JP5403603B2 - 描画装置の描画エラー検証方法及び描画装置の描画エラー検証用データの作成装置 - Google Patents
描画装置の描画エラー検証方法及び描画装置の描画エラー検証用データの作成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5403603B2 JP5403603B2 JP2009128525A JP2009128525A JP5403603B2 JP 5403603 B2 JP5403603 B2 JP 5403603B2 JP 2009128525 A JP2009128525 A JP 2009128525A JP 2009128525 A JP2009128525 A JP 2009128525A JP 5403603 B2 JP5403603 B2 JP 5403603B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- error
- layout
- frame
- verification
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24592—Inspection and quality control of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31776—Shaped beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31793—Problems associated with lithography
- H01J2237/31798—Problems associated with lithography detecting pattern defects
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線442を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線442を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線442は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料440の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
描画される図形パターンが含まれるレイアウトデータを入力し、入力されたレイアウトデータに基づいて試料に図形パターンを描画する描画装置における描画動作開始後の描画エラーを検証する描画装置の描画エラー検証方法であって、
描画装置にレイアウトデータが入力されてから図形パターンが描画された試料を検査するまでの過程で描画エラーが生じた場合に、描画エラーとなった機能の動作に必要なレイアウトデータの一部を選択する工程と、
選択されたレイアウトデータの一部が示すパターンが試料の複数個所に配置される場合に、すべての該当箇所に対して、レイアウトデータから上述したレイアウトデータの一部を抽出する工程と、
抽出されたレイアウトデータの一部のうち、上述した複数個所のうちの描画エラーが生じた箇所以外の箇所について抽出された部分を削除して、残りのデータを用いて、検証用データを作成する工程と、
検証用データを用いて、描画エラーとなった機能の動作を再現する工程と、
を備えたことを特徴とする。
描画エラーとなった箇所を含む複数の内部構成単位のいずれかのデータをレイアウトデータの一部として抽出すると好適である。
描画される図形パターンが含まれるレイアウトデータに基づいて試料に描画する描画装置における描画装置の描画開始後の描画エラーを検証するための検証用データを作成する描画装置の描画エラー検証用データの作成装置であって、
描画エラーとなった機能の動作に必要なレイアウトデータの一部を選択する選択部と、
選択されたレイアウトデータの一部が示すパターンが試料の複数個所に配置される場合に、すべての該当箇所に対して、レイアウトデータからかかるレイアウトデータの一部を抽出するデータ抽出部と、
抽出されたレイアウトデータの一部のうち、上述した複数個所のうちの描画エラーが生じた箇所以外の箇所について抽出された部分を削除して、残りのデータを用いて、検証用データを作成する検証用データ作成部と、
を備えたことを特徴とする。
データ抽出部は、指定情報により指定されるレイアウトデータの一部をレイアウトデータから抽出すると好適である。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を有している。制御部160は、描画制御ユニット(WCU:Writing Control unit)110、ショットデータ生成ユニット(SDG:Shot Data Generating unit)130、偏向制御回路(DEF)140、デジタルアナログコンバータ(DAC)142、DAC144、高速ストレージユニット(HSU:High−speed Shared Storage unit)170、ハードディスク装置(DSU:Data Storage Unit)180、並列演算ユニット(PPU:Parallel Processing unit)182、PPU184、PPU186、ステージ駆動回路210を有している。
S202において、データ登録工程として、処理管理部112は、評価用データ作成部120から出力された評価用データ158を登録する。
図8では、指定された座標を含むフレーム全体を抜き出す場合を示している。ここでは、指定された座標位置がチップA1のフレーム2(A1F2)中に存在するため、チップA1のフレームA1F2を抽出領域とする例を示している。
図9では、指定された座標を含むブロックを抜き出す場合を示している。ここでは、指定された座標位置がチップA1のフレームA1F2中のブロック(1,0)に存在するため、ブロック(1,0)を抽出領域とする例を示している。
図10では、指定された座標を含むセルを抜き出す場合を示している。
図11では、指定された座標を含む図形を抜き出す場合を示している。
図12は、実施の形態1における座標指定による描画フレームに含まれる全てのフレームを抽出単位とする例を示す概念図である。
図12では、指定された座標を含む描画フレームに少しでも跨ぐ(重なる)チップマージ前のチップのフレームを抜き出す場合を示している。ここでは、指定された座標位置が描画フレーム2(DF2)中に存在するため、描画フレーム2を構成する領域が含まれるチップAのフレーム2(F2A)及びフレーム3(F3A)と、チップBのフレーム1(F1B)及びフレーム2(F2B)とを抽出領域とする例を示している。
実施の形態1では、図7(c)で示したように、描画領域10全体を網羅した評価用データ158を作成したが、これに限るものではない。実施の形態2では、描画領域10の一部の領域を削除した評価用データを作成する構成について説明する。
実施の形態3では、実施の形態2の内容に加えて、さらに、評価用データのレイアウト構成ファイルを作成する場合について説明する。
11 基点
12 レイアウトデータ
20,21 レイアウト構成ファイル
22 セル配置データファイル
24 リンクデータファイル
26 セルパターンデータファイル
100 描画装置
101,440 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 描画制御ユニット
112 処理管理部
114 メモリ
120 評価用データ作成部
122 データ選択部
123,127,134 判定部
125 データ展開部
126 データ抽出部
128 データ構築部
129 不要データ削除部
130 ショットデータ生成ユニット
132 出力データ検証部
136 レイアウト構成生成部
140 偏向制御回路
142,144 DAC
150 描画部
152 レイアウトデータ
