JP5643618B2 - 高さ測定方法および荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Description
高さの基準となる範囲を決定する工程と、
PSDを含むアナログ信号処理回路上でのオフセット値を求める工程と、
PSDの出力値からオフセット値を差し引いた値を用いて試料の高さの測定データを求める工程と、
試料の高さの測定データの内で基準となる範囲に含まれない値を除き、残った値を用いてフィッティングを行い、試料の高さデータを作成する工程とを有することを特徴とするものである。
グリッドの交点における高さを測定して、得られた値が基準となる範囲内である場合には、隣接する次のグリッドの交点における高さを測定するが、基準となる範囲内でない場合には、グリッドの交点における高さを破棄してこの交点の近傍の高さを測定する工程を繰り返すことが好ましい。
PSDを含むアナログ信号処理回路上でのオフセット値を求める工程と、
PSDの出力値からオフセット値を差し引いた値を用いて、試料の高さの測定データを求める工程と、
試料の高さの測定データを用いてフィッティングを行う工程と、
フィッティングの結果に基づき、試料の高さの測定データから誤測定データを除去したものを再度フィッティングし、試料の高さデータを作成する工程とを有することを特徴とするものである。
PSDを含むアナログ信号処理回路上でのオフセット値を記憶する手段と、
PSDの出力値からオフセット値を差し引いた値を用いて求めた試料の高さの内で、予め求めた基準範囲に含まれない値を除き、残った値を用いてフィッティングを行い試料の高さデータを作成する手段と、
高さデータを基に荷電粒子ビームを調整する手段とを有することを特徴とするものである。
PSDを含むアナログ信号処理回路上でのオフセット値を記憶する手段と、
PSDの出力値から前記オフセット値を差し引いた値を用いて試料の高さを求める手段とを有し、
試料の高さを求める手段では、試料の高さの測定データを用いてフィッティングを行い、得られた結果に基づき、試料の高さの測定データから誤測定データを除去したものを再度フィッティングして試料の高さデータを作成し、
高さデータを基に荷電粒子ビームを調整する手段を有することを特徴とするものである。
ここで、PSDの受光強度を示す全光電流は、I1とI2の和で得ることができる。
で表せる。このとき、オフセット電圧の和(V10+V20)を光量に対し十分に小さいとして省略すれば、
である。よって、(V20−V10)=bとすれば、(V1−V2)は下記式で示すことができる。
したがって、光量(V1+V2)を変化させた測定を最低2点で行うことで、係数aおよび係数bが求まる。
この場合、オフセット電圧の和を省略したことによる誤差が生ずるが、得られたオフセット値を反復演算して加えることで、誤差を最小にしてV10、V20が得られる。
の関係を用いることにより、オフセット値V10、V20が得られる。得られたオフセット値V10、V20は、オフセット値メモリ部80に記憶される。この測定を反復して行い、得られるオフセット値が許容値内または、変化しなくなったときの値を最終登録値とする。
2 マスク基板
3 ステージ
4 ステージ駆動部
5 ステージ制御部
6 制御計算機
7 位置回路
8 磁気ディスク
10 電子ビーム光学系
11 電子銃
12、13、14、15、16 レンズ
17 ブランキング用偏向器
18 成形偏向器
19 主偏向器
20 副偏向器
21 第1のアパーチャ
22 第2のアパーチャ
25 パターンメモリ
26 パターンデータデコーダ
27 描画データデコーダ
28 ブランキング回路
29 ビーム成型器ドライバ
30 偏向制御部
31 セトリング時間決定部
32 副偏向領域偏向量算出部
33 主偏向器ドライバ
34 副偏向器ドライバ
40 高さ測定部
41 光源
42 投光レンズ
43 受光レンズ
44 受光素子
45 I/V変換アンプ
51 描画されるパターン
52 フレーム領域
53 副偏向領域
54 電子ビーム
60 信号処理部
61 非反転増幅アンプ
62 A/D変換部
70 高さデータ処理部
71 オフセット電圧値除去部
72 高さ補正部
80 オフセット値メモリ部
Claims (4)
- 試料に光を斜めに入射し、前記試料の表面で反射した反射光をPSD(Position Sensitive Detector)で受光することにより、前記試料の高さを測定する高さ測定方法において、
前記高さの基準となる範囲を決定する工程と、
前記PSDを含むアナログ信号処理回路上でのオフセット値を求める工程と、
前記試料の高さ測定領域を所定のグリッドで分割し、前記グリッドの交点における高さを測定して、前記PSDの出力値から前記オフセット値を差し引いた値を用いて前記試料の高さの測定データを求める工程と、
前記試料の高さの測定データの内で、得られた値が前記基準となる範囲内である場合には、隣接する次のグリッドの交点における高さを測定するが、前記基準となる範囲内でない場合には、前記グリッドの交点における高さを破棄し、前記グリッドをさらに細かく分割した該交点に近い位置から順に高さを測定する工程を繰り返し、前記基準となる範囲に含まれない値を除き、残った値を用いてフィッティングを行い、前記試料の高さデータを作成する工程とを有することを特徴とする高さ測定方法。 - 光を出射する光源と、前記光をステージ上に載置される試料の表面に収束させる投光レンズと、前記試料の表面で反射した反射光が入射する受光レンズと、前記受光レンズで収束された反射光を受光して前記試料の表面の位置を検出するPSD(Position Sensitive Detector)とを備えた荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記PSDを含むアナログ信号処理回路上でのオフセット値を記憶する手段と、
前記試料の高さ測定領域を所定のグリッドで分割し、前記グリッドの交点における高さを測定して、前記PSDの出力値から前記オフセット値を差し引いた値を用いて求めた前記試料の高さの内で、得られた値が前記基準となる範囲内である場合には、隣接する次のグリッドの交点における高さを測定するが、前記基準となる範囲内でない場合には、前記グリッドの交点における高さを破棄し、前記グリッドをさらに細かく分割した該交点に近い位置から順に高さを測定する工程を繰り返し、予め求めた基準範囲に含まれない値を除き、残った値を用いてフィッティングを行い前記試料の高さデータを作成する手段と、
前記高さデータを基に前記荷電粒子ビームを調整する手段を有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 試料に光を斜めに入射し、前記試料の表面で反射した反射光をPSD(Position Sensitive Detector)で受光することにより、前記試料の高さを測定する高さ測定方法において、
前記PSDを含むアナログ信号処理回路上でのオフセット値を求める工程と、
前記試料の高さ測定領域を所定のグリッドで分割し、前記グリッドの交点における高さを測定して、前記PSDの出力値から前記オフセット値を差し引いた値を用いて、前記試料の高さの測定データを求める工程と、
前記試料の高さの測定データを用いてフィッティングを行う工程と、
前記フィッティングの結果に基づき、前記試料の高さの測定データから誤測定データを除去し、前記誤測定データの前記交点に近い位置の高さを測定し、再度フィッティングすることを繰り返し、前記試料の高さデータを作成する工程とを有することを特徴とする高さ測定方法。 - 光を出射する光源と、前記光をステージ上に載置される試料の表面に収束させる投光レンズと、前記試料の表面で反射した反射光が入射する受光レンズと、前記受光レンズで収束された反射光を受光して前記試料の表面の位置を検出するPSD(Position Sensitive Detector)とを備えた荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記PSDを含むアナログ信号処理回路上でのオフセット値を記憶する手段と、
前記試料の高さ測定領域を所定のグリッドで分割し、前記グリッドの交点における高さを測定して、前記PSDの出力値から前記オフセット値を差し引いた値を用いて前記試料の高さを求める手段とを有し、
前記試料の高さを求める手段では、前記試料の高さの測定データを用いてフィッティングを行い、得られた結果に基づき、前記試料の高さの測定データから誤測定データを除去し、前記誤測定データの前記交点に近い位置の高さを測定し、再度フィッティングすることを繰り返し、前記試料の高さデータを作成し、
前記高さデータを基に前記荷電粒子ビームを調整する手段を有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
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JP2012114124A JP2012114124A (ja) | 2012-06-14 |
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Family
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Family Applications (1)
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JP2010259565A Active JP5643618B2 (ja) | 2010-11-19 | 2010-11-19 | 高さ測定方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
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