WO2019188875A1 - 高周波モジュール - Google Patents

Abstract

高周波モジュール（１０）は、高周波スイッチ（１１）、フィルタ（２１－２３）、（３１－３３）、接続用回路（４１－４６）を備える。高周波スイッチ（１１）は、フィルタ側の端子（Ｐｓ１－Ｐｓ６）を有する。フィルタ（２１、２２、２３）は、それぞれに特性の異なる複数のフィルタを備える。フィルタ（３１、３２、３３）は、１種類のフィルタを備える。接続用回路（４１、４２、４３）は、高周波スイッチ（１１）の端子（Ｐｓ１、Ｐｓ２、Ｐｓ３）とフィルタ（２１、２２、２３）の共通端子（Ｐｃ２１）、Ｐｃ２２、Ｐｃ２３とをそれぞれに接続する。接続用回路（４４、４５、４６）は、高周波スイッチ（１１）の端子（Ｐｓ４、Ｐｓ５、Ｐｓ６）とフィルタ（３１、３２、３３）とを接続する。接続用回路（４１、４２、４３）は、接続用回路（４４、４５、４６）よりも短い。

Description

高周波モジュール

　本発明は、複数の通信バンドの高周波信号を通信する高周波モジュールに関する。

　近年、移動体通信機等の通信端末は、小型化とともに、１台の通信端末で複数の通信バンドに対応する必要がある。

　これを実現するため、例えば、特許文献１に記載の高周波用のモジュールは、スイッチ素子、および、複数のフィルタを備えている。

　スイッチ素子は、アンテナに接続されるアンテナ側の接続端子と、フィルタに接続される複数のフィルタ側接続端子と、を備える。スイッチ素子は、複数のフィルタ側接続端子を、選択的にアンテナ側の接続端子に接続する。

　複数のフィルタは、それぞれに特性が異なる２個のフィルタが束ねられたデュプレクサと、シングルフィルタと有する。デュプレクサおよびシングルフィルタは、それぞれ、スイッチ素子における異なるフィルタ側接続端子に接続されている。

特開２０１４－２３９３７９号公報

　しかしながら、上述のモジュールの構成では、デュプレクサおよびシングルフィルタとスイッチ素子とをそれぞれ接続する配線のパターンによっては、挿入損失が大きくなる箇所がある。これにより、上述のモジュールでは、伝送特性が劣化してしまうことがある。

　したがって、本発明の目的は、デュプレクサを含むマルチプレクサとシングルフィルタとを備えながら、優れた伝送特性を有する高周波モジュールを提供することにある。

　この発明の高周波モジュールは、スイッチ、マルチプレクサ、および、シングルフィルタを備える。スイッチは、共通端子と、共通端子に選択的に接続される第１選択端子および第２選択端子と、を有する。マルチプレクサは、第１選択端子に接続される。シングルフィルタは、第２選択端子に接続される。第１選択端子とマルチプレクサとを接続する伝送経路の電気的な距離は、第２選択端子と前記シングルフィルタとを接続する伝送経路の電気的な距離よりも短い。

　この構成では、挿入損失が大きくなり易いマルチプレクサとスイッチとの間の伝送経路の電気的な距離（簡略的に言えば、伝送経路の距離）は、シングルフィルタとスイッチとの間の伝送経路の電気的な距離（簡略的に言えば、伝送経路の距離）よりも短くなる。これにより、マルチプレクサ側を伝送する通信バンドの高周波信号に対する挿入損失が低減される。一方、シングルフィルタ側を伝送する通信バンドの高周波信号に対しては、シングルフィルタ自体の挿入損失は元々小さいので、マルチプレクサ側の伝送経路よりもシングルフィルタ側の伝送経路を長くしても、高周波モジュールの伝送損失に対する影響は小さい。したがって、高周波モジュールの伝送特性は向上する。

　この発明の高周波モジュールは、高周波スイッチ、第１フィルタ、第２フィルタ、第１回路、および、第２回路を備える。高周波スイッチは、アンテナ側の端子と複数のフィルタ側の端子とを有し、複数のフィルタ側の端子をアンテナ側の端子へ選択的に接続する。第１フィルタは、それぞれに特性の異なる複数個のフィルタを備え、該複数個のフィルタに共通の共通端子を有する。第２フィルタは、１個のフィルタを備える。第１回路は、複数のフィルタ側の端子における第１端子と第１フィルタとを接続する。第２回路は、複数のフィルタ側の端子における第２端子と第２フィルタの共通端子とを接続する。第１回路の信号伝送距離は、第２回路の信号伝送距離よりも短い。

　この構成では、挿入損失が大きくなり易い第１フィルタと高周波スイッチとの間の信号伝送距離は、第２フィルタと高周波スイッチとの間の信号伝送距離よりも短くなる。これにより、第１回路を伝送する通信バンドの高周波信号に対する挿入損失が低減される。一方、第２回路を伝送する通信バンドの高周波信号に対しては、第２フィルタ自身の挿入損失は元々小さいので、第１回路の信号伝送距離よりも第２回路の信号伝送距離を長くしても、高周波モジュールの伝送損失に対する影響は小さい。したがって、高周波モジュールの伝送特性は向上する。

　また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。第１フィルタおよび第２フィルタは、それぞれ複数である。第１回路および第２回路は、それぞれ複数である。複数の第１回路における最も長い第１回路の信号伝送距離は、複数の第２回路における最も短い第２回路の信号伝送距離よりも短い。

　この構成では、第１回路と第２回路とが複数の場合において、高周波モジュールの伝送特性は、より確実に向上する。

　また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。第１フィルタを構成する複数種類のフィルタは、同時に通信される複数の通信バンドの高周波信号に対して、それぞれにフィルタ処理を実行する。

　この構成では、第１フィルタを構成する複数のフィルタによって、キャリアアグリゲーションにおける同時通信の対象となる複数の通信バンドの高周波信号が伝送される。すなわち、キャリアアグリゲーションを実現しながら、高周波モジュールの伝送特性の向上が実現される。

　また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることが好ましい。第２フィルタでフィルタ処理が実行される第２の通信バンドの周波数帯域は、第１フィルタでフィルタ処理が実行される第１の通信バンドの周波数帯域よりも高い周波数である。

　この構成では、インピーダンス整合が相対的に容易ではない高い周波数帯域の通信バンドは、第２回路に割り当てられ、インピーダンス整合のための設計が行い易い低い周波数帯域の通信バンドは第１回路に割り当てられる。これにより、各通信バンドの伝送特性のバランスをとることができ、高周波モジュールの伝送特性の劣化が抑制される。言い換えれば、この構成を用いない態様と比較して、高周波モジュールの伝送特性が向上する。

　また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることが好ましい。高周波モジュールは、高周波スイッチ、第１フィルタ、および、第２フィルタが実装される基体を備える。第２フィルタは、第１フィルタよりもスイッチから離間した位置に配置されている。

　この構成では、第１回路が第２回路よりも短くなる構成を、容易な構造で実現できる。

　また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることが好ましい。基体は、互いに対向する第１面と第２面とを有する。第１フィルタ、および、第２フィルタは、第１面に実装されている。高周波スイッチは、第２面に実装されている。基体の平面視において、第１フィルタと高周波スイッチとは、重なっており、第２フィルタと高周波スイッチとは、重なっていない。

　この構成では、両面実装の構成において、第１回路が第２回路よりも短くなる構成を、容易な構造で実現できる。また、両面実装を用いることによって、高周波モジュールの平面面積の小型化が容易になる。

　また、この発明の高周波モジュールでは、基体の平面視において、高周波スイッチにおける第２端子は、第１端子よりも高周波スイッチの外縁側に配置されていることが好ましい。

　この構成では、上述の第１回路と第２回路との関係を維持しながら、基体における第２回路の長さを短くでき、第２回路を伝送する高周波信号に対するインピーダンス整合を容易にする。

　また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることが好ましい。第２フィルタが複数存在する場合であって、基体の平面視において、複数の第２フィルタにおける最も周波数の高い通信バンドのフィルタ処理を実行する第３フィルタが接続される第２端子は、複数の第２フィルタにおける第３フィルタ以外のフィルタが接続される第２端子よりも高周波スイッチの外縁側に配置されている。

　この構成では、最も周波数の高い通信バンドの高周波信号の伝送距離を短くできる。これにより、当該高周波信号に対するインピーダンス整合が容易になり、伝送損失が抑制される。

　また、この発明の高周波モジュールでは、基体の平面視において、高周波スイッチのアンテナ側の端子は、第１端子および第２端子よりも高周波スイッチの中央側に配置されていることが好ましい。

　この構成では、高周波スイッチにおけるアンテナ側の端子と第１端子および第２端子との距離が短くなる。これにより、例えば、第２端子において、挿入損失の要求が厳しいような場合にであっても、当該要求を満たすことが容易になる。

　また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることが好ましい。高周波モジュールは、複合デバイス、第１整合素子、第２整合素子、および、基体を備える。複合デバイスは、高周波スイッチとＬＮＡとが形成されており、平面視して矩形である。第１整合素子は、高周波スイッチと第１フィルタおよび第２フィルタとの間に接続される。第２整合素子は、第１フィルタおよび第２フィルタとＬＮＡとの間に接続される。基体は、互いに対向する第１の主面と第２の主面とを備え、第１整合素子、第２整合素子、第１フィルタ、および、第２フィルタが第１の主面に実装され、複合デバイスが第２の主面に実装される。基体は、平面視して矩形である。複合デバイスは、複合デバイスの側面が基体の側面に対して所定角を有するように、基体に実装されている。

