JP5406551B2 - 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Description
高さ測定手段で得られたデータから試料表面の近似曲面を作成する近似曲面作成手段と、
近似曲面に基づいて試料表面の高さを補正する高さ補正手段とを有することを特徴とする荷電流粒子ビーム描画装置に関する。
試料の表面の高さを測定する第1の工程と、
第1の工程における測定で生じた測定エラーの数を求める第2の工程と、
測定エラーの数が所定値より少ない場合に試料表面の近似曲面を作成する第3の工程と、
近似曲面の信頼性を評価する第4の工程とを有し、
近似曲面の信頼性が高いと判断した場合には、この近似曲面に基づいて試料表面の高さを補正し、
近似曲面の信頼性が低いと判断した場合には、その原因となっている点の総数を測定エラーの数に含め、この測定エラーの数が所定値より少ない場合には、第1の工程から第4の工程までを繰り返すことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法に関する。
z=a0+a1x+a2y
+a3x2+a4xy+a5y2
+a6x3+a7x2y+a8xy2+a9y3
+a10x4+a11x3y+a12x2y2+a13xy3+a14y4
2 マスク
3 ステージ
4 ステージ駆動部
5 ステージ制御部
6 制御計算機
7 位置回路
8 磁気ディスク
10 電子ビーム光学系
11 電子銃
12、13、14、15、16 レンズ
17 ブランキング用偏向器
18 成形偏向器
19 主偏向器
20 副偏向器
21 第1のアパーチャ
22 第2のアパーチャ
25 パターンメモリ
26 パターンデータデコーダ、
27 描画データデコーダ
28 ブランキング回路
29 ビーム成型器ドライバ
30 偏向制御部
31 セトリング時間決定部
32 副偏向領域偏向量算出部
33 主偏向器ドライバ
34 副偏向器ドライバ
40 高さ測定部
41 光源
42 投光レンズ
43 受光レンズ
44 受光素子
45 I/V変換アンプ
51 描画されるパターン
52 フレーム領域
53 副偏向領域
54 電子ビーム
60 信号処理部
61 非反転増幅アンプ
62 A/D変換部
70 高さデータ処理部
71 高さ補正部
201 描画禁止領域
202 描画可能領域
203 描画精度保証領域
204 高さ測定領域
Claims (5)
- ステージ上に載置される試料の表面の高さを測定する高さ測定手段と、
前記高さ測定手段で測定された測定エラーの数を求め、前記測定エラーの数が所定値より少ない場合に、前記高さ測定手段で得られたデータから前記表面の近似曲面を作成し、及び前記近似曲面の信頼性を評価し、前記信頼性が高いと判断した場合には、前記近似曲面を用いて高さデータを作成する高さデータ処理部と、
前記高さデータに基づいて前記高さを補正する高さ補正手段とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記高さ測定手段は、前記試料の周辺部を除いた所定領域における表面の高さを測定する手段であり、
前記高さデータ処理部は、前記高さ測定手段で得られたデータを補間して、前記所定領域と前記所定領域以外の領域の近似曲面を作成することを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 荷電粒子ビームを用いてステージ上に載置された試料の表面に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
前記試料の表面の高さを測定する第1の工程と、
前記測定で生じた測定エラーの数を求める第2の工程と、
前記測定エラーの数が所定値より少ない場合に前記表面の近似曲面を作成する第3の工程と、
前記近似曲面の信頼性を評価する第4の工程とを有し、
前記信頼性が高いと判断した場合には、前記近似曲面に基づいて前記高さを補正し、
前記信頼性が低いと判断した場合には、その原因となっている点の総数を前記測定エラーの数に含め、該測定エラーの数が所定値より少ない場合には、前記第1の工程から前記第4の工程までを繰り返すことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記第1の工程は、前記試料の周辺部を除いた所定領域における表面の高さを測定する工程であり、
前記第3の工程は、前記第1の工程で得られたデータを補間して、前記所定領域と前記所定領域以外の領域の近似曲面を作成する工程であることを特徴とする請求項3に記載の荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記第4の工程は、前記近似曲面から得られる点について、隣接する2点間のデータを比較し、その差分が所定の閾値を超えている点の数、および、前記第1の工程で得られたデータと、前記近似曲面から得られるデータとを比較し、その差分が所定の閾値を超えている点の数の少なくとも一方を求めることにより、前記近似曲面の信頼性を評価する工程であって、
前記信頼性低下の原因となっている点は、前記所定の閾値を超えている点の少なくとも一方であることを特徴とする請求項3または4に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
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