JP5561379B2 - 高周波モジュール - Google Patents

Description

この発明は、複数の通信信号を共通アンテナで送受信する高周波モジュールに関する。

従来、それぞれに異なる周波数帯域を利用した複数の通信信号を共通アンテナで送受信する高周波モジュールが各種考案されている。このような高周波モジュールとして、例えば、特許文献１や特許文献２に記載の高周波モジュールがある。

特許文献１および特許文献２に記載の高周波モジュールは、スイッチＩＣと複数の分波器とを備える。また、特許文献３に記載の高周波モジュールは、表面波デュプレクサ（以下、ＳＡＷデュプレクサと称する。）を備える。

このような高周波モジュールでは、携帯通信端末に用いる等の理由により、小型化されたものが多い。その一態様として、積層体の内部電極パターンと該積層体に実装される実装型回路素子（例えばＳＡＷデュプレクサ）とを組み合わせた高周波モジュールがある。

特開２００３−１５２５８８号公報 特開２００６−３３３１２７号公報 特開２００７−９７１１７号公報

しかしながら、高周波モジュールの小型化が進むにつれて、積層体表面に実装される実装回路素子間の間隔が狭くなってしまう。特に、当該実装回路素子がデュプレクサ等の分波器であり、分波器間が狭くなると、当該分波器間での干渉が発生しやすくなり、通信信号間でのアイソレーションが低下し易くなるという、問題が生じる。

したがって、本発明の目的は、モジュールの小型化により実装型回路素子間が狭くなっても、通信信号間のアイソレーション特性の低下を抑制することができる高周波モジュールを実現することにある。

この発明は、少なくとも第１通信信号、第２通信信号、第３通信信号を含む複数の通信信号を送受信する高周波モジュールに関する。この高周波モジュールは、三個以上の個別端子から一つの個別端子を選択して共通端子に接続するスイッチ素子と、該スイッチ素子の三個以上の個別端子にそれぞれ接続する分波器と、を備える。スイッチ素子および分波器は、高周波モジュールを構成する積層体表面に実装されている。第１通信信号、第２通信信号、および第３通信信号は、それぞれ送信信号と受信信号で構成されている。第１通信信号の周波数帯域と第２通信信号の周波数帯域との間隔は、第１通信信号の周波数帯域と第３周波数帯域との間隔および第２通信信号の周波数帯域と第３通信信号の周波数帯域との間隔よりも狭い。そして、第１通信信号を伝送する第１分波器の実装位置と、第２通信信号を伝送する第２分波器の実装位置との間に、第３通信信号を伝送する第３分波器が実装されている。

この構成では、相対的に周波数帯域の近接する第１通信信号用の分波器と第２通信信号用の分波器との間が、相対的に周波数帯域が離れた第３通信信号用の分波器が配置されることにより広がり、不要な電磁界結合および静電結合が抑制される。また、第３通信信号用の分波器が中間に配置されることで、相対的に周波数帯域の近接する第１通信信号用の分波器と第２通信信号用の分波器との間での不要な電磁界結合および静電結合がより抑制される。これにより、周波数帯域が近接する分波器間のアイソレーションを高くすることができる。

また、この発明の高周波モジュールでは、第１通信信号の送信信号の周波数帯域と第２通信信号の受信信号の周波数帯域との間隔が、第１通信信号の周波数帯域と第３通信信号の周波数帯域との間隔および第２通信信号の周波数帯域と第３通信信号の周波数帯域との間隔よりも狭い場合に、さらに有効である。この構成では、現在利用されている仕様において、本願発明が最も効果的に適用される具体的例を示している。

また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることがより好ましい。第１分波器、第２分波器および第３分波器は、それぞれ送信側フィルタと受信側フィルタとが個別の素子で構成されている。送信側フィルタ群と受信側フィルタ群とは、積層基板表面に離間して実装されている。

この構成では、分波器を構成する送信側フィルタと受信側フィルタとが、一体化されておらず、積層体天面の離間した位置に配置されるので、一体化した場合よりも送信側フィルタと受信側フィルタの間隔が広くなる。これにより、送信側フィルタと受信側フィルタとの間の不要な電磁界結合が抑制される。また、送信側フィルタと受信側フィルタとが個別筐体となることで、各単体のフィルタ素子の筐体が従来の分波器としての一体化された筐体よりも小さくなる。したがって、小型化のための実装パターンの選択性が向上する。

また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることがより好ましい。スイッチ素子は、平面視した形状が略四角形の素子からなり、電源供給端子が平面視した一方側面に近接して配置されている。スイッチ素子の当該一方側面に対向する他方側面が送信側フィルタ群の実装領域側となるように、スイッチ素子は積層基板表面に実装されている。

この構成では、送信側フィルタとスイッチ素子の電源供給端子との距離を広くとることができるので、送信側フィルタから漏洩したハイパワーの送信信号がスイッチ素子の電源供給端子へ入力されることを抑制できる。これにより、スイッチ素子の駆動電圧や制御電圧に送信信号が重畳することを抑制でき、スイッチ素子の特性劣化を防止できる。

また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることがより好ましい。積層体表面にはスイッチ素子および分波器を構成する各フィルタとは別の回路素子が実装されており、当該別の回路素子はスイッチ素子と送信側フィルタ群との間に実装されている。

この構成では、スイッチ素子と送信側フィルタとの間に、別の回路素子が配置されることで、スイッチ素子と送信側フィルタとの間の不要な電磁界結合が抑制される。

また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることがより好ましい。積層体の裏面には、通信信号毎に送信信号入力ポート用電極を含む外部接続ポート用電極が形成されている。送信側フィルタの送信信号入力端子と送信信号入力ポート用電極とは、積層体を平面視した状態で、少なくとも一部が重なるように配置されている。

この構成では、積層体の天面に形成された送信側フィルタの送信信号入力端子が実装される電極と、積層体の底面に形成された送信信号入力ポート用の電極とが、積層体を平面視した状態で略同じ位置となる。したがって、通常の積層方向に沿った引き回しを行えば、送信側フィルタの送信信号入力端子が実装される電極と送信信号入力ポート用の電極とを接続する内層の送信系の電極パターンを短くすることができる。これにより、送信系の電極パターンが、他の電極パターン、例えば受信系の電極パターンに対して電磁界結合することを抑制できる。

また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることがより好ましい。送信側フィルタの送信信号入力端子が実装される電極と送信信号入力ポート用電極とは、積層体の積層方向に沿って形成されたビア電極のみによって接続されている。

この構成では、送信側フィルタの送信信号入力端子が実装される電極と送信信号入力ポート用の電極とが、積層方向に沿った最短距離で接続される。これにより、送信系の電極パターンが、他の電極パターン、例えば受信系の電極パターンに対して電磁界結合することを、さらに抑制できる。

また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることがより好ましい。積層体の裏面には、通信信号毎に受信信号出力ポート用電極が形成されている。受信側フィルタの受信信号出力端子と受信信号出力ポート用電極とは、積層体を平面視した状態で、少なくとも一部が重なるように配置されている。

この構成では、積層体の天面に形成された受信側フィルタの受信信号出力端子が実装される電極と、積層体の底面に形成された受信信号出力ポート用の電極とが、積層体を平面視した略同じ位置となる。したがって、通常の積層方向に沿った引き回しを行えば、受信側フィルタの受信信号出力端子が実装される電極と受信信号出力ポート用の電極とを接続する内層の受信系の電極パターンを短くすることができる。したがって、受信系の電極パターンが、他の電極パターン、例えば送信系の電極パターンに対して電磁界結合することを抑制できる。

また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることがより好ましい。受信側フィルタの受信信号出力端子が実装される電極と受信信号出力ポート用電極とは、積層体の積層方向に沿って形成されたビア電極のみによって接続されている。

この構成では、受信側フィルタの受信信号出力端子が実装される電極と受信信号出力ポート用の電極とが、積層方向に沿った最短距離で接続される。これにより、受信系の電極パターンが、他の電極パターン、例えば送信系の電極パターンに対して電磁界結合することを、さらに抑制できる。

また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることがより好ましい。送信側フィルタ群は単一の筐体に一体形成されている。

また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることがより好ましい。受信側フィルタ群は単一の筐体に一体形成されている。

これらの構成では、複数の送信側フィルタおよび受信側フィルタをそれぞれ個別に配置するよりも、小型化が可能になる。

また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることがより好ましい。スイッチ素子は、送信側フィルタ群の実装領域と受信側フィルタの実装領域との間に実装されている。

この構成では、送信側フィルタと受信側フィルタの間にスイッチ素子が介在することで、送信側フィルタと受信側フィルタとの間の不要な電磁界結合が抑制される。

この発明によれば、小型でありながら複数の通信信号間で高いアイソレーションを有する高周波モジュールを実現することができる。

第１の実施形態に係る高周波モジュール１０の回路構成を示すブロック図である。 各通信信号の送信周波数帯域および受信周波数帯域を一覧にした表である。 第１の実施形態に係る高周波モジュール１０の構造を説明するための図である。 第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａの回路構成を示すブロック図である。 第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａの構造を説明するための図である。 第３の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｂの回路構成を示すブロック図である。 第３の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｂの構造を説明するための図である。 第３の実施形態の高周波モジュール１０Ｂの積み図である。 第３の実施形態の高周波モジュール１０Ｂの積層体９００Ｂの最上層の実装状態図および最下層の外部接続用のポート電極の配列パターン図である。 第４の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｃの構造を説明するための天面実装図である。

本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。本実施形態では、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）９００の通信信号、ＧＳＭ１８００の通信信号、ＧＳＭ１９００の通信信号、Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｗｉｄｅｂａｎｄ Ｃｏｄｅ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ａｃｃｅｓｓ通信システムのバンドクラスＢａｎｄ１，Ｂａｎｄ２，Ｂａｎｄ５の通信信号の送受信、すなわち、六種類の通信信号の送受信を行う高周波モジュールについて説明する。ここで、ＧＳＭ９００、ＧＳＭ１８００、ＧＳＭ１９００の送受信回路は、省略することができる。

また、以下の説明では、スイッチ素子の一例として、スイッチＩＣを用いた場合を示すが、他の構造からなるスイッチ素子にも適用することができる。

まず、本実施形態の高周波モジュール１０の回路構成について説明する。図１は本実施形態に係る高周波モジュール１０の回路構成を示すブロック図である。

スイッチ素子ＳＷＩＣは、単一の共通端子ＰＩＣ０と、八個の個別端子ＰＩＣ１１−ＰＩＣ１８を備える。スイッチ素子ＳＷＩＣは、グランドＧＮＤに接続するためのグランド用端子ＰＧＮＤを備える。グランド用端子ＰＧＮＤは、高周波モジュール１０の外部接続用のグランドポート電極ＰＭＧＮＤに接続している。

スイッチ素子ＳＷＩＣは、駆動電圧印加用端子ＰＩＣＶｄｄ、および複数の制御電圧印加用端子ＰＩＣＶｃ１，ＰＩＣＶｃ２，ＰＩＣＶｃ３，ＰＩＣＶｃ４を備える。駆動電圧印加用端子ＰＩＣＶｄｄは、高周波モジュール１０の外部接続用の電源系ポート電極ＰＭＶｄｄに接続している。制御電圧印加用端子ＰＩＣＶｃ１，ＰＩＣＶｃ２，ＰＩＣＶｃ３，ＰＩＣＶｃ４は、高周波モジュール１０の外部接続用の電源系ポート電極ＰＭＶｃ１，ＰＭＶｃ２，ＰＭＶｃ３，ＰＭＶｃ４にそれぞれ接続している。

スイッチ素子ＳＷＩＣは、駆動電圧印加用端子ＰＩＣＶｄｄから印加される駆動電圧Ｖｄｄで駆動する。スイッチＩＣ素子ＳＷＩＣは、複数の制御電圧印加用端子ＰＩＣＶｃ１，ＰＩＣＶｃ２，ＰＩＣＶｃ３，ＰＩＣＶｃ４にそれぞれ印加される制御電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２，Ｖｃ３，ＶＣ４の組み合わせにより、単一の共通端子ＰＩＣ０を、八個の個別端子ＰＩＣ１１−ＰＩＣ１８のいずれか一つに接続する。

共通端子ＰＩＣ０は、ＥＳＤ回路を兼ねるアンテナ側整合回路を介して高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭａｎに接続している。ポート電極ＰＭａｎは、外部のアンテナＡＮＴに接続している。

第１個別端子ＰＩＣ１１は、送信側フィルタ１２Ａを介して、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｔＬに接続している。ポート電極ＰＭｔＬは、ＧＳＭ９００の送信信号が外部から入力されるポートである。送信側フィルタ１２Ａは、ＧＳＭ９００の送信信号の２倍高調波および３倍高調波を減衰させ、ＧＳＭ９００の送信信号の使用周波数帯域を通過帯域とするフィルタ回路である。

第２個別端子ＰＩＣ１２は、送信側フィルタ１２Ｂを介して、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｔＨに接続している。ポート電極ＰＭｔＨは、ＧＳＭ１８００の送信信号またはＧＳＭ１９００の送信信号が外部から入力されるポートである。送信側フィルタ１２Ｂは、ＧＳＭ１８００の送信信号およびＧＳＭ１９００の送信信号の２倍高調波および３倍高調波を減衰させ、ＧＳＭ１８００の送信信号およびＧＳＭ１９００の送信信号の使用周波数帯域を通過帯域とするフィルタ回路である。

第３個別端子ＰＩＣ１３は、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１の一方端に接続している。第３個別端子ＰＩＣ１３とＳＡＷフィルタＳＡＷ１とを接続する伝送線路とグラント電位との間には、整合用のインダクタＬ２が接続されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷ１は、ＧＳＭ９００の受信信号の周波数帯域を通過帯域とするフィルタであり、平衡−不平衡変換機能を有する。ＳＡＷフィルタＳＡＷ１の他方端は平衡端子であり、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｒＬに接続している。

第４個別端子ＰＩＣ１４は、ダイプレクサＤＩＰ１のＳＡＷフィルタＳＡＷｉｒ１の一方端に接続している。第４個別端子ＰＩＣ１４とＳＡＷフィルタＳＡＷｉｒ１とを接続する伝送線路とグランド電位との間には、整合用のインダクタＬ３が接続されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｉｒ１は、ＧＳＭ１８００の受信信号の周波数帯域を通過帯域とするフィルタであり、平衡−不平衡変換機能を有する。

第５個別端子ＰＩＣ１５は、ダイプレクサＤＩＰ１のＳＡＷフィルタＳＡＷｉｒ２の一方端に接続している。第５個別端子ＰＩＣ１５とＳＡＷフィルタＳＡＷｉｒ２とを接続する伝送線路とグランド電位との間には、整合用のインダクタＬ４が接続されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｉｒ２は、ＧＳＭ１９００の受信信号の周波数帯域を通過帯域とするフィルタであり、平衡−不平衡変換機能を有する。

ＳＡＷフィルタＳＡＷｉｒ１，ＳＡＷｉｒ２は一体形成され、一つのダイプレクサＤＩＰ１を形成している。ダイプレクサＤＩＰ１のＳＡＷフィルタＳＡＷｉｒ１，ＳＡＷｉｒ２の平衡端子は共通化されている。この共通化された平衡端子は、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｒＨに接続している。ＧＳＭ１８００の受信信号およびＧＳＭ１９００の受信信号は、ポート電極ＰＭｒＨから外部へ出力される。

第６個別端子ＰＩＣ１６は、デュプレクサＤＵＰ１に接続している。第６個別端子ＰＩＣ１６とデュプレクサＤＵＰ１との間には、キャパシタＣＢ１が接続され、当該キャパシタＣＢ１のデュプレクサＤＵＰ１側とグランド電位との間にはインダクタＬＢ１が接続されている。これらキャパシタＣＢ１とインダクタＬＢ１により整合回路が構成される。

デュプレクサＤＵＰ１は、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１とＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１とから構成され、単一の筐体に一体形成されている。また、デュプレクサＤＵＰ１は一個の共通端子に対して二個の個別端子を備えている。

本発明の送信側フィルタに対応するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信信号の使用周波数帯域を通過帯域とし、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の受信信号の使用周波数帯域が減衰帯域内に設定されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１の他方端は、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｃｔ１に接続している。ポート電極ＰＭｃｔ１は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信信号が外部から入力されるポートである。

本発明の受信側フィルタに対応するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の受信信号の使用周波数帯域を通過帯域とし、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信信号の使用周波数帯域が減衰帯域内に設定されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１は、平衡−不平衡変換機能を有する。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１の他方端は、平衡端子であり、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｃｒ１に接続している。ポート電極ＰＭｃｒ１は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の受信信号を外部へ出力するポートである。

第７個別端子ＰＩＣ１７は、デュプレクサＤＵＰ２に接続している。第７個別端子ＰＩＣ１７とデュプレクサＤＵＰ２との間の伝送線路上の所定位置とグランド電位との間にはインダクタＬ５が接続されている。このインダクタＬ５により整合回路が構成される。

デュプレクサＤＵＰ２は、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２とＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２とから構成され、単一の筐体に一体形成されている。また、デュプレクサＤＵＰ２は一個の共通端子に対して二個の個別端子を備えている。

本発明の送信側フィルタに対応するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の送信信号の使用周波数帯域を通過帯域とし、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の受信信号の使用周波数帯域が減衰帯域内に設定されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２の他方端は、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｃｔ２に接続している。ポート電極ＰＭｃｔ２は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の送信信号が外部から入力されるポートである。

本発明の受信側フィルタに対応するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の受信信号の使用周波数帯域を通過帯域とし、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の送信信号の使用周波数帯域が減衰帯域内に設定されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２は、平衡−不平衡変換機能を有する。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２の他方端は、平衡端子であり、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｃｒ２に接続している。ポート電極ＰＭｃｒ２は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の受信信号を外部へ出力するポートである。

第８個別端子ＰＩＣ１８は、デュプレクサＤＵＰ３に接続している。第８個別端子ＰＩＣ１８とデュプレクサＤＵＰ３との間の伝送線路上の所定位置とグランド電位との間にはインダクタＬ６が接続されている。このインダクタＬ６により整合回路が構成される。

デュプレクサＤＵＰ３は、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３とＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３とから構成され、単一の筐体に一体形成されている。また、デュプレクサＤＵＰ３は一個の共通端子に対して二個の個別端子を備えている。

本発明の送信側フィルタに対応するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信信号の使用周波数帯域を通過帯域とし、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の受信信号の使用周波数帯域が減衰帯域内に設定されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３の他方端は、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｃｔ３に接続している。ポート電極ＰＭｃｔ３は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信信号が外部から入力されるポートである。

本発明の受信側フィルタに対応するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の受信信号の使用周波数帯域を通過帯域とし、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信信号の使用周波数帯域が減衰帯域内に設定されている。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３は、平衡−不平衡変換機能を有する。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３の他方端は、平衡端子であり、高周波モジュール１０の外部接続用のポート電極ＰＭｃｒ３に接続している。ポート電極ＰＭｃｒ３は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の受信信号を外部へ出力するポートである。

ここで、本実施形態の高周波モジュール１０で取り扱う各通信信号の周波数帯域について、図２を参照して説明する。図２は、各通信信号の送信周波数帯域および受信周波数帯域を一覧にした表である。なお、図２では、本実施形態および後述する各実施形態で説明に利用する通信信号の周波数帯域のみを記載し、他の通信信号の周波数帯域は記載を省略しているが、本発明の概念に準じて本発明の高周波モジュールを利用することができる。

ＧＳＭ９００の送信信号の使用周波数帯域は、最低周波数が８８０ＭＨｚで最高周波数が９１５ＭＨｚであり、その中心周波数は８９７．５ＭＨｚである。ＧＳＭ９００の受信信号の使用周波数帯域は、最低周波数が９２５ＭＨｚで最高周波数が９６０ＭＨｚであり、その中心周波数は９４２．５ＭＨｚである。

ＧＳＭ１８００の送信信号の使用周波数帯域は、最低周波数が１７１０ＭＨｚで最高周波数が１７８５ＭＨｚであり、その中心周波数は１７４７．５ＭＨｚである。ＧＳＭ１８００の受信信号の使用周波数帯域は、最低周波数が１８０５ＭＨｚで最高周波数が１８８０ＭＨｚであり、その中心周波数は１８４２．５ＭＨｚである。

ＧＳＭ１９００の送信信号の使用周波数帯域は、最低周波数が１８５０ＭＨｚで最高周波数が１９１０ＭＨｚであり、その中心周波数は１８８０ＭＨｚである。ＧＳＭ１９００の受信信号の使用周波数帯域は、最低周波数が１９３０ＭＨｚで最高周波数が１９９０ＭＨｚであり、その中心周波数は１９６０ＭＨｚである。

ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信信号の使用周波数帯域は、最低周波数が１９２０ＭＨｚで最高周波数が１９８０ＭＨｚであり、その中心周波数は１９５０ＭＨｚである。ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の受信信号の使用周波数帯域は、最低周波数が２１１０ＭＨｚで最高周波数が２１７０ＭＨｚであり、その中心周波数は２１４０ＭＨｚである。

ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信信号の使用周波数帯域は、最低周波数が１８５０ＭＨｚで最高周波数が１９１０ＭＨｚであり、その中心周波数は１８８０ＭＨｚである。ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の受信信号の使用周波数帯域は、最低周波数が１９３０ＭＨｚで最高周波数が１９９０ＭＨｚであり、その中心周波数は１９６０ＭＨｚである。

ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の送信信号の使用周波数帯域は、最低周波数が８２４ＭＨｚで最高周波数が１８４９ＭＨｚであり、その中心周波数は８３６．５ＭＨｚである。ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の受信信号の使用周波数帯域は、最低周波数が８６９ＭＨｚで最高周波数が８９４ＭＨｚであり、その中心周波数は８８１．５ＭＨｚである。

ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ７）の送信信号の使用周波数帯域は、最低周波数が２５００ＭＨｚで最高周波数が２５７０ＭＨｚであり、その中心周波数は２５３５ＭＨｚである。ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ７）の受信信号の使用周波数帯域は、最低周波数が２６２０ＭＨｚで最高周波数が２６９０ＭＨｚであり、その中心周波数は２６５５ＭＨｚである。

ここで、本願では、周波数帯域の間隔とは、中心周波数が低周波数側の通信信号の使用周波数帯域の最高周波数と、中心周波数が高周波数側の通信信号の使用周波数帯域の最低周波数との周波数間隔を示している。そして、使用周波数帯域が重なる場合を、本願では周波数帯域の間隔が「０」であると定義する。

このような考えのもと、ＷＣＤＭＡ系の通信信号では、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の周波数帯域の間隔が近接する。例えば、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信信号の使用周波数帯域内の最低周波数（１９２０ＭＨｚ）とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信信号の使用周波数帯域の最高周波数（１９１０ＭＨｚ）とは、１０ＭＨｚしか差がない。

また、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信信号の使用周波数帯域（１９２０ＭＨｚから１９８０ＭＨｚ）とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の受信信号の使用周波数帯域（１９３０ＭＨｚから１９９０ＭＨｚ）とは、殆どの周波数で周波数帯域が重なる（間隔が「０」になる）。

このような使用周波数帯域の間隔が近接もしくは部分的に重なり合う（「０」）の二種類の通信信号を含む三種類の通信信号以上の通信信号を送受信するために、本実施形態では、高周波モジュール１０を以下の構造で実現する。

図３は、本実施形態に係る高周波モジュール１０の構造を説明するための図であり、図３（Ａ）が外観斜視図、図３（Ｂ）が天面実装図である。

高周波モジュール１０は、積層体９００と、該積層体９００の天面に実装された、次に示す各回路素子からなる。

積層体９００は、誘電体層を所定数積層し、内層電極が形成されており、高周波モジュール１０を形成する電極パターンを実現している。また、本実施形態では詳細に図示していないが、積層体９００の底面には、上述の外部接続用のポート電極がそれぞれ、所定配列で形成されている。

積層体９００の天面に実装される回路素子は、上述のスイッチ素子ＳＷＩＣ、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１、ダイプレクサＤＩＰ１、デュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ２，ＤＵＰ３および、スイッチ素子ＳＷＩＣへの電源供給ラインに接続される各回路素子や上述の整合回路を構成するためのインダクタ等が実装されている。

デュプレクサＤＵＰ１は、表面波フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｒ１が単一の筐体に一体形成されたものである。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰帯域とする。ＳＡＷフィルタＳＡＷｒｔ１は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の受信周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰帯域とする。

デュプレクサＤＵＰ２は、表面波フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｒ２が単一の筐体に一体形成されたものである。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の送信周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰帯域とする。ＳＡＷフィルタＳＡＷｒｔ２は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の受信周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰帯域とする。

デュプレクサＤＵＰ３は、表面波フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３，ＳＡＷｕｒ３が単一の筐体に一体形成されたものである。ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰帯域とする。ＳＡＷフィルタＳＡＷｒｔ３は、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の受信周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰帯域とする。

デュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ２，ＤＵＰ３は、積層体９００を平面視した第１側辺（図３（Ｂ）における紙面に向かって見た左側辺）に沿って、所定間隔で配列した状態で実装されている。なお、スイッチ素子ＳＷＩＣ、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１、ダイプレクサＤＩＰ１および他の回路素子、図１の回路パターンを実現し、且つできる限り積層体９００を平面視した大きさが大きくならないように、さらには底面の外部接続用のポート電極の配置パターン等に基づいて、適宜、実装位置が設定されている。

ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）を送受信するためのデュプレクサＤＵＰ１と、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）を送受信するためのデュプレクサＤＵＰ３との間に、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）を送受信するためのデュプレクサＤＵＰ２が配置される。

このような配置パターンとすることで、使用周波数帯域が近接もしくは部分的に重なり合うＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）をそれぞれ送受信するデュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ３間が、デュプレクサＤＵＰ２の形状分以上で離間する。また、デュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ３間に、デュプレクサＤＵＰ２が介在することになる。これにより、デュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ３の電磁界結合および静電結合が抑制される。したがって、例えばデュプレクサＤＵＰ１を通過するＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信信号がデュプレクサＤＵＰ３を介して、デュプレクサＤＵＰ３のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３を通過して、後段の受信回路へ漏洩する等の問題が生じない。すなわち、周波数帯域が近接もしくは部分的に重なり合う二つの通信信号の伝送経路間でのアイソレーションを高くすることができる。

ここで、例えば、デュプレクサＤＵＰ１とデュプレクサＤＵＰ２、デュプレクサＤＵＰ３とデュプレクサＤＵＰ２とは近接するが、デュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ３を伝送するＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１，Ｂａｎｄ２）の通信信号は、デュプレクサＤＵＰ３を伝送するＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の通信信号と、使用周波数帯域が離間している。具体的にそれぞれの使用周波数帯域は、上述のように、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１，Ｂａｎｄ２）の通信信号の使用周波数帯域は約１８００ＭＨｚから約２２００ＭＨｚであり、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の通信信号の使用周波数帯域は約８２０ＭＨｚから約９００ＭＨｚである。デュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ３からの信号がデュプレクサＤＵＰ２に漏洩したとしても、当該デュプレクサＤＵＰ２で減衰される。同様に、デュプレクサＤＵＰ２からの信号がデュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ３に漏洩したとしても、当該デュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ３で減衰される。したがって、上述のように、周波数帯域が近接もしくは部分的に重なり合う二種類の通信信号を伝送するデュプレクサＤＵＰ１，ＤＵＰ３が近接して配置される時のような問題は生じない。

このように、本実施形態の構成を用いることで、周波数帯域が近接もしくは部分的に重なる二種類の通信信号を含む三種類以上の通信信号を送受信する場合であっても、小型でありながら、各通信信号間に対するアイソレーション特性に優れる高周波モジュール１０を実現することができる。

次に、第２の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図４は本実施形態に係る高周波モジュール１０Ａの回路構成を示すブロック図である。

本実施形態の高周波モジュール１０Ａは、回路構成としては、第１の実施形態に示した、電源供給ライン上の抵抗Ｒ１−Ｒ４を省略もしくは伝送線路の抵抗成分のみで実現している。また、デュプレクサＤＵＰ１Ｓ，ＤＵＰ２Ｓ，ＤＵＰ３Ｓをそれぞれに構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷｕｔ３，ＳＡＷｕｒ３をそれぞれ個別の筐体で実現したものである。他の構成は同じであるので、変更箇所を除き、回路構成は詳細な説明を省略する。

第６個別端子ＰＩＣ１６は、デュプレクサＤＵＰ１Ｓに接続している。第６個別端子ＰＩＣ１６とデュプレクサＤＵＰ１Ｓとの間には、キャパシタＣＢ１Ａが接続され、当該キャパシタＣＢ１ＡのデュプレクサＤＵＰ１Ｓ側とグランド電位との間にはインダクタＬＢ１Ａが接続されている。これらキャパシタＣＢ１ＡとインダクタＬＢ１Ａにより整合回路が構成される。

デュプレクサＤＵＰ１Ｓは、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１とＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１とから構成される。第６個別端子ＰＩＣ１６は、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１の一方端とＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１の一方端の双方に接続する。

第７個別端子ＰＩＣ１７は、デュプレクサＤＵＰ２Ｓに接続している。第７個別端子ＰＩＣ１７とデュプレクサＤＵＰ２Ｓとの間の伝送線路とグランド電位との間には整合用のインダクタＬ５Ａが接続されている。

デュプレクサＤＵＰ２Ｓは、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２とＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２とから構成される。第７個別端子ＰＩＣ１７は、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２の一方端とＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２の一方端の双方に接続する。

第８個別端子ＰＩＣ１８は、デュプレクサＤＵＰ３Ｓに接続している。第８個別端子ＰＩＣ１８とデュプレクサＤＵＰ３Ｓとの間の伝送線路とグランド電位との間には整合用のインダクタＬ６Ａが接続されている。

デュプレクサＤＵＰ３Ｓは、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３とＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３とから構成される。第８個別端子ＰＩＣ１８は、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３の一方端とＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３の一方端の双方に接続する。

図５は本実施形態に係る高周波モジュール１０Ａの構造を説明するための図であり、図５（Ａ）が天面実装図であり、図５（Ｂ）がスイッチ素子ＳＷＩＣのランドパターンを示す図である。

積層体９００Ａの天面に実装される回路素子は、スイッチ素子ＳＷＩＣ、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１、ダイプレクサＤＩＰ１、デュプレクサＤＵＰ１Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｒ１、デュプレクサＤＵＰ２Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｒ２、デュプレクサＤＵＰ３Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３，ＳＡＷｕｒ３からなる。

この際、デュプレクサＤＵＰ１Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｒ１は、それぞれ個別筐体で実現された回路素子である。同様に、デュプレクサＤＵＰ２Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｒ２も、それぞれ個別筐体で実現された回路素子である。デュプレクサＤＵＰ３Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３，ＳＡＷｕｒ３も、それぞれ個別筐体で実現された回路素子である。

デュプレクサＤＵＰ１Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１、デュプレクサＤＵＰ２Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２、および、デュプレクサＤＵＰ３Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３は、積層体９００Ａを平面視した、第２側辺（図５（Ａ）における紙面に向かって見た右側辺）に沿って、当該第２側辺の近傍に実装されている。

この際、送信信号の周波数帯域が近接するＷＣＤＭＡ（ｂａｎｄ１）とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）用のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｔ３の間に、ＷＣＤＭＡ（ｂａｎｄ１）とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）と周波数帯域離間するＷＣＤＭＡ（ｂａｎｄ５）用のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２が配置される。これにより、互いに影響を与えやすいＷＣＤＭＡ（ｂａｎｄ１）の送信系回路とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信系回路との間のアイソレーションを高くすることができる。

デュプレクサＤＵＰ１Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１、デュプレクサＤＵＰ２Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２、および、デュプレクサＤＵＰ３Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３は、積層体９００Ａを平面視した、第２側辺に対向する第１側辺（図５（Ａ）における紙面に向かって見た左側辺）に沿って、当該第１側辺の近傍に実装されている。

この際、送信信号の周波数帯域が近接するＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）用のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷｕｔ３の間に、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）と周波数帯域が離間するＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）用のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２が配置される。これにより、互いに影響を与えやすいＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の受信系回路とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の受信系回路との間のアイソレーションを高くすることができる。

また、さらに、送信側のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｔ３と、受信側のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷｕｒ３とが離間される。

これにより、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｒ１間の不要な電磁界結合を抑制し、アイソレーションを向上することができる。すなわち、ハイパワーのＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信信号が、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１側に漏洩することなく、デュプレクサＤＵＰ１Ｓとしての特性を向上させることができる。

同様に、デュプレクサＤＵＰ２Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２とＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２が離間され、デュプレクサＤＵＰ３Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３とＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３が離間される。これにより、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｒ２間、および、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３，ＳＡＷｕｒ３間の不要な電磁界結合を抑制し、アイソレーションを向上することができる。すなわち、ハイパワーのＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信信号が、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２側に漏洩することなく、デュプレクサＤＵＰ２Ｓとしての特性を向上させることができる。また、ハイパワーのＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の送信信号が、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３側に漏洩することなく、デュプレクサＤＵＰ３Ｓとしての特性を向上させることができる。

さらに、積層体９００Ａを平面視した中央には、スイッチ素子ＳＷＩＣが実装されている。言い換えれば、デュプレクサＤＵＰ１Ｓ，ＤＵＰ２Ｓ，ＤＵＰ３Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３の実装領域と、デュプレクサＤＵＰ１Ｓ，ＤＵＰ２Ｓ，ＤＵＰ３Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３の実装領域との間に、スイッチ素子ＳＷＩＣが実装される。

これにより、デュプレクサＤＵＰ１Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｒ１間の不要な電磁結合および静電結合をさらに抑制することができる。同様に、デュプレクサＤＵＰ２Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｒ２間の不要な電磁結合および静電結合、およびデュプレクサＤＵＰ３Ｓを構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３，ＳＡＷｕｒ３間の不要な電磁界結合をさらに抑制することができる。

また、スイッチ素子ＳＷＩＣは、図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、駆動電圧印加用端子ＰＩＣＶｄｄ、および複数の制御電圧印加用端子ＰＩＣＶｃ１，ＰＩＣＶｃ２，ＰＩＣＶｃ３，ＰＩＣＶｃ４からなる電源系端子群が、受信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷｕｒ３側となるように、積層体９００Ａへ実装される。言い換えれば、これら電源系端子群が、送信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｔ３側に対して、反対側となるように、スイッチ素子ＳＷＩＣは、積層体９００Ａへ実装されている。

この構成により、送信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｔ３と電源系端子群とが離間されるので、これらの間のアイソレーションを高く確保できる。したがって、送信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｔ３からハイパワーの送信信号が漏洩して電源系端子群に入力される駆動電圧および制御電圧に重畳されることを抑制できる。これにより、スイッチ素子ＳＷＩＣの高調波特性等の各スイッチ特性を向上させることができる。

また、本実施形態の構成を用いれば、従来の送信側フィルタと受信側フィルタとが一体化されたデュプレクサと比較して、各送信側フィルタおよび受信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｔ３，ＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷｕｒ３の外形は小型化される。これにより、高周波モジュール１０Ａに各回路素子を実装する際の配置自由度が向上し、より確実且つ容易に、高周波モジュール１０Ａを小型化することができる。

なお、ダイプレクサＤＩＰ１およびＳＡＷフィルタＳＡＷ１は、本実施形態では、上述の第１側辺および第２側辺に直交する他の端辺に沿って実装されているが、仕様に応じて、他の位置にあってもよい。

次に、第３の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図６は、本実施形態に係る高周波モジュール１０Ｂの回路構成を示すブロック図である。図６に示すように、本実施形態の高周波モジュール１０Ｂは、第２の実施形態に示した高周波モジュール１０Ａに対して、スイッチ素子ＳＷＩＣの電源系回路に、ノイズ対策用のインダクタＬｍ、抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を追加しただけのもの（第１の実施形態と同じ構成）であり、他の回路構成は同じである。したがって、回路構成の説明については、説明を省略する。

高周波モジュール１０Ｂは、次に示す構造からなる。図７は本実施形態に係る高周波モジュール１０Ｂの構造を説明するための図であり、図７（Ａ）が外観斜視図、図７（Ｂ）が天面実装図である。図８は本実施形態の高周波モジュール１０Ｂの積み図である。なお、図８は積層体９００Ｂの各誘電体層を底面側から見た電極パターンを示している。図９（Ａ）は本実施形態の高周波モジュール１０Ｂの積層体９００Ｂの最上層の実装状態図であり、図９（Ｂ）は最下層の外部接続用のポート電極の配列パターン図である。

積層体９００Ｂの最上層には、第２の実施形態の高周波モジュール１０Ａと同様に、スイッチ素子ＳＷＩＣ、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１、ダイプレクサＤＩＰ１、デュプレクサＤＵＰ１を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｒ１、デュプレクサＤＵＰ２を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｒ２、デュプレクサＤＵＰ３を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３，ＳＡＷｕｒ３、および整合回路を構成する各回路素子が実装されている。

さらに、高周波モジュール１０Ｂでは、上述のインダクタＬｍ、抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４が実装されている。これらインダクタＬｍ、抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、積層体９００Ａを平面視して、スイッチ素子ＳＷＩＣの実装位置と、送信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３の実装領域との間に、配列して実装されている。

このような構成により、送信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３と、受信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３との間のアイソレーションをさらに向上させることができる。また、さらに、送信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３とスイッチ素子ＳＷＩＣとのアイソレーションもさらに向上させることができる。

この際、図７（Ｂ）および図９（Ａ）に示すように、スイッチ素子ＳＷＩＣは、電源供給系端子群が、送信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３となっても、スイッチ素子ＳＷＩＣと送信側フィルタ群との間に介在するインダクタＬｍ、抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４により、アイソレーションを確保することができ、送信信号の駆動電圧および制御電圧への重畳を抑制することができる。

さらに、インダクタＬｍ、抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を実装する際に、図６および図９に示すように、送信側フィルタ群の実装領域側へ、インダクタＬｍ、抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の外部接続用のポート電極に接続する側（図６、図９の「ＳＢ」側）の端子が向くように、インダクタＬｍ、抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を実装する。これにより、さらに確実にアイソレーションを向上させ、送信信号の駆動電圧および制御電圧への重畳を抑制することができる。

次に、図８、図９を用いて、積層体９００Ｂの内部構造および天面の実装パターン、底面の外部接続用のポート電極の配列パターンについて説明する。

積層体９００Ｂは、１４層の誘電体層を積層してなり、各誘電体層には高周波モジュール１０Ｂを構成するための所定の電極パターンが形成されるとともに、層間を接続するビア電極が形成されている。ビア電極は、図８の各層に示す丸印で表されている。なお、以下では、最上層を第１層として、下層側になるほど数値が増加し、最下層を第１４層として説明する。

最上層にある第１層の天面、すなわち積層体９００Ｂの天面には、上述のように、各回路素子を実装するための素子実装用電極が形成されている。

第２層および第３層には引き回しパターン電極が形成されている。第４層には内層グランド電極ＧＮＤｉが略全面に形成されている。第５層には引き回し電極が形成されている。第６層には所定領域に内層グランド電極ＧＮＤｉが形成されている。

第７層、第８層、第９層、第１０層、第１１層、第１２層には、送信側フィルタ１２Ａ，１２Ｂ、アンテナ側整合回路１１を構成するためのインダクタ用の電極パターンやキャパシタ用の電極パターンが形成されている。

第１３層には内層グランド電極ＧＮＤｉが略全面に形成されている。

最下層である第１４層の底面、すなわち積層体９００Ｂの底面には、外部接続用のポート電極が配列形成されている。図９に示すように、送信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｔ３の実装側の第２側辺に対応する第１４層の第２側辺には、第１送信信号入力用のポート電極ＰＭｃｔ１、第２送信信号入力用のポート電極ＰＭｃｔ２、第３送信信号入力用のポート電極ＰＭｃｔ３、および、ＧＳＭ１８００／１９００の送信信号入力用のポート電極ＰＭｔＨ、ＧＳＭ９００の送信信号入力用のポート電極ＰＭｔＬが配列形成されている。

この際、第１送信信号入力用のポート電極ＰＭｃｔ１と、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１の送信信号入力端子用の実装電極Ｐｓｔ１とは、積層体９００Ｂを平面視して少なくとも部分的に重なるように形成されている。そして、ポート電極ＰＭｃｔ１と実装電極Ｐｓｔ１とは、ビア電極ＶＨｔ１のみを介して接続されている。この構成により、ポート電極ＰＭｃｔ１と実装電極Ｐｓｔ１とは、積層方向に沿って最短距離で接続され、他の回路要素に対して、不要な電磁界結合が発生しにくい。

また、第２送信信号入力用のポート電極ＰＭｃｔ２と、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２の送信信号入力端子用の実装電極Ｐｓｔ２とは、積層体９００Ｂを平面視して少なくとも部分的に重なるように形成されている。そして、ポート電極ＰＭｃｔ２と実装電極Ｐｓｔ２とは、ビア電極ＶＨｔ２のみを介して接続されている。この構成により、ポート電極ＰＭｃｔ２と実装電極Ｐｓｔ２とは、積層方向に沿って最短距離で接続され、他の回路要素に対して、不要な電磁界結合が発生しにくい。

また、第３送信信号入力用のポート電極ＰＭｃｔ３と、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３の送信信号入力端子用の実装電極Ｐｓｔ３とは、積層体９００Ｂを平面視して少なくとも部分的に重なるように形成されている。そして、ポート電極ＰＭｃｔ３と実装電極Ｐｓｔ３とは、ビア電極ＶＨｔ３のみを介して接続されている。この構成により、ポート電極ＰＭｃｔ３と実装電極Ｐｓｔ３とは、積層方向に沿って最短距離で接続され、他の回路要素に対して、不要な電磁界結合が発生しにくい。

なお、これらのビア電極ＶＨｔ１，ＶＨｔ２，ＶＨｔ３は、比較的に近接し、平行に延びる電極となるが、これらの間には、図５の第４層や第１３層に示すように、ビア電極間に内層グランド電極ＧＮＤｉが介在しているので、これらの間の不要な電磁界結合も抑制されている。

また、近接する周波数帯域となるＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の通信信号用のビア電極と、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の通信信号用のビア電極との間に、離間した周波数帯域となるＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の通信信号用のビア電極が存在するので、これら送信信号系のビア電極においてのアイソレーションを向上させることができる。

また、受信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷｕｒ３の実装側の他方端辺に対応する第１４層の他方端辺には、第１受信信号出力用のポート電極ＰＭｃｒ１、第２受信信号出力用のポート電極ＰＭｃｒ２、第３受信信号出力用のポート電極ＰＭｃｒ３が配列形成されている。

この際、第１受信信号出力用のポート電極ＰＭｃｒ１と、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ１の受信信号出力端子用の実装電極Ｐｓｒ１とは、積層体９００Ｂを平面視して少なくとも部分的に重なるように形成されている。そして、ポート電極ＰＭｃｒ１と実装電極Ｐｓｒ１とは、ビア電極ＶＨｒ１のみを介して接続されている。この構成により、ポート電極ＰＭｃｒ１と実装電極Ｐｓｒ１とは、積層方向に沿って最短距離で接続され、他の回路要素に対して、不要な電磁結合および静電結合が発生しにくい。そして、上述のＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信信号用に設けられたポート電極ＰＭｃｔ１と実装電極Ｐｓｔ１とがビア電極ＶＨｔ１のみを介して接続される構成と組み合わせることで、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信系回路と受信系回路とを大きく離間し、不要な電磁界結合を、より確実に抑制できる。これにより、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信系回路と受信系回路との間に高いアイソレーションを実現できる。

また、第２受信信号出力用のポート電極ＰＭｃｒ２と、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ２の受信信号出力端子用の実装電極Ｐｓｒ２とは、積層体９００Ｂを平面視して少なくとも部分的に重なるように形成されている。そして、ポート電極ＰＭｃｒ２と実装電極Ｐｓｒ２とは、ビア電極ＶＨｒ２のみを介して接続されている。この構成により、ポート電極ＰＭｃｒ２と実装電極Ｐｓｒ２とは、積層方向に沿って最短距離で接続され、他の回路要素に対して、不要な電磁界結合が発生しにくい。そして、上述のＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の送信信号用に設けられたポート電極ＰＭｃｔ２と実装電極Ｐｓｔ２とがビア電極ＶＨｔ２のみを介して接続される構成と組み合わせることで、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の送信系回路と受信系回路とを大きく離間し、不要な電磁界結合をより確実に抑制できる。これにより、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の送信系回路と受信系回路との間に高いアイソレーションを実現できる。

また、第３受信信号出力用のポート電極ＰＭｃｒ３と、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｒ３の受信信号出力端子用の実装電極Ｐｓｒ３とは、積層体９００Ｂを平面視して少なくとも部分的に重なるように形成されている。そして、ポート電極ＰＭｃｒ３と実装電極Ｐｓｒ３とは、ビア電極ＶＨｒ３のみを介して接続されている。この構成により、ポート電極ＰＭｃｒ３と実装電極Ｐｓｒ３とは、積層方向に沿って最短距離で接続され、他の回路要素に対して、不要な電磁界結合が発生しにくい。そして、上述のＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信信号用に設けられたポート電極ＰＭｃｔ３と実装電極Ｐｓｔ３とがビア電極ＶＨｔ３のみを介して接続される構成と組み合わせることで、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信系回路と受信系回路とを大きく離間し、不要な電磁界結合をより確実に抑制できる。これにより、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信系回路と受信系回路との間に高いアイソレーションを実現できる。

また、ポート電極ＰＭｃｔ１、ポート電極ＰＭｃｔ２およびポート電極ＰＭｃｔ３と、ポート電極ＰＭｃｒ１、ポート電極ＰＭｃｒ２およびポート電極ＰＭｃｒ３との間となる、第１４層を平面視した中央領域には、グランドポート電極ＰＭＧＮＤが形成されている。これにより、実装面においても、送信系回路と受信系回路とのアイソレーションを高く確保することができる。

なお、上述の実施形態では、接続すべきポート電極と実装電極とをビア電極のみで接続する例を示したが、例えば平面視したＳＡＷフィルタの実装領域に対応する程度の範囲内で、所定の内層電極により引き回しを行ってもよい。この構成でも、同じ通信信号の送信系回路と受信系回路との間のアイソレーションを高く確保することができる。

なお、上述の第３の実施形態で示した、積層体９００Ｂの引き回し電極パターン、実装電極、ポート電極の配列パターンに関しては、第１、第２の実施形態に示した高周波モジュール１０，１０Ａにも適用することができる。これにより、第１、第２の実施形態に示した高周波モジュール１０，１０Ａにおいても、積層体９００，９００Ａ内での送信系回路と受信系回路との間のアイソレーションを高く確保することができる。また、近接する周波数帯域となるＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の通信信号用のビア電極と、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の通信信号用のビア電極との間に、離間した周波数帯域となるＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の通信信号用のビア電極が存在するので、これらビア電極においてのアイソレーションを向上させることができる。

次に、第４の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１０は本実施形態に係る高周波モジュール１０Ｃの構造を説明するための天面実装図である。

上述の各実施形態では、ＷＣＤＭＡの通信信号として、異なる三種類の通信信号（ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１），ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２），ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５））を一つの高周波モジュールで送受信する例を示したが、本実施形態では、ＷＣＤＭＡの通信信号として、四種類の通信信号を一つの高周波モジュールで送受信する例を示す。具体的には、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１），ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２），ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５），ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ７）の通信信号を送受信する。なお、基本的な回路構成等は、上述の各実施形態と同じであり、アンテナにスイッチ素子ＳＷＩＣの共通端子が接続され、当該スイッチ素子ＳＷＩＣの各個別端子に、通信信号毎のデュプレクサが接続される構造からなる。

本実施形態の高周波モジュール１０Ｃを構成する積層体９００Ｃの天面には、スイッチ素子ＳＷＩＣ、デュプレクサＤＵＰ１を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｒ１、デュプレクサＤＵＰ２を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｒ２、デュプレクサＤＵＰ３を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３，ＳＡＷｕｒ３、デュプレクサＤＵＰ４を構成するＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ４，ＳＡＷｕｒ４が実装されている。

積層体９００Ｃの天面の第２側辺には、各デュプレクサを構成する送信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｔ４，ＳＡＷｕｔ３が、第２側辺に沿って間隔をおいて実装されている。具体的には、周波数帯域の近接するＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の通信信号用のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の通信信号用のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ３との間に、これらと比較して周波数帯域が離間するＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の通信信号用のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ７）の通信信号用のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ４とが実装される。このような構成により、上述の各実施形態と同様に、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信系とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信系とのアイソレーションを高くすることができる。

さらに、この際、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の通信信号よりもＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の通信信号に対して周波数帯域が離間するＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ７）の通信信号用のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ４をＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２側に配置し、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）およびＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の双方に対して周波数帯域が離間するＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の通信信号用のＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ２を、ＳＡＷフィルタＳＡＷｕｔ１側に配置する。これにより、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ７）の送信系回路とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信系回路とのアイソレーションも高くすることができる。

積層体９００Ｃの天面の第１側辺には、各デュプレクサを構成する送信側フィルタであるＳＡＷフィルタＳＡＷｒｔ１，ＳＡＷｒｔ２，ＳＡＷｒｔ４，ＳＡＷｒｔ３が、第１側辺に沿って間隔をおいて実装されている。具体的には、周波数帯域の近接するＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）用のＳＡＷフィルタＳＡＷｒｔ１とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）用のＳＡＷフィルタＳＡＷｒｔ３との間に、これらと比較して周波数帯域が離間するＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）用のＳＡＷフィルタＳＡＷｒｔ２とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ７）用のＳＡＷフィルタＳＡＷｒｔ４とが実装される。このような構成により、上述の各実施形態と同様に、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の受信系とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の受信系とのアイソレーションを高くすることができる。

さらに、この際、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）よりもＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）に対して周波数帯域が離間するＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ７）のＳＡＷフィルタＳＡＷｒｔ４をＳＡＷフィルタＳＡＷｒｔ２側に配置し、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）およびＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の双方に対して周波数帯域が離間するＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）のＳＡＷフィルタＳＡＷｒｔ２を、ＳＡＷフィルタＳＡＷｒｔ１側に配置する。これにより、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ７）の受信系とＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）、ＷＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の受信系とのアイソレーションも高くすることができる。

積層体９００Ｃの天面の平面視した中央には、スイッチ素子ＳＷＩＣ−Ａが実装されている。これにより、上述の各実施形態と同様に、送信系ＳＡＷフィルタ群と受信系ＳＡＷフィルタ群とのアイソレーションを高くすることができる。

なお、上述の各実施形態では、デュプレクサを三個もしくは四個用いた例を示したが、三個以上であれば、上述の各実施形態の構成を適用でき、同様の作用効果を得ることができる。

１０、１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ：高周波モジュール、
１１：アンテナ側整合回路、
１２Ａ，１２Ｂ：送信フィルタ、
９００，９００Ａ，９００Ｂ，９００Ｃ：積層体、
ＳＷＩＣ，ＳＷＩＣ−Ａ：スイッチＩＣ素子、
ＤＩＰ１：ダイプレクサ、
ＤＵＰ１，ＤＵＰ２，ＤＵＰ３，ＤＵＰ４：デュプレクサ、
ＳＡＷ１，ＳＡＷｉｒ１，ＳＡＷｉｒ２，ＳＡＷｕｒ１，ＳＡＷｕｒ２，ＳＡＷｕｒ３，ＳＡＷｕｒ４，ＳＡＷｕｔ１，ＳＡＷｕｔ２，ＳＡＷｕｔ３，ＳＡＷｕｔ４：ＳＡＷフィルタ、
ＶＨｔ１，ＶＨｔ２，ＶＨｔ３，ＶＨｒ１，ＶＨｒ２，ＶＨｒ３：ビア電極

Claims (12)

1. 少なくとも第１通信信号、第２通信信号、第３通信信号を含む複数の通信信号を送受信する高周波モジュールであって、
   三個以上の個別端子から一つの個別端子を選択して共通端子に接続するスイッチ素子と、
   該スイッチ素子の前記三個以上の個別端子にそれぞれ接続する分波器と、を備え、
   前記スイッチ素子および前記分波器は、高周波モジュールを構成する積層体表面に実装されており、
   前記第１通信信号、前記第２通信信号、および前記第３通信信号は、それぞれ送信信号と受信信号で構成され、
   前記第１通信信号の周波数帯域と第２通信信号の周波数帯域との間隔が、前記第１通信信号の周波数帯域と前記第３周波数帯域との間隔および前記第２通信信号の周波数帯域と前記第３通信信号の周波数帯域との間隔よりも狭く、
   前記第１通信信号の周波数帯域と前記第２通信信号の周波数帯域とが重なっており、
   前記第１通信信号を伝送する第１分波器の実装位置と、前記第２通信信号を伝送する第２分波器の実装位置との間に、前記第３通信信号を伝送する第３分波器が実装されている、高周波モジュール。
2. 請求項１に記載の高周波モジュールであって、
   前記第１通信信号の送信信号の周波数帯域と前記第２通信信号の受信信号の周波数帯域との間隔が、前記第１通信信号の周波数帯域と前記第３通信信号の周波数帯域との間隔および前記第２通信信号の周波数帯域と前記第３通信信号の周波数帯域との間隔よりも狭い、高周波モジュール。
3. 請求項１または請求項２に記載の高周波モジュールであって、
   前記第１分波器、前記第２分波器および前記第３分波器は、それぞれ送信側フィルタと受信側フィルタとが個別の素子で構成されており、
   前記送信側フィルタ群と、前記受信側フィルタ群とが、前記積層基板表面に、離間して実装されている、高周波モジュール。
4. 請求項３に記載の高周波モジュールであって、
   前記スイッチ素子は、平面視した形状が略四角形の素子からなり、電源供給端子が平面視した一方側面に近接して配置されており、当該一方側面に対向する他方側面が、前記送信側フィルタ群の実装領域側となるように、前記積層基板表面に実装されている、高周波モジュール。
5. 請求項３または請求項４に記載の高周波モジュールであって、
   前記積層体表面には、前記スイッチ素子および前記分波器を構成する各フィルタとは別の回路素子が実装されており、
   該別の回路素子は、前記スイッチ素子と前記送信側フィルタ群との間に実装されている、高周波モジュール。
6. 請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の高周波モジュールであって、
   前記積層体の裏面には、前記通信信号毎に送信信号入力ポート用電極を含む外部接続ポート用電極が形成されており、
   前記送信側フィルタの送信信号入力端子と前記送信信号入力ポート用電極とは、前記積層体を平面視した状態で、少なくとも一部が重なるように配置されている、高周波モジュール。
7. 請求項６に記載の高周波モジュールであって、
   前記送信側フィルタの前記送信信号入力端子が実装される電極と前記送信信号入力ポート用電極とは、前記積層体の積層方向に沿って形成されたビア電極のみによって接続されている、高周波モジュール。
8. 請求項６または請求項７に記載の高周波モジュールであって、
   前記積層体の裏面には、前記通信信号毎に受信信号出力ポート用電極が形成されており、
   前記受信側フィルタの受信信号出力端子と前記受信信号出力ポート用電極とは、前記積層体を平面視した状態で、少なくとも一部が重なるように配置されている、高周波モジュール。
9. 請求項８に記載の高周波モジュールであって、
   前記受信側フィルタの前記受信信号出力端子が実装される電極と前記受信信号出力ポート用電極とは、前記積層体の積層方向に沿って形成されたビア電極のみによって接続されている、高周波モジュール。
10. 請求項３乃至請求項９のいずれかに記載の高周波モジュールであって、
    前記送信側フィルタ群は、単一の筐体に一体形成されている、高周波モジュール。
11. 請求項３乃至請求項１０のいずれかに記載の高周波モジュールであって、
    前記受信側フィルタ群は、単一の筐体に一体形成されている、高周波モジュール。
12. 請求項３乃至請求項１１のいずれかに記載の高周波モジュールであって、
    前記スイッチ素子は、前記送信側フィルタ群の実装領域と前記受信側フィルタの実装領域との間に実装されている、高周波モジュール。

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