CN111710684A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

阵列基板及显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN111710684A
CN111710684A CN202010523474.XA CN202010523474A CN111710684A CN 111710684 A CN111710684 A CN 111710684A CN 202010523474 A CN202010523474 A CN 202010523474A CN 111710684 A CN111710684 A CN 111710684A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal
layer
array substrate
substrate
metal layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010523474.XA
Other languages
English (en)
Inventor
姚学彬
彭邦银
金一坤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202010523474.XA priority Critical patent/CN111710684A/zh
Priority to PCT/CN2020/101079 priority patent/WO2021248605A1/zh
Priority to US16/963,255 priority patent/US20230168556A1/en
Publication of CN111710684A publication Critical patent/CN111710684A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/13629—Multilayer wirings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651—Silicon transistors
    • H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78663—Amorphous silicon transistors
    • H01L29/78669—Amorphous silicon transistors with inverted-type structure, e.g. with bottom gate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
    • G02F2202/103—Materials and properties semiconductor a-Si

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请提出了一种阵列基板及显示面板，所述阵列基板包括衬底基板、设置于衬底基板上的薄膜晶体管层；薄膜晶体管层包括第一金属层及第二金属层；第一金属层包括至少一条第一金属走线，第二金属层包括至少一条第二金属走线，薄膜晶体管层包括走线跨线区，第一金属走线在所述衬底基板上的正投影与第二金属走线在所述衬底基板上的正投影在所述走线跨线区内重叠；第一金属层与第二金属层之间设有阻隔层，且阻隔层至少覆盖走线跨线区；通过在第一金属层与第二金属层之间设置阻隔层，且阻隔层至少覆盖走线跨线区，从而防止第一金属走线与第二金属走线在走线跨线区处发生短路，提高第一金属走线与第二金属走线在走线在走线跨线区的稳定性。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本申请涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展，在诸如频率120Hz和8K像素等高刷新率和高分辨率的显示面板中，由于显示面板解析度越来越大，刷新频率越来越高，使得显示面板的充电负载越来越大，目前，为了保证显示面板的充电率，会采用增加金属走线厚度的方式，但此种方式由于金属走线厚度增加，导致在例如M1和M2等不同层金属走线在相互交错跨线(MetalCross)的位置，增加了金属走线跨线爬坡的坡度且升高了金属走线的地势，增加了不同层金属走线在相互交错跨线的位置产生短路的风险，尤其是在等高刷新率和高分辨率的显示面板中，像素单元数量的增加，不同层金属走线相互交错跨线的位置数量也会增加，不同层金属走线在相互交错跨线的位置产生短路的风险更进一步提高。
因此，亟需一种显示面板以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供一种阵列基板及显示面板，以解决高刷新率和高分辨率的显示面板中，不同层金属走线相互交错跨线的位置容易短路的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供了一种阵列基板，包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的薄膜晶体管层；
所述薄膜晶体管层包括第一金属层、及设置于所述第一金属层上方的第二金属层；所述第一金属层包括至少一条第一金属走线，所述第二金属层包括至少一条第二金属走线，所述薄膜晶体管层包括走线跨线区，所述第一金属走线在所述衬底基板上的正投影与所述第二金属走线在所述衬底基板上的正投影在所述走线跨线区内重叠；
