JP4751353B2 - データ検証方法及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
データ検証方法及び荷電粒子ビーム描画装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4751353B2 JP4751353B2 JP2007055040A JP2007055040A JP4751353B2 JP 4751353 B2 JP4751353 B2 JP 4751353B2 JP 2007055040 A JP2007055040 A JP 2007055040A JP 2007055040 A JP2007055040 A JP 2007055040A JP 4751353 B2 JP4751353 B2 JP 4751353B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cell
- data
- pattern
- cell patterns
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 56
- 238000013524 data verification Methods 0.000 title claims description 43
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 17
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 22
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 19
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向される。そして、可変成形開口421の一部を通過して、ステージ上に搭載された試料340に照射される。また、ステージは、描画中、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動する。すなわち、開口411と可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。開口411と可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
試料の描画領域に荷電粒子ビームを用いてセルパターンを描画するための描画データを検証するデータ検証方法であって、
描画領域を仮想分割した複数の小領域のうち、少なくとも2つ以上の小領域に跨るセルパターンを定義するデータに対して識別子が付加されたセルパターンを含む複数のセルパターンを描画するための描画データを入力する入力工程と、
複数のセルパターンの中から上述した識別子が付加されたセルパターンを抽出する抽出工程と、
抽出されたセルパターンが1つだけであった場合に、エラー結果を出力する出力工程と、
を備えたことを特徴とする。
データ検証方法は、さらに、
抽出されたセルパターンが複数存在した場合に、抽出された複数のセルパターンの第1の配置座標をそれぞれ描画領域の基準位置からの第2の配置座標に変換する配置座標変換工程と、
第2の配置座標に変換された複数のセルパターンの中から第2の配置座標が一致するセルパターンの組を抽出する第2の抽出工程と、
第2の配置座標が一致するセルパターンの組が存在しない場合に、エラー結果を出力する第2の出力工程と、
を備えると好適である。
同じ図形要素から構成される同一のセルパターンのデータには、第2の識別子が付加されており、
データ検証方法は、さらに、
第2の配置座標が一致するセルパターンの組が存在する場合であって、異なる第2の識別子が付加されているセルパターンの組が存在する場合に、エラー結果を出力し、異なる第2の識別子が付加されているセルパターンの組が存在しない場合に、エラーが無いことを示す結果を出力する第3の出力工程と、
を備えると好適である。
データ検証方法は、さらに、
第2の配置座標が一致するセルパターンの組が存在する場合に、セルパターンの組の各セルパターンを構成する少なくとも1つの図形要素が互いに一致するかどうかを比較する比較工程と、
比較された結果、互いに一致しないセルパターンの組が存在した場合に、エラー結果を出力し、互いに一致しないセルパターンの組が存在しない場合に、エラーが無いことを示す結果を出力する第3の出力工程と、
を備えると好適である。
描画領域を仮想分割した複数の小領域のうち、少なくとも2つ以上の小領域に跨るセルパターンを定義するデータに対して識別子が付加されたセルパターンを含む複数のセルパターンを描画するための描画データを入力する入力部と、
複数のセルパターンの中から識別子が付加されたセルパターンを抽出する抽出部と、
抽出されたセルパターンが1つだけであった場合に、エラー結果を出力する出力部と、
エラー結果が出力されない描画データに基づいて、試料に荷電粒子ビームを照射して複数のセルパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の要部構成の一例を示す概念図である。
図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例となる。そして、描画装置100は、試料101に描画データに基づくパターンを描画する。制御部160は、記憶装置112,116,130、分散回路114、並列演算ユニット(PPU:Parallel Processing unit)122,124,126、制御回路140、データ検証回路170、記憶装置172、モニタ212を有している。記憶装置112,116,130,172としては、例えば、磁気ディスク装置やメモリ等が挙げられる。データ検証回路170内には、データ入力部210、多重定義セル抽出部220、配置座標変換部230、同一セル抽出部240、判定部244、出力部250が配置されている。描画部150は、電子鏡筒102、描画室103を有している。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、偏向器208が配置されている。また、描画室103内には、移動可能に配置されたXYステージ105が配置されている。また、XYステージ105上には、試料101が配置されている。試料101として、例えば、ウェハにパターンを転写する露光用のマスクが含まれる。また、このマスクは、例えば、まだ何もパターンが形成されていないマスクブランクスが含まれる。また、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。
図2では、セル40がフレーム20とフレーム22に跨って配置される。また、セル42は、全体がフレーム20に配置され、セル44は、全体がフレーム22に配置される。描画データ12の段階では、各セルがいずれか1つの小領域(ここではフレーム)に定義されるため、セル40は、基準位置が属するフレーム22に定義される。ここでは、例えば、セルの基準位置として、セルの左下の頂点の位置を用いている。その他の位置を基準位置にしても構わない。その場合、基準位置にした箇所が属するフレームに定義されることになることは言うまでもない。また、セル42は、基準位置が属するフレーム20に定義される。セル44は、基準位置が属するフレーム22に定義される。また、各セルは、フレーム22の基準位置からセルの基準位置の配置座標が定義される。フレームの基準位置も同様にフレームの左下の頂点の位置を用いればよい。上述したようにその他の位置を基準位置にしても構わない。その場合、基準位置にした箇所から各セルの座標位置が定義されることになることは言うまでもない。そして、このような描画データ12が、分散回路114によりフレーム毎に振り分けられると、図2に示すように、セル40がフレーム20,22の両方に定義される。
セルパターンデータ14には、各セルのデータが格納される。図3では、セル40のデータを示すセルパターンデータA、セル42のデータを示すセルパターンデータB、及びセル44のデータを示すセルパターンデータCを示している。そして、複数の小領域を跨るセルのセルパターンデータAを示すセルパターンデータ16には、フラグとインデックスが付加される。
まず、入力工程(S102)として、データ入力部210は、振り分けられた描画データを入力する。描画データは、記憶装置116から読み出せばよい。また、この描画データは、少なくとも2つ以上のフレームに跨るセルを定義するデータに対してフラグが付加されたセルを含む複数のセルを描画するためのデータとなる。例えば、図2の例では、跨るセル40とその他のセル42,44を描画するためのデータとなる。また、その他に、フレームのマージン情報等のパラメータやチップ枠情報についても入力する。
本来、フレーム20とフレーム22に該当するセルが振り分けられた際に、セル40は、双方に定義されるはずである。しかし、処理エラーが生じた場合には、図5に示すように、フレーム20にセル40が定義されないことも起こり得る。その場合には、フレーム20に定義されたはずのセル40は存在しないからフラグも存在しない。よって、抽出されないことになる。そこで、このように、セルが1つだけしか抽出されない場合には、出力工程として、出力部250は、エラー結果(NG情報)を出力する。出力されたエラー結果は、制御回路140に送信される。これを受けて制御回路140では、その後の描画を中止させることができる。また、エラー結果は、モニタ212に表示され、ユーザが確認することができる。そして、さらに、データ検証の精度を上げるためには次のステップに進むと好適である。
ここでは、セル40について、絶対座標系となる描画領域30の基準位置Qからの座標位置に変換した例を示している。ここで、描画領域30としては、マスク基板面の描画領域でも良いし、チップ領域でも構わない。通常、1つのマスク基板には、複数のチップが配置されるため、チップ毎に絶対座標系を構成すればよい。チップ毎に絶対座標系は、データ入力部210が入力したチップ枠情報に定義される。
図8は、実施の形態1におけるフレームからはみ出した部分を削除する処理を説明するための図である。
例えば、フレーム20に定義されたセル40について、フレーム20の領域からはみ出した部分は、他のフレームの領域となるので削除する。図7の例では、削除したことによって、部分セル43が生成される。そして、PPU122,124,126では、その後に、或いは同時期に描画データを装置内部フォーマットの図形データに変換する。そして、変換された図形データは、記憶装置130に格納される。
実施の形態1では、インデックスを識別子として、同一セルかどうかを判定した。実施の形態2では、インデックスがセルのデータに付加されていない場合について説明する。
図9は、実施の形態2における描画装置の要部構成の一例を示す概念図である。
図9では、図1における構成にさらに、セル構成比較部242を追加した点以外は、図1と同様である。実施の形態2においても、図1と同様、データ検証回路170の構成要素をハードウェア、或いは、ソフトウェア、或いは、ハードウェアとソフトウェアとの組合せ、或いは、ハードウェアとファームウェアとの組合せで構成しても構わない。同一セル抽出工程までの各工程は実施の形態1と同様である。但し、分散回路114は、インデックスの付加を行なわない。
セルパターンデータ15には、各セルのデータが格納される。図11では、セル40のデータを示すセルパターンデータA、セル42のデータを示すセルパターンデータB、及びセル44のデータを示すセルパターンデータCを示している。そして、複数の小領域を跨るセルのセルパターンデータ17には、フラグが付加される。
図12の例では、フレーム20に定義されたセル40は、図形82,84で構成される。一方、フレーム22に定義されたセル45は、図形86で構成される。よって、この両者を比較した場合、図形要素が互いに一致しないという結果となる。言い換えれば、絶対座標系で一致する複数のセルの中で、図形要素が一致するセルが見つからない場合に、「一致しない」という結果となる。そこで、比較された結果、互いに一致するセルの組が存在しない場合に、出力工程として、出力部250は、エラー結果を出力する。出力されたエラー結果は、制御回路140に送信される。これを受けて制御回路140では、その後の描画を中止させることができる。また、エラー結果は、モニタ212に表示され、ユーザが確認することができる。また、互いに一致しないセルの組が存在しない場合に、エラーが無いことを示すOK結果を出力する。OK結果は、モニタ212に表示され、ユーザが確認することができる。
実施の形態1,2では、PPUによるデータ変換前の描画データを用いてデータ検証を行なっていた。特に、実施の形態2では、PPUによりフレーム領域からはみ出たセル部分を削除する前の段階での検証であったので、セルの内部構成同士が一致するかどうかを比較することが可能であった。実施の形態3では、PPUによりフレーム領域からはみ出たセル部分を削除した後の段階でのデータ検証の手法について説明する。
図13では、データ検証回路170が、記憶装置130からデータ入力する点以外は、図1と同様である。また、データ検証方法のフローチャートも図4と同様である。その他、データ検証回路170が、記憶装置130からデータ入力する点以外は、実施の形態1と同様である。PPUによりフレーム領域からはみ出たセル部分が削除されたとしても、元々同一のセルであったデータには、インデックスが付加されているので、インデックスを判定することで、実施の形態1と同様にデータ検証を行なうことができる。
図14は、マージン領域が設けられたフレームにセルが跨る場合を示している。
通常、各フレームには、マージン領域が設けられる。そのため、跨っているかどうかの判断についても、マージンを考慮しても良い。例えば、セル46は、マージンに関係なく、本来のフレームの領域境界を跨いでいる。この場合には、各実施の形態で説明した通りとなる。一方、セル47は、フレーム24のマイナスy方向に設けられたマージン領域中にその一部がかかっている。また、セル48は、フレーム26のプラスy方向に設けられたマージン領域中にその一部がかかっている。これらマージン領域にだけ跨っている場合、後に、PPUにて領域からはみ出た部分を削除する際の境界線をどこに設定するかで多重にセルを振り分けるかどうかを決めればよい。例えば、描画装置100がマイナスy方向マージンを含むように境界線を設定する場合には、セル47は、双方のフレームに振り分ければよい。そして、その場合には、セル47のデータにフラグやインデックスを付加しておくことは言うまでもない。或いは、例えば、描画装置100がプラスy方向マージンを含むように境界線を設定する場合には、セル48は、双方のフレームに振り分ければよい。そして、その場合には、セル48のデータにフラグやインデックスを付加しておくことは言うまでもない。マージンの情報は、データ入力部210がパラメータとして入力している情報を用いればよい。
コンピュータとなるCPU50は、バス74を介して、RAM(ランダムアクセスメモリ)52、ROM54、磁気ディスク(HD)装置62、キーボード(K/B)56、マウス58、外部インターフェース(I/F)60、モニタ64、プリンタ66、FD68、DVD70、CD72に接続されている。ここで、RAM(ランダムアクセスメモリ)52、ROM54、磁気ディスク(HD)装置62、FD68、DVD70、CD72は、記憶装置の一例である。キーボード(K/B)56、マウス58、外部インターフェース(I/F)60、FD68、DVD70、CD72は、入力手段の一例である。外部インターフェース(I/F)60、モニタ64、プリンタ66、FD68、DVD70、CD72は、出力手段の一例である。
14,15 セルパターンデータファイル
16,17 セルパターンデータ
20,22,24,26 フレーム
30 描画領域
40,41,42,44,45,46,47,48 セル
50 CPU
52 RAM
54 ROM
56 K/B
58 マウス
60 I/F
62 HD装置
64 モニタ
66 プリンタ
68 FD
70 DVD
72 CD
74 バス
82,84,86 図形
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
112,116,130,172 記憶装置
114 分散回路
122,124,126 PPU
140 制御回路
150 描画部
160 制御部
170 データ検証回路
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
206,420 第2のアパーチャ
204 投影レンズ
205,208 偏向器
207 対物レンズ
210 データ入力部
212 モニタ
220 多重定義セル抽出部
230 配置座標変換部
240 同一セル抽出部
244 判定部
245 セル構成比較部
250 出力部
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 試料の描画領域に荷電粒子ビームを用いてセルパターンを描画するための描画データを検証するデータ検証方法であって、
描画領域を仮想分割した複数の小領域のうち、少なくとも2つ以上の小領域に跨るセルパターンを定義するデータに対して識別子が付加されたセルパターンを含む複数のセルパターンを描画するための描画データを入力する入力工程と、
前記複数のセルパターンの中から前記識別子が付加されたセルパターンを抽出する抽出工程と、
抽出されたセルパターンが1つだけであった場合に、エラー結果を出力する出力工程と、
を備えたことを特徴とするデータ検証方法。 - 前記複数のセルパターンは、前記複数の小領域のうち、自己が配置される小領域の基準位置から第1の配置座標が定義され、
前記データ検証方法は、さらに、
抽出されたセルパターンが複数存在した場合に、抽出された複数のセルパターンの第1の配置座標をそれぞれ前記描画領域の基準位置からの第2の配置座標に変換する配置座標変換工程と、
前記第2の配置座標に変換された複数のセルパターンの中から前記第2の配置座標が一致するセルパターンの組を抽出する第2の抽出工程と、
前記第2の配置座標が一致するセルパターンの組が存在しない場合に、エラー結果を出力する第2の出力工程と、
を備えたことを特徴とする請求項1記載のデータ検証方法。 - 前記セルパターンは、少なくとも1つの図形要素から構成され、
同じ図形要素から構成される同一のセルパターンのデータには、第2の識別子が付加されており、
前記データ検証方法は、さらに、
前記第2の配置座標が一致するセルパターンの組が存在する場合であって、異なる第2の識別子が付加されているセルパターンの組が存在する場合に、エラー結果を出力し、異なる第2の識別子が付加されているセルパターンの組が存在しない場合に、エラーが無いことを示す結果を出力する第3の出力工程と、
を備えたことを特徴とする請求項2記載のデータ検証方法。 - 前記セルパターンは、少なくとも1つの図形要素から構成され、
前記データ検証方法は、さらに、
前記第2の配置座標が一致するセルパターンの組が存在する場合に、前記セルパターンの組の各セルパターンを構成する少なくとも1つの図形要素が互いに一致するかどうかを比較する比較工程と、
比較された結果、互いに一致しない前記セルパターンの組が存在した場合に、エラー結果を出力し、互いに一致しない前記セルパターンの組が存在しない場合に、エラーが無いことを示す結果を出力する第3の出力工程と、
を備えたことを特徴とする請求項2記載のデータ検証方法。 - 描画領域を仮想分割した複数の小領域のうち、少なくとも2つ以上の小領域に跨るセルパターンを定義するデータに対して識別子が付加されたセルパターンを含む複数のセルパターンを描画するための描画データを入力する入力部と、
前記複数のセルパターンの中から前記識別子が付加されたセルパターンを抽出する抽出部と、
抽出されたセルパターンが1つだけであった場合に、エラー結果を出力する出力部と、
前記エラー結果が出力されない前記描画データに基づいて、試料に荷電粒子ビームを照射して前記複数のセルパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007055040A JP4751353B2 (ja) | 2007-03-06 | 2007-03-06 | データ検証方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
US12/042,712 US7949966B2 (en) | 2007-03-06 | 2008-03-05 | Data verification method, charged particle beam writing apparatus, and computer-readable storage medium with program |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007055040A JP4751353B2 (ja) | 2007-03-06 | 2007-03-06 | データ検証方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008218767A JP2008218767A (ja) | 2008-09-18 |
JP4751353B2 true JP4751353B2 (ja) | 2011-08-17 |
Family
ID=39742509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007055040A Active JP4751353B2 (ja) | 2007-03-06 | 2007-03-06 | データ検証方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7949966B2 (ja) |
JP (1) | JP4751353B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5001563B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2012-08-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子線描画データの作成方法 |
JP5139658B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2013-02-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データ処理制御装置 |
JP5357530B2 (ja) * | 2008-12-16 | 2013-12-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画用データの処理方法、描画方法、及び描画装置 |
JP5586183B2 (ja) * | 2009-07-15 | 2014-09-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法および装置 |
JP5547553B2 (ja) * | 2010-05-26 | 2014-07-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法 |
JP5662863B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-02-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5792513B2 (ja) * | 2011-05-20 | 2015-10-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5985852B2 (ja) | 2012-03-27 | 2016-09-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6295035B2 (ja) | 2013-07-10 | 2018-03-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6316052B2 (ja) | 2014-03-26 | 2018-04-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6484491B2 (ja) * | 2015-04-10 | 2019-03-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3125724B2 (ja) | 1997-08-22 | 2001-01-22 | 日本電気株式会社 | 荷電粒子線描画用のパターンデータ作成方法 |
JP2000106337A (ja) * | 1998-09-29 | 2000-04-11 | Sony Corp | データベースの作成・保持方法及び該方法を用いた電子ビーム露光システム |
JP2000105832A (ja) * | 1998-09-29 | 2000-04-11 | Toshiba Corp | パターン検査装置、パターン検査方法およびパターン検査プログラムを格納した記録媒体 |
JP2002246294A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Nikon Corp | Lsi設計用スクリーンエディタ |
US7024638B2 (en) * | 2003-07-14 | 2006-04-04 | Cadence Design Systems, Inc. | Method for creating patterns for producing integrated circuits |
JP2006209019A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Fujitsu Ltd | 配線接続方法、レチクル、及び半導体装置 |
US7871653B2 (en) * | 2008-01-30 | 2011-01-18 | Ocean Duke Corporation | Double-stack shrimp tray |
US20100275154A1 (en) * | 2009-04-23 | 2010-10-28 | Noam Livnat | System and Method For Securely Presenting Data |
-
2007
- 2007-03-06 JP JP2007055040A patent/JP4751353B2/ja active Active
-
2008
- 2008-03-05 US US12/042,712 patent/US7949966B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008218767A (ja) | 2008-09-18 |
US7949966B2 (en) | 2011-05-24 |
US20080221816A1 (en) | 2008-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4751353B2 (ja) | データ検証方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP5001563B2 (ja) | 荷電粒子線描画データの作成方法 | |
US7698682B2 (en) | Writing error verification method of pattern writing apparatus and generation apparatus of writing error verification data for pattern writing apparatus | |
US7569842B2 (en) | Method for correcting electron beam exposure data | |
US8255441B2 (en) | Figure data verification apparatus and method therefor | |
JP4778777B2 (ja) | 荷電粒子線描画データの作成方法 | |
JP4695942B2 (ja) | データの検証方法 | |
JP5063320B2 (ja) | 描画装置及び描画データの変換方法 | |
US6200710B1 (en) | Methods for producing segmented reticles | |
JP4828460B2 (ja) | 描画データ作成方法及び描画データファイルを格納した記憶媒体 | |
JP5148233B2 (ja) | 描画装置及び描画方法 | |
JP2010278179A (ja) | 描画装置の描画エラー検証方法及び描画装置の描画エラー検証用データの作成装置 | |
JP3045114B2 (ja) | 荷電粒子線描画用データ作成方法並びに描画用パターンデータ作成プログラムを記録した記録媒体 | |
JP5314937B2 (ja) | 描画装置及び描画用データの処理方法 | |
JP5232429B2 (ja) | 描画装置及び描画方法 | |
JP5068515B2 (ja) | 描画データの作成方法、描画データの変換方法及び荷電粒子線描画方法 | |
JP2010147100A (ja) | 描画データに対するデータ処理の検証方法及び描画装置 | |
JP5357530B2 (ja) | 描画用データの処理方法、描画方法、及び描画装置 | |
JP5068549B2 (ja) | 描画データの作成方法及びレイアウトデータファイルの作成方法 | |
JP2008085248A (ja) | 荷電粒子ビーム描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画データの変換方法 | |
JP4529398B2 (ja) | ダミーパターン情報生成装置、パターン情報生成装置、マスク作成方法、ダミーパターン情報生成方法、プログラム及び上記プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
US8298732B2 (en) | Exposure method and method of making a semiconductor device | |
JP2009088313A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データの検証方法 | |
JP2000348084A (ja) | 図形一括電子線露光用データ処理方法および図形一括型電子ビーム露光装置 | |
JP2005215016A (ja) | 電子ビーム描画におけるデータ圧縮方法および電子ビーム描画方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090903 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110517 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4751353 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |