JP5556473B2 - 露光データの作成方法、露光データ作成装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、露光データの作成方法、露光データ作成装置及び半導体装置の製造方法に関する。

近時、電子ビーム露光（以下、ＥＢ露光という）を用いてパターンを露光する技術が注目されている。

ＥＢ露光（ＥＢ描画）は、微細なパターンを高精度に描画し得るため、半導体装置の高集積化等に対応することが可能である。

また、ＥＢ露光は、レチクルを必要としないため、レチクルを作成するためのコストを省略することができる。

特開２００１−３３０９４０号公報 特開２００１−１０９１２８号公報 特開２００１−１８９２５９号公報 特開平４−２６１０９号公報 国際公開第０１／４１１９８号パンフレット 特開２００９−２２３２０２号公報

しかしながら、ＥＢ露光は、矩形に成形した電子ビームを１ショットずつ露光するものであるため、長時間を要し、必ずしも良好なスループットでパターンを露光し得ない場合がある。また、単にＥＢ露光を用いた場合には、互いに隣接するパターンを分離することが困難な場合もある。

本発明の目的は、信頼性を損なうことなく、良好なスループットで露光し得る露光データの作成方法、露光データ作成装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。

実施形態の一観点によれば、光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第１の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第２の露光データとを、設計データに基づいて作成するステップと、前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第３の露光データを、前記設計データに基づいて作成するステップと、前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定するステップと、前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第１の時間と、前記第２の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第２の時間とを比較し、前記第１の時間が前記第２の時間より短い場合には、前記第１の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第２の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第３の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第１の露光データと、編集された前記第２の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成するステップとを有することを特徴とする露光データの作成方法が提供される。

実施形態の他の観点によれば、光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第１の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第２の露光データとを、設計データに基づいて作成する手段と、前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第３の露光データを、前記設計データに基づいて作成する手段と、前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定する手段と、前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第１の時間と、前記第２の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第２の時間とを比較し、前記第１の時間が前記第２の時間より短い場合には、前記第１の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第２の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第３の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第１の露光データと、編集された前記第２の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成する手段とを有することを特徴とする露光データ作成装置が提供される。

実施形態の更に他の観点によれば、光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第１の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第２の露光データとを、設計データに基づいて作成するステップと、前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第３の露光データを、前記設計データに基づいて作成するステップと、前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定するステップと、前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第１の時間と、前記第２の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第２の時間とを比較し、前記第１の時間が前記第２の時間より短い場合には、前記第１の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第２の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第３の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第１の露光データと、編集された前記第２の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成するステップとをコンピュータに実行させるためのプログラムが提供される。

実施形態の更に他の観点によれば、光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第１の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第２の露光データとを、設計データに基づいて作成するステップと；前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第３の露光データを、前記設計データに基づいて作成するステップと；前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定するステップと；前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第１の時間と、前記第２の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第２の時間とを比較し、前記第１の時間が前記第２の時間より短い場合には、前記第１の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第２の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第３の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第１の露光データと、編集された前記第２の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成するステップとをコンピュータに実行させることにより得られたハイブリッド露光用の露光データのうちの前記編集された第２の露光データを用いて前記荷電粒子線露光を行う工程と、前記ハイブリッド露光用の露光データのうちの前記編集された第１の露光データに基づいて作製されたレチクルを用いて前記光露光を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

開示の露光データの作成方法によれば、ハイブリッド露光により単位領域内を露光する場合に要する時間と、荷電粒子線露光のみにより当該単位領域内を露光する場合に要する時間とを比較する。そして、荷電粒子線露光のみにより当該単位領域内を露光した場合の方が、ハイブリッド露光により当該単位領域内を露光した場合より短時間で済む場合には、当該単位領域に対しては荷電粒子線露光のみにより露光するようにする。但し、ハイブリッド露光を用いないと不具合が生じてしまうような単位領域に対しては、ハイブリッド露光を用いる。従って、信頼性を損なうことなく、良好なスループットで露光し得る露光データを得ることができる。

露光データ作成装置を示すブロック図である。 一実施形態による露光データの作成方法を示すフローチャートである。 一実施形態による露光データの作成方法におけるデータを示す図である。 ハイブリッド露光用のＥＢ露光用パターンデータとハイブリッド露光用の光露光パターンデータの形成方法を示す図（その１）である。 ハイブリッド露光用のＥＢ露光用パターンデータとハイブリッド露光用の光露光パターンデータの形成方法を示す図（その２）である。 露光フィールドを説明するための図（その１）である。 露光フィールドを説明するための図（その２）である。 露光用データのパターンの例を示す図（その１）である。 露光用データのパターンの例を示す図（その２）である。 ホットスポットテーブルの例を示す図である。 一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その１）である。 一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その２）である。 一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図（その３）である。 露光による蓄積エネルギーの強度分布を示す図である。 ＥＢ露光におけるパターンを示す図である。

図１４は、露光による蓄積エネルギーの強度分布を示す図である。図１４のグラフの縦軸は、露光による蓄積エネルギーの強度分布を示している。閾値エネルギーＥ_ｔｈを超えた箇所においては、ネガ型のレジストを用いた場合、レジストパターンが残存する。

図１４（ａ）に示すような比較的大きいサイズのパターン２００が互いに隣接して配される場合において、ＥＢ露光でこれらのパターン２００を露光すると、図１４（ａ）のグラフに示すような蓄積エネルギー分布となる。

図１４（ａ）において太い点線で示すように、パターン２００間においては、蓄積エネルギーが極めて大きくなり、閾値エネルギーＥ_ｔｈを超えてしまう。

このため、比較的大きいパターン２００が隣接して配される場合において、単にＥＢ露光で露光した場合には、これらのパターン２００を分離することができず、パターン２００の短絡が生じてしまう。

そこで、パターンの縁部２０２に対してはＥＢ露光を行い、パターンの内部２０４に対してはレチクルを用いた光露光を行う、ハイブリッド露光を用いることが提案されている。レチクルとしては、例えば、レチクルの製造コストが比較的安いＫｒＦ光源用のレチクルが用いられる。

ハイブリッド露光では、ＥＢ露光で露光するパターン２０２の面積が比較的小さいため、パターン２０２間における蓄積エネルギーが比較的小さくなる。このため、隣接するパターン２０２同士を互いに分離することが可能となる。

ところで、図１５（ａ）に示すような設計パターン２１０に対して、ＥＢ露光だけで露光する場合には、図１５（ｂ）に示すように、合計で４ショットのパターン２１２ａ〜２１２ｄを露光すれば済む。図１５は、ＥＢ露光のパターンを示す図である。

一方、図１５（ａ）に示す設計パターン２１０をハイブリッド露光で露光する場合には、合計で８ショットのパターン２１４ａ〜２１４ｈをＥＢ露光により露光することとなる。

このように、ハイブリッド露光で露光する場合には、ＥＢ露光だけで露光する場合より、ショット数が多くなってしまう場合がある。ショット数の増加は、スループットの低下を招くこととなる。

また、サイズが比較的大きいパターンの場合には、後方散乱に起因する蓄積エネルギーが比較的大きいため、ＥＢ露光の１ショット当たりの露光時間は比較的短くて済む。

しかしながら、サイズが比較的小さいパターンの場合には、後方散乱に起因する蓄積エネルギーが比較的小さいため、ＥＢ露光の１ショット当たりの露光時間が比較的長くなる。ハイブリッド露光の場合には、ＥＢ露光により露光するパターンのサイズが小さいため、１ショット当たりの露光時間が比較的長くなる。このことも、スループットの低下を招く要因となる。

図１４（ａ）に示すような場合には、パターン２００の短絡等の不具合が生じてしまうため、図１４（ｂ）に示すように、ハイブリッド露光を用いざるを得ない。

しかし、ハイブリッド露光を用いることなく、ＥＢ露光だけで露光した場合であっても、短絡、断線等の不具合が生じない露光フィールド５６（図７（ａ）参照）に対しては、ＥＢ露光だけで露光しても不具合は生じない。

本願発明者は、鋭意検討した結果、信頼性を損ねることなく、スループットの向上を実現し得る、以下に示すような露光データの作成方法及び露光データ作成装置を想到した。

［一実施形態］
一実施形態による露光データ作成装置、露光データの作成方法、その露光データの作成方法を実行するコンピュータプログラム、その露光データを用いた半導体装置の製造方法を図１乃至図１３を用いて説明する。

（露光データ作成装置）
本実施形態による露光データは、後述する本実施形態による露光データの作成方法により作成される。本実施形態による露光データの作成方法は、例えば、本実施形態による露光データの作成方法を実行するためのコンピュータプログラムがインストールされたＣＡＤ等の半導体設計装置（設計支援装置）を用いて、実行することが可能である。

本実施形態による露光データを作成する際に用いられる露光データ作成装置について図１を用いて説明する。図１は、露光データ作成装置を示すブロック図である。

図１に示すように、露光データ作成装置は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１０と、ＲＯＭ（Read‐Only Memory）１２と、ＲＡＭ（Random Access Memory）１４と、磁気ディスクドライブ１６と、磁気ディスク１８と、光ディスクドライブ２０と、光ディスク２２と、ディスプレイ２４と、Ｉ／Ｆ（Interface）２６と、キーボード２８と、マウス３０と、スキャナ３２と、プリンタ３４とを備えている。また、各構成部はバス３６によってそれぞれ接続されている。

ここで、ＣＰＵ（処理部）１０は、露光データ作成装置の全体の制御を司る。ＲＯＭ１２は、ブートプログラムなどのプログラムを記憶している。ＲＡＭ１４は、ＣＰＵ１０のワークエリアとして使用される。磁気ディスクドライブ１６は、ＣＰＵ１０の制御にしたがって磁気ディスク１８に対するデータのリード／ライトを制御する。

磁気ディスク１８は、磁気ディスクドライブ１６の制御で書き込まれたデータを記憶する。磁気ディスク１８には、本実施形態による露光データの作成方法を実行するためのコンピュータプログラムがインストールされている。また、磁気ディスク１８には、半導体装置の設計を行うことにより作成された半導体装置の設計データが記憶されている。本実施形態による露光データの作成方法を実行するためのコンピュータプログラムは、半導体装置の設計データに基づき、後述するような所定のステップをコンピュータ（ＣＰＵ）に実行させることにより、露光データを取得する。

光ディスクドライブ２０は、ＣＰＵ１０の制御にしたがって光ディスク２２に対するデータのリード／ライトを制御する。光ディスク２２は、光ディスクドライブ２０の制御で書き込まれたデータを記憶したり、光ディスク２２に記憶されたデータをコンピュータに読み取らせたりする。

ディスプレイ２４は、カーソル、アイコンあるいはツールボックスをはじめ、文書、画像、機能情報などのデータを表示する。当該ディスプレイ２４としては、例えば、ＣＲＴ、ＴＦＴ液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイなどを採用することができる。

Ｉ／Ｆ２６は、通信回線を通じてＬＡＮ（Local Area Network）、ＷＡＮ（Wide Area Network）、インターネットなどのネットワーク３６に接続され、このネットワーク３６を介して他の装置に接続される。そして、Ｉ／Ｆ２６は、ネットワーク３８と内部のインターフェースを司り、外部装置からのデータの入出力を制御する。Ｉ／Ｆ２６としては、例えばモデムやＬＡＮアダプタなどを採用することができる。

キーボード２８は、文字、数字、各種指示などの入力のためのキーを備え、データの入力を行う。また、タッチパネル式の入力パッドやテンキーなどであってもよい。マウス３０は、カーソルの移動や範囲選択、あるいはウィンドウの移動やサイズの変更などを行う。ポインティングデバイスとして同様に機能を備えるものであれば、トラックボールやジョイスティックなどであってもよい。

スキャナ３２は、画像を光学的に読み取り、設計支援装置内に画像データを取り込む。なお、スキャナ３２には、ＯＣＲ（Optical Character Reader）機能を持たせてもよい。また、プリンタ３４は、画像データや文書データを印刷する。プリンタ３４には、例えば、レーザプリンタやインクジェットプリンタを採用することができる。

こうして、本実施形態による露光データを作成する際に用いられる露光データ作成装置が形成されている。

（露光データの作成方法）
次に、本実施形態による露光データの作成方法について図２及び図３を用いて説明する。図２は、本実施形態による露光データの作成方法を示すフローチャートである。図３は、本実施形態による露光データの作成方法におけるデータを示す図である。

本実施形態による露光データの作成方法は、例えば、図１に示すような本実施形態による露光データ作成装置を用いて、実行することが可能である。

まず、ＣＰＵ１０は、半導体装置の設計データ１００に基づいて、ウェハ露光用図形データ１０２を作成する（ステップＳ１）。なお、半導体装置の設計データ１００は予め作成されている。ウェハ露光用図形データ１０２は、半導体ウェハ上に形成されるパターンの形状を示す図形データである。なお、ウェハ露光用図形データ１０２は、ハイブリッド露光の対象となる各々の層に対してそれぞれ形成される。なお、ハイブリッド露光の対象となる層は、例えば半導体ウェハ上に形成される金属配線層等である。

次に、ＣＰＵ１０は、ウェハ露光用図形データ１０２を用いて、ハイブリッド露光用のＥＢ露光用パターンデータ１０４と、ハイブリッド露光用の光露光用パターンデータ（光露光データ）１０６とを作成する（ステップＳ２）。ハイブリッド露光のうちのＥＢ露光は、例えば、比較的高い精度が要求される微細パターンを露光する場合や、微細パターン以外のパターンの縁部等を露光する場合等に用いられる。一方、ハイブリッド露光のうちの光露光（レチクル露光）は、微細パターン以外のパターンの内部を露光する場合や、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing、化学的機械的研磨）用のダミーパターンを露光する場合等に用いられる。なお、ＫｒＦ光源を用いた光露光は、ＡｒＦ光源を用いた光露光と比較して、レチクルが安価で済む。このため、ハイブリッド露光のうちの光露光は、ＫｒＦ光源を用いた光露光であることが好ましい。

ハイブリッド露光用のＥＢ露光用パターンデータ１０４とハイブリッド露光用の光露光用パターンデータ（光露光データ）１０６は、例えば以下のようにして形成される。

図４は、ハイブリッド露光用のＥＢ露光用パターンデータとハイブリッド露光用の光露光パターンデータの形成方法を示す図である。

図４（ａ）に示すようなパターン４０を形成する場合を例に説明する。

まず、ＣＰＵ１０は、図４（ａ）に示すようなパターン４０に対して、大きさｊのマイナスバイアス処理を行う。マイナスバイアス処理は、パターンの外縁を所定値ずつ内側にシフトさせる処理である。これにより、パターン４０の外縁の位置がｊずつ内側にシフトされ、図４（ｂ）に示すようなパターン４０ａが得られる。

次に、ＣＰＵ１０は、図４（ａ）に示すパターン４０から図４（ｂ）に示すパターン４０ａの部分を除去することにより、図４（ｃ）に示すようなパターン４０ｂを得る。パターン４０ｂは、ハイブリッド露光のうちのＥＢ露光用のパターンに用いられる。

次に、ＣＰＵ１０は、図４（ｂ）に示すパターン４０ａに対して、大きさｋのプラスバイアス処理を行う。プラスバイアス処理は、パターンの外縁を所定値ずつ外側にシフトさせる処理である。これにより、パターン４０ａの外縁の位置がｋずつ外側にシフトされ、図５（ａ）に示すようなパターン４０ｃが得られる。バイアス値ｋの大きさは、バイアス値ｊの大きさより小さい値とする。図５（ａ）に示すようなパターン４０ｃは、ハイブリッド露光のうちの光露光用のパターンに用いられる。なお、図５（ｂ）に示すように、パターン４０ｂとパターン４０ｃとには、互いに重なり合う部分が存在する。

このようにして、ＣＰＵ１０は、設計データ１００に基づいて、ハイブリッド露光用のＥＢ露光用パターンデータ１０４と、ハイブリッド露光用の光露光用パターンデータ（光露光データ）１０６とを得る（ステップＳ２）。

次に、ＣＰＵ１０は、上記のようにして得られたハイブリッド露光用のＥＢ露光用パターンデータ１０４に基づいて、以下のようにして、ハイブリッド露光用のＥＢ露光データ１０８を作成する（ステップＳ３）。

即ち、まず、ＣＰＵ１０は、ハイブリッド露光用のＥＢ露光用パターンデータ１０４に対し、パターンの形状を変化させる形状変形補正を行う。形状変形補正としては、例えば、ルールベース補正、一括バイアス補正等が行われる。

次に、ＣＰＵ１０は、形状変形補正が行われたハイブリッド露光用のＥＢ露光用パターンデータ１０４に対して、矩形分割等を行い、ＥＢ露光装置が読み取ることが可能なデータ形式に変換する。これにより、ハイブリッド露光のうちのＥＢ露光の各ショットのパターンのデータが得られる。

次に、ＣＰＵ１０は、近接効果等による解像度の劣化が低減されるように、ハイブリッド露光のうちのＥＢ露光の各ショットのパターンに対して適切な露光量を算出する。こうして、ハイブリッド露光のうちのＥＢ露光の各々のショットのパターンについて適切な露光量が求められる。各ショットのパターンのデータ及び各ショットの露光量のデータは、各々の露光フィールド（単位領域、部分領域、分割領域）５６（図６（ａ）参照）毎に区分けされる。このようにして、ＣＰＵ１０は、各ショットのパターンのデータと各ショットの露光量のデータとが露光フィールド５６毎に区分けされたハイブリッド露光用のＥＢ露光データ１０８を得る。

ここで、露光フィールド５６について図６及び図７を用いて説明する。図６及び図７は、露光フィールドを説明するための図である。

図６（ａ）は、半導体ウェハを示す平面図である。

図６（ａ）に示すように、半導体ウェハ５０には、複数のチップ領域５２がマトリクス状に配される。

図６（ｂ）は、図６（ａ）において丸印で囲んだ部分を拡大して示した図である。図６（ｂ）においては、図６（ａ）における上端側に位置する半導体チップ５２と図６（ａ）における下端側に位置する半導体チップ５２とが抜き出して示されている。

半導体ウェハ５０上の領域は、複数のストライプ状の領域（フレーム）５４に便宜的に分割される。図６（ｂ）においては、フレーム５４の境界線が破線を用いて示されている。フレーム５４の幅は、例えば８００μｍ程度に設定されている。

図７（ａ）は、図６（ｂ）において丸印で囲んだ部分を拡大して示した図である。図７（ａ）に示すように、１つのフレーム５４には複数の露光フィールド（単位領域）５６が含まれている。複数の露光フィールド５６は、１つのフレーム５４内において、Ｙ方向に配列されている。図７（ａ）においては、フレーム５４の境界線が破線を用いて示されており、露光フィールド５６の境界線が一点鎖線を用いて示されている。露光フィールド５６のサイズは、例えば８００μｍ×８００μｍ程度とする。

ＥＢ露光装置は、矩形に成形された電子ビームを適宜偏向させ、ＥＢ露光の対象となっている露光フィールド５６内にパターンを順次描画する。図７（ａ）における矢印は、露光フィールド６５内において電子ビームを偏向させる様子を概念的に示したものである。図７（ａ）に示すように、ＥＢ露光装置は、ＥＢ露光の対象となっている露光フィールド５６内において、矩形に成形された電子ビームを適宜偏向させることができる。

一の露光フィールド５６に対してＥＢ露光装置によるパターンの露光が完了すると、ＥＢ露光装置のＸＹステージは、図６（ｂ）において矢印で示した方向にＥＢ露光が進行するように、半導体ウェハ５０を移動させる。そして、他の露光フィールド５６に対してＥＢ露光装置によりパターンの露光が行われる。当該他の露光フィールド５６に対してＥＢ露光装置によるパターンの露光が完了すると、ＥＢ露光装置のＸＹステージは、図６（ｂ）において矢印で示した方向にＥＢ露光が進行するように、半導体ウェハ５０を更に移動させる。この後、同様して、ＥＢ露光によるパターンの露光が進行する。

なお、上記では、一の露光フィールド５６に対してＥＢ露光装置によるパターンの露光が完了した後にＸＹステージにより半導体ウェハ５０を移動させる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。ＸＹステージにより半導体ウェハ５０を移動させつつ、電子ビームを偏向させて露光フィールド５６内にパターンを露光してもよい。即ち、ビーム偏向によるフィールド内のパターン露光とウェハ移動とを同時に行ってもよい。

図７（ｂ）は、図７（ａ）において丸印で囲んだ部分を拡大して示したものである。１つの露光フィールド５６内には、図７（ｂ）に示すようなサブフィールド５８が複数含まれている。サブフィールド５８は、露光フィールド５６を複数に分割したものである。サブフィールド５８のサイズは、例えば４０μｍ×４０μｍ程度とする。複数のサブフィールド５８は、露光フィールド５６内にマトリクス状に位置している。１ショットのパターン６０の寸法は、例えば最大で４μｍ程度である。

各々の露光フィールド５６のサイズや各々の露光フィールド５６の境界の位置は、後述する単独ＥＢ露光データにおける各々の露光フィールド５６のサイズや各々の露光フィールド５６の境界の位置と整合するようにする。こうして、ハイブリッド露光用のＥＢ露光データが得られる。ハイブリッド露光用のＥＢ露光データにおいては、ＥＢ露光の各ショットのパターンを示すデータと、ＥＢ露光の各ショットの露光量を示すデータとが、対になっている。

図８及び図９は、露光用データのパターンの例を示す図である。

図８（ａ）は、設計データの例を示す図である。

図８（ｂ）は、ウェハ露光用図形データを示す図である。

上述したステップＳ１の処理を行うと、図８（ａ）に示すような設計データに基づいて、図８（ｂ）に示すようなウェハ露光用図形データ４２が得られる。ウェハ露光用図形データ４２は、図４（ａ）を用いて上述したパターン４０に対応している。

図８（ｃ）は、ハイブリッド露光用のＥＢ露光用パターンデータを示す図である。

上述したステップＳ２の処理を行うと、図８（ｃ）に示すようなハイブリッド露光用のＥＢ露光用パターンデータ４２ｂが得られる。ＥＢ露光用パターンデータ４２ｂは、図４（ｃ）を用いて上述したパターン４０ｂに対応している。

図９（ａ）は、ハイブリッド露光用の光露光用パターンデータを示す図である。

上述したステップＳ２の処理を行うと、図９（ａ）に示すようなハイブリッド露光用の光露光用パターンデータ４２ｃが得られる。光露光パターンデータ４２ｃは、図５（ａ）を用いて上述したパターン４０ｃに対応している。

図９（ｂ）は、ハイブリッド露光用のＥＢ露光データを示す図である。図９（ｂ）におけるドットの相違は、露光量の相違を示している。

図９（ｃ）は、ハイブリッド露光用のＥＢ露光用パターンデータとハイブリッド露光用の光露光用パターンデータとを重ね合わせた状態を示す図である。図９（ｃ）に示すように、ハイブリッド露光用のＥＢ露光用パターンデータ４２ｂと、ハイブリッド露光用の光露光用パターンデータ４２ｃとには、互いに重なり合っている部分が存在している。

こうして、ＣＰＵ１０は、設計データ１００に基づいて、ハイブリッド露光用の光露光データ（ハイブリッド露光用パターンデータ）１０６と、ハイブリッド露光用のＥＢ露光データ１０８とを作成する。

次に、ＣＰＵ１０は、ハイブリッド露光を行うことなく、ＥＢ露光だけを用いて、半導体ウェハ上にパターンを露光する場合の露光データ（単独ＥＢ露光データ）１１２を、以下のようにして作成する（ステップＳ４）。

まず、ＣＰＵ１０は、ウェハ露光用図形データ１０２を用いて、単独ＥＢ露光用パターンデータ１１０を作成する。

次に、ＣＰＵ１０は、単独ＥＢ露光用パターンデータ１１０に対し、パターンの形状を変化させる形状変形補正を行う。形状変形補正としては、例えば、ルールベース補正、一括バイアス補正等が行われる。

次に、ＣＰＵ１０は、形状変形補正が行われた単独ＥＢ露光用パターンデータ１１０に対して、矩形分割等を行い、ＥＢ露光装置が読み取ることが可能なデータ形式に変換する。これにより、ＥＢ露光を行うための各ショットのパターンが得られる。

次に、ＣＰＵ１０は、近接効果等による解像度の劣化を低減するように、各ショットのパターンの適切な露光量を算出する。こうして、各々のショットのパターンについて適切な露光量が求められる。各ショットのパターンのデータ及び各ショットの露光量のデータは、各々の露光フィールド５６（図７（ａ）参照）毎に区分けされる。こうして、各ショットのパターンのデータ及び各ショットの露光量のデータが露光フィールド５６毎に区分けされた単独ＥＢ露光データ１１２が作成される。各々の露光フィールド５６のサイズや各々の露光フィールド５６の境界の位置は、上述したハイブリッド露光用のＥＢ露光データ１０８における各々の露光フィールド５６のサイズや各々の露光フィールド５６の境界の位置と整合するようにする。単独ＥＢ露光データ１１２においても、各ショットのパターンを示すデータと、各ショットの露光量を示すデータとが、対になっている。

次に、ＣＰＵ１０は、単独ＥＢ露光データ１１２を用いてパターンの露光を行った場合に、露光フィールド５６内に短絡、断線等の不具合が生じる箇所（ホットスポット）が存在するか否かを、各々の露光フィールド５６毎に判定する。各々の露光フィールド５６においてホットスポットが生じるか否かは、図１０に示すようなホットスポットテーブル（ＨＳＴ、Hot Spot Table）に順次記憶される。このようなホットスポットテーブルは、例えばＲＡＭ１４や磁気ディスク１８等に記憶される。図１０は、ホットスポットテーブルの例を示す図である。Ｘ座標がｉ、Ｙ座標がｊの露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）に対応するホットスポットテーブルは、ＨＳＴ（i，ｊ）と表される。ホットスポットが生じる場合には、ホットスポットテーブルのうちの当該露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）に対応する部分に、例えば“１”を記入する。Ｘ座標がｉ、Ｙ座標がｊの露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）においてホットスポットが生じる場合には、ＨＳＴ（ｉ，ｊ）＝１とされる。一方、ホットスポットが生じない場合には、ホットスポットテーブルのうちの当該露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）に対応する部分に、例えば“０”を記入する。Ｘ座標がｉ、Ｙ座標がｊの露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）においてホットスポットが生じない場合には、ＨＳＴ（ｉ，ｊ）＝０とされる。こうして、単独ＥＢ露光データ１１２を用いてパターンの露光を行った場合に短絡、断線等の不具合が生じるか否かが、露光フィールド５６毎に判定され、図１０に示すようなホットスポットテーブルが作成される（ステップＳ５）。

ホットスポットテーブルの値が１となっている露光フィールド５６は、当該露光フィールド５６に対してハイブリッド露光を行わずに、ＥＢ露光のみでパターンの露光を行った場合には、パターンの短絡、断線等の不具合が生じてしまう。従って、ホットスポットテーブルの値が１になっている露光フィールド５６については、当該露光フィールド５６におけるパターンの露光に長時間を要する場合であっても、ハイブリッド露光を用いざるを得ない。

一方、ホットスポットテーブルの値が０となっている露光フィールド５６は、当該露光フィールド５６に対してハイブリッド露光を行わずに、ＥＢ露光のみでパターンの露光を行った場合であっても、パターンの短絡、断線等の不具合は生じない。このため、ホットスポットテーブルの値が０となっている当該露光フィールド５６に対しては、ハイブリッド露光を行わずに、ＥＢ露光だけを用いてパターンの露光を行うことも可能である。

従って、ホットスポットテーブルの値が０となっている露光フィールド５６については、ハイブリッド露光と単独ＥＢ露光のどちらの露光時間が短いかを判定し、露光時間の短い方を採用する。

具体的には、まず、ＣＰＵ１０は、露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）に対応するホットスポットテーブルＨＳＴ（ｉ，ｊ）の値が０であるか否かを、順次判断する（ステップＳ６）。

ＣＰＵ１０は、当該露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）に対応するホットスポットテーブルＨＳＴ（ｉ，ｊ）の値が０である場合には、単独ＥＢ露光データ１１２を用いて当該露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）を露光する場合に要する第１の時間ｔ_１を算出する（ステップＳ７）。

次に、ＣＰＵ１０は、ハイブリッド露光用ＥＢ露光データ１０８を用いて当該露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）を露光する場合に要する第２の時間ｔ_２を算出する（ステップＳ８）。

次に、ＣＰＵ１０は、単独ＥＢ露光データを用いて当該露光フィールドを露光する場合に要する第１の時間ｔ_１と、ハイブリッド露光用ＥＢ露光データを用いて当該露光フィールドを露光する場合に要する第２の時間ｔ_２とを比較する（ステップＳ９）。

第１の時間ｔ_１が第２の時間ｔ_２より短い場合には、単独ＥＢ露光データを用いて露光した方がスループットの点で有利である。

従って、第１の時間ｔ_１が第２の時間ｔ_２より短い場合には、当該露光フィールド５６については、以下のようにして、単独ＥＢ露光データを１１２用いてパターンを露光することとする。

即ち、ＣＰＵ１０は、ハイブリッド露光用光露光データ１０６から当該露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）についての部分のデータを削除する（ステップＳ１０）。これにより、当該露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）に対しては、レチクルを用いた光露光が行われないこととなる。

また、ＣＰＵ１０は、ハイブリッド露光用ＥＢ露光データ１０８のうちの当該露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）についての部分のデータを、単独ＥＢ露光データ１１２のうちの当該露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）についての部分のデータにより置換する（ステップＳ１１）。これにより、当該露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）に対しては、ハイブリッド露光による露光ではなく、ＥＢ露光だけでパターンの露光が行われることとなる。当該露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）においては、ＥＢ露光だけでパターンの露光を行った場合の方が、ハイブリッド露光を用いてパターンの露光を行う場合より露光時間が短いため、スループットの向上に寄与することができる。

第１の時間ｔ_１が第２の時間ｔ_２より短くない場合には、単独ＥＢ露光データ１１２を用いて露光するメリットがない。従って、この場合には、当該露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）についてはハイブリッド露光が行われる。第２の時間ｔ_２が第１の時間ｔ_１より長くなる場合としては、例えば、素子分離領域を含む単位領域等が挙げられる。より具体的には、例えば、ロジックセルアレイの素子分離領域を含む単位領域等が挙げられる。素子分離領域のパターンは、ハイブリッド露光の対象となるような比較的大きなサイズを有しており、かつ、複雑な多角形で構成されている。周縁を露光するハイブリッド用ＥＢ露光データは、単独ＥＢ露光データに比べ、ショット数が著しく多く、かつ、単位領域の面積密度が極めて小さくなる場合があり、この場合には、第２の時間ｔ_２が第１の時間ｔ_１より長くなる。

こうして、ＥＢ露光だけで当該露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）内を露光した場合の方がハイブリッド露光よりも短時間で済む場合には、当該露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）内がＥＢ露光だけで露光されるように、露光データ１０６，１０８，１１２が編集される。

一方、ハイブリッド露光を用いないと不具合が生じる露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）、及び、ハイブリッド露光の方がＥＢ露光だけで露光した場合より長時間となる露光フィールドＦ（ｉ，ｊ）については、ハイブリッド露光が行われることとなる。

同様にして、ＣＰＵ１０は、全ての露光フィールド５６に対して、上記のような処理（ステップＳ６〜Ｓ１１）を行う（ステップＳ１２）。

ＣＰＵ１０は、全ての露光フィールド５６に対して、上記のような処理（ステップＳ６〜Ｓ１１）を行うことにより、編集されたハイブリッド露光用光露光データ１１４と、編集されたハイブリッド露光用ＥＢ露光データ１１６とを得る。

次に、ＣＰＵ１０は、編集されたハイブリッド露光用ＥＢ露光データ１１６の各々のショットのパターンに対し、近接効果を再計算する。そして、ＣＰＵ１０は、近接効果等による解像度の劣化が低減されるように、各ショットのパターンの適切な露光量を算出する。こうして、ＣＰＵ１０は、各々のショットのパターンについて適切な露光量が求められる。なお、各ショットのパターンのデータ及び各ショットの露光量のデータは、露光フィールド５６毎に区分されている。こうして、ＣＰＵ１０は、近接効果補正を行う（ステップＳ１３）。

こうして、ＣＰＵ１０は、編集されたハイブリッド露光用光露光データ１１４と、編集されたハイブリッド露光用ＥＢ露光データ１１６とを有するハイブリッド露光用の露光データ１１４，１１６を得る。

このように、本実施形態によれば、ハイブリッド露光により露光フィールド内を露光する場合に要する時間と、ＥＢ露光のみにより当該露光フィールド内を露光する場合に要する時間とを比較する。そして、ＥＢ露光のみにより当該露光フィールド内を露光した場合の方が、ハイブリッド露光により当該露光フィールド内を露光した場合より短時間で済む場合には、当該露光フィールドに対してはＥＢ露光のみにより露光するようにする。但し、本実施形態では、ハイブリッド露光を用いないと不具合が生じてしまうような露光フィールドに対しては、ＥＢ露光のみにより露光するようにはせず、ハイブリッド露光を用いる。従って、本実施形態によれば、信頼性を損なうことなく、スループットの向上を実現することができる。

（半導体装置の製造方法）
次に、本実施形態による露光データの作成方法により得られる露光データを用いた半導体装置の製造方法について図１１乃至図１３を用いて説明する。図１１乃至図１３は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。図１１（ａ）は、断面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に対応する平面図である。図１１（ｃ）は、断面図であり、図１２（ａ）は、図１１（ｃ）に対応する平面図である。図１２（ｂ）は、断面図であり、図１２（ｃ）は、図１２（ｂ）に対応する平面図である。図１３（ａ）乃至図１３（ｃ）は、断面図である。

まず、本実施形態による露光データの作成方法により得られた編集済ハイブリッド露光用光露光データ１１４（図３参照）に基づいて、レチクル作成用の描画データ（図示せず）を作成する。

次に、レチクル作成用の描画データに基づいて、ハイブリッド露光用のレチクル（図示せず）を作製する。レチクルは、例えばＫｒＦ光源用のレチクルとする。

次に、図示しないＥＢ露光装置（電子線露光装置）内に半導体ウェハ７０を導入する。なお、図１１（ａ）に示すように、半導体ウェハ７０上には、図示しないトランジスタ等や層間絶縁膜７２が形成されている。半導体ウェハ７０としては、例えばシリコンウェハが用いられる。層間絶縁膜７２としては、例えばシリコン酸化膜が形成されている。層間絶縁膜７２上には、パターニングの対象となる導電膜７４等が形成されている。導電膜７４の材料としては、例えば多結晶シリコン膜が用いられる。導電膜７４上には、レジスト膜７６が形成されている。レジスト膜７６としては、化学増幅系ネガ型レジスト等が用いられている。

ここでは、図１１（ｂ）に示すようなパターン７８をレジスト膜７６に露光する場合を例に説明する。図１１（ｂ）は、レジスト膜７６に露光するパターン７８の形状を示す平面図である。

次に、本実施形態による露光データの作成方法により得られた編集済ハイブリッド露光用ＥＢ露光データ１１６（図３参照）に基づいて、半導体ウェハ７０上のレジスト膜７６にＥＢ露光装置を用いてパターン８０（図１２（ａ）参照）を露光する。図１１（ｃ）においては、ＥＢ露光が行われた箇所をハッチングにより示している。図１２（ａ）は、ＥＢ露光により露光されるパターン８０を示す平面図である。図１２（ａ）に示すように、図１１（ｂ）のパターン７８のうちの外縁部がＥＢ露光により露光される。

次に、半導体ウェハ７０を図示しない光露光装置に搬送する。光露光装置としては、例えばＫｒＦ光源を用いた光露光装置を用いる。

次に、上記のようにして作成されたハイブリッド露光用のレチクルを用い、光露光装置により、半導体ウェハ７０上のレジスト膜７６にパターン８２（図１２（ｃ）参照）を露光する。図１２（ｂ）においては、光露光が行われた箇所を、ＥＢ露光が行われた箇所と異なる種類のハッチングを用いて示している。図１２（ｃ）は、光露光により露光されるパターン８２を示す平面図である。図１２（ｃ）に示すように、図１１（ｂ）のパターン７８のうちの内側の部分が光露光により露光される。

次に、図１３（ａ）に示すように、レジスト膜７６を現像する。

次に、図１３（ｂ）に示すように、レジスト膜７６をマスクとして、導電膜７４をエッチングする。

この後、例えばアッシングによりレジスト膜７６を剥離する（図１３（ｃ）参照）。

これにより、ハイブリッド露光を用いてパターニングされた導電膜７４が得られる。

こうして、本実施形態による半導体装置が製造される。

［変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。

例えば、上記実施形態では、光露光とＥＢ露光とを併用するハイブリッド露光を行う場合を例に説明したが、ハイブリッド露光のうちの荷電粒子線露光はＥＢ露光に限定されるものではない。例えば、ハイブリッド露光のうちの荷電粒子露光として、例えばイオンビーム露光等を行ってもよい。

また、上記実施形態では、レジスト膜としてネガ型レジストを用いる場合を例に説明したが、ネガ型レジストを用いる場合に限定されるものではない。例えば、ポジ型レジストを用いる場合にも適用することができる。

上記実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。

（付記１）
光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第１の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第２の露光データとを、設計データに基づいて作成するステップと、
前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第３の露光データを、前記設計パターンに基づいて作成するステップと、
前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定するステップと、
前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第１の時間と、前記第２の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第２の時間とを比較し、前記第１の時間が前記第２の時間より短い場合には、前記第１の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第２の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第３の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第１の露光データと、編集された前記第２の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成するステップと
を有することを特徴とする露光データの作成方法。

（付記２）
付記１記載の露光データの作成方法において、
前記荷電粒子線露光は、電子線露光である
ことを特徴とする露光データの作成方法。

（付記３）
付記１又は２記載の露光データの作成方法において、
前記光露光は、ＫｒＦ光源を用いた光露光である
ことを特徴とする露光データの作成方法。

（付記４）
付記１乃至３のいずれかに記載の露光データの作成方法において、
前記不具合は、断線又は短絡である
ことを特徴とする露光データの作成方法。

（付記５）
付記１乃至４のいずれかに記載の露光データの作成方法において、
一つの半導体チップが形成される領域内に複数の前記単位領域が含まれる
ことを特徴とする露光データの作成方法。

（付記６）
光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第１の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第２の露光データとを、設計データに基づいて作成する手段と、
前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第３の露光データを、前記設計パターンに基づいて作成する手段と、
前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定する手段と、
前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第１の時間と、前記第２の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第２の時間とを比較し、前記第１の時間が前記第２の時間より短い場合には、前記第１の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第２の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第３の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第１の露光データと、編集された前記第２の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成する手段と
を有することを特徴とする露光データ作成装置。

（付記７）
光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第１の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第２の露光データとを、設計データに基づいて作成するステップと、
前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第３の露光データを、前記設計パターンに基づいて作成するステップと、
前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定するステップと、
前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第１の時間と、前記第２の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第２の時間とを比較し、前記第１の時間が前記第２の時間より短い場合には、前記第１の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第２の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第３の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第１の露光データと、編集された前記第２の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成するステップと
をコンピュータに実行させるためのプログラム。

（付記８）
光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第１の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第２の露光データとを、設計データに基づいて作成するステップと；前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第３の露光データを、前記設計パターンに基づいて作成するステップと；前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定するステップと；前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第１の時間と、前記第２の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第２の時間とを比較し、前記第１の時間が前記第２の時間より短い場合には、前記第１の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第２の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第３の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第１の露光データと、編集された前記第２の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成するステップとをコンピュータに実行させることにより得られたハイブリッド露光用の露光データのうちの前記編集された第２の露光データを用いて前記荷電粒子線露光を行う工程と、
前記ハイブリッド露光用の露光データのうちの前記編集された第１の露光データに基づいて作製されたレチクルを用いて前記光露光を行う工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

１０…ＣＰＵ
１２…ＲＯＭ
１４…ＲＡＭ
１６…磁気ディスクドライブ
１８…磁気ディスク
２０…光ディスクドライブ
２２…光ディスク
２４…ディスプレイ
２６…Ｉ／Ｆ
２８…キーボード
３０…マウス
３２…スキャナ
３４…プリンタ
３６…バス
３８…ネットワーク
４０、４０ａ〜４０ｃ…パターン
４２、４２ｂ、４２ｃ…パターン
５０…半導体ウェハ
５２…チップ領域
５４…フレーム
５６…露光フィールド、単位領域
５８…サブフィールド
６０…１ショットのパターン
７０…半導体ウェハ
７２…層間絶縁膜
７４…導電膜
７６…レジスト膜
７８…パターン
８０…ＥＢ露光のパターン
８２…光露光のパターン
１００…設計データ
１０２…ウェハ露光用図形データ
１０４…ハイブリッド露光用のＥＢ露光用パターンデータ
１０６…ハイブリッド露光用の光露光データ
１０８…ハイブリッド露光用ＥＢ露光データ
１１０…単独ＥＢ露光用パターンデータ
１１２…単独ＥＢ露光データ
１１４…編集済みのハイブリッド露光用露光データ
１１６…編集済みのハイブリッド露光用ＥＢ露光データ
２００…パターン
２０２…パターンの縁部
２０４…パターンの内部
２１０…設計パターン
２１２ａ〜２１２ｄ…パターン
２１４ａ〜２１４ｈ…パターン

Claims (5)

1. 光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第１の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第２の露光データとを、設計データに基づいて作成するステップと、
   前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第３の露光データを、前記設計データに基づいて作成するステップと、
   前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定するステップと、
   前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第１の時間と、前記第２の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第２の時間とを比較し、前記第１の時間が前記第２の時間より短い場合には、前記第１の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第２の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第３の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第１の露光データと、編集された前記第２の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成するステップと
   を有することを特徴とする露光データの作成方法。
2. 請求項１記載の露光データの作成方法において、
   前記荷電粒子線露光は、電子線露光であることを特徴とする露光データの作成方法。
3. 光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第１の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第２の露光データとを、設計データに基づいて作成する手段と、
   前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第３の露光データを、前記設計データに基づいて作成する手段と、
   前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定する手段と、
   前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第１の時間と、前記第２の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第２の時間とを比較し、前記第１の時間が前記第２の時間より短い場合には、前記第１の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第２の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第３の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第１の露光データと、編集された前記第２の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成する手段と
   を有することを特徴とする露光データ作成装置。
4. 光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第１の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第２の露光データとを、設計データに基づいて作成するステップと、
   前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第３の露光データを、前記設計データに基づいて作成するステップと、
   前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定するステップと、
   前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第１の時間と、前記第２の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第２の時間とを比較し、前記第１の時間が前記第２の時間より短い場合には、前記第１の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第２の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第３の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第１の露光データと、編集された前記第２の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成するステップと
   をコンピュータに実行させるためのプログラム。
5. 光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第１の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第２の露光データとを、設計データに基づいて作成するステップと；前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第３の露光データを、前記設計データに基づいて作成するステップと；前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定するステップと；前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第３の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第１の時間と、前記第２の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第２の時間とを比較し、前記第１の時間が前記第２の時間より短い場合には、前記第１の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第２の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第３の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第１の露光データと、編集された前記第２の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成するステップとをコンピュータに実行させることにより得られたハイブリッド露光用の露光データのうちの前記編集された第２の露光データを用いて前記荷電粒子線露光を行う工程と、
   前記ハイブリッド露光用の露光データのうちの前記編集された第１の露光データに基づいて作製されたレチクルを用いて前記光露光を行う工程と
   を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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