JP5197193B2

JP5197193B2 - 液晶表示パネル

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Publication number: JP5197193B2
Application number: JP2008173103A
Authority: JP
Inventors: 隆幸加藤; 瑞穂三谷
Original assignee: 株式会社ジャパンディスプレイウェスト
Priority date: 2008-07-02
Filing date: 2008-07-02
Publication date: 2013-05-15
Anticipated expiration: 2028-07-02
Also published as: JP2010014846A; US20120113372A1

Description

本発明はＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶表示パネルに関する。詳しく
は、本発明は、ガラス基板に生じていた傷等によるゲート配線の断線を抑制することがで
き、しかも、ゲート配線及びコモン配線の形成時に下電極の表面が荒らされることがない
構成のＦＦＳモードの液晶表示パネルに関する。

液晶表示パネルはＣＲＴ（陰極線管）と比較して軽量、薄型、低消費電力という特徴が
あるため、表示用として多くの電子機器に使用されている。液晶表示パネルは、配向膜を
ラビング処理することにより、液晶分子を所定方向に整列させ、これらの液晶分子の向き
を電界により変えて、光の透過量ないし反射量を変化させて画像を表示させるものである
。

液晶表示パネルの液晶層に電界を印加する方法として、縦電界方式のもの及び横電界方
式のものとが知られている。縦電界方式の液晶表示パネルは、液晶層を挟んで配置される
一対の電極により、概ね縦方向の電界を液晶分子に印加するものである。この縦電界方式
の液晶表示パネルとしては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignmen
t）モード、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等のものが知られている
。横電界方式の液晶表示パネルは、液晶層を挟んで配設される一対の基板のうちの一方の
内面側に一対の電極を互いに絶縁して設け、概ね横方向の電界を液晶分子に対して印加す
るものである。この横電界方式の液晶表示パネルとしては、一対の電極が平面視で重なら
ないＩＰＳ（In-Plane Switching）モードのものと、一対の電極が平面視で重なるＦＦＳ
モードのものとが知られている。

このうち、ＦＦＳモードの液晶表示パネルは、絶縁膜を介して共通電極と画素電極とか
らなる一対の電極をそれぞれ異なる層に配置し、液晶層側の共通電極又は画素電極にスリ
ット状の開口を設け、このスリット状の開口を通る概ね横方向の電界を液晶層に印加する
ものである。このＦＦＳモードの液晶表示パネルは、広い視野角を得ることができると共
に画像コントラストを改善できるという効果があるので、近年、多く用いられるようにな
ってきている。このＦＦＳモードの液晶表示パネルには、画素電極がスイッチング素子と
してのＴＦＴ（Thin Film Transistor）と同じ平面に形成されたものと、共通電極及び画
素電極が共にＴＦＴの上方に配置されたものとが知られている。このうち、画素電極がＴ
ＦＴと同じ平面に形成されたものの一例を、図６を用いて説明する。

図６は従来例のＦＦＳモードの液晶表示パネルのアレイ基板の１サブ画素分の縦断面図
である。

この従来例のＦＦＳモードの液晶表示パネル６０のアレイ基板においては、ガラス基板
等の透明基板６１上にゲート電極Ｇ部分を有するゲート配線６２及びコモン配線６３が互
いに平行に形成されている。また、透明基板６１上には直接透明導電性材料からなる下電
極６４が形成され、下電極６４はコモン配線６３と電気的に接続されている。そのため、
この下電極６４が共通電極として作動する。そして、ゲート配線６２のゲート電極Ｇ部分
には画素毎にＴＦＴ（Thin Film Transistor）が形成され、下電極６４の表面にはゲート
絶縁膜６５及びパッシベーション膜６６を介して、透明導電性材料からなる複数のスリッ
ト６７を有する上電極６８が形成されている。この上電極６８はコンタクトホール６９を
介してＴＦＴのドレイン電極Ｄと電気的に接続されている。そのため、この上電極６８は
画素電極として作動する。このような構成の従来例のＦＦＳモードの液晶表示パネル６０
によれば、透明基板６１上に下電極６４、とゲート配線６２及びコモン配線６３が直接形
成されているため、製造工数を削減して安価なＦＦＳモードの液晶表示パネルが得られる
という利点を有する。

しかしながら、上述の従来例のＦＦＳモードの液晶表示パネル透明基板６１に元々傷が
ついていたような場合、その傷によってゲート配線６２やコモン配線６３が断線してしま
う可能性がある。コモン配線６３側の断線は、コモン配線６３の表面が下電極６４によっ
て被覆されているために導電性が維持されるので、問題となることは少ない。しかしなが
ら、ゲート配線６２側の断線は表示不良等の重大な欠陥を引き起こす。

一方、下記特許文献１には、このような従来のＦＦＳモードの液晶表示パネル６０にお
ける透明基板６１に元々生じていた傷等によるゲート配線６２の断線を抑制するための構
成が示されている。ここで、下記特許文献１に開示されているＦＦＳモードの液晶表示パ
ネル７０のアレイ基板の構成を、図７を用いて説明する。

図７は下記特許文献１に開示されているＦＦＳモードの液晶表示パネルのアレイ基板の
１サブ画素分の縦断面図である。

下記特許文献１に開示されている液晶表示パネル７０は、ガラス基板等の透明基板７１
上にゲート電極Ｇ部分を有するゲート配線７２及びコモン配線７３が互いに平行に形成さ
れた構成を備えている点では、上述した従来例の液晶表示パネル６０の場合と同様である
。しかしながら、液晶表示パネル７０においては、ゲート電極Ｇ部分を有するゲート配線
７２の部分に下電極７４と同じ材料からなる配線部分７２ａが形成されていると共に、コ
モン配線７３が下電極７４の表面に形成されている点で、上述した従来例の液晶表示パネ
ル６０の場合と構成が相違している。なお、液晶表示パネル７０においては、その他の構
成部分は全て上述した従来例の液晶表示パネル６０の場合と同様であるので、その詳細な
説明は省略する。このような構成の液晶表示パネル７０によれば、ゲート電極Ｇ部分を有
するゲート配線７２は透明基板７１上に直接形成されていないので、透明基板７１に元々
生じていた傷等によるゲート配線７２の断線が抑制されるという効果を奏するものである
。
特開２００１−２３５７６３号公報

しかしながら、上記特許文献１に開示されている液晶表示パネル７０の場合、下電極７
４の表面にゲート電極Ｇ部分を有するゲート配線７２及びコモン配線７３はフォトリソグ
ラフィー法及びエッチング法によって形成される。すなわち、透明基板７１上に例えばＩ
ＴＯ膜とＭｏＷ膜を順次積層した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって
ゲート電極Ｇ部分を有するゲート配線７２、コモン配線７３及び下電極７４が形成される
。しかしながら、ゲート電極Ｇ部分を有するゲート配線７２及びコモン配線７３を形成す
る際に、ＭｏＷ膜のエッチングの進行に伴って下電極７４の表面が露出するので、下電極
７４の表面がエッチング雰囲気に曝されてしまうため、下電極７４の抵抗値が高くなると
いう問題点があった。しかも、上電極７５に対応する位置に形成された下電極７４の領域
は、コモン配線７３が存在しているために、開口率に限界が生じてしまい、しかも、この
構成を維持したままで開口率を向上させようとすると、ゲート電極Ｇとコモン配線７３が
近接してしまうので、短絡するおそれが生じていた。

本発明は上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発
明の目的は、ガラス基板に元々生じていた傷等によるゲート配線の断線を抑制することが
でき、しかも、ゲート配線及びコモン配線の形成時に下電極の表面が荒らされることがな
い構成のＦＦＳモードの液晶表示パネルを提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルは、液晶層を挟持して対向配置される一対の基板を有し、前記一対の基板のうちの一方の基板には、複数の互いに平行に配置されたゲート配線及びコモン配線と、前記ゲート配線及びコモン配線と交差する方向に形成されたソース配線と、前記ゲート配線及びソース配線の交差部近傍に形成されたスイッチング素子と、が形成されているとともに、前記ゲート配線及びソース配線で区画された領域毎に絶縁膜を介して透明導電性材料からなる下電極と複数のスリットが形成された上電極とが互いに積層配置され、前記上電極が前記スイッチング素子に電気的に接続されているとともに、前記下電極が前記一方の基板の表示領域全面に亘って形成され、かつ前記コモン配線に電気的に接続されている液晶表示パネルであって、前記絶縁膜は少なくとも前記基板側の第１絶縁膜及び前記液晶層側の第２絶縁膜の複層構造からなり、前記下電極は、平面視で前記ゲート配線と重畳する位置に開口が形成されるとともに前記下電極の表面は前記第１絶縁膜で被覆され、さらに、前記第２絶縁膜はその表面を覆う第３絶縁膜を備えた複層構造を有し、前記ソース配線は、前記スイッチング素子のドレイン電極とともに前記第３絶縁膜と前記第２絶縁膜の間に形成され、前記ゲート配線及びコモン配線は前記第１絶縁膜の表面に形成され、前記コモン配線は前記第１絶縁膜に形成されたコンタクトホールを経て前記下電極と電気的に接続されている。

本発明の液晶表示パネルにおいては、前記ゲート配線及びソース配線で区画された領域
毎に絶縁膜を介して透明導電性材料からなる下電極と複数のスリットが形成された上電極
とが互いに積層配置され、前記上電極が前記スイッチング素子に電気的に接続されている
と共に、前記下電極が前記コモン配線に電気的に接続された構成を備えている。かかる構
成によって、本発明の液晶表示パネルはＦＦＳモードで動作するものとなる。なお、本発
明の液晶表示パネルにおいては、絶縁膜としては酸化ケイ素ないし窒化ケイ素等の無機絶
縁膜を、上電極及び下電極としてはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）ないしＩＺＯ（Indium Z
inc Oxide）等の透明導電性材料を、それぞれ使用することができる。また本発明の液晶
表示パネルにおいて使用し得るスイッチング素子としては、半導体材料としてアモルファ
スシリコンを使用したＴＦＴ、ポリシリコンを使用したＴＦＴ、低温ポリシリコン（ＬＴ
ＰＳ：Low Temperature Poly Silicon）ＴＦＴ、薄膜ダイオードＴＦＤ（Thin Film Diod
e）等を使用することができる。

また、本発明の液晶表示パネルにおいては、前記絶縁膜は少なくとも前記基板側の第１
絶縁膜及び前記液晶層側の第２絶縁膜の複層構造からなり、前記下電極の表面は前記第１
絶縁膜で被覆され、前記ゲート配線及びコモン配線は前記第１絶縁膜の表面に形成され、
前記コモン配線は前記第１絶縁膜に形成されたコンタクトホールを経て前記下電極と電気
的に接続された構成を備えている。すなわち、本発明の液晶表示パネルにおいては、下電
極の表面は第１絶縁膜で被覆されているので、第１絶縁膜の表面に形成されているスイッ
チング素子、ゲート配線及びコモン配線のエッチング法による形成時に下電極の表面がエ
ッチング雰囲気に露出することがない。そのため、本発明の液晶表示パネルによれば、ゲ
ート配線及びコモン配線の形成時に下電極の表面が荒らされることがなく、下電極の抵抗
値が上昇するおそれが少なくなるので、表示画質が良好な液晶表示パネルが得られる。

加えて、本発明の液晶表示パネルにおいては、ゲート配線及びコモン配線は第１絶縁膜
の表面に形成されているので、ゲート配線及びコモン配線は直接基板の表面に触れていな
い。そのため、本発明の液晶表示パネルによれば、基板の表面に元々傷等があっても、こ
の傷は第１絶縁膜で埋められるため、ゲート配線及びコモン配線が断線し難くなるので、
信頼性の高い液晶表示パネルが得られる。なお、本発明の液晶表示パネルにおいては下電
極とコモン配線との間には第１絶縁膜が存在しているが、下電極とコモン配線との間の電
気的導通は第１絶縁膜に形成したコンタクトホールによって容易に行うことができる。

また、本発明の液晶表示パネルにおいては、前記下電極は前記一方の基板の表示領域全面に亘って形成されている。

係る態様の液晶表示パネルによれば、特に下電極の形成に微細なエッチングが必要ない
ため、上記本発明の効果を奏する液晶表示パネルを作製することができるようになる。

また、本発明の液晶表示パネルにおいては、前記下電極は平面視で前記ゲート配線と重畳する位置に開口が形成されている。

．
下電極とゲート配線が平面視で重畳している箇所では第１絶縁膜を挟んで容量を形成す
るが、この容量は寄生容量となって液晶表示パネルの作動に悪影響を与える。しかしなが
ら、係る態様の液晶表示パネルによれば、下電極がゲート配線と平面視で重畳する位置に
開口を形成したため、寄生容量が大幅に減少するためにフリッカやクロストークが生じ難
くなり、上記本発明の液晶表示パネルの効果を奏しながらもより表示画質が良好な液晶表
示パネルとなる。

また、本発明の液晶表示パネルにおいては、前記第２絶縁膜は複層構造を有し、前記ソース配線は前記複層構造の第２絶縁膜の間に形成されている。

係る態様の液晶表示パネルにおいては、ソース配線の表面が絶縁膜によって被覆される
ことになり、また、ソース配線とスイッチング素子とが同層に配置されているため、スイ
ッチング素子の表面も絶縁膜によって被覆される。そのため、係る態様の液晶表示パネル
によれば、スイッチング素子及びソース配線共に絶縁膜によって被覆されているため、外
部雰囲気の液晶を受け難くなり、特性変動が少ない液晶表示パネルとなる。

また、本発明の液晶表示パネルにおいては、前記第１絶縁膜の厚さは５００〜２０００
Åであることが好ましい。

第１絶縁膜の厚さが５００Å未満であると、薄すぎて基板の表面に元々傷等があった場
合にそのまま第１絶縁膜に転写されてしまうため、第１絶縁膜を形成したことによる上記
効果が奏されなくなる。また、第１絶縁膜の厚さが２０００Åを超えると、基板の表面に
元傷等が合っても実質的に完全に元傷等を埋めることができるが、第１絶縁膜を形成する
のに時間が掛かるようになるので好ましくない。

以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の技術思想を具体化するためにＦＦＳモードの液晶表示パネルを例示したもの
であって、本発明をこの液晶表示パネルに特定することを意図するものではなく、特許請
求の範囲に含まれるその他の実施形態にも等しく適応し得るものである。なお、この明細
書における説明のために用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能
な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも
実際の寸法に比例して表示されているものではない。

図１は第１実施形態に係る液晶表示パネルのアレイ基板の１サブ画素分の斜視図である
。図２は図１のII−II線に沿った断面図である。図３は図１のIII−III線に沿った断面図
である。図４は第２実施形態の液晶表示パネルにおける図１のII−II線に沿った部分に対
応する断面図である。図５は第２実施形態の液晶表示パネルにおける図１のIII−III線に
沿った部分に対応する断面図である。

［第１実施形態］
第１実施形態に係る液晶表示パネル１０Ａを図１〜図３を用いて説明する。この第１実
施形態の液晶表示パネル１０Ａは、図２及び図３に示すように、液晶層１１がアレイ基板
１２とカラーフィルタ基板１３によって挟持されている。アレイ基板１２の背面及びカラ
ーフィルタ基板１３の前面にはそれぞれ偏光板（図示省略）が形成されており、また、ア
レイ基板１２の背面側からバックライト（図示省略）により光が照射されるようになって
いる。

まず、アレイ基板１２の構成について説明する。アレイ基板１２は、ガラスや石英、プ
ラスチック等からなる第１透明基板１６を基体としている。そして、第１透明基板１６上
にＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材料からなる下電極１７が形成されている。下電極
１７を覆って酸化ケイ素ないし窒化ケイ素等の無機絶縁性材料からなる第１絶縁膜１８が
形成されている。この第１絶縁膜１８上には、ゲート電極Ｇ部分を有するゲート配線（走
査線）１９及びコモン配線２０が互いに平行になるように形成されている。このゲート配
線１９及びコモン配線２０は、アルミニウム金属、アルミニウム合金、モリブデン等の不
透明な金属で形成されている。

更に、ゲート配線１９及びコモン配線２０を覆うように、酸化ケイ素ないし窒化ケイ素等の無機絶縁性材料からなる第２絶縁膜２１が形成されている。図３に示すように、第１絶縁膜１８を貫通して下電極１７に達する第１コンタクトホール２２が形成されており、この第１コンタクトホール２２を介してコモン配線２０と下電極１７とが電気的に接続されている。そのため、下電極１７は共通電極として作動する。

また、第２絶縁膜２１上に、アモルファスシリコン等からなる半導体層２３が形成されており、半導体層２３に一部乗り上げるようにしてソース電極Ｓと、ドレイン電極Ｄとが形成されている。半導体層２３は、第２絶縁膜２１を介してゲート配線１９から分岐している部分と対向配置されており、このゲート配線１９から分岐されている部分がＴＦＴのゲート電極Ｇを構成する。これらの半導体層２３、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及びゲート電極Ｇによってスイッチング素子としてのＴＦＴが構成される。ソース電極Ｓはソース配線（信号線）２４から分岐しており、図１において、ソース配線２４はＹ軸方向に延在し、ゲート配線１９とコモン配線２０はＸ軸方向に延在している。なお、ソース配線２４及びドレイン電極Ｄは、それぞれアルミニウム金属、アルミニウム合金、モリブデン等の不透明な金属で形成されている。また、ソース配線２４、ドレイン電極Ｄ及び露出している第２絶縁膜２１の表面は、酸化ケイ素ないし窒化ケイ素等の無機絶縁性材料からなる第３絶縁膜２５が形成されている。

そして、第３絶縁膜２５を覆うように、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電材料からなる上電
極２６が形成されている。また、第３絶縁膜２５には、第３絶縁膜２５を貫通してドレイ
ン電極Ｄに達する第２コンタクトホール２７が形成されており、上電極２５は第２コンタ
クトホール２７を介してドレイン電極Ｄと電気的に接続されている。そのため、上電極２
６は画素電極として作動する。

上電極２６は、図１に示すように、例えばＸ軸方向に延びる複数本のスリット状の開口
（以下、「スリット」と称する。）２８によって形成された帯状電極部分２９を備えてい
る。第１実施形態の液晶表示パネル１０Ａでは、下電極１７と上電極２６を二つの電極と
し、これらの両電極間に挟持される第１〜第３絶縁膜１８、２１、２５を誘電体膜として
、補助容量が形成される。これらのスリット２８は上電極２６をフォトリソグラフィー法
によって、露光及びエッチングすることによって形成される。そして、上電極２６の帯状
電極部分２９及びスリット２８の内部は、例えばポリイミドからなり、所定の方向にラビ
ング処理された配向膜（図示せず）が形成されている。ラビング処理の方向は上電極２６
のスリット２８の方向に対して約３度〜約２５度傾いている。

次に、カラーフィルタ基板１３について説明する。カラーフィルタ基板１３は、ガラス
や石英、プラスチック等からなる第２透明基板３０を基体としており、第２透明基板３０
には、サブ画素毎に異なる色光（Ｒ、Ｇ、Ｂあるいは無色）を透過するカラーフィルタ層
３１と遮光材からなるブラックマトリクス層３２が形成されている。カラーフィルタ層３
１とブラックマトリクス層３２を覆うようにして透明樹脂からなるオーバーコート層３３
が形成され、オーバーコート層３３を覆うようにして、例えばポリイミド等からなり、所
定の方向にラビング処理された配向膜（図示省略）が形成されている。このカラーフィル
タ基板１３における配向膜のラビング方向は、アレイ基板１２におけるラビング方向とは
１８０°相違している。

そして、上述のように形成されたアレイ基板１２とカラーフィルタ基板１３とを対向配
置させ、周縁部をシール材（図示せず）によってシールし、液晶層１１をアレイ基板１２
とカラーフィルタ基板１３の間に形成された密封エリア内に封入することにより第１実施
形態の液晶表示パネル１０Ａが得られる。この第１実施形態の液晶表示パネル１０Ａにお
いては、アレイ基板１２側の偏光板の透過軸とカラーフィルタ基板１３側の偏光板の透過
軸とは互いに直交するように配置されており、アレイ基板１２側の偏光板の透過軸は、配
向膜のラビング方向と直交する方向となるように配置されている。このような構成を備え
ていると、アレイ基板側の配向膜のラビング方向は下電極１７と上電極２６との間に生じ
る電界の主方向と交差する方向となる。そして、初期状態ではラビング方向に沿って平行
に配向している液晶は、下電極１７と上電極２６との間に印加された電圧によって、上記
電界の主方向側へ回転して再配向する。この初期配向状態と電圧印加時の配向状態との差
異に基づいて各サブ画素の明暗表示が行われる。

上述したように、第１実施形態の液晶表示パネル１０Ａでは、ゲート電極Ｇ、ゲート配
線１９及びコモン配線２０は第１絶縁膜１８上に形成されており、直接第１透明基板１６
上には形成されていない。そのため、第１実施形態の液晶表示パネル１０Ａによれば、第
１透明基板１６の表面に元々傷等があっても、この傷は第１絶縁膜１８によって埋められ
るため、ゲート配線１９及びコモン配線２０が断線し難くなる。加えて、下電極１７の表
面は第１絶縁膜１８で被覆されているので、第１絶縁膜１８の表面に形成されているＴＦ
Ｔ、ゲート配線１９及びコモン配線２０のエッチング法による形成時に下電極１７の表面
がエッチング雰囲気に露出することがない。そのため、第１実施形態の液晶表示パネル１
０Ａによれば、ゲート配線１９及びコモン配線２０の形成時に下電極１７の表面が荒らさ
れることがなく、下電極１７の抵抗値が上昇するおそれが少なくなるので、表示画質が良
好な液晶表示パネル１０Ａが得られる。

なお、第１絶縁膜の厚さは５００〜２０００Åとするとよい。第１絶縁膜１８の厚さが
５００Å未満であると、第１透明基板１６の表面に元々傷等があった場合、そのまま第１
絶縁膜１８に転写されてしまうため、第１絶縁膜１８を形成したことによる上記効果が奏
されなくなる。また、第１絶縁膜１８の厚さが２０００Åを超えると、第１透明基板１６
の表面に元々傷等がある場合でも実質的に完全にこれらの傷等を埋めることができるが、
第１絶縁膜１８を形成するのに時間が掛かるようになる。

［第２実施形態］
第１実施形態の液晶表示パネル１０Ａにおいては、下電極１７を実質的に第１透明基板１６の表面全体に形成し、この下電極１７の表面に第１絶縁膜１８を介してゲート電極Ｇ部分を含むゲート配線１９及びコモン配線２０を形成した例を示した。このような構成であると、ゲート配線１９と下電極１７とが平面視で重畳しているため、ゲート配線１９と下電極１７との間に寄生容量が形成される。この寄生容量は、フリッカやクロストークなどの要因となるため、可能な限り減少させることが望ましい。そこで、ゲート配線１９と下電極１７との間に寄生容量が生じ難くした第２実施形態の液晶表示パネル１０Ｂを図４〜図５を用いて説明する、ただし、図４〜図５においては、第１実施形態の液晶表示パネル１０Ｂと同一の構成部分には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。

第２実施形態の液晶表示パネル１０Ｂは、ゲート電極Ｇ部分を含むゲート配線１９と平
面視で重畳する部分の下電極１７に開口１７ａが形成されている以外は、第１実施形態の
液晶表パネル１０Ａの構成と同一である。この第２実施形態の液晶表示パネル１０Ｂにお
いては、ゲート電極Ｇ部分を含むゲート配線１９の下部には下電極１７が存在していない
ので、ゲート電極Ｇ部分を含むゲート配線１９と下電極１７との間の寄生容量が第１実施
形態の液晶表示パネル１０Ａの場合と比すると、大幅に減少している。そのため、第２実
施形態の液晶表示パネル１０Ｂは、第１実施形態の液晶表示パネル１０Ａよりもフリッカ
やクロストークが生じ難くなり、良好な表示画質が得られるようになる。

なお、下電極１７に形成した開口１７ａ部分は、そのままでもよいが、下電極１７のエ
ッジによる段差が生じること及び第１絶縁膜１８の厚さが５００Å〜２０００Åと薄いた
めに、開口１７ａ部分を埋めたとしても、第１絶縁膜１８の表面を完全に平らにはできな
い可能性があるため、樹脂材料等で埋めるようにしてもよい。

第１実施形態に係る液晶表示パネルのアレイ基板の１サブ画素分の斜視図である。図１のII−II線に沿った断面図である。図１のIII−III線に沿った断面図である。第２実施形態の液晶表示パネルにおける図１のII−II線に沿った部分に対応する断面図である。第２実施形態の液晶表示パネルにおける図１のIII−III線に沿った部分に対応する断面図である。従来例のＦＦＳモードの液晶表示パネルのアレイ基板の１サブ画素分の縦断面図である。別の従来例のＦＦＳモードの液晶表示パネルのアレイ基板の１サブ画素分の縦断面図である。

符号の説明

１０Ａ、１０Ｂ：液晶表示パネル１１：液晶層１２：アレイ基板１３：カラーフ
ィルタ基板１６：第１透明基板１７：下電極１７ａ：（下電極の）開口１８：第
１絶縁膜１９：ゲート配線（走査線）２０：コモン配線２１：第２絶縁膜２２：
第１コンタクトホール２３：半導体層２４：ソース配線（信号線）２５：第３絶縁
膜２６：上電極２７：第２コンタクトホール２８：スリット２９：帯状電極部分
３０：第２透明基板３１：カラーフィルタ層３２：ブラックマトリクス３３：オ
ーバーコート層

Claims

液晶層を挟持して対向配置される一対の基板を有し、前記一対の基板のうちの一方の基板には、
複数の互いに平行に配置されたゲート配線及びコモン配線と、
前記ゲート配線及びコモン配線と交差する方向に形成されたソース配線と、
前記ゲート配線及びソース配線の交差部近傍に形成されたスイッチング素子と、が形成されているとともに、
前記ゲート配線及びソース配線で区画された領域毎に絶縁膜を介して透明導電性材料からなる下電極と複数のスリットが形成された上電極とが互いに積層配置され、
前記上電極が前記スイッチング素子に電気的に接続されているとともに、前記下電極が前記一方の基板の表示領域全面に亘って形成され、かつ前記コモン配線に電気的に接続されている液晶表示パネルであって、
前記絶縁膜は少なくとも前記基板側の第１絶縁膜及び前記液晶層側の第２絶縁膜の複層構造からなり、
前記下電極は、平面視で前記ゲート配線と重畳する位置に開口が形成されるとともに前記下電極の表面は前記第１絶縁膜で被覆され、
さらに、前記第２絶縁膜はその表面を覆う第３絶縁膜を備えた複層構造を有し、
前記ソース配線は、前記スイッチング素子のドレイン電極とともに前記第３絶縁膜と前記第２絶縁膜の間に形成され、
前記ゲート配線及びコモン配線は前記第１絶縁膜の表面に形成され、
前記コモン配線は前記第１絶縁膜に形成されたコンタクトホールを経て前記下電極と電気的に接続されている液晶表示パネル。
前記第１絶縁膜の厚さは５００〜２０００Åである請求項１記載の液晶表示パネル。