JP5577595B2 - ポリアミドの製造方法および樹脂組成物 - Google Patents

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Description

本発明はポリアミドの製造方法および樹脂組成物に関する。より詳しくは、ジイミダゾリド化合物およびジアミン化合物を用いたポリアミドの製造方法およびそれによって得られた樹脂組成物に関する。
ポリアミドは優れた機械強度を有している。中でも芳香族ポリアミドは耐熱性が優れることから電子材料用途への展開が期待されている。芳香族ポリアミドにおいて、アミド結合のNH基と水酸基、チオール基またはカルボキシル基が芳香環にオルソ位で結合している場合は、加熱によって水の脱離を伴う分子内環化を起こし、耐熱性がさらに優れた複素環ポリマーに転化する。この特性を生かして、耐熱性に優れたポジ型感光性樹脂が近年盛んに開発されている(例えば、特許文献1〜3参照)。
マイクロエレクトロニクス分野への使用において、金属イオンを含む薬剤の使用はデバイスの電気的機能に悪影響を及ぼしかねない。従って、このような用途に用いられるポリマーは金属イオン不含の現像剤に可溶であることが必要である。
アルカリ可溶性ポリアミドの製造方法としては、ジカルボン酸塩化物を、アルカリ可溶基を有する適当なジアミンと反応させる方法が知られている。反応の際に生じる塩化水素を捕捉するために、通常ピリジンのような可溶性塩基を添加する(例えば、特許文献4〜5参照)。この方法により、金属イオン不含の水性アルカリ現像剤に可溶のポリマーを製造することができるが、塩素イオンがポリマー中に残留する。塩素イオンは腐食の原因となり、デバイスの機能を著しく損傷しかねないため、ポリマーをイオン交換体により精製し、塩素イオンを除去する必要がある。
塩素不含のアルカリ可溶性ポリアミドの製造方法として、例えば、アルカリ可溶基を有するジアミノ化合物をカルボジイミドの存在下にジカルボン酸と反応させる方法が提案されている(例えば、特許文献6参照)。しかし、この反応の場合、尿素の転位反応により残留する尿素基が、最終的に形成される耐熱樹脂層の品質に悪影響を及ぼす場合がある。また、この方法により製造されるポリマーは、金属イオン不含の水性アルカリ現像剤に十分に溶解しない。
これら諸課題の解決を図るべく、種々の活性ジカルボン酸エステルによるアルカリ可溶性ポリアミドの製造方法が提案されている(例えば、特許文献7〜8参照)。これら活性ジカルボン酸エステルによって、デバイスの誤作動を招く不純物の除去やアルカリ溶解性の低下の抑制は可能となる。しかし、副生する活性エステルの脱離化合物の除去のために、重合後に水/アルコール混合溶媒への再沈殿やアルコール洗浄などが必要であった。
また、高分子量の芳香族ポリアミドを製造する方法として、芳香族ジカルボン酸のジイミダゾリドと芳香族ジアミンとの脱イミダゾール重縮合反応が提案されている(例えば、非特許文献1参照)。しかしながら、無触媒下では反応速度が十分でなく、塩酸やルイス酸などの強酸触媒の添加が必要であった。
特開2005−215436号公報 特開2006−162791号公報 特開2007−193322号公報 欧州特許第0264678号明細書 欧州特許第0291779号明細書 欧州特許第0158726号明細書 特許第3167628号明細書 特許第3311600号明細書 「工業化学雑誌」,1969年,第72巻,第7号,p.187〜191
本発明は、かかる従来技術の課題に鑑み、塩素不含の高分子量アルカリ可溶性ポリアミドを簡易な工程で製造する方法を提供することを目的とする。
すなわち本発明は、下記一般式(4)で表されるジイミダゾリド化合物と、一般式(2)で表されるジアミン化合物とを反応させるポリアミドの製造方法である。
Figure 0005577595
は酸素原子を表す。R 10 およびR 11 はOH、SHまたは炭素数1〜10の1価の有機基を表す。fおよびgは0〜4の整数を表す。およびRは炭素数1〜3の1価の有機基を表す。nおよびmは0〜2の整数を表す。
Figure 0005577595
は単結合、SO、酸素原子、硫黄原子または炭素数1〜30の2価の有機基を表す。RおよびRはOH、SH、SOHまたはCOOHを表し、アミノ基に対してオルソ位にある。およびRは炭素数1〜10の1価の有機基を表す。aおよびbは1、cおよびdは0〜3の整数、eは1を表す。
本発明によれば、簡易な方法で、塩素不含で、かつ、有機アルカリ現像剤に可溶な高分子量のポリアミドを得ることができる。
本発明のポリアミドの製造方法は、一般式(4)で表されるジイミダゾリド化合物と、下記一般式(2)で表されるジアミン化合物とを反応させることを特徴とする。脱離基が水溶性のイミダゾールであるジイミダゾリド化合物を用いることにより、得られるポリイミドの再沈殿や洗浄を水で行うことができ、アルコールなどの有機溶剤を使用する必要がない。また、OH、SH、SOHおよびCOOHから選ばれたプロトン供与性官能基を分子内に少なくとも1つ有するジアミン化合物を用いることにより、これらプロトン供与性官能基が酸触媒の働きをし、塩酸やルイス酸などの強酸触媒を添加しなくても高分子量のポリアミドを得ることができる。
本発明に用いられるジイミダゾリド化合物は、下記一般式(1)で表される構造を有する。
Figure 0005577595
一般式(1)中、Rは炭素数6以上の2価の有機基を表す。得られるポリマーの耐熱性の観点より、Rは芳香環を1つ以上有することが好ましく、炭素数6以上30以下であることがより好ましい。
およびRは炭素数1〜3の1価の有機基を表す。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられる。nおよびmは0〜2の整数を表す。脱離基の水溶性が高いという観点から置換基のないものが好ましく、従って下記一般式(3)で表される化合物が好ましい。
Figure 0005577595
一般式(3)中、Rは上記一般式(1)と同じである。Rがフェニレン基である具体例として、次に示す化合物を挙げることができるが、これらに限定されない。これらは単独でまたは2種以上組み合わせて使用される。
Figure 0005577595
さらに、より高分子量のポリマーが得られるという観点より、Rは芳香環を2つ以上有することが好ましく、下記一般式(4)で表される化合物が好ましい。
Figure 0005577595
一般式(4)中、Rは単結合、CH、SO、酸素原子、硫黄原子、C(CH、C(CFまたはフルオレン構造の残基を表す。得られるポリマーを含む感光性樹脂組成物の露光感度が向上するという観点より、Rとしては単結合、SOまたは酸素原子がより好ましく、酸素原子がさらに好ましい。R10およびR11はOH、SHまたは炭素数1〜10の1価の有機基を表す。炭素数1〜10の1価の有機基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられる。fおよびgは0〜4の整数を表す。得られるポリマーの耐熱性の観点より、f=g=0が好ましい。
およびRは炭素数1〜3の1価の有機基を表す。炭素数1〜3の1価の有機基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられる。nおよびmは0〜2の整数を表す。脱離基の水溶性が高いという観点から置換基のないものが好ましく、従って下記一般式(5)で表される化合物が好ましい。
Figure 0005577595
一般式(5)中、R、R10、R11、fおよびgは上記一般式(4)と同じである。
一般式(5)で表される化合物の具体例として次に示す化合物を挙げることができるが、これらに限定されない。これらは単独でまたは2種以上組み合わせて使用される。
Figure 0005577595
本発明に用いられるジアミン化合物は、下記一般式(2)で表される構造を有する。
Figure 0005577595
一般式(2)中、Rは単結合、SO、酸素原子、硫黄原子または炭素数1〜30の2価の有機基を表す。より高分子量のポリマーが得られるという観点、および、得られるポリマーを含む感光性樹脂組成物の露光感度が向上するという観点より、Rは、単結合、CH、SO、酸素原子、硫黄原子、C(CH、C(CFまたはフルオレン構造の残基が好ましく、SOまたはC(CFがより好ましい。
およびRはOH、SH、SOHまたはCOOHを表す。より高分子量のポリマーが得られるという観点より、RおよびRはOHまたはSHがより好ましく、OHがさらに好ましい。また、芳香環においてOH、SHまたはCOOHがアミノ基に対してオルソ位にあると、触媒効果が高まり、より高分子量のポリマーが得られ、さらにこのポリマーを含むポジ型感光性樹脂組成物の露光感度が向上するため好ましい。
およびRは、炭素数1〜10の1価の有機基を表す。得られるポリマーの耐熱性の観点より、RおよびRは炭素数1〜5の1価の有機基であることが好ましく、炭素数1〜3の1価の有機基であることがさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられる。
一般式(2)中、aは1〜3の整数を表し、b、cおよびdは0〜3の整数を表す。より高分子量のポリマーが得られるという観点より、好ましくはa=b=1である。また、得られるポリマーの耐熱性の観点より、好ましくはc=d=0である。eは0〜3の整数を表す。得られるポリマーの耐熱性の観点、および、得られるポリマーを含む感光性樹脂組成物の露光感度が向上するという観点より、好ましくはe=1である。
一般式(2)で表されるジアミン化合物の好ましい具体例としては、次に示す化合物を挙げることができるが、これらに限定されない。これらは単独でまたは2種以上組み合わせて使用される。
Figure 0005577595
次に、上記ジイミダゾリド化合物とジアミン化合物を用いたポリアミドの製造方法について説明する。
ジイミダゾリド化合物とジアミン化合物とを室温で、場合によっては高めた温度で、有機溶剤中に溶解し、次いで加熱して重合させることが好ましい。反応時の溶液の安定性の観点から、溶解させる順番は溶解性の高いジアミン化合物が先のほうが好ましい。有機溶剤としては、N−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチルなどが挙げられるがこれらに限定されない。
反応速度を向上させる観点より、ジイミダゾリド化合物とジアミン化合物との反応温度は20〜150℃が好ましい。より好ましくは30〜100℃、さらに好ましくは45〜85℃、もっとも好ましくは60〜85℃である。
反応速度をさらに向上させるため、ジイミダゾリド化合物とジアミン化合物との反応は、酸性触媒の存在下に実施してもよい。酸性触媒としては、例えばメタンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、酢酸、硫酸、硝酸などの溶液や、陽イオン交換樹脂などの溶媒不溶で、かつ、後で容易に単離できる固体などがあるが、これらに限定されない。上記酸性触媒は、ジイミダゾリド化合物1モルに対して0.001〜2モル添加することが好ましい。より好ましくは0.005〜1モルであり、さらに好ましくは0.01〜0.5モルである。
反応終了後、反応溶液をそのままの温度で、あるいは室温に冷却し、反応生成物を適当な沈澱剤で沈澱させ、ポリマーを濾別後に乾燥する。乾燥温度は一般に40〜100℃が好ましく、より好ましくは50〜80℃である。ポリマーは水で沈殿可能であり、沈澱剤としてエタノールおよびイソプロパノールのようなアルコールを必要としないが、水とアルコールとの混合物を沈澱剤として用いても良好な沈殿物が得られる。
本発明の方法では、ポリマーを乾燥工程以前にイオン交換体により精製するような煩雑な精製工程を必要とせず、簡易な方法で塩素不含の高分子量アルカリ可溶性ポリアミドを得ることができる。
本発明において、ジイミダゾリド化合物に対してジアミン化合物が過剰の場合、得られたポリアミドのアミノ末端基をポリマーの沈澱の前にジカルボン酸無水物で末端封止しても良い。特にシス−5−ノルボルネン−エンド−2,3−ジカルボン酸無水物による末端封止が好ましく用いられる。
本発明の方法により得られるポリアミドは、樹脂組成物として用いても良い。本発明の方法により得られるポリアミドおよび溶剤を含有する樹脂組成物は、いわゆるワニスとして好適に用いることができる。
溶剤としては、N−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ジアセトンアルコール、2−ヘプタン、シクロヘキサノン、シクロペンタノンなどが挙げられるがこれらに限定されない。
本発明の方法により得られるポリアミドは、感光性樹脂組成物として用いることもできる。本発明の方法により得られるポリアミド、光酸発生剤および溶剤を含有する樹脂組成物は、ポジ型感光性樹脂組成物(ポジ型感光性ワニス)として使用することができる。また、本発明の方法により得られるポリアミド、光重合性化合物および溶剤を含有する樹脂組成物は、ネガ型感光性樹脂組成物(ネガ型感光性ワニス)としてすることができる。
光酸発生剤としては、キノンジアジド化合物、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩などが挙げられるが、キノンジアジド化合物が好ましい。キノンジアジド化合物としては、ポリヒドロキシ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がエステルで結合したもの、ポリアミノ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がスルホンアミド結合したもの、ポリヒドロキシポリアミノ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がエステル結合および/またはスルホンアミド結合したものなどが挙げられる。これらポリヒドロキシ化合物やポリアミノ化合物の官能基全体の50モル%以上がキノンジアジドで置換されていることが好ましい。50モル%以上がキノンジアジドで置換されていることでアルカリ現像液に対する溶解性が良好となり、未露光部とのコントラストの高い精細なパターンを得ることができるという利点がある。このようなキノンジアジド化合物を用いることで、一般的な紫外線である水銀灯のi線(365nm)、h線(405nm)、g線(436nm)に感光するポジ型の感光性樹脂組成物を得ることができる。
好ましいキノンジアジド化合物の例としては、5−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物、4−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物などが挙げられる。また、同一分子中に4−ナフトキノンジアジドスルホニル基および5−ナフトキノンジアジドスルホニル基の両方を含む、ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物を用いてもよいし、4−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物と5−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物を混合して使用することもできる。
本発明の感光性樹脂組成物における光酸発生剤の含有量は、ポリマー100重量部に対して、好ましくは1重量部以上、50重量部以下であり、さらに好ましくは3重量部以上、40重量部以下の範囲である。光酸発生剤の含有量を1重量部以上とすることで、現像時の未露光部の溶出を防ぎ、現像後の残膜率の高い樹脂組成物を得ることができる。また、光酸発生剤の含有量を50重量部以下とすることで、キュア後の機械特性の低下を抑えることができる。
また、露光感度を飛躍的に向上させる目的で、上記ポジ型感光性樹脂組成物は、フェノール樹脂を含んでも良い。これらの樹脂の好ましい含有量としては、本発明のポリアミド100重量部に対して、10〜200重量部、より好ましくは100〜170重量部である。
さらに、本発明の樹脂組成物には、キュア後の収縮率を小さくしない範囲で溶解調整剤を含有してもよい。溶解調整剤としては、ポリヒドロキシ化合物、スルホンアミド化合物、ウレア化合物など、一般にポジ型レジストに溶解調整剤として用いられる化合物であれば、いずれの化合物でも好ましく用いることができる。特に、キノンジアジド化合物を合成する際の原料であるポリヒドロキシ化合物が好ましく用いられる。
光重合性化合物は、重合性不飽和官能基を含有するものである。重合性不飽和官能基としては例えば、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基等の不飽和二重結合官能基および/またプロパルギル等の不飽和三重結合官能基が挙げられる。これらの中でも共役型のビニル基、アクリロイル基およびメタクリロイル基から選ばれた基が重合性の面で好ましい。またその官能基が含有される数としては安定性の点から1〜4であることが好ましく、それぞれの基は同一でなくとも構わない。また、ここで言う光重合性化合物は、分子量30〜800のものが好ましい。分子量が30〜800の範囲であれば、ポリアミドとの相溶性がよく、樹脂組成物溶液の安定性がよい。
好ましい光重合性化合物としては、例えば、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、スチレン、α−メチルスチレン、1,2−ジヒドロナフタレン、1,3−ジイソプロペニルベンゼン、3−メチルスチレン、4−メチルスチレン、2−ビニルナフタレン、ブチルアクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、1,3−ブタンジオールジアクリレート、1,3−ブタンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,4−ブタンジオールジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート、1,9−ノナンジオールジメタクリレート、1,10−デカンジオールジメタクリレート、ジメチロール−トリシクロデカンジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、1,3−ジアクリロイルオキシ−2−ヒドロキシプロパン、1,3−ジメタクリロイルオキシ−2−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド、N−メチロールアクリルアミド、 2,2,6,6−テトラメチルピペリジニルメタクリレート、2,2,6,6−テトラメチルピペリジニルアクリレート、N−メチル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジニルメタクリレート、N−メチル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジニルアクリレート、エチレンオキシド変性ビスフェノールAジアクリレート、エチレンオキシド変性ビスフェノールAジメタクリレート、N−ビニルピロリドン、N−ビニルカプロラクタム等が挙げられる。これらは単独でまたは2種類以上を組み合わせて使用される。
これらのうち、特に好ましくは、1,9−ノナンジオールジメタクリレート、1,10−デカンジオールジメタクリレート、ジメチロール−トリシクロデカンジアクリレート、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、メチレンビスアクリルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド、N−メチロールアクリルアミド、 2,2,6,6−テトラメチルピペリジニルメタクリレート、2,2,6,6−テトラメチルピペリジニルアクリレート、N−メチル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジニルメタクリレート、N−メチル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジニルアクリレート、エチレンオキシド変性ビスフェノールAジアクリレート、エチレンオキシド変性ビスフェノールAジメタクリレート、N−ビニルピロリドン、N−ビニルカプロラクタム等が挙げられる。
本発明の感光性樹脂組成物における光重合性化合物の含有量は、ポリマー100重量部に対して、5〜200重量部とすることが好ましく、相溶性の点から5〜150重量部とすることがより好ましい。光重合性化合物の含有量を5重量部以上とすることで、現像時の露光部の溶出を防ぎ、現像後の残膜率の高い樹脂組成物を得ることができる。また、光重合性化合物の含有量を200重量部以下とすることで、膜形成時の膜の白化を抑えることができる。
次に、感光性樹脂組成物の加工例として、パターンを形成する方法について説明するが、本発明の用途はこれによって限定されない。まず、樹脂組成物(ワニス)を基板上に塗布する。基板としては、シリコン、セラミックス類、ガリウムヒ素などのウエハ、または、その上に金属材料、例えば銅、金、チタン系金属からなる電極および/または配線が形成されているものが用いられるが、これらに限定されない。塗布方法としてはスピンナを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティングなどの方法がある。また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘度などによって異なるが、通常、乾燥後の膜厚が0.1〜150μmになるように塗布する。
次に樹脂組成物を塗布した基板を乾燥して、予備乾燥被膜を得る。乾燥はオーブン、ホットプレート、赤外線などを使用し、50℃から150℃の範囲で1分から数時間行うのが好ましい。必要に応じて、80℃で2分乾燥した後、120℃で2分乾燥するなど、2段あるいはそれ以上の多段で乾燥することもできる。
次に、この被膜上に所望のパターンを有するマスクを通して化学線を照射し、露光する。露光に用いられる化学線としては紫外線、可視光線、電子線、X線などがあるが、本発明では水銀灯のi線(365nm)、h線(405nm)、g線(436nm)を用いることが好ましい。
現像時のパターンの解像度が向上したり、現像条件の許容幅が増大する場合には、現像前にベーク処理をする工程を取り入れても差し支えない。ベーク処理の温度としては50〜180℃の範囲が好ましく、特に60〜150℃の範囲がより好ましい。時間は10秒〜数時間が好ましい。この範囲内であると反応が良好に進行し、現像時間も短くて済むという利点がある。
パターンを形成するには、露光後、現像液を用いて、ポジ型の場合は露光部を、ネガ型の場合は未露光部を除去する。現像液は、テトラメチルアンモニウムの水溶液、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ性を示す有機化合物の水溶液が好ましいが、これらに限定されない。また場合によっては、これらのアルカリ水溶液にN−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶媒;メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類;乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類;シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類などの有機溶媒を単独あるいは数種を組み合わせて添加してもよい。現像後は水にてリンス処理をする。ここでもエタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類などを水に加えてリンス処理をしてもよい。
現像後、160℃から500℃で加熱処理し、脱溶剤を行う。この際、場合によってはポリアミドの分子内環化反応が促進される。この加熱処理は、段階的に昇温するか、あるいは連続的に昇温しながら、5分から5時間実施する。一例としては、130℃、200℃および300℃で各30分ずつ熱処理する方法が挙げられる。別の例としては、室温より300℃まで2時間かけて直線的に昇温する方法が挙げられる。
本発明の樹脂組成物により形成した被膜は、半導体のパッシベーション膜、半導体素子の保護膜、高密度実装用多層配線の層間絶縁膜、有機電界発光素子の絶縁層などの用途に好適に用いられる。
以下実施例等をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。まず、ポリマーの評価方法について説明する。
1)ポリマーの分子量と有機不純物の残留の評価
ポリマーを0.1重量%の濃度でN−メチル−2−ピロリドン(NMP)に溶解させた。この溶液について、下記条件のゲルパーミエーションクロマトグラフ(GPC)法によって重量平均分子量(Mw)の測定を行った。Mwについては10,000以上を合格、それ未満を不合格とした。また、分子量が5000未満の領域に着目し、残留有機不純物に由来する低分子ピークの有無を評価した。低分子ピークについては「なし」を合格、「あり」を不合格とした。
カラムの移動相には1LのNMPにLiCl 2.12g、リン酸 4.80g(0.05mmol/L)を添加し、超音波で4時間以上攪拌した後、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過した液体を用いた。
標準ポリスチレンを用いた校正曲線を作成し、データはこの曲線を用いたポリスチレン換算の相対分子量として算出した。
<GPC測定系>
検出器:Waters 996
システムコントローラー:Waters 2690
カラムオーブン:Waters HTR−B
サーモコントローラー:Waters TCM
カラム:TOSOH TSK guard column
TOSOH TSK−GEL α−4000
TOSOH TSK−GEL α−2500 。
2)ポリマーの塩素不純物の残留の評価
ポリマー1gをポリエチレン瓶にとり、超純水100cmを加えて室温で36時間静置し、イオン成分を抽出した。これをディスクフィルター(ミリポア製0.45μm PVDF)でろ過した。抽出液について、下記条件のイオンクロマトグラフ分析法によって塩素成分の分析を行い、試料からの抽出量を求めた。試料を用いずに同様の操作を行いブランク溶液とした。このとき塩素成分の濃度が5ppm以下を合格、それより多い場合を不合格とした。
<イオンクロマトグラフィ測定条件>
装置:Dionex社製 DX−500
試料注入量:0.5mL
溶離液:2mM−NaHCO
分離カラム:4mmφ×250mm Ion Pac AS4A−SC
検出器:電気伝導度計 。
合成例1
窒素気流下、250mlの三頸フラスコ中にイミダゾール27.2g(0.4モル)を入れ、NMP100gに室温で攪拌溶解させた。これを−5℃以下に冷却し、イソフタル酸クロリド20.3g(0.1モル)を100gのNMPに溶解させた液体を、反応溶液の温度が0℃を越えないようにして1時間かけて滴下した。滴下後、室温にて反応溶液をさらに3時間攪拌し、1Lの純水に投入して沈殿物を濾過した。濾過した沈殿物を純水で数回洗浄し、50℃の真空オーブンで100時間乾燥して、下記式(6)で示されるジイミダゾリド化合物Aを得た。
Figure 0005577595
合成例2
窒素気流下、250mlの三頸フラスコ中にイミダゾール27.2g(0.4モル)を入れ、塩化メチレン100gを入れて室温で攪拌した。これを−5℃以下に冷却し、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド29.5g(0.1モル)を100gの塩化メチレンに分散させた液体を、反応溶液の温度が0℃を越えないようにして1時間かけて滴下した。滴下後、室温にて反応溶液をさらに3時間攪拌し、反応中に生じた沈殿物を濾過した。濾過した沈殿物を純水で数回洗浄し、50℃の真空オーブンで100時間乾燥して、下記式(7)で示されるジイミダゾリド化合物Bを得た。
Figure 0005577595
合成例3
4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド29.5g(0.1モル)を4,4’−ジフェニルスルホンジカルボン酸ジクロリド34.3g(0.1モル)にした以外は合成例2と同様にして、下記式(8)で示されるジイミダゾリド化合物Cを得た。
Figure 0005577595
合成例4
4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド29.5g(0.1モル)を4,4’−ビフェニルジカルボン酸ジクロリド27.9g(0.1モル)にした以外は合成例2と同様にして、下記式(9)で示されるジイミダゾリド化合物Dを得た。
Figure 0005577595
実施例1
窒素気流下500mLの三頸フラスコ中に下記(10)で示されるジアミン36.6g(0.1モル)およびNMP300gを入れ、室温で攪拌溶解させた。その後、合成例1で得られたジイミダゾリド化合物A23.9g(0.09モル)を室温で添加した。この混合物を40℃で1時間、さらに50℃で10時間攪拌した。さらに、この溶液にシス−5−ノルボルネン−エンド−2,3−ジカルボン酸無水物3.28g(0.02モル)を添加し、50℃のままさらに10時間攪拌した。反応終了後、溶液を室温まで冷却し、5Lの純水に投入した。沈澱したポリマーを濾別し、5Lの純水に再分散後濾過する工程を3回繰り返した。最終的に濾別したポリマーを50℃で3日間真空乾燥し、ポリマーEを得た。
Figure 0005577595
実施例2
ジイミダゾリド化合物A23.9g(0.09モル)の代わりに、合成例2で得られたジイミダゾリド化合物B32.2g(0.09モル)を用いた以外は実施例1と同様にしてポリマーFを得た。
実施例3
ジイミダゾリド化合物A23.9g(0.09モル)の代わりに、合成例3で得られたジイミダゾリド化合物C36.5g(0.09モル)を用いた以外は実施例1と同様にしてポリマーGを得た。
実施例4
ジイミダゾリド化合物A23.9g(0.09モル)の代わりに、合成例4で得られたジイミダゾリド化合物D30.8g(0.09モル)を用いた以外は実施例1と同様にしてポリマーHを得た。
実施例5
窒素気流下500mLの三頸フラスコ中に下記式(11)で示されるジアミン21.6g(0.1モル)およびNMP300gを入れ、室温で攪拌溶解させた。その後、合成例2で得られたジイミダゾリド化合物B32.2g(0.09モル)を室温で添加した。この混合物を40℃で1時間、さらに50℃で10時間攪拌した。さらに、この溶液にシス−5−ノルボルネン−エンド−2,3−ジカルボン酸無水物3.28g(0.02モル)を添加し、50℃のままさらに10時間攪拌した。反応終了後、溶液を室温まで冷却し、5Lの純水に投入した。沈澱したポリマーを濾別し、5Lの純水に再分散後濾過する工程を3回繰り返した。最終的に濾別したポリマーを50℃で3日間真空乾燥し、ポリマーIを得た。
Figure 0005577595
実施例6
前記式(11)で示されるジアミン21.6g(0.1モル)の代わりに、下記式(12)で示されるジアミン28.0g(0.1モル)を用いた以外は実施例5と同様にしてポリマーJを得た。
Figure 0005577595
実施例7
前記式(11)で示されるジアミン21.6g(0.1モル)の代わりに、下記式(13)で示されるジアミン23.2g(0.1モル)を用いた以外は実施例5と同様にしてポリマーKを得た。
Figure 0005577595
実施例8
前記式(11)で示されるジアミン21.6g(0.1モル)の代わりに、下記式(14)で示されるジアミン38.0g(0.1モル)を用いた以外は実施例5と同様にしてポリマーLを得た。
Figure 0005577595
比較例1
前記式(11)で示されるジアミン21.6g(0.1モル)の代わりに、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル20.0g(0.1モル)を用いた以外は実施例5と同様にしてポリマーMを得た。
実施例9
前記式(11)で示されるジアミン21.6g(0.1モル)の代わりに、下記式(15)で示されるジアミン12.4g(0.1モル)を用いた以外は実施例5と同様にしてポリマーNを得た。
Figure 0005577595
実施例10
前記式(11)で示されるジアミン21.6g(0.1モル)の代わりに、下記式(16)で示されるジアミン21.6g(0.1モル)を用いた以外は実施例5と同様にしてポリマーOを得た。
Figure 0005577595
比較例2
窒素気流下、1000mlの三頸フラスコ中に40.0gのイソフタル酸および1−ヒドロキシベンゾトリアゾールからなるジエステル(0.1モル)、前記式(10)で示されるジアミン36.6g(0.1モル)およびNMP500gを入れ、その後攪拌しながら75℃に加熱した。その際得られる溶液に1.27gの乾燥ピリジン(16mモル)をNMP10mlに溶かして徐々に滴下し、さらにこの溶液を75℃で24時間攪拌した。室温に冷却後、得られた清澄な黄色の反応溶液を濾過し、水3容量部に対してイソプロパノール1容量部からなる混合物400mlに加えた。沈澱した白色のポリマーを濾別し、水200mlで2回洗浄した。その後、50℃の温度で3日間真空乾燥し、ポリマーPを得た。
比較例3
窒素気流下、250mlの三頸フラスコ中に前記式(10)で示されるジアミン36.6g(0.1モル)およびNMP500gを入れ、攪拌溶解させた。これを−5℃以下に冷却し、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリド29.5g(0.1モル)を100gのNMPに溶解させた液体を、反応溶液の温度が0℃を越えないようにして1時間かけて滴下した。滴下後、室温にて反応溶液をさらに3時間攪拌し、1Lの純水に投入して沈殿物を濾過した。濾過した沈殿物を純水で数回洗浄し、50℃の温度で3日間真空乾燥し、ポリマーQを得た。
実施例1〜10および比較例1〜3の評価結果を表1にまとめた。
Figure 0005577595
合成例5
キノンジアジド化合物(a)の合成
乾燥窒素気流下、TrisP−HAP(商品名、本州化学工業(株)製)、15.3g(0.05モル)と5−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド40.3g(0.15モル)を1,4−ジオキサン450gに溶解させ、室温にした。ここに、1,4−ジオキサン50gと混合させたトリエチルアミン15.2gを系内が35℃以上にならないように滴下した。滴下後、応溶液を30℃で2時間攪拌した。トリエチルアミン塩を濾過して除き、濾液を水に投入した。その後、析出した沈殿をろ過で集めた。この沈殿を真空乾燥機で乾燥させ、下記式で表されるキノンジアジド化合物(a)を得た。
Figure 0005577595
実施例11〜20、比較例4〜6
表2に示すポリマー3.5gをγ−ブチロラクトン6.5gに溶解させ、これに合成例5で得られたキノンジアジド化合物(a)を0.7g、KBM−1003(信越化学社製)を0.1g、ポリフロ−77(協和化学社製)0.5%乳酸エチル溶液を0.2g添加し、感光性ワニスとした。このワニスを6インチウェハーに回転塗布し、120℃のホットプレート(東京エレクトロン製、MARK−7)にて3分間処理し、厚さ7μmの被膜を得た。この被膜をi線ステッパー(GCA社製、DSW−8000)にて、0mJ/cmから100mJ/cm刻みで1000mJ/cmまで露光し、露光後にテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)2.38%水溶液にて100秒間現像し、ついで純水でリンスして所望のパターンを得た。このとき、10μmの正方形パターンが開口している最も小さい露光量を感度として表2に示した。1000mJ/cm以下を合格、それ以上を不合格とした。
実施例21〜23、比較例7〜9
表2に示すポリマー3.5gをγ−ブチロラクトン6.5gに溶解させ、これに光重合性化合物であるDCP−A(協和発酵社製)を0.5g、同じく光重合性化合物であるPDBE−250(日本油脂社製)を1.0g、同じく光重合性化合物であるMOI−BP(昭和電工社製)を0.5g、MX−270(日本カーバイド製)を0.5g、光重合開始剤であるOXE−02(チバスペシャリティーケミカルズ社製)を0.5g、KBM−573(信越化学社製)を0.1g、ポリフロ−77(協和化学社製)0.5%γ−ブチロラクトン溶液を0.2g添加し、感光性ワニスとした。このワニスを6インチウェハーに回転塗布し、120℃のホットプレート(東京エレクトロン製、MARK−7)にて3分間処理し、厚さ7μmの被膜を得た。この被膜をi線ステッパー(GCA社製、DSW−8000)にて、0mJ/cmから100mJ/cm刻みで1000mJ/cmまで露光し、露光後に100℃のホットプレート(東京エレクトロン製、MARK−7)にて1分間処理した。続いて、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)2.38%水溶液にて60秒間現像し、ついで純水でリンスして、所望のパターンを得た。このとき、30μmの正方形パターンが開口しており、かつ、パターン形状が逆テーパーになっていない最も小さい露光量を感度として表2に示した。感度は、1000mJ/cm以下を合格、それ以上を不合格とした。
実施例24
ポリマーとしてポリマーF1.4g、および、ノボラック樹脂化合物PSF−2808(群栄化学社製)2.1gを用いた以外は、実施例11〜20と同様にして感光性ワニスを作成し、評価した。結果を表2に示す。
Figure 0005577595
本発明によれば、簡易な方法で、塩素不含で、かつ、有機アルカリ現像剤に可溶な高分子量のポリアミドを得ることができる。本発明の方法により得られたポリアミドを含む樹脂組成物により形成した被膜は、半導体のパッシベーション膜、半導体素子の保護膜、高密度実装用多層配線の層間絶縁膜、有機電界発光素子の絶縁層などの用途に好適に用いられる。

Claims (8)

  1. 下記一般式(4)で表されるジイミダゾリド化合物と、下記一般式(2)で表されるジアミン化合物とを反応させるポリアミドの製造方法;
    Figure 0005577595
    は酸素原子を表す。R10およびR11はOH、SHまたは炭素数1〜10の1価の有機基を表す。fおよびgは0〜4の整数を表す。RおよびRは炭素数1〜3の1価の有機基を表す。nおよびmは0〜2の整数を表す。
    Figure 0005577595
    は単結合、SO、酸素原子、硫黄原子または炭素数1〜30の2価の有機基を表す。RおよびRはOH、SH、SOHまたはCOOHを表し、アミノ基に対してオルソ位にある。およびRは炭素数1〜10の1価の有機基を表す。aおよびbは1、cおよびdは0〜3の整数、eは1を表す。
  2. ジイミダゾリド化合物が一般式(5)で表される請求項1記載のポリアミドの製造方法;
    Figure 0005577595
    は酸素原子を表す。R10およびR11はOH、SHまたは炭素数1〜10の1価の有機基を表す。fおよびgは0〜4の整数を表す。
  3. 請求項1または2に記載の製造方法により得られるポリアミドおよび溶剤を含有する樹脂組成物。
  4. 光酸発生剤をさらに含有する請求項記載の樹脂組成物。
  5. 光重合性化合物をさらに含有する請求項記載の樹脂組成物。
  6. 一般式(2)中、RがSO、C(CFまたはフルオレン構造の残基である請求項または記載の樹脂組成物。
  7. さらにフェノール樹脂を含む請求項のいずれかに記載の樹脂組成物。
  8. 一般式(5)で表されるジイミダゾリド化合物;
    Figure 0005577595
    は酸素原子を表す。R10およびR11はOH、SHまたは炭素数1〜10の1価の有機基を表す。fおよびgは0〜4の整数を表す。
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