所述第一金属层与所述第二金属层之间设有阻隔层，且所述阻隔层至少覆盖所述走线跨线区。
在本申请提供的阵列基板中，所述第一金属层还包括栅极，所述薄膜晶体管层还包括设置于所述栅极上方的有源层，所述第二金属层还包括分别与所述有源层两端连接的源漏极，所述有源层的材料与所述阻隔层的材料相同，且所述有源层与所述阻隔层为一体成型结构。
在本申请提供的阵列基板中，所述第一金属层与所述第二金属层之间设有覆盖所述第一金属层的绝缘层，所述阻隔层设置于所述绝缘层靠近所述第二金属层的一侧。
在本申请提供的阵列基板中，所述有源层与所述阻隔层的厚度相同。
在本申请提供的阵列基板中，所述第一金属层包括多条所述第一金属走线，所述第二金属层包括多条所述第二金属走线，所述走线跨线区包括多个跨线子区，多条所述第一金属走线在所述衬底基板上的正投影与多条所述第二金属走线在所述衬底基板上的正投影分别在各所述跨线子区内重叠；
所述阻隔层包括与多个所述跨线子区一一对应的多个阻隔子层，所述阻隔子层至少覆盖对应的所述跨线子区。
在本申请提供的阵列基板中，多个所述阻隔子层中，相邻的部分所述阻隔子层连为一体。
在本申请提供的阵列基板中，连为一体的部分所述阻隔子层沿其中一所述第一金属走的线延伸方向排布或沿其中一所述第二金属走线的延伸方向排布。
在本申请提供的阵列基板中，所述阻隔层在所述走线跨线区处的宽度大于所述第一金属走线在所述走线跨线区处的宽度。
在本申请提供的阵列基板中，所述阻隔层在所述走线跨线区处的宽度大于所述第二金属走线在所述走线跨线区处的宽度。
本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括彩膜基板和如前实施例中所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板之间设置有液晶层。
本申请的有益效果：本申请通过在第一金属层与第二金属层之间设置阻隔层，且所述阻隔层至少覆盖走线跨线区，从而防止所述第一金属走线与所述第二金属走线在走线跨线区处发生短路，提高第一金属走线与所述第二金属走线在走线在走线跨线区的稳定性。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例中阵列基板的第一种结构示意图；
图2为图1中A-A处的剖面层级结构示意图；
图3为本申请实施例中阵列基板的第二种结构示意图；
图4为图3中B-B处的剖面层级结构示意图；及
图5为本申请实施例中显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
本申请提供了一种阵列基板20，如图1-至图4所示，包括衬底基板21、设置于所述衬底基板21上的薄膜晶体管层22；
所述薄膜晶体管层22包括第一金属层221、及设置于所述第一金属层221上方的第二金属层222；所述第一金属层221包括至少一条第一金属走线2211，所述第二金属层222包括至少一条第二金属走线2221，所述薄膜晶体管层22包括走线跨线区10，所述第一金属走线2211在所述衬底基板21上的正投影与所述第二金属走线2221在所述衬底基板21上的正投影在所述走线跨线区10内重叠；
所述第一金属层221与所述第二金属层222之间设有阻隔层223，且所述阻隔层223至少覆盖所述走线跨线区10。
可以理解的是，在诸如频率120Hz和8K像素等高刷新率和高分辨率的显示面板中，由于显示面板解析度越来越大，刷新频率越来越高，使得显示面板的充电负载越来越大，目前，为了保证显示面板的充电率，会采用增加金属走线厚度的方式，但此种方式由于金属走线厚度增加，导致在例如M1和M2等不同层金属走线在相互交错跨线(Metal Cross)的位置，增加了金属走线跨线爬坡的坡度且升高了金属走线的地势，增加了不同层金属走线在相互交错跨线的位置产生短路的风险，尤其是在等高刷新率和高分辨率的显示面板中，像素单元数量的增加，不同层金属走线相互交错跨线的位置数量也会增加，不同层金属走线在相互交错跨线的位置产生短路的风险更进一步提高；本申请通过在第一金属层221与第二金属层222之间设置阻隔层223，且所述阻隔层223至少覆盖走线跨线区10，从而防止所述第一金属走线2211与所述第二金属走线2221在走线跨线区10处发生短路，提高第一金属走线2211与所述第二金属走线2221在走线在走线跨线区10的稳定性。
承上，本实施例中，所述第一金属走线2211和所述第二金属走线2221可以是所述阵列基板20中位于不同层级中且相互交错的多种走线，具体的，所述第一金属走线2211可以是扫描线，所述第二金属走线2221可以是数据线，此外，所述阻隔层223可以是带有绝缘效果的多种材料，在此不做限制。
在一实施例中，如图2和图4所示，所述第一金属层221还包括栅极2212，所述薄膜晶体管层22还包括设置于所述栅极2212上方的有源层224，所述第二金属层222还包括分别与所述有源层224两端连接的源漏极2222，所述有源层224的材料与所述阻隔层223的材料相同，且所述有源层224与所述阻隔层223为一体成型结构；可以理解的是，所述有源层224的材料与所述阻隔层223的材料相同，便于所述所述阻隔层223与所述有源层224采用同一道制程制备形成，以使所述有源层224与所述阻隔层223为一体成型结构；相比于现有阵列基板20，并没有额外增加制备流程，具体的，所述有源层224的材料与所述阻隔层223的材料均可以采用非晶硅，所述阻隔层223与所述有源层224为非接触连接，所述阻隔层223用于进一步阻隔在所述走线跨线区10处的所述第一金属走线2211与所述第二金属走线2221。
