JP2012160574A - 荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高さ測定部40において、光源41から照射される光Liをマスク2上で投光レンズ42によって収束させた後、マスク2上で反射した光Lrを受光レンズ43を介して受光素子44に入射させる。受光素子44で光の位置が検出されると、信号処理部60を経て、高さデータ処理部70で高さデータHrが作成される。光Lrの光量が閾値以上であれば、高さデータHrを偏向制御部30へ送る。一方、光Lrの光量が閾値より小さい場合には、描画前に取得した高さデータマップHmから、対応する座標の高さデータを偏向制御部30へ送る。偏向制御部30は、高さデータ処理部70から送られた高さデータに基づいて、電子ビーム光学系10の調整を行う。
【選択図】図1
Description
試料に光を照射し、試料からの反射光を受光することにより、試料の高さ測定を行う高さ測定部と、
描画前に高さ測定部で測定した値に基づく高さデータマップから得られる高さデータと、描画時に高さ測定部で測定した高さデータのいずれか一方のデータを受けて、試料上での荷電粒子ビームの照射位置を調整する制御部とを有することを特徴とするものである。
ここで、描画時に高さ測定部で測定した高さデータをHr(n+1)(n:整数)とすれば、前回測定した高さデータはHrnとすることができる。
試料に光を照射し、試料からの反射光を受光することにより、試料の高さ測定を行う高さ測定部と、
描画前に高さ測定部で測定した値に基づく高さデータマップから得られる高さデータと、描画時に高さ測定部で測定した高さデータとの差から得られるオフセット値を高さデータマップに加算した値を受けて、試料上での荷電粒子ビームの照射位置を調整する制御部とを有することを特徴とするものである。
2 マスク
3 ステージ
4 ステージ駆動回路
6 電子銃
7、8、9、11、12 各種レンズ
10 光学系
13 ブランキング用偏向器
14 成形偏向器
15 主偏向器
16 副偏向器
17 第1のアパーチャ
18 第2のアパーチャ
19 制御計算機
20 入力部
21 パターンメモリ
22 パターンデータデコーダ
23 描画データデコーダ
24 ブランキング回路
25 ビーム成形器ドライバ
26 主偏向器ドライバ
27 副偏向器ドライバ
28 副偏向領域偏向量算出部
29 セトリング時間決定部
30 偏向制御部
31 描画データ補正部
40 高さ測定部
41 光源
42 投光レンズ
43 受光レンズ
44 受光素子
49 位置回路
50 ステージ制御部
51 描画されるパターン
52 フレーム領域
53 副偏向領域
54 電子ビーム
60 信号処理部
70 高さデータ処理部
Claims (5)
- 荷電粒子ビームによって、ステージ上に載置される試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記試料に光を照射し、前記試料からの反射光を受光することにより、前記試料の高さ測定を行う高さ測定部と、
描画前に前記高さ測定部で測定した値に基づく高さデータマップから得られる高さデータと、描画時に前記高さ測定部で測定した高さデータのいずれか一方のデータを受けて、前記試料上での前記荷電粒子ビームの照射位置を調整する制御部とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記制御部は、前記反射光の光量が閾値以上であれば、描画時に前記高さ測定部で測定した高さデータを受け、前記反射光の光量が閾値より小さければ、前記高さデータマップから得られる高さデータを受けることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記制御部は、予め定められた所定の領域内の座標については、前記高さデータマップから得られる高さデータを受けることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記制御部は、描画時に前記高さ測定部において測定した高さデータと前回測定した高さデータとの差が閾値以下であれば、描画時に前記高さ測定部で測定した高さデータを受け、前記差が閾値より大きければ、前記高さデータマップから得られる高さデータを受けることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 荷電粒子ビームによって、ステージ上に載置される試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記試料に光を照射し、前記試料からの反射光を受光することにより、前記試料の高さ測定を行う高さ測定部と、
描画前に前記高さ測定部で測定した値に基づく高さデータマップから得られる高さデータと、描画時に前記高さ測定部で測定した高さデータとの差から得られるオフセット値を前記高さデータマップに加算した値を受けて、前記試料上での前記荷電粒子ビームの照射位置を調整する制御部とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011019250A JP5662816B2 (ja) | 2011-01-31 | 2011-01-31 | 荷電粒子ビーム描画装置 |
US13/312,173 US8610096B2 (en) | 2011-01-31 | 2011-12-06 | Charged particle beam writing apparatus and method |
TW101101989A TWI464773B (zh) | 2011-01-31 | 2012-01-18 | Charged particle beam mapping device |
KR1020120006022A KR101352996B1 (ko) | 2011-01-31 | 2012-01-19 | 하전 입자빔 묘화 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011019250A JP5662816B2 (ja) | 2011-01-31 | 2011-01-31 | 荷電粒子ビーム描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012160574A true JP2012160574A (ja) | 2012-08-23 |
JP5662816B2 JP5662816B2 (ja) | 2015-02-04 |
Family
ID=46576573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011019250A Expired - Fee Related JP5662816B2 (ja) | 2011-01-31 | 2011-01-31 | 荷電粒子ビーム描画装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8610096B2 (ja) |
JP (1) | JP5662816B2 (ja) |
KR (1) | KR101352996B1 (ja) |
TW (1) | TWI464773B (ja) |
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JP5970213B2 (ja) | 2012-03-19 | 2016-08-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
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TWI464773B (zh) | 2014-12-11 |
TW201236046A (en) | 2012-09-01 |
US8610096B2 (en) | 2013-12-17 |
KR20120088568A (ko) | 2012-08-08 |
JP5662816B2 (ja) | 2015-02-04 |
US20120193553A1 (en) | 2012-08-02 |
KR101352996B1 (ko) | 2014-01-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130918 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140408 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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