　この構成では、基体の形状を大型化することなく、複合デバイスの端子と、基体の実装用端子との距離を大きくすることが可能になる。また、第１整合素子と第２整合素子との位置関係を適宜設定できる。

　また、この発明の高周波モジュールは、次の構成であることが好ましい。ＬＮＡは、複合デバイスの角部に形成され、高周波スイッチは、複合デバイスの中央部に形成される。ＬＮＡに接続すＬＮＡ用端子は、複合デバイスの角部に形成される。第２整合素子は、基体を平面視して、複合デバイスの角部付近に実装される。第１整合素子は、基体を平面視して、高周波スイッチの形成領域に近い位置に実装される。

　この構成では、ＬＮＡと第１整合素子との距離を短くでき、第１整合素子と第２整合素子との距離を大きくできる。

　この発明によれば、構成の異なる複数種類のフィルタを備えながら、優れた伝送特性を実現できる。

図１は本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュール１０の回路図である。 図２（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュール１０の構成を示す平面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＡ－Ａ断面図である。 図３は本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュール１０の端子の配置関係を示す平面図である。 図４は本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａの回路図である。 図５（Ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａの構成を示す平面図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）のＢ－Ｂ断面図である。 図６（Ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｂの構成を示す平面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）のＣ－Ｃ断面図である。 図７（Ａ）は、本発明の第４の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｃの構成を示す平面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のＤ－Ｄ断面図である。 図８（Ａ）は、本発明の第５の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｄの構成を示す平面図であり、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）のＥ－Ｅ断面図である。 図９は本発明の第６の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｅの構成を示す平面図である。 図１０は、本発明の第７の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｆの概略的な回路図である。 図１１（Ａ）は、本発明の第７の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｆの第１主面側の構成を示す平面図である。図１１（Ｂ）は、本発明の第７の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｆの第２主面側の構成を示す平面図である。

　（第１の実施形態）
　本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュール１０の回路図である。

　（回路構成）
　第１の実施形態に係る高周波モジュール１０は、複数の通信バンドの下りの高周波信号を受信する回路を有する。しかしながら、以下の構成は、上りの高周波信号を送信する回路にも適用可能であり、上りの高周波信号の送信と、下りの高周波信号の受信とを行う回路にも適用可能である。

　図１に示すように、高周波モジュール１０は、高周波スイッチ１１、フィルタ２１、フィルタ２２、フィルタ２３、フィルタ３１、フィルタ３２、フィルタ３３、接続用回路４１、接続用回路４２、接続用回路４３、接続用回路４４、接続用回路４５、および、接続用回路４６を備える。高周波モジュール１０は、さらに、整合素子５１、整合素子５２、整合素子５３、整合素子５４、整合素子５５、整合素子５６、および、整合素子５５０を備える。高周波モジュール１０は、さらに、端子Ｐａｎ、端子Ｐｂ１、端子Ｐｂ２、端子Ｐｂ３、端子Ｐｂ４、端子Ｐｂ５、端子Ｐｂ６、端子Ｐｂ７、端子Ｐｂ８、端子Ｐｂ９、および、端子Ｐｂ１０を備える。

　フィルタ２１、フィルタ２２、および、フィルタ２３が、本発明の「第１フィルタ」に対応し、フィルタ３１、フィルタ３２、および、フィルタ３３が、本発明の「第２フィルタ」に対応する。接続用回路４１、接続用回路４２、および、接続用回路４３が、本発明の「第１回路」に対応し、接続用回路４４、接続用回路４５、および、接続用回路４６が、本発明の「第２回路」に対応する。

　高周波スイッチ１１は、所謂ＳＰｎＴ（ｎ＝６）型のスイッチである。高周波スイッチ１１は、例えば、半導体を用いて形成されている。高周波スイッチ１１は、１個のアンテナ側の端子Ｐｓ０と、複数のフィルタ側の端子Ｐｓ１、Ｐｓ２、Ｐｓ３、Ｐｓ４、Ｐｓ５、Ｐｓ６とを備える。高周波スイッチ１１は、端子Ｐｓ１、端子Ｐｓ２、端子Ｐｓ３、端子Ｐｓ４、端子Ｐｓ５、端子Ｐｓ６のいずれかを、端子Ｐｓ０に対して選択的に接続する。なお、高周波スイッチ１１は、アンテナ側の端子が複数であってもよい。また、フィルタ側の端子は、１つだけが選択される態様であっても、複数個が選択される態様であってもよい。

　高周波スイッチ１１の端子Ｐｓ０は、端子Ｐａｎに接続されており、端子Ｐａｎは、高周波モジュール１０外のアンテナＡＮＴに接続されている。

　高周波スイッチ１１の端子Ｐｓ１、Ｐｓ２、Ｐｓ３、Ｐｓ４、Ｐｓ５、Ｐｓ６は、それぞれに、フィルタ２１、フィルタ２２、フィルタ２３、フィルタ３１、フィルタ３２、およびフィルタ３３に接続されている。より具体的には、端子Ｐｓ１は、接続用回路４１を介して、フィルタ２１に接続されている。端子Ｐｓ２は、接続用回路４２を介して、フィルタ２２に接続されている。端子Ｐｓ３は、接続用回路４３を介して、フィルタ２３に接続されている。端子Ｐｓ４は、接続用回路４４を介して、フィルタ３１に接続されている。端子Ｐｓ５は、接続用回路４５を介して、フィルタ３２に接続されている。端子Ｐｓ６は、接続用回路４６を介して、フィルタ３３に接続されている。

　フィルタ２１、フィルタ２２、フィルタ２３、フィルタ３１、フィルタ３２、およびフィルタ３３は、それぞれに、例えば、ＳＡＷ共振子等を用いたフィルタである。

　フィルタ２１は、フィルタ２１１とフィルタ２１２とを備える。フィルタ２１１およびフィルタ２１２は、それぞれに、１つの通信バンドの高周波信号を通過させ、他の通信バンドの高周波信号を減衰させるフィルタである。すなわち、フィルタ２１１およびフィルタ２１２は、それぞれにシングルフィルタである。フィルタ２１１の通過帯域とフィルタ２１２の通過帯域とは異なる。

　フィルタ２１１の一方の端子とフィルタ２１２の一方の端子とは、接続しており、この接続点が、フィルタ２１の共通端子Ｐｃ２１となる。すなわち、フィルタ２１は、複数個のフィルタによって構成されるマルチプレクサである。

　フィルタ２１の共通端子Ｐｃ２１は、接続用回路４１に接続されている。フィルタ２１１の他方の端子は、高周波モジュール１０の端子Ｐｂ１に接続されており、フィルタ２１２の他方の端子は、高周波モジュール１０の端子Ｐｂ２に接続されている。

　フィルタ２２は、フィルタ２２１とフィルタ２２２とを備える。フィルタ２２１およびフィルタ２２２は、それぞれに、１つの通信バンドの高周波信号を通過させ、他の通信バンドの高周波信号を減衰させるフィルタである。すなわち、フィルタ２２１およびフィルタ２２２は、それぞれにシングルフィルタである。フィルタ２２１の通過帯域とフィルタ２２２の通過帯域とは異なる。

　フィルタ２２１の一方の端子とフィルタ２２２の一方の端子とは、接続しており、この接続点がフィルタ２２の共通端子Ｐｃ２２となる。すなわち、フィルタ２２は、複数個のフィルタによって構成されるマルチプレクサである。

　フィルタ２２の共通端子Ｐｃ２２は、接続用回路４２に接続されている。フィルタ２２１の他方の端子は、高周波モジュール１０の端子Ｐｂ３に接続されており、フィルタ２２２の他方の端子は、高周波モジュール１０の端子Ｐｂ４に接続されている。

　フィルタ２３は、フィルタ２３１、フィルタ２３２、および、フィルタ２３３を備える。フィルタ２３１、フィルタ２３２、および、フィルタ２３３は、それぞれに、１つの通信バンドの高周波信号を通過させ、他の通信バンドの高周波信号を減衰させるフィルタである。すなわち、フィルタ２３１、フィルタ２３２、および、フィルタ２３３は、それぞれにシングルフィルタである。フィルタ２３１の通過帯域、フィルタ２３２の通過帯域、および、フィルタ２３３の通過帯域は異なる。

　フィルタ２３１の一方の端子、フィルタ２３２の一方の端子、および、フィルタ２３３の一方の端子は、接続しており、この接続点が、フィルタ２３の共通端子Ｐｃ２３となる。すなわち、フィルタ２３は、複数個のフィルタによって構成されるマルチプレクサである。

　フィルタ２３の共通端子Ｐｃ２３は、接続用回路４３に接続されている。フィルタ２３１の他方の端子は、高周波モジュール１０の端子Ｐｂ５に接続されており、フィルタ２３２の他方の端子は、高周波モジュール１０の端子Ｐｂ６に接続されており、フィルタ２３３の他方の端子は、高周波モジュール１０の端子Ｐｂ７に接続されている。

　フィルタ３１は、１つの通信バンドの高周波信号を通過させ、他の通信バンドの高周波信号を減衰させるフィルタである。フィルタ３１の一方の端子Ｐ３１は、接続用回路４４に接続されており、フィルタ３１の他方の端子は、高周波モジュール１０の端子Ｐｂ８に接続されている。

　フィルタ３２は、１つの通信バンドの高周波信号を通過させ、他の通信バンドの高周波信号を減衰させるフィルタである。フィルタ３２の一方の端子Ｐ３２は、接続用回路４５に接続されており、フィルタ３２の他方の端子は、高周波モジュール１０の端子Ｐｂ９に接続されている。

　フィルタ３３は、１つの通信バンドの高周波信号を通過させ、他の通信バンドの高周波信号を減衰させるフィルタである。フィルタ３３の一方の端子Ｐ３３は、接続用回路４６に接続されており、フィルタ３３の他方の端子は、高周波モジュール１０の端子Ｐｂ１０に接続されている。

　整合素子５１は、接続用回路４１とグランド電位との間に接続されており、整合素子５２は、接続用回路４２とグランド電位との間に接続されており、整合素子５３は、接続用回路４３とグランド電位との間に接続されている。整合素子５４は、接続用回路４４とグランド電位との間に接続されており、整合素子５５は、接続用回路４５とグランド電位との間に接続されており、整合素子５６は、接続用回路４６とグランド電位との間に接続されている。整合素子５５０は、接続用回路４５に対して、直列に挿入されている。

　このような構成の高周波モジュール１０におけるフィルタ２１、フィルタ２２、フィルタ２３、フィルタ３１、フィルタ３２、および、フィルタ３３には、例えば、それぞれに次の通信バンドが割り当てられる。なお、以下の通信バンド名は、一例として、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ　Ｔｅｒｍ　Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）規格の通信バンド名を示す。また、以下の割り当ては一例であり、他の例であってもよい。

　フィルタ２１におけるフィルタ２１１の通過帯域には、通信バンドＢ２５（１９３０ＭＨｚ－１９９５ＭＨｚ）が割り当てられており、フィルタ２１２の通過帯域には、通信バンドＢ６６（２１１０ＭＨｚ－２２００ＭＨｚ）が割り当てられている。これらは、キャリアアグリゲーションにおける同時通信の対象となる通信バンドの組合せである。

　フィルタ２２におけるフィルタ２２１の通過帯域には、通信バンドＢ３４（２０１０ＭＨｚ－２０２５ＭＨｚ）が割り当てられており、フィルタ２２２の通過帯域には、通信バンドＢ３９（１８８０ＭＨｚ－１９２０ＭＨｚ）が割り当てられている。これらは、キャリアアグリゲーションにおける同時通信の対象となる通信バンドの組合せである。

　フィルタ２３におけるフィルタ２３１の通過帯域には、通信バンドＢ１（２１１０ＭＨｚ－２１７０ＭＨｚ）が割り当てられており、フィルタ２３２の通過帯域には、通信バンドＢ３（１８０５ＭＨｚ－１８８０ＭＨｚ）が割り当てられており、フィルタ２３３の通過帯域には、通信バンドＢ４０（２３００ＭＨｚ－２４００ＭＨｚ）が割り当てられている。これらは、キャリアアグリゲーションにおける同時通信の対象となる通信バンドの組合せである。

　フィルタ３１の通過帯域には、通信バンドＢ３０（２３５０ＭＨｚ－２３６０ＭＨｚ）が割り当てられている。フィルタ３２の通過帯域には、通信バンドＢ４１（２４９６ＭＨｚ－２６９０ＭＨｚ）が割り当てられている。フィルタ３３の通過帯域には、通信バンドＢ７（２６２０ＭＨｚ－２６９０ＭＨｚ）が割り当てられている。

　このような構成によって、キャリアアグリゲーションを選択可能にした高周波モジュール１０を簡素な構成で実現できる。さらに、高周波モジュール１０は、後述する構造を備えることによって、伝送特性を向上できる。すなわち、キャリアアグリゲーションを実現可能にしながら、伝送特性に優れる高周波モジュール１０を実現できる。

　なお、マルチプレクサであるフィルタ２１、フィルタ２２、および、フィルタ２３に対しては、約２．５ＧＨｚより小さい周波数帯域（ＭＨ帯）の通信バンドを割り当て、シングルフィルタであるフィルタ３１、フィルタ３２、および、フィルタ３３に対しては、約２．５ＧＨｚ以上の周波数帯域（Ｈ帯）の通信バンドを割り当てることが好ましい。これは、周波数帯域が高いほど、マルチプレクサ型のフィルタと高周波スイッチ１１との間のインピーダンス整合が容易でないためである。したがって、このような通過帯域の割り当てを行った構成を用いることによって、マルチプレクサ型の各フィルタの挿入損失を抑制でき、高周波モジュール１０の伝送特性の低下を抑制できる。言い換えれば、高周波モジュール１０の伝送特性を向上できる。

　また、マルチプレクサを構成する複数のフィルタは、１個の筐体に備えられた態様に限らず、それぞれが別の筐体に備えられたものを基板の配線等によって接続する態様であってもよい。

　（構造）
　図２（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュール１０の構成を示す平面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＡ－Ａ断面図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュール１０の端子の配置関係を示す平面図である。

　図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示すように、高周波モジュール１０は、基体１００を備える。基体１００は、主として絶縁性基板によって形成されており、互いに平行で対向する主面１０１と主面１０２とを有する。基体１００は、主面１０１、主面１０２、および、内部に、図１に示す高周波モジュール１０の回路を実現するための導体パターンを備える。なお、主面１０１が本発明の「第１面」に対応し、主面１０２が本発明の「第２面」に対応する。

　フィルタ２１を構成するフィルタ２１１およびフィルタ２１２、は、それぞれに個別に本体を有する。フィルタ２２を構成するフィルタ２２１およびフィルタ２２２は、それぞれに個別の本体を有する。フィルタ２３を構成するフィルタ２３１、フィルタ２３２、およびフィルタ２３３は、それぞれに個別の本体を有する。

　フィルタ２１１、フィルタ２１２、フィルタ２２１、フィルタ２２２、フィルタ２３１、フィルタ２３２、および、フィルタ２３３は、基体１００の主面１０１に実装されている。

　高周波スイッチ１１は、複数のＬＮＡ１２と一体形成された複合デバイス１３によって実現されている。複合デバイス１３は、高周波スイッチ１１の形成領域と、複数のＬＮＡ１２の形成領域とを有する。高周波スイッチ１１は、複合デバイス１３の一側面の近傍に形成されている。

　複合デバイス１３は、基体１００の主面１０２に実装されている。

　図２（Ａ）に示すように、高周波モジュール１０を平面視して、高周波スイッチ１１は、フィルタ２１１およびフィルタ２１２と重なっている。高周波スイッチ１１は、フィルタ２３１およびフィルタ２３３と重なっている。すなわち、高周波スイッチ１１は、マルチプレクサ型のフィルタ２１とマルチプレクサ型のフィルタ２３とに重なっている。

　また、高周波スイッチ１１は、フィルタ３１、フィルタ３２、および、フィルタ３３に重なっていない。

　この構成によって、平面視における、高周波スイッチ１１とフィルタ３１との物理的な距離、高周波スイッチ１１とフィルタ３２との物理的な距離、および、高周波スイッチ１１とフィルタ３３との物理的な距離に比べて、高周波スイッチ１１とフィルタ２１との物理的な距離、および高周波スイッチ１１とフィルタ２３との物理的な距離は、短くなる。したがって、接続用回路４４、接続用回路４５、および、接続用回路４６の距離に比べて、接続用回路４１、および、接続用回路４３の信号伝送経路の距離は、短くなる。

　これにより、高周波スイッチ１１とフィルタ３１との高周波信号の伝送距離（高周波信号の電気長）、高周波スイッチ１１とフィルタ３２との高周波信号の伝送距離、および、高周波スイッチ１１とフィルタ３３との高周波信号の伝送距離に比べて、高周波スイッチ１１とフィルタ２１との高周波信号の伝送距離、および高周波スイッチ１１とフィルタ２３との高周波信号の伝送距離は、短くなる。

　ここで、マルチプレクサ型のフィルタ、すなわち、複数のフィルタを束ねたフィルタは、構成要素となる全てのフィルタに対して、インピーダンス整合を実現することは容易ではなく、高周波スイッチ１１からの距離が長いほど、より困難になる。しかしながら、高周波モジュール１０は、マルチプレクサ型であるフィルタ２１、および、フィルタ２３と高周波スイッチ１１との高周波信号の伝送距離が短い。したがって、マルチプレクサ型であるフィルタ２１、および、フィルタ２３と高周波スイッチ１１とのインピーダンス整合を、より確実に行うことができる。

　一方、シングルフィルタであるフィルタ３１、フィルタ３２、フィルタ３３は、高周波スイッチ１１までの高周波信号の伝送距離が長くても、マルチプレクサ型と比較して、インピーダンス整合が行いやすい。したがって、高周波モジュール１０は、フィルタ３１、フィルタ３２、フィルタ３３と高周波スイッチ１１とのインピーダンス整合も、より確実に行うことができる。

　これにより、高周波モジュール１０は、マルチプレクサ型のフィルタとシングルフィルタとを有する構成において、優れた伝送特性を実現できる。

　また、高周波モジュール１０では、図３に示すように、平面視において、シングルフィルタのフィルタ３１の端子Ｐ３１と高周波スイッチ１１の端子Ｐｓ４との距離、シングルフィルタのフィルタ３２の端子Ｐ３２と高周波スイッチ１１の端子Ｐｓ５との距離、および、シングルフィルタのフィルタ３３の端子Ｐ３３と高周波スイッチ１１の端子Ｐｓ６との距離と比べて、マルチプレクサ型のフィルタ２１の共通端子Ｐｃ２１と高周波スイッチ１１の端子Ｐｓ１との距離、マルチプレクサ型のフィルタ２２の共通端子Ｐｃ２２と高周波スイッチ１１の端子Ｐｓ２との距離、および、マルチプレクサ型のフィルタ２３の共通端子Ｐｃ２３と高周波スイッチ１１の端子Ｐｓ３との距離は、短い。

　したがって、高周波スイッチ１１とフィルタ３１との高周波信号の伝送距離（高周波信号の電気長）、高周波スイッチ１１とフィルタ３２との高周波信号の伝送距離、および、高周波スイッチ１１とフィルタ３３との高周波信号の伝送距離に比べて、高周波スイッチ１１とフィルタ２１との高周波信号の伝送距離、高周波スイッチ１１とフィルタ２２との高周波信号の伝送距離、および高周波スイッチ１１とフィルタ２３との高周波信号の伝送距離は、短くなる。

　これにより、高周波モジュール１０は、マルチプレクサ型のフィルタとシングルフィルタとを有する構成において、優れた伝送特性を、より確実に実現できる。

　なお、高周波モジュール１０では、全てのマルチプレクサ型のフィルタに対する接続用回路の信号伝送距離の長さを、全てのシングルフィルタに対する接続用回路の信号伝送距離の長さよりも短くしている。言い換えれば、全てのマルチプレクサ型のフィルタに対する接続用回路の信号伝送距離の内の最も長い距離が、全てのシングルフィルタに対する接続用回路の信号伝送距離の内の最も短い距離よりも短い。これは、好ましい態様であるが、高周波モジュール１０に対する性能要求に準じて、マルチプレクサ型のフィルタに対する接続用回路の信号伝送距離の少なくとも１つの長さが、シングルフィルタに対する接続用回路の信号伝送距離の長さよりも短くてもよい。

　また、高周波モジュール１０では、基体１００に対して、複数のフィルタ２１、２２、２３、３１、３２、３３を主面１０１に実装し、高周波スイッチ１１を主面１０２に実装している。これにより、高周波モジュール１０の平面面積は、小さくなる。すなわち、より小型の高周波モジュール１０を実現できる。

　さらに、高周波モジュール１０では、図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示すように、フィルタ２１への接続用回路４１、フィルタ２２への接続用回路４２、フィルタ２３への接続用回路４３、フィルタ３１への接続用回路４４、フィルタ３２への接続用回路４５、および、フィルタ３３への接続用回路４６は、平面視において互いに重なっていない。これにより、接続用回路間の電磁界結合が抑制され、さらに優れた伝送特性を実現できる。

　（第２の実施形態）
　次に、本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図４は、本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａの回路図である。

　（回路構成）
　回路構成として、図４に示すように、第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａは、第１の実施形態に係る高周波モジュール１０に対して、フィルタ２３Ａの構成において異なる。また、高周波モジュール１０Ａは、高周波モジュール１０に対して、フィルタ３３を省略している。これに伴い、高周波スイッチ１１Ａは、高周波スイッチ１１に対して、端子Ｐｓ６を省略している。高周波モジュール１０Ａの他の基本的な構成は、高周波モジュール１０と同様であり、同様の箇所の説明は、省略する。

　高周波スイッチ１１Ａは、端子Ｐｓ０、端子Ｐｓ１、端子Ｐｓ２、端子Ｐｓ３、端子Ｐｓ４、および、端子Ｐｓ５を備える。高周波スイッチ１１Ａは、端子Ｐｓ１、端子Ｐｓ２、端子Ｐｓ３、端子Ｐｓ４、および、端子Ｐｓ５のいずれかを、端子Ｐｓ０に選択的に接続する。

　フィルタ２３Ａは、フィルタ２３１とフィルタ２３２とを備える。フィルタ２３１とフィルタ２３２とは接続されており、この接続点が、フィルタ２３Ａの共通端子Ｐｃ２３Ａとなる。共通端子Ｐｃ２３Ａは、接続用回路４３を介して、高周波スイッチ１１の端子Ｐｓ３に接続されている。

　（構造）
　図５（Ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａの構成を示す平面図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）のＢ－Ｂ断面図である。

　図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示すように、高周波モジュール１０Ａは、高周波モジュール１０に対して、概略的には片面実装を採用した点で異なる。

　高周波モジュール１０Ａは、基体１００Ａを備える。基体１００Ａは、互いに平行で対向する主面１０１Ａと主面１０２Ａを備える。

　高周波スイッチ１１Ａを含む複合デバイス１３Ａは、基体１００Ａの主面１０１Ａに実装されている。フィルタ２１１、フィルタ２１２、フィルタ２２１、フィルタ２２２、フィルタ２３１、フィルタ２３２、フィルタ３１、および、フィルタ３２は、基体１００Ａの主面１０１Ａに実装されている。この際、フィルタ２１１、フィルタ２１２、および、フィルタ２２１は、１個の筐体に一体形成されている。フィルタ２３１とフィルタ２３２とは、１個の筐体に一体形成されている。

　複合デバイス１３Ａは、主面１０１Ａにおける第１方向ＤＩＲ１の中央に実装されている。また、複合デバイス１３Ａは、高周波スイッチ１１が主面１０１Ａにおける第２方向ＤＩＲ２の一方端側の近傍に配置され、ＬＮＡ１２が他方端側に配置されるように、実装されている。

　フィルタ２１１、フィルタ２１２、フィルタ２２１、フィルタ２２２、フィルタ２３１、および、フィルタ２３２は、主面１０１Ａにおける第２方向ＤＩＲ２の他方端側よりも一方端側に近い位置に実装されている。

　フィルタ３１およびフィルタ３２は、主面１０１Ａにおける第２方向ＤＩＲ２の一方端側よりも他方端側に近い位置に実装されている。

　このような構成によって、フィルタ２１１、フィルタ２１２、フィルタ２２１、フィルタ２２２、フィルタ２３１、および、フィルタ２３２は、フィルタ３１およびフィルタ３２と比べて、高周波スイッチ１１Ａに物理的に近くなる。

　さらに、図５（Ａ）に示すように、高周波スイッチ１１Ａの端子Ｐｓ１とフィルタ２１の共通端子Ｐｃ２１との距離、高周波スイッチ１１Ａの端子Ｐｓ２とフィルタ２２の共通端子Ｐｃ２２との距離、高周波スイッチ１１Ａの端子Ｐｓ３とフィルタ２３Ａの共通端子Ｐｃ２３Ａとの距離は、高周波スイッチ１１Ａの端子Ｐｓ４とフィルタ３１の端子Ｐ３１との距離、および、高周波スイッチ１１Ａの端子Ｐｓ５とフィルタ３２の端子Ｐ３２との距離よりも短い。

　したがって、高周波スイッチ１１Ａとフィルタ３１との高周波信号の伝送距離（高周波信号の電気長）、および、高周波スイッチ１１Ａとフィルタ３２との高周波信号の伝送距離に比べて、高周波スイッチ１１Ａとフィルタ２１との高周波信号の伝送距離、高周波スイッチ１１Ａとフィルタ２２との高周波信号の伝送距離、および、高周波スイッチ１１Ａとフィルタ２３Ａとの高周波信号の伝送距離は、短くなる。

　これにより、高周波モジュール１０Ａは、マルチプレクサ型のフィルタとシングルフィルタとを有する構成において、優れた伝送特性を、より確実に実現できる。

　（第３の実施形態）
　次に、本発明の第３の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図６（Ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｂの構成を示す平面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）のＣ－Ｃ断面図である。

　図６（Ａ）、図６（Ｂ）に示すように、第３の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｂは、第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａに対して、高周波スイッチ１１ＢとＬＮＡ１２Ｂとが分離されている点、および、実装の配置において異なる。高周波モジュール１０Ｂの回路構成を含む、その他の基本的な構成は、高周波モジュール１０Ａと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

　高周波モジュール１０Ｂは、基体１００Ｂ、高周波スイッチ１１Ｂ、および、ＬＮＡ１２Ｂを備える。

　基体１００Ｂは、互いに平行で対向する主面１０１Ｂと主面１０２Ｂを備える。

　高周波スイッチ１１ＢおよびＬＮＡ１２Ｂは、それぞれ個別の筐体を有する別体である。高周波スイッチ１１ＢおよびＬＮＡ１２Ｂは、基体１００Ｂの主面１０１Ｂに実装されている。

　高周波スイッチ１１Ｂは、主面１０１Ｂにおける第１方向ＤＩＲ１の一方端付近で、且つ、第２方向ＤＩＲ２の一方端付近に実装されている。言い換えれば、高周波スイッチ１１Ｂは、主面１０１Ｂの一角部の近傍に実装されている。

　ＬＮＡ１２Ｂは、第２方向ＤＩＲ２の他方端付近に実装されている。

　フィルタ２１１、フィルタ２１２、フィルタ２２１、フィルタ２２２、フィルタ２３１、フィルタ２３２、フィルタ３１、および、フィルタ３２は、基体１００Ｂの主面１０１Ｂに実装されている。この際、フィルタ２１１、および、フィルタ２１２は、１個の筐体に一体形成されている。フィルタ２２１、および、フィルタ２２２は、１個の筐体に一体形成されている。フィルタ２３１、および、フィルタ２３２は、１個の筐体に一体形成されている。すなわち、フィルタ２１、フィルタ２２、および、フィルタ２３Ａは、それぞれ個別の筐体で形成されている。

　フィルタ２１１、フィルタ２１２、フィルタ２２１、フィルタ２２２、フィルタ２３１、および、フィルタ２３２は、主面１０１Ｂにおいて、高周波スイッチ１１Ｂを囲むように、高周波スイッチ１１Ｂに隣接して実装されている。

　フィルタ３１、および、フィルタ３２は、フィルタ２２１、フィルタ２２２、フィルタ２３１、および、フィルタ２３２を挟んで、高周波スイッチ１１Ｂと反対側に配置されている。

　このような構成によって、フィルタ２１１、フィルタ２１２、フィルタ２２１、フィルタ２２２、フィルタ２３１、および、フィルタ２３２は、フィルタ３１およびフィルタ３２と比べて、高周波スイッチ１１Ｂに物理的に近くなる。

　さらに、高周波モジュール１０Ａと同様に、図６（Ａ）に示すように、高周波スイッチ１１Ｂの端子とフィルタ２１、フィルタ２２、および、フィルタ２３Ａの共通端子との距離は、高周波スイッチ１１Ｂの端子とフィルタ３１およびフィルタ３２の端子との距離よりも短い。

　したがって、高周波スイッチ１１Ｂとフィルタ３１との高周波信号の伝送距離、および、高周波スイッチ１１Ｂとフィルタ３２との高周波信号の伝送距離に比べて、高周波スイッチ１１Ｂとフィルタ２１との高周波信号の伝送距離、高周波スイッチ１１Ｂとフィルタ２２との高周波信号の伝送距離、および、高周波スイッチ１１Ｂとフィルタ２３Ａとの高周波信号の伝送距離は、短くなる。

　これにより、高周波モジュール１０Ｂは、マルチプレクサ型のフィルタとシングルフィルタとを有する構成において、優れた伝送特性を、より確実に実現できる。

　さらに、高周波モジュール１０Ｂでは、図６（Ａ）に示すように、接続用回路４３と接続用回路４５とが、平面視において重なっている。しかしながら、高周波モジュール１０Ｂでは、基体１００Ｂの内部において、接続用回路４３と接続用回路４５との間にグランド導体４０Ｇが配置されている。これにより、接続用回路４３と接続用回路４５との高周波的な結合が抑制される。したがって、高周波モジュール１０Ｂは、優れた伝送特性を実現できる。なお、図６（Ａ）に示すように、接続用回路４３と接続用回路４５とが略直交して配置されていれば、高周波的な結合が生じ難いので、グランド導体４０Ｇを省略することも可能である。

　（第４の実施形態）
　次に、本発明の第４の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図７（Ａ）は、本発明の第４の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｃの構成を示す平面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のＤ－Ｄ断面図である。

　図７（Ａ）、図７（Ｂ）に示すように、概略的には、第４の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｃは、第３の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｂに対して、高周波スイッチ１１Ｃと各フィルタの位置関係において異なる。なお、高周波モジュール１０Ｂの回路構成は、第１の実施形態に係る高周波モジュール１０と同様である。高周波モジュール１０Ｃの他の基本的な構成は、高周波モジュール１０Ｂと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

　高周波モジュール１０Ｃは、基体１００Ｃ、高周波スイッチ１１Ｃ、および、ＬＮＡ１２Ｃを備える。高周波スイッチ１１Ｃの基本構成、ＬＮＡ１２Ｃの基本構成は、高周波スイッチ１１Ｂ、ＬＮＡ１２Ｂとそれぞれ同じである。

　基体１００Ｃは、互いに平行で対向する主面１０１Ｃと主面１０２Ｃを備える。

　高周波スイッチ１１ＣおよびＬＮＡ１２Ｃは、基体１００Ｃの主面１０１Ｃに実装されている。

　高周波スイッチ１１Ｃは、主面１０１Ｃにおける第１方向ＤＩＲ１の略中央で、且つ、第２方向ＤＩＲ２の一方端付近に実装されている。ＬＮＡ１２Ｃは、第２方向ＤＩＲ２の他方端付近に実装されている。

　フィルタ２１１、フィルタ２１２、フィルタ２２１、フィルタ２２２、フィルタ２３１、フィルタ２３２、フィルタ２３３、フィルタ３１、および、フィルタ３２は、基体１００Ｃの主面１０１Ｃに実装されている。この際、フィルタ２１１、および、フィルタ２１２は、１個の筐体に一体形成されている。フィルタ２２１、フィルタ２２２、および、フィルタ２３３は、１個の筐体に一体形成されている。フィルタ２３１、および、フィルタ２３２は、１個の筐体に一体形成されている。

　フィルタ２１１、および、フィルタ２１２は、高周波スイッチ１１Ｃに対して、第１方向ＤＩＲ１における他方端側に配置されている。フィルタ２１１、および、フィルタ２１２は、高周波スイッチ１１Ｃにおけるフィルタ２１１、および、フィルタ２１２に対向する側面に沿って配置されている。

　フィルタ２２１、フィルタ２２２、および、フィルタ２３３は、高周波スイッチ１１Ｃに対して、第２方向ＤＩＲ２における他方端側（ＬＮＡ１２Ｃ側）に配置されている。フィルタ２２１、フィルタ２２２、および、フィルタ２３３は、高周波スイッチ１１Ｃにおけるフィルタ２２１、フィルタ２２２、および、フィルタ２３３に対向する側面に沿って配置されている。フィルタ２３３は、第１方向ＤＩＲ１においてフィルタ２１１よりもフィルタ２３１に近い側に配置されている。

　フィルタ２３１、および、フィルタ２３２は、高周波スイッチ１１Ｃに対して、第１方向ＤＩＲ１における一方端側に配置されている。フィルタ２３１、および、フィルタ２３２は、高周波スイッチ１１Ｃにおけるフィルタ２３１、および、フィルタ２３２に対向する側面に沿って配置されている。

　このように、高周波スイッチ１１Ｃは、その三側面を、フィルタ２１１とフィルタ２１２との組を構成する第１フィルタ素子、フィルタ２２１、フィルタ２２２、およびフィルタ２３３の組を構成する第２フィルタ素子、フィルタ２３１とフィルタ２３２との組を構成する第３フィルタ素子によって囲まれている。

　フィルタ３１およびフィルタ３２は、高周波スイッチ１１Ｃのそれぞれに異なる角部から所定距離離間して配置されている。

　このような構成によって、フィルタ２１１、フィルタ２１２、フィルタ２２１、フィルタ２２２、フィルタ２３１、フィルタ２３２、および、フィルタ２３３は、フィルタ３１およびフィルタ３２と比べて、高周波スイッチ１１Ｃに物理的に近くなる。

　さらに、図７（Ａ）に示すように、高周波スイッチ１１Ｃの端子とフィルタ２１の共通端子との距離、高周波スイッチ１１Ｃの端子とフィルタ２２の共通端子との距離、および、高周波スイッチ１１Ｃの端子とフィルタ２３の共通端子との距離は、高周波スイッチ１１Ｃの端子とフィルタ３１の端子との距離、および、高周波スイッチ１１Ｃの端子とフィルタ３２の端子との距離よりも短い。

　したがって、高周波スイッチ１１Ｃとフィルタ３１との高周波信号の伝送距離、および、高周波スイッチ１１Ｃとフィルタ３２との高周波信号の伝送距離に比べて、高周波スイッチ１１Ｃとフィルタ２１との高周波信号の伝送距離、高周波スイッチ１１Ｃとフィルタ２２との高周波信号の伝送距離、および、高周波スイッチ１１Ｃとフィルタ２３との高周波信号の伝送距離は、短くなる。

　これにより、高周波モジュール１０Ｃは、マルチプレクサ型のフィルタとシングルフィルタとを有する構成において、優れた伝送特性を、より確実に実現できる。

　（第５の実施形態）
　次に、本発明の第５の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図８（Ａ）は、本発明の第５の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｄの構成を示す平面図であり、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）のＥ－Ｅ断面図である。

　図８（Ａ）、図８（Ｂ）に示すように、概略的には、第５の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｄは、第１の実施形態に係る高周波モジュール１０に対して、高周波スイッチ１１ＤとＬＮＡ１２Ｄとが分離しており、複数のフィルタが一体形成されている点で異なる。なお、高周波モジュール１０Ｄの回路構成は、第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａと同様である。高周波モジュール１０Ｄの他の基本的な構成は、高周波モジュール１０と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

　図８（Ａ）、図８（Ｂ）に示すように、高周波モジュール１０Ｄは、基体１００Ｄを備える。基体１００Ｄは、互いに平行で対向する主面１０１Ｄと主面１０２Ｄとを有する。

　フィルタ２１１、フィルタ２１２、フィルタ２２１、フィルタ２２２、フィルタ２３１、および、フィルタ２３２は、基体１００Ｄの主面１０１Ｄに実装されている。この際、フィルタ２１１およびフィルタ２２１は、１個の筐体に一体形成されている。フィルタ２１２およびフィルタ２２２は、１個の筐体に一体形成されている。フィルタ２３１およびフィルタ２３２は、１個の筐体に一体形成されている。

　高周波スイッチ１１ＤおよびＬＮＡ１２Ｄは、基体１００Ｄの主面１０２Ｄに実装されている。高周波スイッチ１１Ｄは、主面１０２Ｄにおいて、第２方向ＤＩＲ２における中央から一方端側の領域に配置されている。ＬＮＡ１２Ｄは、主面１０２Ｄにおいて、第２方向ＤＩＲ２における中央から他方端側の領域に配置されている。

　図８（Ａ）に示すように、高周波モジュール１０Ｄを平面視して、高周波スイッチ１１Ｄは、フィルタ２１１およびフィルタ２１２と重なっている。高周波スイッチ１１Ｄは、フィルタ２２１およびフィルタ２２２と重なっている。

　また、高周波スイッチ１１は、フィルタ３１、および、フィルタ３２に重なっていない。

　この構成によって、平面視における、高周波スイッチ１１Ｄとフィルタ３１との物理的な距離、および、高周波スイッチ１１Ｄとフィルタ３２との物理的な距離に比べて、高周波スイッチ１１Ｄとフィルタ２１との物理的な距離、および高周波スイッチ１１Ｄとフィルタ２２との物理的な距離は、短くなる。

　さらに、図８（Ａ）に示すように、高周波スイッチ１１Ｄの端子とフィルタ２１の共通端子との距離、高周波スイッチ１１Ｄの端子とフィルタ２２の共通端子との距離、および、高周波スイッチ１１Ｄの端子とフィルタ２３の共通端子との距離は、高周波スイッチ１１Ｄの端子とフィルタ３１の端子との距離、および、高周波スイッチ１１Ｄの端子とフィルタ３２の端子との距離よりも短い。

　したがって、高周波スイッチ１１Ｄとフィルタ３１との高周波信号の伝送距離、および、高周波スイッチ１１Ｄとフィルタ３２との高周波信号の伝送距離に比べて、高周波スイッチ１１Ｄとフィルタ２１との高周波信号の伝送距離、高周波スイッチ１１Ｄとフィルタ２２との高周波信号の伝送距離、および、高周波スイッチ１１Ｄとフィルタ２３Ａとの高周波信号の伝送距離は、短くなる。

　これにより、高周波モジュール１０Ｄは、マルチプレクサ型のフィルタとシングルフィルタとを有する構成において、優れた伝送特性を、より確実に実現できる。

　（第６の実施形態）
　次に、本発明の第６の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図９は、本発明の第６の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｅの構成を示す平面図である。

　図９に示すように、第６の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｅは、高周波スイッチ１１Ｅの端子配置において、第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａと異なる。高周波モジュール１０Ｅの他の構成は、高周波モジュール１０Ａと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

　なお、高周波モジュール１０Ｅでは、フィルタ３１Ｅおよびフィルタ３２Ｅを備えているが、割り当てられる通信バンドを除き、フィルタ３１およびフィルタ３２とそれぞれ同じである。ここでは、フィルタ３２Ｅに割り当てられる通信バンドがフィルタ３１Ｅに割り当てられる通信バンドよりも高周波数である態様や、フィルタ３２Ｅに割り当てられる通信バンドがフィルタ３１Ｅに割り当てられる通信バンドよりも性能要求が厳しい態様が適用される。

　図９に示すように、高周波モジュール１０Ｅでは、端子Ｐｓ４および端子Ｐｓ５は、端子Ｐｓ１、端子Ｐｓ２、および、端子Ｐｓ３に比べて、高周波スイッチ１１Ｅの中央よりも外縁側（側面側）に配置されている。すなわち、相対的に高い周波数の通信バンドが伝送されるフィルタ３１Ｅおよびフィルタ３２Ｅに接続される端子は、相対的に低い周波数の通信バンドが伝送されるフィルタ２１、フィルタ２２、およびフィルタ２３Ａに接続される端子に比べて、高周波スイッチ１１Ｅの中央よりも外縁側（側面側）に配置されている。

　この構成によって、マルチプレクサ型のフィルタに対する伝送距離を、シングルフィルタに対する伝送距離よりも短くしながら、相対的に高い周波数の通信バンドの高周波信号の伝送距離をできる限り短くできる。したがって、高周波モジュール１０Ｅは、より伝送損失が生じ易い高い周波数の通信バンドの高周波信号に対して、伝送損失を抑制できる。

　また、図９に示すように、高周波モジュール１０Ｅでは、高周波スイッチ１１Ｅにおけるフィルタ３２Ｅに接続する端子Ｐｓ５は、高周波スイッチ１１Ｅにおけるフィルタ３１Ｅに接続する端子Ｐｓ４に比べて、高周波スイッチ１１Ｅの中央よりも外縁側（側面側）に配置されている。これにより、フィルタ３２Ｅに接続する接続用回路４５の距離は、フィルタ３１Ｅに接続する接続用回路４４よりも短くなる。なお、図９における、基体１００Ｅは、基体１００Ａと同様であり、複合デバイス１３Ｅは、複合デバイス１０Ａと同様である。

　この結果、フィルタ３２Ｅに割り当てられる通信バンドがフィルタ３１Ｅに割り当てられる通信バンドよりも高周波数である態様では、より伝送損失が生じ易い高い周波数の通信バンドの高周波信号に対して、伝送損失を抑制できる。また、フィルタ３２Ｅに割り当てられる通信バンドがフィルタ３１Ｅに割り当てられる通信バンドよりも性能要求が厳しい態様では、性能要求が厳しい通信バンドの高周波信号に対して、伝送損失を抑制できる。

　また、図９に示すように、高周波スイッチ１１Ｅにおけるアンテナ側の端子Ｐｓ０は、高周波スイッチ１１Ｅの外縁よりも中央に近い位置に配置されている。この構成により、端子Ｐｓ０は、端子Ｐｓ１、端子Ｐｓ２、端子Ｐｓ３、端子Ｐｓ４、および、端子Ｐｓ５のそれぞれに対して、所定の距離範囲内に配置される。これにより、端子Ｐｓ１、端子Ｐｓ２、端子Ｐｓ３、端子Ｐｓ４、および、端子Ｐｓ５のいずれも、端子Ｐｓ０に対して大きく離間して配置されない。この結果、全ての端子Ｐｓ１、端子Ｐｓ２、端子Ｐｓ３、端子Ｐｓ４、および、端子Ｐｓ５に対して、高周波スイッチ１１Ｅ内での伝送距離が長くなることによる伝送損失が抑制される。

　特に、上述のように、端子Ｐｓ４および端子Ｐｓ５が、端子Ｐｓ１、端子Ｐｓ２、および、端子Ｐｓ３よりも外縁に近い構成では、端子Ｐｓ０の配置態様によっては、端子Ｐｓ０から端子Ｐｓ４および端子Ｐｓ５までの距離が長くなってしまう。しかしながら、この構成を備えることによって、端子Ｐｓ０から端子Ｐｓ４および端子Ｐｓ５までの距離を短くでき、高周波モジュール１０Ｅは、端子Ｐｓ０と端子Ｐｓ４および端子Ｐｓ５との間の伝送損失を抑制できる。

　（第７の実施形態）
　次に、本発明の第７の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１０は、本発明の第７の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｆの概略的な回路図である。図１１（Ａ）は、本発明の第７の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｆの第１主面側の構成を示す平面図である。図１１（Ｂ）は、本発明の第７の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｆの第２主面側の構成を示す平面図である。

　（回路構成）
　第７の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｆの基本的な回路構成および構造は、上述の実施形態に係る高周波モジュールと同様である。

　図１０に示すように、高周波モジュール１０Ｆは、高周波スイッチ１１Ｆ、フィルタ２１Ｆ、フィルタ２２Ｆ、フィルタ３１Ｆ、フィルタ３２Ｆ、整合素子５１、整合素子５２、整合素子５３、整合素子５４、整合素子５５０、高周波スイッチ６１、高周波スイッチ６２、整合素子７１、整合素子７２、整合素子７３、整合素子７４、ＬＮＡ１２１、ＬＮＡ１２２、ＬＮＡ１２３、および、ＬＮＡ１２４を備える。高周波モジュール１０Ｆは、端子Ｐａｎ、端子Ｐｂ１１、端子Ｐｂ１２、および、端子Ｐｂ１３を備える。図１０に示す構成は、一例であり、ＬＮＡを高周波スイッチとを一体化した複合デバイス、フィルタ、および、整合素子を備える構成であれば、本実施形態の構成を適用できる。

　高周波スイッチ１１Ｆは、端子Ｐｓ０、端子Ｐｓ１、端子Ｐｓ２、端子Ｐｓ３、端子Ｐｓ４を有する。高周波スイッチ１１Ｆは、端子Ｐｓ１、端子Ｐｓ２、端子Ｐｓ３、端子Ｐｓ４を選択的に、端子Ｐｓ０に接続する。端子Ｐｓ０は、端子Ｐａｎに接続する。なお、端子Ｐａｎは、アンテナＡＮＴに接続する。

　フィルタ２１Ｆは、マルチプレクサ型のフィルタであり、フィルタ２１１Ｆ、および、フィルタ２１２Ｆを備える。フィルタ２１１Ｆとフィルタ２１２Ｆの共通端子Ｐｃ２１は、接続用回路４１を介して、高周波スイッチ１１Ｆの端子Ｐｓ１に接続する。フィルタ２１１Ｆの個別端子、および、フィルタ２１２Ｆの個別端子は、それぞれに、高周波スイッチ６１に接続する。

　フィルタ２２Ｆは、マルチプレクサ型のフィルタであり、フィルタ２２１Ｆ、フィルタ２２２Ｆ、および、フィルタ２２３Ｆを備える。フィルタ２２１Ｆ、フィルタ２２２Ｆ、および、フィルタ２２３Ｆの共通端子Ｐｃ２２は、接続用回路４２を介して、高周波スイッチ１１Ｆの端子Ｐｓ２に接続する。フィルタ２２１Ｆの個別端子、フィルタ２２２Ｆの個別端子、および、フィルタ２２３Ｆの個別端子は、それぞれに、高周波スイッチ６１に接続する。

　フィルタ３１Ｆは、シングルフィルタである。フィルタ３１Ｆの一方端は、接続用回路４３を介して、高周波スイッチ１１Ｆの端子Ｐｓ３に接続する。フィルタ３１Ｆの他方端は、高周波スイッチ６１に接続する。

　フィルタ３２Ｆは、シングルフィルタである。フィルタ３２Ｆの一方端は、接続用回路４４を介して、高周波スイッチ１１Ｆの端子Ｐｓ４に接続する。フィルタ３２Ｆの他方端は、高周波スイッチ６１に接続する。

　整合素子５１、整合素子５２、整合素子５３、整合素子５４、および、整合素子５５０は、インダクタである。整合素子５１は、接続用回路４１とグランド電位との間に接続されており、整合素子５２は、接続用回路４２とグランド電位との間に接続されており、整合素子５３は、接続用回路４３とグランド電位との間に接続されており、整合素子５４は、接続用回路４４とグランド電位との間に接続されている。整合素子５５０は、接続用回路４４に対して、直列に挿入されている。

　高周波スイッチ６１は、フィルタ２１１Ｆ、フィルタ２１２Ｆ、フィルタ２２１Ｆ、フィルタ２２２Ｆ、フィルタ２２３Ｆ、フィルタ３１Ｆ、および、フィルタ３２Ｆを選択的に、整合素子７１、整合素子７２、整合素子７３、および、整合素子７４のいずれかに接続する。整合素子７１、整合素子７２、整合素子７３、および、整合素子７４は、インダクタである。

　整合素子７１は、ＬＮＡ１２１の入力端子に接続し、整合素子７２は、ＬＮＡ１２２の入力端子に接続し、整合素子７３は、ＬＮＡ１２３の入力端子に接続し、整合素子７４は、ＬＮＡ１２４の入力端子に接続する。ＬＮＡ１２１の出力端子、ＬＮＡ１２２の出力端子、ＬＮＡ１２３の出力端子、ＬＮＡ１２４の出力端子は、高周波スイッチ６２に接続する。

　高周波スイッチ６２は、ＬＮＡ１２１、ＬＮＡ１２２、ＬＮＡ１２３、および、ＬＮＡ１２４を選択的に、端子Ｐｂ１１、Ｐｂ１２、Ｐｂ１３のいずれかに接続する。

　（構造）
　図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）に示すように、高周波モジュール１０Ｆは、基体１００Ｆ、複合デバイス１３Ｆ、フィルタ素子２０１、フィルタ素子２０２、フィルタ素子２０３、フィルタ素子２０４、フィルタ素子３０１、フィルタ素子３０２、複数の整合素子５００、整合素子７１、整合素子７２、整合素子７３、整合素子７４、および、複数の実装用端子１０９を備える。複数の整合素子５００が、本発明の「第１整合素子」に対応し、整合素子７１、整合素子７２、整合素子７３、および、整合素子７４が、本発明の「第２整合素子」に対応する。

　基体１００Ｆは、主として絶縁性基板によって形成されており、互いに平行で対向する主面１０１と主面１０２とを有する。基体１００Ｆは、主面１０１、主面１０２、４つの側面Ｓ１００および、内部に、図１０に示す高周波モジュール１０Ｆの回路を実現するための導体パターンを備える。

　複合デバイス１３Ｆは、例えば、半導体素子で実現される。複合デバイス１３Ｆは、スイッチ領域１６Ｆ、ＬＮＡ１２１、ＬＮＡ１２２、ＬＮＡ１２３、および、ＬＮＡ１２４を備える。スイッチ領域１６Ｆには、高周波スイッチ１１、高周波スイッチ６１、および、高周波スイッチ６２が形成されている。

　複合デバイス１３Ｆは、平面視した形状が矩形である。４つの角部Ｃ１３を有する。ＬＮＡ１２１、ＬＮＡ１２２、ＬＮＡ１２３、および、ＬＮＡ１２４は、これらの角部Ｃ１３のそれぞれに、形成されている。スイッチ領域１６Ｆは、４つのＬＮＡに囲まれる複合デバイス１３Ｆの中央領域に形成されている。

　複合デバイス１３Ｆは、ＬＮＡ用端子１６１、ＬＮＡ用端子１６２、ＬＮＡ用端子１６３、ＬＮＡ用端子１６４、および、複数のスイッチ用端子１６９を備える。

　フィルタ素子２０１、フィルタ素子２０２、フィルタ素子２０３、フィルタ素子２０４、フィルタ素子３０１、および、フィルタ素子３０２は、実装型のフィルタ素子であり、例えば、弾性波フィルタによって実現される。フィルタ素子２０１、フィルタ素子２０２、フィルタ素子２０３、および、フィルタ素子２０４は、回路的に、フィルタ２１１Ｆ、フィルタ２１２Ｆ、フィルタ２２１Ｆ、フィルタ２２２Ｆ、および、フィルタ２２３Ｆを構成する。フィルタ素子３０１、および、フィルタ素子３０２は、回路的に、フィルタ３１Ｆ、および、フィルタ３２Ｆを構成する。

　複数の整合素子５００のそれぞれは、回路的に、整合素子５１、整合素子５２、整合素子５３、整合素子５１、整合素子５５０を構成する。

　複合デバイス１３Ｆは、基体１００Ｆの主面１０２に実装される。これにより、複合デバイス１３ＦのＬＮＡ用端子１６１、ＬＮＡ用端子１６２、ＬＮＡ用端子１６３、ＬＮＡ用端子１６４、および、複数のスイッチ用端子１６９は、基体１００Ｆの導体パターンに接続する。

　複合デバイス１３Ｆは、複合デバイス１３Ｆの側面と基体１００Ｆの側面Ｓ１００とが平行にならないように、言い換えれば、所定の角度を有するように、実装される。この構成によって、複合デバイス１３Ｆの各角部Ｃ１３は、基体１００Ｆの側面Ｓ１００に近接して配置される。そして、各角部Ｃ１３は、基体１００Ｆの各側面Ｓ１００における略中央部に配置される。この結果、複合デバイス１３ＦのＬＮＡ用端子１６１、ＬＮＡ用端子１６２、ＬＮＡ用端子１６３、ＬＮＡ用端子１６４は、基体１００Ｆの各側面Ｓ１００における略中央部に接続する。また、複合デバイス１３Ｆの複数のスイッチ用端子１６９は、基体１００Ｆの中央領域に接続する。

　複数の実装用端子１０９は、基体１００Ｆの主面１０２の角部付近に配置される。複合デバイス１３Ｆが上述の形状および配置であることによって、複数の実装用端子１０９を、このように、基体１００Ｆの角部に集中して配置できる。

　フィルタ素子２０１、フィルタ素子２０２、フィルタ素子２０３、フィルタ素子２０４、フィルタ素子３０１、および、フィルタ素子３０２は、基体１００Ｆの主面１０１に実装される。この際、フィルタ素子２０１、フィルタ素子２０２、フィルタ素子２０３、および、フィルタ素子２０４は、可能な限り、基体１００Ｆの中央寄りに配置されていることが好ましい。また、フィルタ素子３０１、および、フィルタ素子３０２は、可能な限り、基体１００Ｆの角部に近づけて配置されることが好ましい。

　複数の整合素子５００は、基体１００Ｆの主面１０１に実装される。複数の整合素子５００は、スイッチ用端子１６９と各フィルタ素子との間に配置されており、基体１００Ｆの中央寄り、言い換えれば、平面視において、複合デバイス１３Ｆにおけるスイッチ領域１６Ｆに近接もしくは重ねて配置されている。

　整合素子７１、整合素子７２、整合素子７３、および、整合素子７４は、基体１００Ｆの主面１０１に実装される。基体１００Ｆを平面視して、整合素子７１は、ＬＮＡ用端子１６１の近傍（複合デバイス１３Ｆの角部Ｃ１３の近傍）に配置されており、整合素子７２は、ＬＮＡ用端子１６２の近傍（複合デバイス１３Ｆの角部Ｃ１３の近傍）に配置されている。整合素子７３は、ＬＮＡ用端子１６３の近傍（複合デバイス１３Ｆの角部Ｃ１３の近傍）に配置されており、整合素子７４は、ＬＮＡ用端子１６４の近傍（複合デバイス１３Ｆの角部Ｃ１３の近傍）に配置されている。これにより、各ＬＮＡと整合素子とを接続する伝送経路の距離は、短くなる。これにより、この伝送経路に発生する浮遊容量は抑制される。

　また、この配置によって、整合素子７１、整合素子７２、整合素子７３、および、整合素子７４は、基体１００Ｆの側面Ｓ１００の近傍に配置される。また、整合素子５００は、基体１００Ｆの中央寄りに配置される。したがって、整合素子７１、整合素子７２、整合素子７３、および、整合素子７４と、複数の整合素子５００のそれぞれとは、近接せず、距離を空けて配置される。これにより、整合素子７１、整合素子７２、整合素子７３、および、整合素子７４と、複数の整合素子５００のそれぞれとの結合は、抑制され、高周波モジュール１０Ｆの伝送特性は改善される。

　また、この構成によって、基体１００Ｆの形状の大型化を抑制しながら、高周波モジュール１０Ｆの複数の実装用端子１０９と、ＬＮＡ用端子１６１、ＬＮＡ用端子１６２、ＬＮＡ用端子１６３、および、ＬＮＡ用端子１６４との距離を稼ぐことができる。これにより、複数の実装用端子１０９と、ＬＮＡ用端子１６１、ＬＮＡ用端子１６２、ＬＮＡ用端子１６３、および、ＬＮＡ用端子１６４との結合を抑制でき、高周波モジュール１０Ｆの特性は、改善する。

　なお、上述の各実施形態の構成は、適宜組合せが可能であり、これらの組合せに応じて、上述の作用効果を奏することができる。

１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ：高周波モジュール
１１、１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｅ、１１Ｆ、６１、６２：高周波スイッチ
１２、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ、１２１、１２２、１２３、１２４：ＬＮＡ
１３、１３Ａ、１３Ｅ、１３Ｆ：複合デバイス
１６Ｆ：スイッチ領域
２１、２２、２３、２３Ａ、２１Ｆ、２２Ｆ、３１、３１Ｅ、３１Ｆ、３２、３２Ｅ、３２Ｆ、３３、２１１、２１１Ｆ、２１２、２１２Ｆ、２２１、２２１Ｆ、２２２、２２２Ｆ、２２３Ｆ、２３１、２３２、２３３：フィルタ
４０Ｇ：グランド導体
４１、４２、４３、４４、４５、４６：接続用回路
５１、５２、５３、５４、５５、５６、５００、５５０、７１、７２、７３、７４：整合素子
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ：基体
１０１、１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１Ｃ、１０１Ｄ、１０２、１０２Ａ、１０２Ｂ、１０２Ｃ、１０２Ｄ：主面
１０９：実装用端子
１６１、１６２、１６３、１６４：ＬＮＡ用端子
１６９：スイッチ用端子
２０１、２０２、２０３、２０４、３０１、３０２：フィルタ素子
ＡＮＴ：アンテナ
Ｂ１、Ｂ３、Ｂ７、Ｂ２５、Ｂ３０、Ｂ３４、Ｂ３９、Ｂ４０、Ｂ４１、Ｂ６６：通信バンド
ＤＩＲ１：第１方向
ＤＩＲ２：第２方向
Ｐ３１、Ｐ３２、Ｐ３３、Ｐａｎ、Ｐｂ１、Ｐｂ２、Ｐｂ３、Ｐｂ４、Ｐｂ５、Ｐｂ６、Ｐｂ７、Ｐｂ８、Ｐｂ９、Ｐｂ１０、Ｐｂ１１、Ｐｂ１２、Ｐｂ１３：端子
Ｐｃ２１、Ｐｃ２２、Ｐｃ２３、Ｐｃ２３Ａ：共通端子
Ｐｓ０、Ｐｓ１、Ｐｓ２、Ｐｓ３、Ｐｓ４、Ｐｓ５、Ｐｓ６：端子

Claims (12)

1. 　共通端子と、前記共通端子に選択的に接続される第１選択端子および第２選択端子と、を有するスイッチと、
   　前記第１選択端子に接続されるマルチプレクサと、
   　前記第２選択端子に接続されるシングルフィルタと、
   　を備え、
   　前記第１選択端子と前記マルチプレクサとを接続する伝送経路の電気的な距離は、前記第２選択端子と前記シングルフィルタとを接続する伝送経路の電気的な距離よりも短い、
   　高周波モジュール。
2. 　アンテナ側の端子と複数のフィルタ側の端子とを有し、複数のフィルタ側の端子を前記アンテナ側の端子へ選択的に接続する高周波スイッチと、
   　それぞれに特性の異なる複数個のフィルタを備え、該複数個のフィルタに共通の共通端子を有する第１フィルタと、
   　１個のフィルタを備える第２フィルタと、
   　前記複数のフィルタ側の端子における第１端子と前記第１フィルタとを接続する第１回路と、
   　前記複数のフィルタ側の端子における第２端子と前記第２フィルタの前記共通端子とを接続する第２回路と、
   を備え、
   　前記第１回路の信号伝送距離は、前記第２回路の信号伝送距離よりも短い、
   　高周波モジュール。
3. 　前記第１フィルタおよび前記第２フィルタは、それぞれ複数であり、
   　前記第１回路および前記第２回路は、それぞれ複数であり、
   　前記複数の第１回路における最も長い第１回路の信号伝送距離は、前記複数の第２回路における最も短い第２回路の信号伝送距離よりも短い、
   　請求項２に記載の高周波モジュール。
4. 　前記第１フィルタを構成する複数種類のフィルタは、同時に通信される複数の通信バンドの高周波信号に対して、それぞれにフィルタ処理を実行する、
   　請求項２または請求項３に記載の高周波モジュール。
5. 　前記第２フィルタでフィルタ処理が実行される第２の通信バンドの周波数帯域は、前記第１フィルタでフィルタ処理が実行される第１の通信バンドの周波数帯域よりも高い周波数である、
   　請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の高周波モジュール。
6. 　前記高周波スイッチ、前記第１フィルタ、および、前記第２フィルタが実装される基体を備え、
   　前記第２フィルタは、前記第１フィルタよりも前記スイッチから離間した位置に配置されている、
   　請求項２乃至請求項５のいずれかに記載の高周波モジュール。
7. 　前記基体は、互いに対向する第１面と第２面とを有し、
   　前記第１フィルタ、および、前記第２フィルタは、前記第１面に実装され、
   　前記高周波スイッチは、前記第２面に実装され、
   　前記基体の平面視において、前記第１フィルタと前記高周波スイッチとは、重なっており、前記第２フィルタと前記高周波スイッチとは、重なっていない、
   　請求項６に記載の高周波モジュール。
8. 　前記基体の平面視において、前記高周波スイッチにおける前記第２端子は、前記第１端子よりも前記高周波スイッチの外縁側に配置されている、
   　請求項６または請求項７に記載の高周波モジュール。
9. 　前記第２フィルタが複数存在する場合であって、前記基体の平面視において、複数の第２フィルタにおける最も周波数の高い通信バンドのフィルタ処理を実行する第３フィルタが接続される第２端子は、複数の第２フィルタにおける前記第３フィルタ以外のフィルタが接続される第２端子よりも前記高周波スイッチの外縁側に配置されている、
   　請求項６乃至請求項８のいずれかに記載の高周波モジュール。
10. 　前記基体の平面視において、前記高周波スイッチの前記アンテナ側の端子は、前記第１端子および前記第２端子よりも前記高周波スイッチの中央側に配置されている、
    　請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の高周波モジュール。
11. 　前記高周波スイッチとＬＮＡとが形成された、平面視して矩形の複合デバイスと、
    　前記高周波スイッチと前記第１フィルタおよび前記第２フィルタとの間に接続される第１整合素子と、
    　前記第１フィルタおよび前記第２フィルタと前記ＬＮＡとの間に接続される第２整合素子と、
    　互いに対向する第１の主面と第２の主面とを備え、前記第１整合素子、前記第２整合素子、前記第１フィルタ、および、前記第２フィルタが第１の主面に実装され、前記複合デバイスが第２の主面に実装される、平面視して矩形の基体と、を備え、
    　前記複合デバイスは、前記複合デバイスの側面が前記基体の側面に対して所定角を有するように、前記基体に実装されている、
    　請求項２乃至請求項５のいずれかに記載の高周波モジュール。
12. 　前記ＬＮＡは、前記複合デバイスの角部に形成され、前記高周波スイッチは、前記複合デバイスの中央部に形成され、前記ＬＮＡに接続すＬＮＡ用端子は、前記複合デバイスの角部に形成されており、
    　前記第２整合素子は、前記基体を平面視して、前記複合デバイスの角部付近に実装されており、
    　前記第１整合素子は、前記基体を平面視して、前記高周波スイッチの形成領域に近い位置に実装されている、
    　請求項１１に記載の高周波モジュール。

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