在一实施例中，如图2和图4所示，所述第一金属层221与所述第二金属层222之间设有覆盖所述第一金属层221的绝缘层225，所述阻隔层223设置于所述绝缘层225靠近所述第二金属层222的一侧；具体的，所述绝缘层225设置于所述柔性衬底、栅极2212和第二金属走线2221上且覆盖所述栅极2212和所述第二金属走线2221；所述有源层224设置于所述绝缘层225上，所述第二金属层222设置于所述绝缘层225上，且所述源漏极2222分别与所述有源层224两端连接；可以理解的是，虽然在所述第一金属层221与所述第二金属层222之间设有绝缘层225，但现有高刷新率和高分辨率的显示面板中，为了保证显示面板的充电率，会采用增加金属走线厚度的方式，造成所述绝缘层225的厚度相对减薄，并且，负载更大的所述第一金属走线2211与所述第二金属走线2221之间的间距更小，降低了所述绝缘层225的绝缘功能，因此，采用本申请中的所述阻隔层223，可以进一步降低所述第一金属走线2211与所述第二金属走线2221之间短路的风险。
在一实施例中，所述有源层224与所述阻隔层223的厚度相同，显然，当所述有源层224与所述阻隔层223的厚度相同时，所述有源层224与所述阻隔层223在采用同一道支撑制备时，不用考虑所述有源层224与所述阻隔层223的厚度差异问题，降低所述有源层224与所述阻隔层223的制备工艺复杂度。
在一实施例中，如图1和图2所示，所述第一金属层221包括多条所述第一金属走线2211，所述第二金属层222包括多条所述第二金属走线2221，所述走线跨线区10包括多个跨线子区11，多条所述第一金属走线2211在所述衬底基板21上的正投影与多条所述第二金属走线2221在所述衬底基板21上的正投影分别在各所述跨线子区11内重叠；
所述阻隔层223包括与多个所述跨线子区11一一对应的多个阻隔子层2231，所述阻隔子层2231至少覆盖对应的所述跨线子区11。
可以理解的是，所述第一金属层221可以包括多条所述第一金属走线2211，所述第二金属层222可以包括多条所述第二金属走线2221，所述走线跨线区10包括多个跨线子区11，多条所述第一金属走线2211在所述衬底基板21上的正投影与多条所述第二金属走线2221在所述衬底基板21上的正投影分别在各所述跨线子区11内重叠；显然，所述阻隔层223包括与多个所述跨线子区11一一对应的多个阻隔子层2231，所述阻隔子层2231至少覆盖所对应的所述跨线子区11。
在一实施例中，如图3和图4所示，多个所述阻隔子层2231中，相邻的部分所述阻隔子层2231连为一体，由于相邻的部分所述阻隔子层2231相离较近，为便于降低所述阻隔层223的制备工艺复杂度，可以将相邻的部分所述阻隔子层2231连为一体，作为一个整体制作形成。
在一实施例中，连为一体的部分所述阻隔子层2231沿其中一所述第一金属走的线延伸方向排布或沿其中一所述第二金属走线2221的延伸方向排布。
具体的，所述阻隔层223在所述走线跨线区10处的宽度大于所述第一金属走线2211在所述走线跨线区10处的宽度；当然，所述阻隔层223在所述走线跨线区10处的宽度大于所述第二金属走线2221在所述走线跨线区10处的宽度；从而使得所述阻隔层223对位于所述走线跨线区10的所述第一金属走线2211或第二金属走线2221进行完全阻挡，起到更好的防止短路效果。
本申请还提供一种显示面板，如图5所示，所述显示面板包括彩膜基板30和如前实施例中所述的阵列基板20，所述彩膜基板30与所述阵列基板20之间设置有液晶层40。
综上所述，本申请通过在第一金属层221与第二金属层222之间设置阻隔层223，且所述阻隔层223至少覆盖走线跨线区10，从而防止所述第一金属走线2211与所述第二金属走线2221在走线跨线区10处发生短路，提高第一金属走线2211与所述第二金属走线2221在走线在走线跨线区10的稳定性。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的薄膜晶体管层；
所述薄膜晶体管层包括第一金属层、及设置于所述第一金属层上方的第二金属层；所述第一金属层包括至少一条第一金属走线，所述第二金属层包括至少一条第二金属走线，所述薄膜晶体管层包括走线跨线区，所述第一金属走线在所述衬底基板上的正投影与所述第二金属走线在所述衬底基板上的正投影在所述走线跨线区内重叠；
所述第一金属层与所述第二金属层之间设有阻隔层，且所述阻隔层至少覆盖所述走线跨线区。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层还包括栅极，所述薄膜晶体管层还包括设置于所述栅极上方的有源层，所述第二金属层还包括分别与所述有源层两端连接的源漏极，所述有源层的材料与所述阻隔层的材料相同，且所述有源层与所述阻隔层为一体成型结构。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层之间设有覆盖所述第一金属层的绝缘层，所述阻隔层设置于所述绝缘层靠近所述第二金属层的一侧。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层与所述阻隔层的厚度相同。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层包括多条所述第一金属走线，所述第二金属层包括多条所述第二金属走线，所述走线跨线区包括多个跨线子区，多条所述第一金属走线在所述衬底基板上的正投影与多条所述第二金属走线在所述衬底基板上的正投影分别在各所述跨线子区内重叠；
所述阻隔层包括与多个所述跨线子区一一对应的多个阻隔子层，所述阻隔子层至少覆盖对应的所述跨线子区。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，多个所述阻隔子层中，相邻的部分所述阻隔子层连为一体。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，连为一体的部分所述阻隔子层沿其中一所述第一金属走的线延伸方向排布或沿其中一所述第二金属走线的延伸方向排布。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阻隔层在所述走线跨线区处的宽度大于所述第一金属走线在所述走线跨线区处的宽度。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阻隔层在所述走线跨线区处的宽度大于所述第二金属走线在所述走线跨线区处的宽度。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括彩膜基板和如权利要求1至9中任一项所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板之间设置有液晶层。
CN202010523474.XA 2020-06-10 2020-06-10 阵列基板及显示面板 Pending CN111710684A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010523474.XA CN111710684A (zh) 2020-06-10 2020-06-10 阵列基板及显示面板
PCT/CN2020/101079 WO2021248605A1 (zh) 2020-06-10 2020-07-09 阵列基板及显示面板
US16/963,255 US20230168556A1 (en) 2020-06-10 2020-07-09 Array substrate and display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010523474.XA CN111710684A (zh) 2020-06-10 2020-06-10 阵列基板及显示面板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111710684A true CN111710684A (zh) 2020-09-25

Family

ID=72539889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010523474.XA Pending CN111710684A (zh) 2020-06-10 2020-06-10 阵列基板及显示面板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230168556A1 (zh)
CN (1) CN111710684A (zh)
WO (1) WO2021248605A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112786670A (zh) * 2021-01-11 2021-05-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法
CN114280863A (zh) * 2021-12-17 2022-04-05 滁州惠科光电科技有限公司 阵列基板及显示面板
CN115236909A (zh) * 2022-08-08 2022-10-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN115509050A (zh) * 2022-10-09 2022-12-23 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080054264A1 (en) * 2006-09-05 2008-03-06 Chunghwa Picture Tubes, Ltd Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof
CN101581860A (zh) * 2008-05-12 2009-11-18 北京京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管液晶显示器像素结构及阵列基板
CN102053435A (zh) * 2009-11-10 2011-05-11 乐金显示有限公司 液晶显示设备及其制造方法
CN102163624A (zh) * 2010-02-23 2011-08-24 索尼公司 薄膜晶体管结构及其制造方法以及电子装置
CN105161049A (zh) * 2015-06-30 2015-12-16 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及电子设备

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1296765C (zh) * 2003-03-18 2007-01-24 友达光电股份有限公司 一种薄膜晶体管液晶显示器面板的制作方法
KR20080001112A (ko) * 2006-06-29 2008-01-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조방법
JP5552247B2 (ja) * 2009-03-26 2014-07-16 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置及びその製造方法
CN110148601B (zh) * 2019-05-31 2022-12-20 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080054264A1 (en) * 2006-09-05 2008-03-06 Chunghwa Picture Tubes, Ltd Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof
CN101581860A (zh) * 2008-05-12 2009-11-18 北京京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管液晶显示器像素结构及阵列基板
CN102053435A (zh) * 2009-11-10 2011-05-11 乐金显示有限公司 液晶显示设备及其制造方法
CN102163624A (zh) * 2010-02-23 2011-08-24 索尼公司 薄膜晶体管结构及其制造方法以及电子装置
CN105161049A (zh) * 2015-06-30 2015-12-16 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及电子设备

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112786670A (zh) * 2021-01-11 2021-05-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法
CN114280863A (zh) * 2021-12-17 2022-04-05 滁州惠科光电科技有限公司 阵列基板及显示面板
CN114280863B (zh) * 2021-12-17 2024-04-12 滁州惠科光电科技有限公司 阵列基板及显示面板
CN115236909A (zh) * 2022-08-08 2022-10-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN115236909B (zh) * 2022-08-08 2023-10-13 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN115509050A (zh) * 2022-10-09 2022-12-23 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20230168556A1 (en) 2023-06-01
WO2021248605A1 (zh) 2021-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111710684A (zh) 阵列基板及显示面板
CN110767714B (zh) 透明阵列基板、透明显示面板、显示面板及显示终端
US20010046027A1 (en) Liquid crystal display having stripe-shaped common electrodes formed above plate-shaped pixel electrodes
CN111564458B (zh) 显示面板
US8692756B2 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing same
US11233016B2 (en) Array substrate with static charge releasing pattern and method for producing the same
US7884993B2 (en) Electrophoretic display device
CN108428705A (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
US20050110019A1 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
CN109285451B (zh) 像素数组基板
CN111176042B (zh) 阵列基板、显示装置
US10319742B2 (en) Array substrate, display panel, display device and method of manufacturing the same
JPH09160075A (ja) 液晶表示素子
CN112599580B (zh) 显示面板及显示装置
CN103946741A (zh) 有源矩阵基板、液晶显示装置以及有源矩阵基板的制造方法
JP5936839B2 (ja) アレイ基板およびその製造方法、並びに液晶ディスプレー
CN111580319B (zh) 阵列基板及显示面板
CN111081738B (zh) Oled显示面板
JP2021526659A (ja) アレイ基板及び表示装置
US8861065B2 (en) Electronic paper active substrate and method of forming the same and electronic paper display panel
CN108279804B (zh) 显示面板和显示装置
CN111258144A (zh) 显示面板、显示装置
CN112750884B (zh) 一种显示面板及显示装置
JP3723389B2 (ja) アクティブマトリクス型表示装置
CN111129028A (zh) 一种阵列基板及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination