BGAプロセス
ステップ510:通常、次の特性、すなわち、各巻線の断面、巻線の数およびピッチの少なくともいずれかを含む、通常平面状の所定のらせん形体仕様を実現するために、周囲の電気絶縁性のバルク体から、例えば、バルク体の微小機械加工によって、あるいは、シリコンエッチプロセスを用いて、通常少なくとも深さ40ミクロンのらせん状のトレンチを形成するステップ、
ステップ520:らせん状のトレンチに導電性材料を部分的にまたは完全に充填することによって導電性巻線を形成するステップ(材料が、例えば電気メッキによってらせんの壁面に隣接する部分にのみ堆積される場合は、一般的に巻線に平行な空気間隙が導電性材料の中に設けられる)、
ステップ530:例えば、TSV技術または微小機械加工を用いて、らせんへのおよびらせんからの接続線を設けるステップ、
ステップ540:場合によって、上記の諸ステップを用いて他のコイルを製造して、それらを積み重ね、例えばBGA(ball grid array)プロセスを用いて、積み重ねられるコイルを図12Aおよび12Bに示すように接続するステップ、および、各コイルのヘッド端部が隣接コイルの末尾端部に電気的に接続され、かつ、隣接するコイルの各対が時計回りのコイルおよび反時計回りのコイルを含むように、絶縁された電気接続線を、層間に、例えば微小機械加工によって設けるステップ、
ステップ550:場合によって、例えばアクチュエータを生成するために、少なくとも1つの接続線を制御電子回路に接続するステップ。
Claims (27)
- 複数の導電性巻線および前記巻線の間の絶縁層を含むらせんにおいて、前記絶縁層は、周囲の電気絶縁性のバルク体から形成されるらせん状のトレンチを含み、前記導電性巻線は、前記らせん状のトレンチを少なくとも部分的に充填する導電性材料を含む、らせんと、
前記らせんへのおよび前記らせんからの接続線と、
を含み、
前記巻線に平行な空気間隙が前記導電性材料内に設けられ、
前記トレンチがらせん状の壁面を有し、前記空気間隙が、前記トレンチ全体における前記導電性材料の堆積ではなく、前記らせん状の壁面に隣接する部分のみにおける前記導電性材料の堆積によって設けられることを特徴とする電気コイルデバイス。 - 請求項1に記載の電気コイルデバイスにおいて、前記バルク体が、次の材料群、すなわち、シリコン、Pyrex、ポリマーのいずれかから形成されることを特徴とする、電気コイルデバイス。
- 請求項1に記載の電気コイルデバイスを含むことを特徴とする、電子回路装置。
- 請求項3に記載の電子回路装置において、複数のコイルを含み、かつ電磁束結合を誘導するように作動することを特徴とする、電子回路装置。
- 電気的に接続された請求項1に記載の電気コイルデバイスの積み重ね体を含むことを特徴とする、多段電気コイル装置。
- 複数の導電性巻線および前記巻線の間の絶縁層を含むらせんを用意するステップであって、周囲の電気絶縁性のバルク体かららせん状のトレンチを形成することによって前記絶縁層を形成することと、前記らせん状のトレンチに導電性材料を少なくとも部分的に充填することによって前記導電性巻線を形成することとを含むステップと、
前記らせんへのおよび前記らせんからの接続線を設けるステップと、
を含み、
前記巻線に平行な空気間隙が前記導電性材料内に設けられ、
前記トレンチがらせん状の壁面を有し、前記空気間隙が、前記トレンチ全体における前記導電性材料の堆積ではなく、前記らせん状の壁面に隣接する部分のみにおける前記導電性材料の堆積によって設けられることを特徴とする、電気コイルデバイスの製作方法。 - 請求項6に記載の方法において、前記らせん状のトレンチが前記バルク体を微小機械加工することによって形成されることを特徴とする、方法。
- 請求項5に記載の多段電気コイル装置であって、さらに、前記層間の絶縁された電気接続線であり、微小機械加工によって形成される電気接続線をも含むことを特徴とする、多段電気コイル装置。
- 請求項6に記載の方法において、前記接続線がシリコン貫通ビア(Through Silicon Via:TSV)技術によって形成されることを特徴とする、方法。
- 請求項5に記載の装置において、前記コイルデバイスを接続するためにBGA(ball grid array)プロセスが使用されることを特徴とする、装置。
- 請求項6に記載の方法において、前記らせん状のトレンチを形成するためにシリコンエッチプロセスをも使用することを特徴とする、方法。
- 請求項9に記載の方法において、前記バルク体が、少なくとも1つのらせん形体仕様に従って深いSiエッチを用いてパターン化されたバルクシリコンを含み、前記巻線は絶縁され、前記コイルは金属化され、そして、前記らせんへのおよび前記らせんからの接続線は前記らせんの両端部においてパターン化されることを特徴とする、方法。
- 請求項6に記載の方法において、前記接続線が微小機械加工によって形成されることを特徴とする、方法。
- 請求項9に記載の方法において、前記コイルが、シード層プロセス、電気メッキプロセスおよび前面側研摩プロセスを用いて金属化されることを特徴とする、方法。
- 請求項6に記載の方法において、少なくとも1つのステップが半導体製造プロセスを使用することを特徴とする、方法。
- 請求項15に記載の方法において、少なくとも1つのステップがTSV半導体製造プロセスを使用することを特徴とする、方法。
- 請求項12に記載の方法において、前記らせんの形体仕様が、前記らせんの次の特性、すなわち、各巻線の断面、巻線の数およびピッチの少なくともいずれかを含むことを特徴とする、方法。
- 請求項16に記載の方法において、前記らせんが中心のヘッド端部と周縁の末尾端部とを有し、かつ、前記使用は、前記らせんに対して少なくとも1つのシリコン貫通ビアを生成することによって少なくとも1つの電気接続端子を製造することを含むことを特徴とする、方法。
- 請求項18に記載の方法であって、さらに、第2の平面らせん状の導電性コイルを製作するために半導体製造プロセスを使用し、それによって、それぞれ第1および第2コイル用の少なくとも第1および第2シリコン貫通ビアを画定すること、および、前記ビアを、前記第1コイルのヘッド端部を前記第2コイルの末尾端部に電気的に接続するために使用することをも含むことを特徴とする、方法。
- 請求項19に記載の方法において、第1の複数の時計回りのらせん状導電性コイル、および第2の複数の反時計回りのらせん状導電性コイルを製作するために前記半導体製造プロセスを使用し、それによって、前記コイルに対するシリコン貫通ビアを画定し、そして、前記ビアを次の目的のために使用する、すなわち、前記第1の複数の時計回りのコイルの個別コイルのヘッド端部を前記第2の複数の反時計回りのコイルの個別コイルの端部に少なくとも一旦電気的に接続し、かつ、前記第2の複数の反時計回りのコイルの個別コイルのヘッド端部を前記第1の複数の時計回りのコイルの別の個別コイルの端部に接続し、それによって、隣接するコイルの各対が時計回りのコイルおよび反時計回りのコイルを含む導電性コイルの積み重ね体を生成するために使用することを特徴とする、方法。
- 請求項18に記載の方法であって、さらに、少なくとも1つのシリコン貫通ビアを制御電子回路に接続するステップをも含む方法。
- 請求項15または16に記載の方法において、前記コイルが、バルク体の中に画定されるトレンチを含み、ここで、前記トレンチの深さは少なくとも40ミクロンであることを特徴とする、方法。
- 請求項6に記載の方法において、前記らせん状のトレンチがらせん状の壁面を有し、ここで、らせんを設ける前記ステップが、1対の撚り合わされたらせん状導電性コイルを製作することによって有効なコイル長さを延長することを含み、さらに、前記トレンチがトレンチ断面幅を有し、かつ、前記壁面は、それぞれ第1および第2導電性被膜で被膜処理され、前記第1および第2導電性被膜は合わせても前記トレンチ断面幅よりも薄く、それによって、前記撚り合わされたらせん状導電性コイルを画定するように、前記導電性被膜の間に非導電性の間隙が形成されることを特徴とする、方法。
- 電磁アクチュエータを含むことを特徴とする、請求項4に記載の装置。
- 請求項12に記載の方法において、前記接続線が、前面不動態化層を生成するための前面側不動態化、前面不動態化層における接点の開口、ウエハ研摩/エッチング、裏面不動態化層を生成するための裏面側不動態化、および、裏面不動態化層における接点の開口を用いてパターン化されることを特徴とする、方法。
- 請求項6に記載の方法において、前記らせんが平面らせんを含むことを特徴とする、方法。
- 請求項6に記載の方法において、前記壁面の被膜処理が電気メッキプロセスによって行われることを特徴とする、方法。
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