154 パラメータ情報
156 指定情報
158 評価用データ
160 制御部
170 高速ストレージユニット
180 ハードディスク装置
182,184,186 PPU
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205,208 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
210 ステージ駆動回路
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
442 電子線
Claims (5)
- 描画される図形パターンが含まれるレイアウトデータを入力し、入力された前記レイアウトデータに基づいて試料に図形パターンを描画する描画装置における描画動作開始後の描画エラーを検証する描画装置の描画エラー検証方法であって、
前記描画装置に前記レイアウトデータが入力されてから前記図形パターンが描画された試料を検査するまでの過程で前記描画エラーが生じた場合に、前記描画エラーとなった機能の動作に必要な前記レイアウトデータの一部を選択する工程と、
選択された前記レイアウトデータの一部が示すパターンが前記試料の複数個所に配置される場合に、すべての該当箇所に対して、前記レイアウトデータから前記レイアウトデータの一部を抽出する工程と、
抽出された前記レイアウトデータの一部のうち、前記複数個所のうちの前記描画エラーが生じた箇所以外の箇所について抽出された部分を削除して、残りのデータを用いて、検証用データを作成する工程と、
前記検証用データを用いて、前記描画エラーとなった機能の動作を再現する工程と、
を備えたことを特徴とする描画装置の描画エラー検証方法。 - 前記検証用データは、前記複数個所のうち、前記描画エラーが生じた箇所よりも先に描画される箇所を含む前記試料の第1の領域についてはパターン情報が定義されないデータとして作成され、前記描画エラーが生じた箇所よりも後に描画される箇所を含む前記試料の第2の領域については前記第2の領域自体が削除されるように作成されることを特徴とする請求項1記載の描画装置の描画エラー検証方法。
- 前記レイアウトデータは、複数の内部構成単位ごとに階層化され、
前記描画エラーとなった箇所を含む前記複数の内部構成単位のいずれかのデータを前記レイアウトデータの一部として抽出することを特徴とする請求項1又は2記載の描画装置の描画エラー検証方法。 - 描画される図形パターンが含まれるレイアウトデータに基づいて試料に描画する描画装置における前記描画装置の描画開始後の描画エラーを検証するための検証用データを作成する描画装置の描画エラー検証用データの作成装置であって、
前記描画エラーとなった機能の動作に必要な前記レイアウトデータの一部を選択する選択部と、
選択された前記レイアウトデータの一部が示すパターンが前記試料の複数個所に配置される場合に、すべての該当箇所に対して、前記レイアウトデータから前記レイアウトデータの一部を抽出するデータ抽出部と、
抽出された前記レイアウトデータの一部のうち、前記複数個所のうちの前記描画エラーが生じた箇所以外の箇所について抽出された部分を削除して、残りのデータを用いて、検証用データを作成する検証用データ作成部と、
を備えたことを特徴とする描画装置の描画エラー検証用データの作成装置。 - 前記描画装置の描画エラー検証用データの作成装置は、前記描画エラーとなった機能の動作に必要な前記レイアウトデータの一部を指定する指定情報を入力し、
前記データ抽出部は、前記指定情報により指定される前記レイアウトデータの一部を前記レイアウトデータから抽出することを特徴とする請求項4記載の描画装置の描画エラー検証用データの作成装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009128525A JP5403603B2 (ja) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | 描画装置の描画エラー検証方法及び描画装置の描画エラー検証用データの作成装置 |
TW099115719A TWI444843B (zh) | 2009-05-28 | 2010-05-17 | A drawing means for depicting a misrepresentation of a drawing device, and a drawing device |
US12/787,907 US8307314B2 (en) | 2009-05-28 | 2010-05-26 | Write error verification method of writing apparatus and creation apparatus of write error verification data for writing apparatus |
KR1020100049386A KR101146242B1 (ko) | 2009-05-28 | 2010-05-27 | 묘화 장치의 묘화 에러 검증 방법 및 묘화 장치의 묘화 에러 검증용 데이터의 작성 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009128525A JP5403603B2 (ja) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | 描画装置の描画エラー検証方法及び描画装置の描画エラー検証用データの作成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010278179A JP2010278179A (ja) | 2010-12-09 |
JP5403603B2 true JP5403603B2 (ja) | 2014-01-29 |
Family
ID=43221725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009128525A Active JP5403603B2 (ja) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | 描画装置の描画エラー検証方法及び描画装置の描画エラー検証用データの作成装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8307314B2 (ja) |
JP (1) | JP5403603B2 (ja) |
KR (1) | KR101146242B1 (ja) |
TW (1) | TWI444843B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5095364B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2012-12-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム |
JP5985852B2 (ja) | 2012-03-27 | 2016-09-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
CN104969289B (zh) | 2013-02-07 | 2021-05-28 | 苹果公司 | 数字助理的语音触发器 |
JP2014225309A (ja) | 2013-05-16 | 2014-12-04 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体装置 |
JP2015153763A (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10223526A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | 荷電ビーム描画データ作成装置および方法ならびに荷電ビーム描画データ作成方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した機械可読な記憶媒体 |
JP3360666B2 (ja) * | 1999-11-12 | 2002-12-24 | 日本電気株式会社 | 描画パターン検証方法 |
JP2002246294A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Nikon Corp | Lsi設計用スクリーンエディタ |
JP2006165280A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Renesas Technology Corp | マスクの転写形状予測方法及びマスクの修正方法 |
JP4686257B2 (ja) * | 2005-05-25 | 2011-05-25 | 株式会社東芝 | マスク製造システム、マスクデータ作成方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP5001563B2 (ja) | 2006-03-08 | 2012-08-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子線描画データの作成方法 |
JP4751273B2 (ja) * | 2006-08-17 | 2011-08-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置の描画エラー検証方法及び描画装置の描画エラー検証用データの作成装置 |
JP4441513B2 (ja) * | 2006-08-21 | 2010-03-31 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法及び電子ビーム露光方法 |
JP4945402B2 (ja) | 2007-10-30 | 2012-06-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データ検証方法及びマスク描画装置 |
US7871653B2 (en) * | 2008-01-30 | 2011-01-18 | Ocean Duke Corporation | Double-stack shrimp tray |
US20100275154A1 (en) * | 2009-04-23 | 2010-10-28 | Noam Livnat | System and Method For Securely Presenting Data |
-
2009
- 2009-05-28 JP JP2009128525A patent/JP5403603B2/ja active Active
-
2010
- 2010-05-17 TW TW099115719A patent/TWI444843B/zh active
- 2010-05-26 US US12/787,907 patent/US8307314B2/en active Active
- 2010-05-27 KR KR1020100049386A patent/KR101146242B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8307314B2 (en) | 2012-11-06 |
JP2010278179A (ja) | 2010-12-09 |
TW201104481A (en) | 2011-02-01 |
TWI444843B (zh) | 2014-07-11 |
KR20100129192A (ko) | 2010-12-08 |
KR101146242B1 (ko) | 2012-05-15 |
US20100306721A1 (en) | 2010-12-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4751273B2 (ja) | 描画装置の描画エラー検証方法及び描画装置の描画エラー検証用データの作成装置 | |
JP4751353B2 (ja) | データ検証方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP5001563B2 (ja) | 荷電粒子線描画データの作成方法 | |
JP5403603B2 (ja) | 描画装置の描画エラー検証方法及び描画装置の描画エラー検証用データの作成装置 | |
JP2007103923A (ja) | 荷電粒子線描画データの作成方法、荷電粒子線描画データの変換方法及び荷電粒子線描画方法 | |
JP5033018B2 (ja) | 重なり図形の検査装置、荷電粒子ビーム描画装置及び重なり図形の検査方法 | |
JPH11274036A (ja) | 荷電ビーム描画装置 | |
JP4778777B2 (ja) | 荷電粒子線描画データの作成方法 | |
JP4695942B2 (ja) | データの検証方法 | |
JP5063320B2 (ja) | 描画装置及び描画データの変換方法 | |
JP2009253124A (ja) | 描画装置及び描画方法 | |
JP4828460B2 (ja) | 描画データ作成方法及び描画データファイルを格納した記憶媒体 | |
JP5148233B2 (ja) | 描画装置及び描画方法 | |
JP4778776B2 (ja) | 荷電粒子線描画データの作成方法 | |
JP5232429B2 (ja) | 描画装置及び描画方法 | |
KR101877431B1 (ko) | 데이터 처리 방법, 하전 입자빔 묘화 방법 및 하전 입자빔 묘화 장치 | |
JP5443224B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画用データの生成方法および荷電粒子ビーム描画用データ生成装置 | |
JP5314937B2 (ja) | 描画装置及び描画用データの処理方法 | |
JP2008085248A (ja) | 荷電粒子ビーム描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画データの変換方法 | |
JP2009088313A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データの検証方法 | |
JP5556473B2 (ja) | 露光データの作成方法、露光データ作成装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2011109042A (ja) | 荷電粒子ビーム描画用データの生成方法 | |
JP2019004024A (ja) | データ処理方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画システム | |
JP2005317618A (ja) | マスク製造データ作成方法、プログラム及びマスク製造データ作成装置 | |
JP2013239492A (ja) | 評価用レイアウトデータ生成装置、荷電粒子ビーム描画装置及び評価用レイアウトデータ生成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120411 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130920 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131023 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5403603 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |