CN113574658A - 高频模块和通信装置 - Google Patents

高频模块和通信装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113574658A
CN113574658A CN202080020665.2A CN202080020665A CN113574658A CN 113574658 A CN113574658 A CN 113574658A CN 202080020665 A CN202080020665 A CN 202080020665A CN 113574658 A CN113574658 A CN 113574658A
Authority
CN
China
Prior art keywords
filter
reception
transmission
frequency module
main surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080020665.2A
Other languages
English (en)
Inventor
山口幸哉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN113574658A publication Critical patent/CN113574658A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/08—Constructional details, e.g. cabinet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0458—Arrangements for matching and coupling between power amplifier and antenna or between amplifying stages
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/10—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference
    • H04B1/1018—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference noise filters connected between the power supply and the receiver
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H04B1/1607—Supply circuits
    • H04B1/1615—Switching on; Switching off, e.g. remotely
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

高频模块(1)具备：安装基板(90)，其具有彼此相向的主面(90a及90b)；以及双工器(21)，其具有与节点(N1)连接的发送滤波器(21T)以及与节点(N1)连接的接收滤波器(21R)，发送滤波器(21T)安装于主面(90a)，接收滤波器(21R)安装于主面(90b)，在俯视安装基板(90)的情况下，发送滤波器(21T)与接收滤波器(21R)至少有一部分重叠。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本发明涉及一种高频模块和具备该高频模块的通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动通信设备中，特别是伴随着多频段化的发展，构成高频前端电路的电路元件增加，使得高频模块的小型化很困难。
在专利文献1中公开了一种通过能够两面安装的布线基板来实现小型化的半导体模块。具体地说，在天线开关与高频IC(Integrated Circuit：集成电路)电路部之间连接有由功率放大器(power amplifier)和发送滤波器构成的发送电路、以及由低噪声放大器(low noise amplifier)和接收滤波器构成的接收电路。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-040602号公报
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献1所公开的半导体模块中，发送滤波器和接收滤波器安装于布线基板的同一主面。
然而，在由上述发送滤波器和接收滤波器来构成发送滤波器的输出端及接收滤波器的输入端与公共端子连接的多工器(包括双工器)的情况下，若从公共端子到发送滤波器的布线长度和从公共端子到接收滤波器的布线长度很长，则因布线电阻和相移而引起的信号传输损耗变大。另外，在将上述发送滤波器和上述接收滤波器安装于同一主面的情况下，当想要缩短上述布线长度以降低信号传输损耗时，发送滤波器与接收滤波器在同一主面上接近，因此发送信号与接收信号的隔离度劣化。
本发明是为了解决上述问题而完成的，目的在于提供一种具有由发送滤波器和接收滤波器构成的多工器、并且能够降低信号传输损耗同时提高发送接收间的隔离度的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
为了实现上述目的，本发明的一个方式所涉及的高频模块具备：安装基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；以及多工器，其具有第一公共端子、与该第一公共端子连接的发送滤波器、以及与该第一公共端子连接的接收滤波器，其中，所述发送滤波器安装于所述第一主面，所述接收滤波器安装于所述第二主面，在俯视所述安装基板的情况下，所述发送滤波器与所述接收滤波器至少有一部分重叠。
发明的效果
根据本发明，在具有由发送滤波器和接收滤波器构成的多工器的高频模块和通信装置中，能够降低信号传输损耗同时提高发送接收间的隔离度。
附图说明
图1是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
图2是实施方式所涉及的高频模块的俯视图和仰视图。
图3是实施方式所涉及的高频模块的截面图。
具体实施方式
下面，使用附图来详细说明本发明的实施方式。此外，下面说明的实施方式均表示总括性或具体的例子。下面的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本发明。关于下面的实施方式中的结构要素中的未记载于独立权利要求中的结构要素，设为任意的结构要素来进行说明。
此外，各图是为了呈现本发明而适当进行了强调、省略或比率调整的示意图，未必严格地进行了图示，有时与实际的形状、位置关系及比例不同。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。
在下面的各图中，x轴和y轴是在与安装基板的主面平行的平面上相互正交的轴。另外，z轴是与模块基板的主面垂直的轴，其正方向表示上方向，其负方向表示下方向。
另外，在本发明中，“连接”不仅包括用连接端子和/或布线导体来直接连接的情况，还包括经由电感器和电容器等无源元件来电连接的情况。
另外，在本发明中，平行和垂直等表示要素之间的关系性的用语、矩形等表示要素的形状的用语、以及数值范围表示实质上等同的范围、例如还包括百分之几左右的误差，而不是仅表示严格的含义。
另外，在本发明中，“俯视”表示将物体从Z方向投影到XY平面来进行观察。
(实施方式)
参照图1～图3来说明实施方式。
[1高频模块1和通信装置5的电路结构]
首先，参照图1来具体地说明本实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构。
图1是实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。如图1所示，通信装置5具备高频模块1、天线元件2、RF(射频)信号处理电路(RFIC)3以及基带信号处理电路(BBIC)4。
高频模块1在天线元件2与RFIC 3之间传递高频信号。高频模块1例如是LTE(LongTerm Evolution：长期演进)、Wi-Fi(注册商标)、Bluetooth(注册商标)、GPS(GlobalPositioning System：全球定位***)、NR(New Radio：新空口)等的无线前端电路中使用的各种功能部件一体化而成的集成模块。此外，本发明所涉及的高频模块不限定于此。
RFIC 3是对由天线元件2发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地说，RFIC 3对经由高频模块1的接收信号路径输入的高频信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3对从BBIC 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的高频信号输出到高频模块1的发送信号路径。
另外，RFIC 3具有基于要使用的通信频段(频带)来控制高频模块1所具有的开关11及12的端子间连接的功能、以及控制高频模块1所具有的低噪声放大器(LNA：Low NoiseAmplifier)31R、32R及33R的增益的功能。具体地说，RFIC 3向高频模块1的半导体IC 50所具有的控制电路51输出电源信号、IO信号、时钟信号以及数据信号等。控制电路51基于这些信号来向开关11及12、低噪声放大器31R、32R及33R输出控制信号。
BBIC 4是使用频率比高频模块1传输的高频信号低的中间频带来进行信号处理的电路。作为由BBIC 4处理后的信号，例如使用图像信号以显示图像，或者使用声音信号以借助扬声器进行通话。
天线元件2与高频模块1的发送接收端子100连接，对从高频模块1输出的高频信号进行辐射，另外接收来自外部的高频信号后输出到高频模块1。
此外，天线元件2和BBIC 4不是本发明所涉及的通信装置所必需的结构要素。
在此，说明高频模块1的详细的结构。在本实施方式中，高频模块1构成高频信号的发送接收电路。
如图1所示，高频模块1具备发送接收端子100、接收输出端子110R、120R及130R、发送输入端子110T、120T及130T、双工器21及22、滤波器23、半导体IC 50、匹配电路41、42、43、44、45、46、47、48及49、以及发送放大电路30T。
双工器21由发送滤波器21T和接收滤波器21R形成，是多工器的一例。发送滤波器21T的输入端经由匹配电路44来与功率放大器31T连接，发送滤波器21T的输出端与节点N1(第一公共端子)连接。另外，接收滤波器21R的输入端与节点N1(第一公共端子)连接，接收滤波器21R的输出端经由匹配电路45来与低噪声放大器31R连接。节点N1经由匹配电路42来与开关11的选择端子11b(第一选择端子)连接。
发送滤波器21T适用于3GPP(Third Generation Partnership Project：第三代合作伙伴项目)标准的通信***，例如使LTE(Long Term Evolution：长期演进)或NR(NewRadio：新空口)的通信频段A的发送带的高频信号通过。接收滤波器21R适用于3GPP标准的通信***，例如使LTE或NR的通信频段A的接收带的高频信号通过。通过上述结构，双工器21通过频分双工(Frequency Division Duplex)方式来同时传输通信频段A的高频发送信号和高频接收信号。
此外，发送滤波器21T和接收滤波器21R也可以不是以相同的通信频段A的发送带和接收带为通带的双工器，也可以是以不同的通信频段的发送带和接收带为通带的多工器。
双工器22由发送滤波器22T和接收滤波器22R形成，是多工器的一例。发送滤波器22T的输入端经由匹配电路46来与功率放大器32T连接，发送滤波器22T的输出端与节点N1(第一公共端子)连接。另外，接收滤波器22R的输入端与节点N1(第一公共端子)连接，接收滤波器22R的输出端经由匹配电路47来与低噪声放大器32R连接。
发送滤波器22T适用于3GPP标准的通信***，例如使LTE或NR的通信频段B的发送带的高频信号通过。接收滤波器22R适用于3GPP标准的通信***，例如使LTE或NR的通信频段B的接收带的高频信号通过。通过上述结构，双工器22通过频分双工方式来同时传输通信频段B的高频发送信号和高频接收信号。
此外，发送滤波器22T和接收滤波器22R也可以不是以相同的通信频段B的发送带和接收带为通带的双工器，也可以是以不同的通信频段的发送带和接收带为通带的多工器。
滤波器23是第一滤波器的一例，由具有一组输入端和输出端的单一滤波器元件形成。滤波器23的一组输入端和输出端中的一端经由匹配电路43来与开关11的选择端子11c(第一选择端子)连接，另一端与开关12的公共端子连接。开关12的一个选择端子经由匹配电路48来与功率放大器33T连接，开关12的另一个选择端子经由匹配电路49来与低噪声放大器33R连接。
滤波器23适用于3GPP标准的通信***，例如使LTE或NR的通信频段C的发送接收带的高频信号通过。通过开关12的连接切换，滤波器23作为(1)使从功率放大器33T输出的通信频段C的高频发送信号通过后向天线元件2传输的发送滤波器发挥功能，另外，作为(2)使由天线元件2接收到的通信频段C的高频接收信号通过后向低噪声放大器33R传输的接收滤波器发挥功能。通过上述结构，滤波器23通过时分双工(Time Division Duplex)方式来传输通信频段C的高频发送信号和高频接收信号。
发送滤波器21T及22T、接收滤波器21R及22R、以及滤波器23例如可以是声表面波滤波器、使用了BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器以及电介质滤波器中的任一种，并且不限定于它们。
发送放大电路30T由功率放大器31T、32T及33T构成。
功率放大器31T的输入端经由发送输入端子110T来与RFIC 3连接，功率放大器31T的输出端经由匹配电路44来与发送滤波器21T的输入端连接。功率放大器31T例如优先放大通信频段A的高频信号。
功率放大器32T的输入端经由发送输入端子120T来与RFIC 3连接，功率放大器32T的输出端经由匹配电路46来与发送滤波器22T的输入端连接。功率放大器32T例如优先放大通信频段B的高频信号。
功率放大器33T的输入端经由发送输入端子130T来与RFIC 3连接，功率放大器33T的输出端经由匹配电路48及开关12来与滤波器23的另一端连接。功率放大器33T例如优先放大通信频段C的高频信号。
半导体IC 50具备开关11及12、接收放大电路30R以及控制电路51。
接收放大电路30R由低噪声放大器31R、32R及33R构成。
低噪声放大器31R的输入端经由匹配电路45来与接收滤波器21R的输出端连接，低噪声放大器31R的输出端经由接收输出端子110R来与RFIC 3连接。低噪声放大器31R例如以低噪声的方式优先放大通信频段A的高频信号。
低噪声放大器32R的输入端经由匹配电路47来与接收滤波器22R的输出端连接，低噪声放大器32R的输出端经由接收输出端子120R来与RFIC 3连接。低噪声放大器32R例如以低噪声的方式优先放大通信频段B的高频信号。
低噪声放大器33R的输入端经由匹配电路49及开关12来与滤波器23的另一端连接，低噪声放大器33R的输出端经由接收输出端子130R来与RFIC 3连接。低噪声放大器33R例如以低噪声的方式优先放大通信频段C的高频信号。
低噪声放大器31R、32R及33R、以及功率放大器31T、32T及33T各自包括双极型晶体管或场效应型晶体管等放大元件，例如由以CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor：互补金属氧化物半导体)或GaAs为材料的场效应型晶体管(FET)、异质结双极型晶体管(HBT)等构成。
开关11具有公共端子11a(第二公共端子)及2个以上的选择端子，公共端子11a经由匹配电路41来与发送接收端子100连接，选择端子11b(第一选择端子)端子经由匹配电路42来与双工器21及22连接，选择端子11c(第二选择端子)端子经由匹配电路43来与滤波器23连接。开关11是能够同时执行将公共端子11a与选择端子11b连接、以及将公共端子11a与选择端子11c连接的多连接型的开关。
开关12具有公共端子和2个选择端子，公共端子与滤波器23的另一端连接，一个选择端子经由匹配电路48来与功率放大器33T连接，另一个选择端子经由匹配电路49来与低噪声放大器33R连接。开关12是能够排他地执行将公共端子与一个选择端子连接、以及将公共端子与另一个选择端子连接的开关。
控制电路51基于从RFIC 3输出的电源信号、IO信号、时钟信号以及数据信号等，来向开关11及12、以及低噪声放大器31R、32R及33R输出控制信号。
半导体IC 50例如由CMOS构成。由此，能够廉价地制造半导体IC 50。此外，半导体IC 50也可以由GaAs构成。由此，能够输出具有高质量的放大性能和噪声性能的高频信号。
此外，接收放大电路30R也可以不内置于半导体IC 50。另外，发送放大电路30T也可以内置于半导体IC 50。
匹配电路41配置于将开关11与发送接收端子100连结的路径上，取得开关11与天线元件2的阻抗匹配。匹配电路42配置于将开关11与双工器21及22连结的路径上，取得开关11与双工器21及22的阻抗匹配。匹配电路43配置于将开关11与滤波器23连结的路径上，取得开关11与滤波器23的阻抗匹配。匹配电路41～43各自包括电感器和电容器中的至少一方。
匹配电路44配置于将功率放大器31T与发送滤波器21T连结的路径上，取得功率放大器31T的输出阻抗与发送滤波器21T的输入阻抗的匹配。匹配电路46配置于将功率放大器32T与发送滤波器22T连结的路径上，取得功率放大器32T的输出阻抗与发送滤波器22T的输入阻抗的匹配。匹配电路44及46各自包括电感器和电容器中的至少一方(第一匹配元件)。
匹配电路45配置于将低噪声放大器31R与接收滤波器21R连结的路径上，取得低噪声放大器31R的输入阻抗与接收滤波器21R的输出阻抗的匹配。匹配电路47配置于将低噪声放大器32R与接收滤波器22R连结的路径上，取得低噪声放大器32R的输入阻抗与接收滤波器22R的输出阻抗的匹配。匹配电路45及47各自包括电感器和电容器中的至少一方(第二匹配元件)。
匹配电路48配置于将功率放大器33T与开关12连结的路径上，取得功率放大器33T的输出阻抗与滤波器23的输入阻抗的匹配。匹配电路49配置于将低噪声放大器33R与开关12连结的路径上，取得低噪声放大器33R的输入阻抗与滤波器23的输出阻抗的匹配。
此外，匹配电路41～49可以串联地配置于将2个电路元件连结的路径上，另外，也可以配置于该路径上的节点与地之间。另外，也可以没有匹配电路41～49。
根据高频模块1和通信装置5的上述电路结构，能够执行以下中的任一方：通信频段A的高频信号的发送接收；通信频段B的高频信号的发送接收；以及通信频段C的高频信号的发送接收。并且，通过多连接型的开关11，能够同时执行以下中的两方以上：(1)通信频段A的高频信号的发送接收；(2)通信频段B的高频信号的发送接收；以及(3)通信频段C的高频信号的发送或接收。
此外，本发明所涉及的高频模块只要仅具备实施方式所涉及的高频模块1的结构要素中的双工器21或22即可。因而，本发明所涉及的高频模块能够传输的通信频段的数量也是1以上即可。
此外，在本实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5中，作为通信频段A和通信频段B，可以应用LTE的Band25(发送带：1850MHz-1915MHz、接收带：1930MHz-1995MHz)、Band30(发送带：2305MHz-2315MHz、接收带：2350MHz-2360MHz)以及Band66(发送带：1710MHz-1780MHz、接收带：2110MHz-2200MHz)中的任一方。另外，作为通信频段C，可以应用LTE的Band34(发送接收带：2010MHz-2025MHz)、Band39(发送接收带：1880MHz-1920MHz)以及Band41(发送接收带：2496MHz-2690MHz)。
在此，若从构成上述高频模块1的双工器21(或22)的发送滤波器21T到节点N1(第一公共端子)的布线长度与从接收滤波器21R到节点N1(第一公共端子)的布线长度的合计很长，则因这些布线的布线电阻和相移而引起的信号传输损耗变大。另外，当想要缩短上述布线长度的合计以降低信号传输损耗时，发送滤波器21T与接收滤波器21R接近，因此发送信号与接收信号的隔离度劣化。
对此，在本实施方式所涉及的高频模块1中，具有缩短了上述布线长度并且抑制了发送信号与接收信号的隔离度的劣化的结构。下面，说明高频模块1的降低信号传输损耗、小型化并且提高发送信号与接收信号的隔离度的结构。
[2高频模块1内的电路元件的配置结构]
接着，参照图2和图3来具体说明构成高频模块1的电路元件的配置结构。
图2是实施方式所涉及的高频模块1的俯视图(图2的(a))和仰视图(图2的(b))。图3是实施方式所涉及的高频模块1的截面图。具体地说，图3是图2的III-III线处的截面图。
此外，在图2中，省略了树脂构件70A及70B、以及屏蔽电极层85的记载。另外，在图2的(a)中，为了区别输入输出端子81与地端子80G，对地端子80G标注了阴影。另外，在图2中，省略了将各电路元件连接的主面90a上的布线和主面90b上的布线的记载。另外，在图3中，省略了安装基板90内的除了地电极层92G以外的平面布线图案的记载。
如图2和图3所示，高频模块1除了具备图1示出的电路元件以外，还具备安装基板90、输入输出端子81、地端子80G、树脂构件70A及70B、以及屏蔽电极层85。
安装基板90例如是印刷电路板(Printed Circuit Board：PCB)、低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板、或树脂多层基板等。在本实施方式中，安装基板90如图2所示那样在俯视时具有矩形形状，但是不限定于此。
安装基板90具有彼此相向的主面90a及90b。在此，主面90a是第一主面的一例，有时被称为表面或上表面。另一方面，主面90b是第二主面的一例，有时被称为背面或下表面。
在本实施方式所涉及的高频模块1中，如图2和图3所示，发送滤波器21T安装于主面90a，接收滤波器21R安装于主面90b。另外，在俯视时，发送滤波器21T与接收滤波器21R至少有一部分重叠。具体地说，如图3所示，发送滤波器21T经由凸块电极213及214来与安装基板90连接。另外，如图3所示，接收滤波器21R经由凸块电极211及212来与安装基板90连接。如图3所示，凸块电极213与凸块电极211经由沿安装基板90的z轴方向延伸的通路导体91来连接。在此，发送滤波器21T的凸块电极213相当于发送滤波器21T的输出端，接收滤波器21R的凸块电极211相当于接收滤波器21R的输入端和节点N1。
此外，在实施方式中，安装基板90的厚度例如为150μm，安装基板90的主面90a或90b中的基板间隙的最小值(同一主面上的相邻的电路元件的最小间隔)例如为80μm。
根据上述结构，发送滤波器21T与接收滤波器21R被配置为在上述俯视时重叠，因此能够缩短从节点N1(凸块电极211)到发送滤波器21T的输出端(凸块电极213)的布线长度与从节点N1(凸块电极211)到接收滤波器21R的输入端(凸块电极211)的布线长度(实质为零)的合计，能够降低因布线电阻和相移而引起的双工器21中的信号传输损耗。另外，发送滤波器21T与接收滤波器21R以隔着安装基板90的方式配置，因此能够提高发送信号与接收信号的隔离度。因此，能够降低高频模块1的信号传输损耗并且提高发送接收间的隔离度。
另外，在本实施方式所涉及的高频模块1中，如图2所示，发送滤波器22T安装于主面90a，接收滤波器22R安装于主面90b。另外，在俯视时，发送滤波器22T与接收滤波器22R至少有一部分重叠。具体地说，在图2和图3中虽未图示，但是发送滤波器22T经由凸块电极来与安装基板90连接。另外，接收滤波器22R经由凸块电极来与安装基板90连接。发送滤波器22T的一个凸块电极与接收滤波器22R的一个凸块电极经由沿安装基板90的z轴方向延伸的通路导体来连接。在此，发送滤波器22T的上述一个凸块电极相当于发送滤波器22T的输出端，接收滤波器22R的上述一个凸块电极相当于接收滤波器22R的输入端和节点N1。
根据上述结构，发送滤波器22T与接收滤波器22R被配置为在上述俯视时重叠，因此能够缩短从节点N1(接收滤波器22R的上述一个凸块电极)到发送滤波器21T的输出端(发送滤波器22T的上述一个凸块电极)的布线长度与从节点N1(接收滤波器22R的上述一个凸块电极)到接收滤波器21R的输入端(接收滤波器22R的上述一个凸块电极)的布线长度(实质为零)的合计，能够降低因布线电阻和相移而引起的双工器22中的信号传输损耗。另外，发送滤波器22T与接收滤波器22R以隔着安装基板90的方式配置，因此能够提高发送信号与接收信号的隔离度。因此，能够降低高频模块1的信号传输损耗并且提高发送接收间的隔离度。
此外，也可以仅实施发送滤波器21T与接收滤波器21R的上述配置关系、以及发送滤波器22T与接收滤波器22R的上述配置关系中的任一方。
在本实施方式中，如图2所示，发送滤波器21T及22T、匹配电路44以及发送放大电路30T安装于主面90a，接收滤波器21R及22R、滤波器23、半导体IC 50以及匹配电路49安装于主面90b。
也就是说，半导体IC 50和滤波器23安装于同一主面90b。另外，开关11和滤波器23安装于同一主面90b。具体地说，半导体IC 50经由凸块电极501、502及503来与安装基板90连接。另外，滤波器23经由凸块电极231及232来与安装基板90连接。凸块电极501与凸块电极211经由在安装基板90的主面90b形成的布线93来连接。凸块电极503与凸块电极231经由在安装基板90的主面90b形成的布线94来连接。布线93及94是沿安装基板90的主面方向延伸的平面布线图案。在此，半导体IC 50的凸块电极501相当于开关11的选择端子11b，半导体IC 50的凸块电极503相当于开关11的选择端子11c。
根据上述结构，节点N1(接收滤波器21R的凸块电极211)、开关11的选择端子11b(凸块电极501)及11c(凸块电极503)、以及滤波器23的一端(凸块电极231)配置于安装基板90的同一主面90b，因此能够将它们接近地配置。由此，能够缩短从开关11的选择端子11b到双工器21的公共端子(节点N1)的布线长度与从开关11的选择端子11c到滤波器23的一端的布线长度的合计。因此，能够降低在同时执行通过双工器21的高频信号的发送和接收中的至少一方、以及通过滤波器23的高频信号的发送和接收中的至少一方的情况下因布线电阻和相移而引起的信号传输损耗。
此外，在上述结构的情况下，半导体IC 50安装于主面90b，发送滤波器21T安装于主面90a。根据上述结构，不在安装有开关11和滤波器23的主面90b安装用于传输大功率的发送信号的发送滤波器21T，因此能够抑制因该发送信号而使得开关11误动作、或者滤波器23传输的接收信号的接收灵敏度下降。
此外，开关11也可以不以内置于半导体IC 50的方式安装于主面90b，也可以以开关11单体来安装于主面90b。
此外，开关11和滤波器23也可以安装于同一主面90a。在该情况下，发送滤波器21T的凸块电极213相当于节点N1，凸块电极213与半导体IC 50的凸块电极501(相当于选择端子11b)通过在主面90a形成的平面布线图案来连接，半导体IC 50的凸块电极503(相当于选择端子11c)与滤波器23的凸块电极231通过在主面90a形成的平面布线图案来连接。
根据上述结构，节点N1(发送滤波器21T的凸块电极213)、开关11的选择端子11b(凸块电极501)及11c(凸块电极503)、以及滤波器23的一端(凸块电极231)配置于安装基板90的同一主面，因此能够将它们接近地配置。由此，能够缩短从开关11的选择端子11b到双工器21的公共端子(节点N1)的布线长度与从开关11的选择端子11c到滤波器23的一端的布线长度的合计。因此，能够降低在同时执行通过双工器21的高频信号的发送和接收中的至少一方、以及通过滤波器23的高频信号的发送和接收中的至少一方的情况下因布线电阻和相移而引起的信号传输损耗。
此外，凸块电极211、212、213、214、231、232、501、502及503是由高导电性金属构成的球状的电极，例如能够列举出由Sn/Ag/Cu构成的焊料凸块、以及以Au为主成分的凸块等。另外，凸块电极211～214、231、232及501～503也可以不是凸块电极，例如也可以是由焊膏形成的电极。
另外，匹配电路44安装于主面90a，匹配电路49安装于主面90b。根据上述结构，构成匹配电路44的电感器和构成匹配电路49的电感器以隔着安装基板90的方式配置，因此能够抑制上述2个电感器的磁场耦合。因此，抑制了从功率放大器31T输出的高频发送信号不经由发送滤波器21T和滤波器23而是借助上述磁场耦合来侵入低噪声放大器33R，因此能够抑制通信频段C的高频信号的接收灵敏度的劣化。
此外，也可以是，匹配电路44及46中的至少一方安装于主面90a，匹配电路45及47中的至少一方安装于主面90b。据此，构成匹配电路44及46中的至少一方的电感器(第一匹配元件)与构成匹配电路45及47中的至少一方的电感器(第二匹配元件)以隔着安装基板90的方式配置，因此能够抑制上述2个电感器的磁场耦合。因此，抑制了从功率放大器31T或32T输出的高频发送信号不经由发送滤波器21T或22T以及接收滤波器21R或22R而是借助上述磁场耦合侵入低噪声放大器31R或32R，因此能够抑制通信频段A或B的高频信号的接收灵敏度的劣化。
另外，如图3所示，安装基板90具有地电极层92G。地电极层92G由沿安装基板90的主面方向延伸的平面布线图案形成。在此，也可以是，在俯视时，发送滤波器21T的至少一部分及接收滤波器21R的至少一部分与地电极层92G重叠。此外，也可以是，在俯视时，发送滤波器22T的至少一部分及接收滤波器22R的至少一部分与地电极层92G重叠。
树脂构件70A形成在主面90a上，覆盖了发送滤波器21T及22T、匹配电路44、以及发送放大电路30T。树脂构件70A具有确保发送滤波器21T及22T、匹配电路44、以及发送放大电路30T的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外，树脂构件70A也可以不覆盖发送滤波器21T及22T、匹配电路44以及发送放大电路30T的所有面。例如，树脂构件70A也可以仅覆盖发送放大电路30T的侧面。
树脂构件70B形成在主面90b上，覆盖了接收滤波器21R及22R、滤波器23、半导体IC50以及匹配电路49。树脂构件70B具有确保接收滤波器21R及22R、滤波器23、半导体IC 50以及匹配电路49的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外，树脂构件70B也可以不覆盖接收滤波器21R及22R、滤波器23、半导体IC 50以及匹配电路49的所有面。例如，树脂构件70B也可以仅覆盖半导体IC 50的侧面。
输入输出端子81分别是用于与外部基板(未图示)等进行电信号的交换的端子。输入输出端子81分别例如是从安装基板90的主面90b起沿Z方向延伸的铜柱状电极，贯通了树脂构件70B以将安装基板90与外部基板连接。外部基板例如是在高频模块1的Z轴负方向侧配置的主板。输入输出端子81分别例如相当于图1示出的发送接收端子100、接收输出端子110R、120R、130R、发送输入端子110T、120T及130T中的任一方。
地端子80G配置于安装基板90的主面90b，是被设定为地电位的多个外部连接端子的一例。地端子80G分别例如是从安装基板90的主面90b起沿Z方向延伸的铜柱状电极，贯通了树脂构件70B以将安装基板90与外部基板连接。
此外，输入输出端子81和地端子80G无需是柱状和铜制，其形状和材质没有限定。例如，输入输出端子81和地端子80G也可以是半球状的电极(凸块)，例如也可以是焊球或铜芯球。
屏蔽电极层85覆盖树脂构件70A的表面及侧面、以及树脂构件70B的侧面，并与地电极层92G连接。例如，屏蔽电极层85在安装基板90的侧面与地电极层92G连接。
此外，树脂构件70A及70B、屏蔽电极层85、输入输出端子81以及地端子80G不是本发明所涉及的高频模块1所必需的结构要素。另外，输入输出端子81也可以不配置于主面90b，例如也可以置换为接合线等。
[3效果等]
如以上那样，根据本实施方式，能够是，高频模块1具备：安装基板90，其具有彼此相向的主面90a及90b；以及双工器21，其具有与节点N1连接的发送滤波器21T以及与节点N1连接的接收滤波器21R，发送滤波器21T安装于主面90a，接收滤波器21R安装于主面90b，在俯视安装基板90的情况下，发送滤波器21T与接收滤波器21R至少有一部分重叠。
由此，发送滤波器21T与接收滤波器21R被配置为在上述俯视时重叠，因此能够缩短从节点N1到发送滤波器21T的布线长度与从节点N1到接收滤波器21R的布线长度的合计，能够降低因双工器21的布线电阻和相移而引起的信号传输损耗。另外，发送滤波器21T与接收滤波器21R以隔着安装基板90的方式配置，因此能够提高发送信号与接收信号的隔离度。因此，能够降低高频模块1的信号传输损耗并且提高发送接收间的隔离度。
另外，根据本实施方式，能够是，高频模块1还具备：开关11，其具有公共端子11a、选择端子11b及11c，能够同时执行将公共端子11a与选择端子11b连接以及将公共端子11a与选择端子11c连接；以及滤波器23，其与选择端子11c连接，节点N1与选择端子11b连接。
由此，能够同时执行通过双工器21的高频信号的发送和接收中的至少一方、以及通过滤波器23的高频信号的发送和接收中的至少一方。
另外，根据本实施方式，能够是，开关11和滤波器23安装于主面90a及90b中的同一主面。
由此，能够缩短从开关11到滤波器23的布线长度。另外，发送滤波器21T和接收滤波器21R中的一方配置于与开关11相同的主面，因此还能够缩短从开关11到节点N1的布线长度。因此，能够降低在同时执行通过双工器21的高频信号的发送和接收中的至少一方、以及通过滤波器23的高频信号的发送和接收中的至少一方的情况下因布线电阻和相移而引起的信号传输损耗。
另外，根据本实施方式，能够是，开关11和滤波器23安装于主面90b。
由此，不在安装有开关11和滤波器23的主面90b安装用于传输大功率的发送信号的发送滤波器21T，因此能够抑制因该发送信号而使得开关11误动作、或者滤波器23传输的接收信号的接收灵敏度下降。
另外，根据本实施方式，能够是，高频模块1具备半导体IC 50，该半导体IC 50内置有开关11、以及向开关11输出用于切换开关11的连接的控制信号的控制电路51，半导体IC50安装于主面90b。
由此，不在安装有半导体IC 50的主面90b安装用于传输大功率的发送信号的发送滤波器21T，因此能够抑制该发送信号的噪声叠加到上述控制信号中而使得开关11误动作。
另外，根据本实施方式，能够是，半导体IC 50还内置有对从接收滤波器21R输出的高频接收信号进行放大的低噪声放大器31R。
由此，在安装有半导体IC 50的主面90b安装有接收滤波器21R，因此能够缩短从接收滤波器21R到低噪声放大器31R的布线长度，能够降低接收信号的传输损耗。
另外，根据本实施方式，能够是，还具备：匹配电路44，其取得发送滤波器21T与配置于发送滤波器的输入端侧的功率放大器31T之间的阻抗匹配；以及匹配电路45，其取得低噪声放大器31R与接收滤波器21R之间的阻抗匹配，构成匹配电路44的第一匹配元件安装于主面90a，构成匹配电路45的第二匹配元件安装于主面90b。
由此，第一匹配元件与第二匹配元件以隔着安装基板90的方式配置，因此能够抑制第一匹配元件与第二匹配元件的磁场耦合。因此，抑制了从功率放大器31T输出的高频发送信号不经由发送滤波器21T和接收滤波器21R而是借助上述磁场耦合侵入低噪声放大器31R，因此能够抑制接收灵敏度的劣化。
另外，根据本实施方式，能够是，安装基板90具有由平面布线图案形成的地电极层92G，在俯视时发送滤波器21T的至少一部分及接收滤波器21R的至少一部分与地电极层92G重叠。
由此，在发送滤波器21T与接收滤波器21R之间***有地电极层92G，因此能够强化发送信号与接收信号的隔离度。
另外，根据本实施方式，能够是，通信装置5具备：RF信号处理电路(RFIC)3，其对利用天线元件2发送接收的高频信号进行处理；以及高频模块1，其在天线元件2与RFIC 3之间传递高频信号。
由此，能够提供一种降低了信号传输损耗并且提高了发送接收间的隔离度的通信装置5。
(其它变形例等)
以上，列举实施方式来说明了本发明所涉及的高频模块和通信装置，但是本发明所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式。将上述实施方式中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式实施本领域技术人员在不脱离本发明的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、以及内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包括在本发明中。
例如，在上述实施方式所涉及的高频模块和通信装置中，也可以在附图所公开的将各电路元件和信号路径连接的路径之间***其它电路元件和布线等。
产业上的可利用性
本发明作为配置于前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1：高频模块；2：天线元件；3：RF信号处理电路(RFIC)；4：基带信号处理电路(BBIC)；5：通信装置；11、12：开关；11a：公共端子；11b、11c：选择端子；21、22：双工器；21R、22R：接收滤波器；21T、22T：发送滤波器；23：滤波器；30R：接收放大电路；30T：发送放大电路；31R、32R、33R：低噪声放大器；31T、32T、33T：功率放大器；41、42、43、44、45、46、47、48、49：匹配电路；50：半导体IC；51：控制电路；70A、70B：树脂构件；80G：地端子；81：输入输出端子；85：屏蔽电极层；90：安装基板；90a、90b：主面；91：通路导体；92G：地电极层；93、94：布线；100：发送接收端子；110R、120R、130R：接收输出端子；110T、120T、130T：发送输入端子；211、212、213、214、231、232、501、502、503：凸块电极；N1：节点。

Claims (9)

1.一种高频模块，具备：
安装基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；以及
多工器，其具有第一公共端子、与该第一公共端子连接的发送滤波器、以及与该第一公共端子连接的接收滤波器，
其中，所述发送滤波器安装于所述第一主面，
所述接收滤波器安装于所述第二主面，
在俯视所述安装基板的情况下，所述发送滤波器与所述接收滤波器至少有一部分重叠。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，还具备：
开关，其具有第二公共端子、第一选择端子以及第二选择端子，能够同时执行将所述第二公共端子与所述第一选择端子连接、以及将所述第二公共端子与所述第二选择端子连接；以及
第一滤波器，其与所述第二选择端子连接，
其中，所述第一公共端子与所述第一选择端子连接。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其中，
所述开关和所述第一滤波器安装于所述第一主面和所述第二主面中的同一主面。
4.根据权利要求3所述的高频模块，其中，
所述开关和所述第一滤波器安装于所述第二主面。
5.根据权利要求4所述的高频模块，其中，
所述高频模块具备半导体集成电路，该半导体集成电路内置有所述开关、以及向所述开关输出用于切换所述开关的连接的控制信号的控制电路，
所述半导体集成电路安装于所述第二主面。
6.根据权利要求5所述的高频模块，其中，
所述半导体集成电路还内置有对从所述接收滤波器输出的高频接收信号进行放大的低噪声放大器。
7.根据权利要求6所述的高频模块，其中，还具备：
第一匹配元件，其取得所述发送滤波器与配置于所述发送滤波器的输入端侧的功率放大器之间的阻抗匹配；以及
第二匹配元件，其取得所述低噪声放大器与所述接收滤波器之间的阻抗匹配，
其中，所述第一匹配元件安装于所述第一主面，
所述第二匹配元件安装于所述第二主面。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的高频模块，其中，
所述安装基板具有由平面布线图案形成的地电极层，
在所述俯视时，所述发送滤波器的至少一部分及所述接收滤波器的至少一部分与所述地电极层重叠。
9.一种通信装置，具备：
射频信号处理电路，其对利用天线元件发送接收的高频信号进行处理；以及
根据权利要求1～8中的任一项所述的高频模块，其在所述天线元件与所述射频信号处理电路之间传递所述高频信号。
CN202080020665.2A 2019-03-13 2020-03-11 高频模块和通信装置 Pending CN113574658A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019046286 2019-03-13
JP2019-046286 2019-03-13
PCT/JP2020/010517 WO2020184613A1 (ja) 2019-03-13 2020-03-11 高周波モジュールおよび通信装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113574658A true CN113574658A (zh) 2021-10-29

Family

ID=72426626

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080020665.2A Pending CN113574658A (zh) 2019-03-13 2020-03-11 高频模块和通信装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11876545B2 (zh)
KR (1) KR102419331B1 (zh)
CN (1) CN113574658A (zh)
WO (1) WO2020184613A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114928381A (zh) * 2022-06-20 2022-08-19 英业达科技有限公司 蓝牙通信电路及含有该电路的车钥匙

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210015089A (ko) * 2019-07-31 2021-02-10 삼성전자주식회사 장치들 간 직접적으로 무선 통신하기 위한 전자 장치
JP2021150849A (ja) * 2020-03-19 2021-09-27 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2022091852A1 (ja) * 2020-10-26 2022-05-05 株式会社村田製作所 高周波モジュール、及び通信装置
WO2022138441A1 (ja) * 2020-12-23 2022-06-30 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
CN117099306A (zh) * 2021-03-31 2023-11-21 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
WO2022230681A1 (ja) * 2021-04-26 2022-11-03 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2024057738A1 (ja) * 2022-09-13 2024-03-21 株式会社村田製作所 高周波回路

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004135316A (ja) * 2002-09-17 2004-04-30 Hitachi Metals Ltd 高周波部品及び高周波モジュール並びにこれらを用いた通信機
US20080212552A1 (en) * 2004-06-30 2008-09-04 Hitachi Metals, Ltd. Multi-Band High Frequency Circuit, Multi-Band High-Frequency Component and Multi-Band Communications Apparatus
JP2012070267A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Renesas Electronics Corp 高周波信号処理装置
US20130272176A1 (en) * 2011-01-06 2013-10-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module
US20130309984A1 (en) * 2011-03-04 2013-11-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency switch module
JP5422078B1 (ja) * 2013-08-30 2014-02-19 太陽誘電株式会社 高周波回路モジュール
US20140055956A1 (en) * 2012-08-21 2014-02-27 Taiyo Yuden Co., Ltd. High-Frequency Circuit Module
US20170133998A1 (en) * 2014-09-08 2017-05-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Composite component and front-end module
US20170353173A1 (en) * 2016-06-07 2017-12-07 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device
US9887727B1 (en) * 2016-08-05 2018-02-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transmit-and-receive module and communication device
US20180226928A1 (en) * 2015-10-02 2018-08-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplification module, front-end circuit, and communication device
US20180343000A1 (en) * 2016-02-08 2018-11-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio frequency front-end circuit and communication device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3960277B2 (ja) * 2002-10-23 2007-08-15 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2005079885A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Kyocera Corp 高周波モジュール及び無線通信装置
JP4423210B2 (ja) * 2005-01-21 2010-03-03 京セラ株式会社 高周波モジュール及びそれを用いた通信機器
JP2011040602A (ja) 2009-08-12 2011-02-24 Renesas Electronics Corp 電子装置およびその製造方法
ES2447298T3 (es) 2011-03-24 2014-03-11 Alcatel Lucent Circuito diplexor y procedimiento de fabricación de una placa de circuito impreso para el mismo
JP2015103888A (ja) 2013-11-22 2015-06-04 京セラ株式会社 弾性波モジュールおよび通信装置
WO2019054154A1 (ja) * 2017-09-12 2019-03-21 株式会社村田製作所 高周波モジュール、高周波フロントエンド回路および通信装置
JP2019154025A (ja) 2018-03-01 2019-09-12 株式会社村田製作所 高周波フロントエンド回路及びそれを備える通信装置
WO2019244815A1 (ja) 2018-06-20 2019-12-26 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004135316A (ja) * 2002-09-17 2004-04-30 Hitachi Metals Ltd 高周波部品及び高周波モジュール並びにこれらを用いた通信機
US20080212552A1 (en) * 2004-06-30 2008-09-04 Hitachi Metals, Ltd. Multi-Band High Frequency Circuit, Multi-Band High-Frequency Component and Multi-Band Communications Apparatus
JP2012070267A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Renesas Electronics Corp 高周波信号処理装置
US20130272176A1 (en) * 2011-01-06 2013-10-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module
US20130309984A1 (en) * 2011-03-04 2013-11-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency switch module
US20140055956A1 (en) * 2012-08-21 2014-02-27 Taiyo Yuden Co., Ltd. High-Frequency Circuit Module
JP5422078B1 (ja) * 2013-08-30 2014-02-19 太陽誘電株式会社 高周波回路モジュール
US20170133998A1 (en) * 2014-09-08 2017-05-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Composite component and front-end module
US20180226928A1 (en) * 2015-10-02 2018-08-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplification module, front-end circuit, and communication device
US20180343000A1 (en) * 2016-02-08 2018-11-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio frequency front-end circuit and communication device
US20170353173A1 (en) * 2016-06-07 2017-12-07 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device
US9887727B1 (en) * 2016-08-05 2018-02-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transmit-and-receive module and communication device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114928381A (zh) * 2022-06-20 2022-08-19 英业达科技有限公司 蓝牙通信电路及含有该电路的车钥匙

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210123356A (ko) 2021-10-13
KR102419331B1 (ko) 2022-07-11
US11876545B2 (en) 2024-01-16
WO2020184613A1 (ja) 2020-09-17
US20210409046A1 (en) 2021-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102419331B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
CN215933563U (zh) 高频模块和通信装置
KR102455842B1 (ko) 회로 모듈 및 통신 장치
CN113412578B (zh) 高频模块和通信装置
US11394817B2 (en) Radio frequency module and communication device
CN112910482B (zh) 高频模块和通信装置
CN215072395U (zh) 高频模块和通信装置
KR102489366B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신장치
CN213937898U (zh) 高频模块和通信装置
CN213879810U (zh) 高频模块和通信装置
US11539385B2 (en) Radio-frequency module and communication device
KR102476616B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신장치
KR102455844B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신장치
CN215186733U (zh) 高频模块和通信装置
CN214756335U (zh) 高频模块以及通信装置
CN215072396U (zh) 高频模块和通信装置
CN213990661U (zh) 高频模块和通信装置
CN116210157A (zh) 高频模块
KR20210108314A (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
CN214959527U (zh) 高频模块以及通信装置
CN213585768U (zh) 高频模块和通信装置
WO2021205702A1 (ja) 高周波回路、高周波モジュール及び通信装置
CN117063394A (zh) 高频模块和通信装置
CN114342268A (zh) 高频模块和通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination