JP5589576B2 - 半導体装置の製造方法及び半導体基板 - Google Patents
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Description
図11〜図16は本実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図であり、図17〜図21はその平面図である。
本実施形態では、以下のようにして半導体基板30の表面に疎水性の程度が異なる二つの領域を形成することで、半導体基板30の所定領域のみに保護膜35を選択的に形成できるようにする。
本実施形態では、以下のようにして半導体基板30の表面に親水性の領域を設け、当該領域に保護膜35を形成する。
第2、第3実施形態では、疎水性薄膜43の材料としてテフロン等のフッ素系樹脂を使用した。これに対し、本実施形態では、以下のように陽極酸化を利用して疎水性薄膜43を形成する。
この後は、第1実施形態と同様にレーザーアブレーションとダイシングとを行うが、その詳細については省略する。
本実施形態では、以下のようにプラズマ処理によりスクライブ領域Rsにおける半導体基板30の疎水性を低める。
第2〜第5実施形態では、パシベーション膜25の窓25a内の一部領域にのみ凸レンズ状の保護膜35を形成した。
本実施形態では、以下のようにしてパシベーション膜25の窓25aの側面をテーパー状に傾斜させる。
本実施形態では、以下のようにしてスクライブ領域Rsに二本の保護膜35を形成する。
第1〜第8実施形態では、保護膜35を形成するために半導体基板30上にPVAを塗布した。本実施形態では、PVAの塗布に有用な半導体装置の製造方法について説明する。
第1〜第9実施形態では、PVAを硬化させて保護膜35とした。
前記保護膜にレーザー光を照射して、前記スクライブ領域の前記多層膜を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
を含むことを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記レーザー光を、前記保護膜の延在する方向に沿って所定の間隔をもってスポット状に照射する
ことを特徴とする付記1又は付記2に記載の半導体装置の製造方法。
を含むことを特徴とする付記1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記保護膜は、前記スクライブ領域にデスペンサーを用いて前記部材を塗布することにより形成される
ことを特徴とする付記1乃至4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体基板の側方にダム設け、該ダムと前記半導体基板の外周側面との間に前記部材を溜めて、該部材を前記スクライブ領域に流通させて前記保護膜を形成する
ことを特徴とする付記1乃至4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
を含むことを特徴とする付記5に記載の半導体装置の製造方法。
を含むことを特徴とする付記8に記載の半導体装置の製造方法。
を含むことを特徴とする付記5に記載の半導体装置の製造方法。
前記パシベーション膜を加熱して軟化させることにより、前記窓の側面をだれさせて傾斜させる工程とを有し、
前記保護膜を形成する工程において、該保護膜の液体材料を前記窓内に塗布することを特徴とする付記5に記載の半導体装置の製造方法。
Claims (12)
- 複数の半導体素子領域が形成された半導体基板のスクライブ領域の多層膜上に、中央部の厚さが端面より厚く、帯状で、レーザー光を透過する部材からなる2本の並行する保護膜を形成する工程と、
前記2本の保護膜のそれぞれにレーザー光を照射して、前記スクライブ領域の前記多層膜を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜にレーザー光を照射して、前記スクライブ領域上の多層膜を除去する工程において、
前記レーザー光を、前記保護膜の延在する方向に沿って所定の間隔をもってスポット状に照射する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - さらに、前記スクライブ領域をダイシングブレードで切断し、前記半導体基板を半導体素子に個片化する工程と
を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜を形成する工程において、
前記保護膜は、前記スクライブ領域にデスペンサーを用いて前記部材を塗布することにより形成される
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜を形成する工程の前に、前記スクライブ領域を除く領域にフッ素系コーティング処理又は表面を粗くする処理を施す工程と、
を含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 複数の半導体素子領域が形成され、スクライブ領域の多層膜上に、中央部の厚さが端面より厚く、帯状で、レーザー光を透過する部材からなる2本の並行する保護膜が形成されていることを特徴とする半導体基板。
- 前記多層膜は、低誘電率絶縁膜を含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体基板。
- 前記保護膜は、PVA(ポリビニルアルコール)であることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の半導体基板。
- 半導体基板の半導体素子領域の多層膜上方に疎水性膜を形成する工程と、
前記疎水性膜を形成した後、前記半導体基板のスクライブ領域の多層膜上方に、中央部の厚さが端面より厚く、帯状で、レーザー光を透過する部材からなる保護膜を形成する工程と、
前記保護膜にレーザー光を照射して、前記スクライブ領域の前記多層膜を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜を形成する前に、前記スクライブ領域の多層膜上に親水性膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体素子領域の多層膜上方に疎水性膜が形成され、スクライブ領域の多層膜上方に、中央部の厚さが端面より厚く、帯状で、レーザー光を透過する部材からなる保護膜が形成されていることを特徴とする半導体基板。
- 前記スクライブ領域の多層膜上と前記保護膜との間に親水性膜が形成されていることを特徴とする請求項11に記載の半導体基板。
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