JP5700073B2 - 光電変換装置、電気光学装置、電子機器 - Google Patents
光電変換装置、電気光学装置、電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5700073B2 JP5700073B2 JP2013125017A JP2013125017A JP5700073B2 JP 5700073 B2 JP5700073 B2 JP 5700073B2 JP 2013125017 A JP2013125017 A JP 2013125017A JP 2013125017 A JP2013125017 A JP 2013125017A JP 5700073 B2 JP5700073 B2 JP 5700073B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- contact hole
- conversion layer
- electrode
- tft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 143
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 108010062580 Concanavalin A Proteins 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
まず、図1〜図3を用いて、本発明の光電変換装置の一例であるイメージセンサー1を説明する。図1は、イメージセンサー1の受光領域を構成するマトリクス状に形成された複数のセンサー部250における各種素子、配線等の等価回路である。図2は、イメージセンサー1の1画素の平面図である。図3は、図2のIII− III´断面図である。
イメージ情報等を含む出力信号は、信号線301の電位が増幅された増幅信号としてTFT213を介してセンサー出力制御線27に出力される。
同様に、センサー出力制御線27にも、コンタクトホール87と重なる位置に第2光電変換層が形成されている。センサー出力制御線27上に形成された第2光電変換層と、下電極212a上に形成された第1光電変換層及び第2光電変換層とは互いに分離され、電気的に絶縁されている。
次に、図4〜図9を用いて、本発明の電気光学装置の一例である光電変換素子内蔵型の液晶装置2を説明する。本実施形態の液晶装置は、上述した光電変換装置に表示機能を付加して表示装置として構成したものである。具体的には、画像が表示される表示面を指示する指等の指示手段を検出することによって、当該指示手段を介して各種情報を入力可能なタッチパネル機能を有するアクティブマトリクス型のカラー液晶表示装置である。
ゲート電極3a1は、絶縁膜43を介してチャネル領域1a´に重なるように形成されている。共通電極19は、絶縁膜47上に形成されている。したがって、液晶装置2では、絶縁膜47を介して、画素電極9a及び共通電極19が互いに異なる層に形成されている。
同様に、センサー出力制御線27にも、コンタクトホール87と重なる位置に第2光電変換層が形成されている。センサー出力制御線27上に形成された第2光電変換層と、下電極212a上に形成された第1光電変換層及び第2光電変換層とは互いに分離され、電気的に絶縁されている。
本発明に係る光電変換装置は、2次元センサー、イメージセンサー、光学式タッチセンサーなどに用いることができる。また、本発明において、光電変換素子は、光の他、X線なども電気信号へ変換する対象と定義しており、本発明を適用した光電変換装置は、レントゲン写真の撮影に用いてもよい。さらに、本発明に係る光電変換装置は、第2実施形態で説明したように、表示機能を付加して電子機器に搭載してもよい。
Claims (3)
- 第1電極と光電変換層と第2電極とが順に積層された光電変換素子と、
前記第1電極及び第1信号線が接続される第1の薄膜トランジスタと、を含み、
前記第1電極の一部は第1のコンタクトホールを介して前記第1の薄膜トランジスタに直接接続され、
前記第1信号線の一部は第2のコンタクトホールを介して前記第1の薄膜トランジスタに直接接続され、
前記光電変換層は、前記第1電極の少なくとも一部と重なる位置であって且つ前記第1のコンタクトホール及び前記第2のコンタクトホールのいずれとも重ならない位置に設けられた第1光電変換層と、前記第1光電変換層と分離溝によって互いに分離された第2光電変換層と、を有し、
前記第2光電変換層は、前記第1のコンタクトホールと重なる位置に設けられた部分と前記第2のコンタクトホールと重なる位置に設けられた部分とは分離されており、
前記第1光電変換層上に前記第2電極が選択的に形成され、前記第1電極と前記第1光電変換層と前記第2電極とにより光電変換素子が形成されていることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1に記載の光電変換装置と、
画素電極を有する画素部と、
前記画素電極及び第2信号線が接続される第2の薄膜トランジスタと、を含み、
前記画素電極は第3のコンタクトホールを介して前記第2の薄膜トランジスタに接続され、
前記第2信号線は第4のコンタクトホールを介して前記第2の薄膜トランジスタに接続され、
前記第2光電変換層は、前記第1のコンタクトホールと重なる位置に設けられた部分、前記第2のコンタクトホールに重なる位置に設けられた部分、前記第3のコンタクトホールに重なる位置に設けられた部分及び前記第4のコンタクトホールに重なる位置に設けられた部分の各々が分離されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1に記載の光電変換装置及び請求項2に記載の電気光学装置の少なくともひとつを備えていることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013125017A JP5700073B2 (ja) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | 光電変換装置、電気光学装置、電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013125017A JP5700073B2 (ja) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | 光電変換装置、電気光学装置、電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009001532A Division JP5293197B2 (ja) | 2009-01-07 | 2009-01-07 | 光電変換装置、電気光学装置、電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013232658A JP2013232658A (ja) | 2013-11-14 |
JP5700073B2 true JP5700073B2 (ja) | 2015-04-15 |
Family
ID=49678786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013125017A Expired - Fee Related JP5700073B2 (ja) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | 光電変換装置、電気光学装置、電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5700073B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016104339A1 (ja) * | 2014-12-25 | 2016-06-30 | シャープ株式会社 | フォトセンサ基板、及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1197660A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサおよびそれを用いた装置 |
JP5043373B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2012-10-10 | キヤノン株式会社 | 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム |
JP2008122659A (ja) * | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法並びに電子機器 |
US7759629B2 (en) * | 2007-03-20 | 2010-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
JP4924224B2 (ja) * | 2007-06-13 | 2012-04-25 | セイコーエプソン株式会社 | 光検出器内蔵表示装置及び電子機器 |
-
2013
- 2013-06-13 JP JP2013125017A patent/JP5700073B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013232658A (ja) | 2013-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5293197B2 (ja) | 光電変換装置、電気光学装置、電子機器 | |
JP5298461B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
US8368677B2 (en) | Optical sensor device, display apparatus, and method for driving optical sensor device | |
JP4867766B2 (ja) | 液晶装置、イメージセンサ、及び電子機器 | |
JP5125222B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
JP4826512B2 (ja) | 表示装置及び電子機器 | |
JP2007322761A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP5239317B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
JP5275653B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2008209563A (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
JP2009048145A (ja) | 液晶装置、イメージセンサ、及び電子機器 | |
JP5163680B2 (ja) | 表示装置 | |
JP5700073B2 (ja) | 光電変換装置、電気光学装置、電子機器 | |
US11579480B2 (en) | Display device | |
US11415826B2 (en) | Touch panel display device | |
US20160291748A1 (en) | Touch display device utlizing extra conductive layer on thin film transistor to detect touch operation | |
JP5234090B2 (ja) | 光センサ装置及び光センサ装置の駆動方法 | |
JP5104023B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
US20200201095A1 (en) | Liquid crystal display device | |
US20240071327A1 (en) | Liquid crystal displays with optical sensors | |
JP5239293B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
JP2012155007A (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
JP5182138B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2009223218A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2008281732A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140422 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140701 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150120 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5700073 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |