JP5592104B2 - 圧電体膜並びにそれを備えた圧電素子及び液体吐出装置 - Google Patents
圧電体膜並びにそれを備えた圧電素子及び液体吐出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5592104B2 JP5592104B2 JP2009287227A JP2009287227A JP5592104B2 JP 5592104 B2 JP5592104 B2 JP 5592104B2 JP 2009287227 A JP2009287227 A JP 2009287227A JP 2009287227 A JP2009287227 A JP 2009287227A JP 5592104 B2 JP5592104 B2 JP 5592104B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- piezoelectric
- piezoelectric film
- value
- site
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 32
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 56
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 37
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 27
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 21
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 242
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 33
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 18
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 5
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 241000877463 Lanio Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/14233—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1607—Production of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/161—Production of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1642—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by CVD [chemical vapor deposition]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1646—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/076—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by vapour phase deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8548—Lead-based oxides
- H10N30/8554—Lead-zirconium titanate [PZT] based
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2047—Membrane type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
特許文献1の実施例1〜3では、スパッタ法により、圧電定数d31=120〜128pC/N、耐電圧114〜123VのPZT膜(2.6〜3.0μm厚)が成膜されている(0036〜0078)。
特許文献2の実施例1,5には、スパッタ法によってPZT膜が成膜されている。実施例1には、d31=150pC/Nが達成されていることが記載されている。実施例5には、Ti密着層の膜厚と耐電圧との関係が評価されており、1μm厚のPZT膜において、耐電圧50〜80Vが報告されている(表4、段落0100)。
しかしながら、これらの実施例では上部電極サイズが75μm幅と実際の仕様よりも非常に小さいため、耐電圧が多めに見積もられていると考えられる。圧電定数のデータは記載されていないが、真性PZTでは大きな圧電定数が得られない。本発明者が特許文献3に記載の方法に従って、真性PZT膜をスパッタ成膜したところ、d31=130pC/N程度であった。
膜表面における最大高さ(ピーク値P)と最小高さ(バレー値V)との差で規定される表面粗さP−V値が170.0nm以下であり、
圧電定数d31>150pc/Nであり、かつ、電流値が1μA以上となる印加電圧により定義される絶縁破壊電圧が80V以上であることを特徴とするものである。
膜表面における最大高さ(ピーク値P)と最小高さ(バレー値V)との差で規定される表面粗さP−V値が170.0nm以下となる条件で成膜することを特徴とするものである。
本発明の液体吐出装置は、上記の本発明の圧電素子と、該圧電素子に隣接して設けられた液体吐出部材とを備え、該液体吐出部材は、液体が貯留される液体貯留室と、前記圧電体膜に対する前記電界の印加に応じて該液体貯留室から外部に前記液体が吐出される液体吐出口とを有することを特徴とするものである。
本発明の圧電体膜は耐電圧が高いため、最大印加電圧を高く設定することができる。液体吐出装置等の用途において、最大印加電圧を高く設定して圧電体膜を大きく変位させることができ、好ましい。
膜表面における最大高さ(ピーク値P)と最小高さ(バレー値V)との差で規定される表面粗さP−V値が170.0nm以下であり、
圧電定数d31>150pc/Nであり、かつ、電流値が1μA以上となる印加電圧により定義される絶縁破壊電圧が80V以上であることを特徴とするものである。
本発明者は、圧電定数d31≧200pc/Nであり、かつ、絶縁破壊電圧が80V以上である圧電体膜を実現している。
本発明者は、単位空間当たりの100%破壊電界値E0が347kV/cm以上である圧電体膜を実現している(後記実施例1〜8、図8、表2を参照)。
単位空間当たりの100%破壊電界値E0の上限は特に制限なく、本発明者が実際に成膜した範囲では、単位空間当たりの100%破壊電界値E0の上限は850kV/cmとなっている。
本発明者は、圧電定数d31≧200pc/Nであり、単位空間当たりの100%破壊電界値E0が250kV/cm超である圧電体膜を実現している(後記実施例1〜8、表2を参照)。
すなわち、本発明の圧電体膜において、膜表面における最大高さ(ピーク値P)と最小高さ(バレー値V)との差で規定される表面粗さP−V値が170.0nm以下である。
圧電体膜の表面モフォロジをAFMによって測定し、2μm角面積内における最大高さ(ピーク値P)と最小高さ(バレー値V)とを各々求め、これらの差をP−V値として求める。
本発明の圧電体膜の成膜方法としてはプラズマを用いる気相成長法が好ましい。
本発明者は、プラズマを用いる気相成長法により、成膜圧力が1.1Pa以下であり、かつ、基板―ターゲット間距離が80mm以上の条件で成膜を行うことにより、上記特性の膜を安定的に成膜できることを見出した。
すなわち、本発明では、配向制御層を下地としない条件で、上記特性を有する圧電体膜を提供することができる。
下記特許文献5には、厚さが1〜10μm、結晶粒径が0.05〜1μm、表面粗さRmax1μm以下である圧電体膜が開示されている(請求項1)。その製造方法として、ゾルゲル法やスパッタ法等により種結晶を成長させ、その後に水熱合成法によって結晶を成長させる方法が開示されている(請求項10,13等)。特許文献5には、表面粗さRmaxを1μm以下とすることにより、圧電体膜を上部電極で充分覆うことができることが記載されている。
特許文献6:特開2000-052559号公報、
特許文献7:特開平6-181344号公報、
特許文献8:特開平8-125245号公報。
一般式ABO3・・・(P)
(式中、A:Aサイトの元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素。
B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe,及びNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素。
O:酸素元素。
Aサイト元素とBサイト元素と酸素元素のモル比は1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。)
A(Zrx,Tiy,Mz)O・・・(PX)
(式中、A:Aサイトの元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素。
Mは1種又は2種以上の金属元素を示す。
0<x、0<y、0<z。
Aサイト元素(A)とBサイト元素(Zr,Ti,M)と酸素元素のモル比は1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。)
Aサイトに含まれてもよいPb以外の元素としては特に制限されず、ドナイオンが好ましく、具体的にはBi,及びLa等の各種ランタノイド等の少なくとも1種の元素が好ましい。
膜表面における最大高さ(ピーク値P)と最小高さ(バレー値V)との差で規定される表面粗さP−V値が170.0nm以下となる条件で成膜することを特徴とするものである。
本発明者は、上記条件で成膜を実施することで、耐電圧が良好な圧電体膜を安定的に提供できることを見出した。
本発明の圧電体膜の成膜方法において、プラズマを用いる気相成長法により、成膜圧力が1.0Pa以下であり、かつ、基板―ターゲット間距離が60mm以上の条件、好ましくは成膜圧力が0.7Pa以下であり、かつ、基板―ターゲット間距離が60mm以上の条件で成膜することが好ましい。
本発明の圧電体膜は耐電圧が高いため、最大印加電圧を高く設定することができる。液体吐出装置等の用途において、最大印加電圧を高く設定して圧電体膜を大きく変位させることができ、好ましい。
図1を参照して、本発明に係る一実施形態の圧電素子及びこれを備えたインクジェット式記録ヘッド(液体吐出装置)の構造について説明する。図1はインクジェット式記録ヘッドの要部断面図(圧電素子の厚み方向の断面図)である。視認しやすくするため、構成要素の縮尺は実際のものとは適宜異ならせてある。
圧電体膜30のパターンは図示するものに限定されず、適宜設計される。また、圧電体膜30は連続膜でも構わない。但し、圧電体膜30は、連続膜ではなく、互いに分離した複数の凸部31からなるパターンで形成することで、個々の凸部31の伸縮がスムーズに起こるので、より大きな変位量が得られ、好ましい。
図2及び図3を参照して、上記実施形態のインクジェット式記録ヘッド3を備えたインクジェット式記録装置の構成例について説明する。図2は装置全体図であり、図3は部分上面図である。
印字部102をなすヘッド3K,3C,3M,3Yが、各々上記実施形態のインクジェット式記録ヘッド3である。
ロール紙を使用する装置では、図2のように、デカール処理部120の後段に裁断用のカッター128が設けられ、このカッターによってロール紙は所望のサイズにカットされる。カッター128は、記録紙116の搬送路幅以上の長さを有する固定刃128Aと、該固定刃128Aに沿って移動する丸刃128Bとから構成されており、印字裏面側に固定刃128Aが設けられ、搬送路を挟んで印字面側に丸刃128Bが配置される。カット紙を使用する装置では、カッター128は不要である。
吸着ベルト搬送部122により形成される用紙搬送路上において印字部102の上流側に、加熱ファン140が設けられている。加熱ファン140は、印字前の記録紙116に加熱空気を吹き付け、記録紙116を加熱する。印字直前に記録紙116を加熱しておくことにより、インクが着弾後に乾きやすくなる。
印字検出部124は、印字部102の打滴結果を撮像するラインセンサ等からなり、ラインセンサによって読み取った打滴画像からノズルの目詰まり等の吐出不良を検出する。
後乾燥部142の後段には、画像表面の光沢度を制御するために、加熱・加圧部144が設けられている。加熱・加圧部144では、画像面を加熱しながら、所定の表面凹凸形状を有する加圧ローラ145で画像面を加圧し、画像面に凹凸形状を転写する。
大きめの用紙に本画像とテスト印字とを同時に並列にプリントする場合には、カッター148を設けて、テスト印字の部分を切り離す構成とすればよい。
インクジェット記記録装置100は、以上のように構成されている。
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、適宜設計変更可能である。
SOI基板上にスパッタ法により、基板温度350℃で、下部電極として30nm厚のTi膜と150nm厚のIr膜とを順次成膜した。この下部電極上に、4μm厚のNbドープPZT圧電体膜を成膜した。成膜条件は以下の通りとした。
成膜装置:Rfスパッタ装置、
ターゲット:Pb1.3((Zr0.52Ti0.48)0.88Nb0.12)O3焼結体(Bサイト中のNb量:12モル%)、
基板温度:450℃、
基板―ターゲット間距離:60mm、
成膜圧力:0.29Pa、
成膜ガス:Ar/O2=97.5/2.5(モル比)。
成膜終了後の圧電体膜をAFMによって表面観察した。図5に、AFM表面像を示す。後記比較例のような大きなグレインは見られず、緻密な膜構造であった。圧電体膜の表面モフォロジをAFMによって測定したところ、表面粗さP−V値は50.15nmであり、表面粗さRa値は7.08nmであった。
最後に基板の裏面側を加工してオープンプール構造を形成して、インクジェット式記録ヘッドを得た。圧電定数d31を測定したところ、d31=250pC/Nであった。
温度40℃/相対湿度80%雰囲気下、100kHz・25Vの条件で駆動したところ、1×1011dot駆動しても、圧電体膜の絶縁破壊及び変位劣化はなく、耐久性が良好であった。
成膜条件及び評価結果を表1,表2に示す。
圧電体膜の成膜条件を表1,表2に示す条件とした以外は実施例1と同様にして、圧電素子及びインクジェット式記録ヘッドを得た。
実施例5〜7では、ターゲット組成をPb1.05((Zr0.52Ti0.48)0.88Nb0.12)O3とした。
実施例8では、ターゲットとしては実施例1と同じターゲットを用い、このターゲット上にBiチップを置くことにより、Bi,NbドープPZT膜を成膜した。Bi量は、Aサイト中4モル%とした。
いずれの膜も、表面粗さP−V値170.0nm以下、表面粗さRa値16.0nm以下、圧電定数d31≧200pC/N以上、耐電圧80V以上であった。耐電圧80.7Vの実施例4の膜について、実施例1と同様に、温度40℃/相対湿度80%雰囲気下、100kHz・25Vの条件で駆動したところ、5.0×1010dot駆動しても、圧電体膜の絶縁破壊及び変位劣化はなく、耐久性が良好であった。耐電圧80V以上の実施例1〜8の膜は、耐電圧61Vの後記比較例1の膜に対して、2桁以上駆動耐久性に優れることが明らかとなった。インクジェット式記録ヘッドとしての用途では、耐電圧80V以上の耐久性が好ましい。
圧電体膜の成膜条件を表1,表2に示す条件とし、成膜ガス組成をAr/O2=99.0/1.0(モル比)とした以外は実施例1と同様にして、圧電素子及びインクジェット式記録ヘッドを得た。
成膜終了後の圧電体膜のTEM断面観察を実施したところ、実施例1と同様の柱状構造膜であった。
成膜終了後の圧電体膜をAFMによって表面観察した。図6に、AFM表面像を示す。実施例1の膜とは異なり、多数の大きなグレインが見られ、グレイン間の間隙が多い膜構造であった。
圧電体膜の表面モフォロジをAFMによって測定したところ、表面粗さP−V値は198.6nmであり、表面粗さRa値は25.5nmであった。
圧電定数d31を測定したところ、d31=190pC/Nであった。100kHz・25Vの条件で駆動したところ、1×108dot駆動させたときに絶縁破壊が起こり、変位しなくなった。評価結果を表1,表2に示す。
圧電体膜の成膜条件を表1,表2に示す条件とした以外は比較例1と同様にして、圧電素子及びインクジェット式記録ヘッドを得た。
いずれの例においても、TEM断面像及びAFM表面像は比較例1と同様であった。その他の評価結果を表2に示す。
実施例1〜8及び比較例1〜4で得られた膜について、表面粗さP−V値と耐電圧との関係、及び表面粗さRa値と耐電圧との関係を各々図7A,図7Bに示す。
図7A,図7Bに示すように、表面粗さP−V値と耐電圧との間、表面粗さRa値と耐電圧との間には相関関係があり、表面粗さP−V値が170.0nm以下、表面粗さRa値が16.0nm以下のときに耐電圧80V以上となった。
電圧を印加したときの破壊モードは、下記式で表される最弱リンクモデルで近似することができる。本発明者は、Px=0.9に設定し、最弱リンクモデルの上記式でmとE0を変化させ、プロットがフィッティング曲線上にのるmとE0を求めた。
得られた膜では、シェープパラメータm=1として結果を近似すると、プロットがフィッティング曲線上にきれいにのることが明らかとなった。フィッティング曲線及びE0の値を図8に示す。E0の値を表2に示す。
表面粗さP−V値とE0との関係を図9に示す。
また、E0>250kV/cmのとき、好ましくはE0≧347kV以上のときに、表面粗さP−V値が170.0nm以下となり、耐電圧が80V以上となることが明らかとなった。すなわち、E0>250kV/cm、好ましくはE0≧347kV以上となる条件で成膜を行えば、耐電圧80V以上の膜が安定的に得られることが明らかとなった。
上記式を破壊電圧に直し、P−V値hを式に組み込むと、以下のようになる。下記式から、VはP−V値hに反比例することが明らかとなった。これは、図7Aの結果と対応している。
SOI基板上にスパッタ法により、基板温度350℃で、下部電極として30nm厚のTi膜と150nm厚のIr膜とを順次成膜した。この下部電極上に、ゾルゲル法により圧電体膜を成膜した。
具体的には、上記下部電極上に、スピンコート法により、Pb1.05(Zr0.46Ti0.42Nb0.12)Oxのコーティング液(濃度0.5mol/l)を、毎分500回転で5秒、さらに毎分2000回転で15秒塗布して、ほぼ一定の厚みで塗布を行った。塗布後、250℃にて5分程度乾燥させた。この乾燥後、さらに大気雰囲気下において400℃で10分間脱脂を行った。以上の塗布→乾燥→脱脂の各工程を計5回繰り返して5層の圧電体層を積層した。5層重ね塗りの後、さらに圧電体の結晶化を促進して圧電体としての特性を向上させるために、RTAによって800℃で10分間加熱を行った。得られた薄膜をXRDにて分析したところ、ペロブスカイト結晶構造が得られていることが確認された。5層積層構造の圧電体膜の総膜厚は1.2μmであった。この圧電体膜の表面モフォロジをAFMによって測定したところ、表面粗さP−V値は120.5nmであった。
SOI基板上にスパッタ法により、基板温度350℃で、下部電極として30nm厚のTi膜と150nm厚のIr膜とを順次成膜した。この下部電極上に、ゾルゲル法により圧電体膜を成膜した。
具体的には、上記下部電極上に、スピンコート法により、Pb1.05(Zr0.46Ti0.42Nb0.06)Oxのコーティング液(濃度0.7mol/l)を、毎分500回転で5秒、さらに毎分2000回転で15秒塗布して、ほぼ一定の厚みで塗布を行った。塗布後、250℃にて5分程度乾燥させた。この乾燥後、さらに大気雰囲気下において400℃で10分間脱脂を行った。以上の塗布→乾燥→脱脂の各工程を計5回繰り返して5層の圧電体層を積層した。5層重ね塗りの後、さらに圧電体層の結晶化を促進して圧電体としての特性を向上させるために、RTAによって700℃で10分間加熱を行った。得られた薄膜をXRDにて分析したところ、ペロブスカイト結晶構造が得られていることが確認された。5層積層構造の圧電体膜の総膜厚は1.0μmであった。この圧電体膜の表面モフォロジをAFMによって測定したところ、表面粗さP−V値は220nmであった。
3、3K,3C,3M,3Y インクジェット式記録ヘッド(液体吐出装置)
10 基板
20、40 電極
30 圧電体膜
60 インクノズル(液体貯留吐出部材)
61 インク室(液体貯留室)
62 インク吐出口(液体吐出口)
100 インクジェット式記録装置
Claims (10)
- 膜表面に対して非平行方向に延びる多数の柱状体からなりかつ下部電極上に成膜された柱状構造膜であり、
成膜終了時の膜表面における最大高さ(ピーク値P)と最小高さ(バレー値V)との差で規定される表面粗さP−V値が170.0nm以下であり、
圧電定数d31>150pc/Nであり、かつ、電流値が1μA以上となる印加電圧により定義される絶縁破壊電圧が80V以上であることを特徴とする圧電体膜。 - 圧電定数d31≧200pc/Nであることを特徴とする請求項1に記載の圧電体膜。
- 絶縁破壊電圧が80〜200Vであることを特徴とする請求項1又は2に記載の圧電体膜。
- 膜厚が1.0μm以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の圧電体膜。
- 膜厚が2.0〜4.0μmであることを特徴とする請求項4に記載の圧電体膜。
- 下記式で表される1種又は2種以上のペロブスカイト型酸化物(P)からなる(不可避不純物を含んでいてもよい)ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の圧電体膜。
一般式ABO3・・・(P)
(式中、A:Aサイトの元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素。
B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe,及びNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素。
O:酸素元素。
Aサイト元素とBサイト元素と酸素元素のモル比は1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。) - 下記式で表される1種又は2種以上のペロブスカイト型酸化物(PX)からなる(不可避不純物を含んでいてもよい)ことを特徴とする請求項6に記載の圧電体膜。
A(Zrx,Tiy,Mz)O・・・(PX)
(式中、A:Aサイトの元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素。
Mは1種又は2種以上の金属元素を示す。
0<x、0<y、0<z。
Aサイト元素(A)とBサイト元素(Zr,Ti,M)と酸素元素のモル比は1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。) - ペロブスカイト型酸化物(PX)のMが、V,Nb,Ta,及びSbからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素であることを特徴とする請求項7に記載の圧電体膜。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の圧電体膜と、該圧電体膜に対して電界を印加する下部電極及び上部電極とを備え、
前記圧電体膜が前記下部電極上に成膜されたものであることを特徴とする圧電素子。 - 請求項9に記載の圧電素子と、該圧電素子に隣接して設けられた液体吐出部材とを備え、該液体吐出部材は、液体が貯留される液体貯留室と、前記圧電体膜に対する前記電界の印加に応じて該液体貯留室から外部に前記液体が吐出される液体吐出口とを有することを特徴とする液体吐出装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009287227A JP5592104B2 (ja) | 2009-02-17 | 2009-12-18 | 圧電体膜並びにそれを備えた圧電素子及び液体吐出装置 |
US12/656,737 US8641173B2 (en) | 2009-02-17 | 2010-02-16 | Piezoelectric film, method for forming piezoelectric film, piezoelectric device and liquid discharge device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009033398 | 2009-02-17 | ||
JP2009033398 | 2009-02-17 | ||
JP2009287227A JP5592104B2 (ja) | 2009-02-17 | 2009-12-18 | 圧電体膜並びにそれを備えた圧電素子及び液体吐出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010219493A JP2010219493A (ja) | 2010-09-30 |
JP5592104B2 true JP5592104B2 (ja) | 2014-09-17 |
Family
ID=42630618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009287227A Active JP5592104B2 (ja) | 2009-02-17 | 2009-12-18 | 圧電体膜並びにそれを備えた圧電素子及び液体吐出装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8641173B2 (ja) |
JP (1) | JP5592104B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5930853B2 (ja) * | 2012-06-05 | 2016-06-08 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッドの製造方法、インクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録装置 |
JP6225544B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2017-11-08 | 株式会社デンソー | 圧電素子の製造方法 |
US9147826B2 (en) * | 2014-01-23 | 2015-09-29 | Tdk Corporation | Thin film piezoelectric element, thin film piezoelectric actuator, and thin film piezoelectric sensor; and hard disk drive, and inkjet printer |
CN106920860B (zh) * | 2017-04-26 | 2018-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光电转换器件、阵列基板、彩膜基板和显示装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3473608B2 (ja) | 1992-04-23 | 2003-12-08 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド |
JPH06181344A (ja) | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 圧電素子 |
JPH08125245A (ja) | 1994-10-28 | 1996-05-17 | Sony Corp | 圧電素子 |
JP3209082B2 (ja) | 1996-03-06 | 2001-09-17 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体薄膜素子及びその製造方法、並びにこれを用いたインクジェット式記録ヘッド |
JP3682684B2 (ja) * | 1997-10-20 | 2005-08-10 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体薄膜素子の製造方法 |
JP3591316B2 (ja) | 1998-08-12 | 2004-11-17 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電アクチュエータ、インクジェット式記録ヘッド、及びプリンタ |
JP2003188433A (ja) | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電素子、インクジェットヘッドおよびそれらの製造方法、並びにインクジェット式記録装置 |
JP2005033379A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Tdk Corp | 薄膜バルク波振動子およびその製造方法 |
JP4737375B2 (ja) * | 2004-03-11 | 2011-07-27 | セイコーエプソン株式会社 | アクチュエータ装置の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法並びに液体噴射装置の製造方法 |
JP2005333108A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電素子、インクジェットヘッド、角速度センサ及びインクジェット式記録装置 |
US7312558B2 (en) | 2004-04-02 | 2007-12-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric element, ink jet head, angular velocity sensor, and ink jet recording apparatus |
JP2006303425A (ja) | 2005-03-22 | 2006-11-02 | Seiko Epson Corp | 圧電素子及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置 |
JP2008055871A (ja) | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Canon Inc | 圧電体素子 |
JP5194463B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2013-05-08 | パナソニック株式会社 | 圧電体薄膜素子の製造方法 |
EP1973177B8 (en) | 2007-03-22 | 2015-01-21 | FUJIFILM Corporation | Ferroelectric film, process for producing the same, ferroelectric device, and liquid discharge device |
JP2008266771A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-11-06 | Fujifilm Corp | 強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 |
JP4299360B2 (ja) * | 2007-08-21 | 2009-07-22 | 富士フイルム株式会社 | 圧電素子及びそれを用いた液体吐出装置 |
JP2010080813A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Fujifilm Corp | 圧電体膜とその製造方法、圧電素子、及び液体吐出装置 |
JP5399165B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2014-01-29 | 富士フイルム株式会社 | 成膜方法、成膜装置、圧電体膜、圧電素子、液体吐出装置、及び圧電型超音波振動子 |
-
2009
- 2009-12-18 JP JP2009287227A patent/JP5592104B2/ja active Active
-
2010
- 2010-02-16 US US12/656,737 patent/US8641173B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010219493A (ja) | 2010-09-30 |
US8641173B2 (en) | 2014-02-04 |
US20100214369A1 (en) | 2010-08-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4091641B2 (ja) | 圧電素子とその製造方法、及びインクジェット式記録ヘッド | |
JP4299360B2 (ja) | 圧電素子及びそれを用いた液体吐出装置 | |
EP2168770B1 (en) | Piezoelectric film and method for manufacturing the same, piezoelectric device, and liquid discharge apparatus | |
JP2008266770A (ja) | 強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 | |
JP5497394B2 (ja) | 圧電アクチュエータとその駆動方法、液体吐出装置、圧電型超音波振動子 | |
JP5399166B2 (ja) | 柱状構造膜とその成膜方法、圧電素子、液体吐出装置、及び圧電型超音波振動子 | |
JP2008252071A (ja) | 圧電素子とその製造方法、及び液体吐出装置 | |
JP2009117592A (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜、強誘電体素子、及び液体吐出装置 | |
JP4246227B2 (ja) | 圧電膜とその成膜方法、及び圧電素子 | |
JP6392469B2 (ja) | 圧電体膜、圧電素子、および液体吐出装置 | |
JP5088916B2 (ja) | 無機膜基板の製造方法 | |
JP2009062564A (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 | |
JP5265973B2 (ja) | 圧電素子及び液体吐出装置 | |
JP5329820B2 (ja) | 液体吐出装置 | |
JP5290610B2 (ja) | 圧電膜の成膜方法 | |
JP5592104B2 (ja) | 圧電体膜並びにそれを備えた圧電素子及び液体吐出装置 | |
JP2007258389A (ja) | 圧電膜とその製造方法、及び圧電素子 | |
JP4993294B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 | |
JP2007314368A (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電素子、圧電アクチュエータ、及び液体吐出装置 | |
WO2016051644A1 (ja) | 圧電素子とその製造方法、アクチュエータ、及び液体吐出装置 | |
JP2007281049A (ja) | 積層素子、圧電素子、及びインクジェット式記録ヘッド | |
JP5497405B2 (ja) | 圧電体膜とその成膜方法、圧電素子、液体吐出装置、及び圧電型超音波振動子 | |
JP5449970B2 (ja) | 圧電体膜の成膜方法、圧電素子、液体吐出装置、及び圧電型超音波振動子 | |
JP4564580B2 (ja) | 圧電体膜の製造方法およびそれにより製造された圧電体膜 | |
JP5243821B2 (ja) | 無機膜とその製造方法、圧電素子、及び液体吐出装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120629 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131022 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140311 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140507 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140729 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140731 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5592104 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |