JP5551667B2 - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5551667B2 JP5551667B2 JP2011196766A JP2011196766A JP5551667B2 JP 5551667 B2 JP5551667 B2 JP 5551667B2 JP 2011196766 A JP2011196766 A JP 2011196766A JP 2011196766 A JP2011196766 A JP 2011196766A JP 5551667 B2 JP5551667 B2 JP 5551667B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- conditioning fluid
- conditioning
- lithographic apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
(1)ステップ・モードでは、投影ビームに与えられたパターン全体を1回でターゲット部分Cに投影する間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTを本質的に静止した状態に保つ(すなわち、ただ1回の静止露光)。次に、異なるターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTをX及び/又はY方向に移動させる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の静止露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
(2)走査モードでは、投影ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTを同期して走査する(すなわち、ただ1回の動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速さ及び方向は、投影システムPLの拡大(縮小)率、及び像の反転特性によって決まる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の動的露光におけるターゲット部分の(非走査方向の)幅が制限され、走査移動の長さによってターゲット部分の(走査方向の)高さが決定される。
(3)他のモードでは、投影ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する間、プログラム可能なパターン形成装置を保持しながらマスク・テーブルMTを本質的に静止した状態に保ち、基板テーブルWTを移動又は走査させる。このモードでは、一般にパルス式の放射源が使用され、基板テーブルWTが移動するたびに、又は走査中の連続する放射パルスの間に、プログラム可能なパターン形成装置が必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなど、プログラム可能なパターン形成装置を利用するマスクレス・リソグラフィに簡単に適用することができる。
Claims (18)
- パターンの形成されたビームの基板のターゲット部分への投影中に基板を保持する基板テーブルと、
前記基板テーブルにより保持されている前記基板に調節用流体を接触させて前記基板の非ターゲット部分を直接的に調節するように構成された調節システムと、を備え、前記調節用流体が、前記基板にまたは前記基板テーブルにまたは前記基板及び前記基板テーブルの両方に実質的な力学的外乱を生じさせずに、気体の場合1時間あたり3〜150m 3 の流量を有し、液体の場合1分あたり0.003〜6リットルの流量を有する、リソグラフィ装置。 - 前記調節用流体が、前記基板を冷却することのできる冷却剤である請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記調節システムが、前記基板の表面に調節用流体を運ぶように構成された少なくとも1つの調節用流体供給装置を備える請求項1または2に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記少なくとも1つの調節用流体供給装置が、前記基板テーブルの表面に形成された少なくとも1つの孔を有し、該少なくとも1つの孔が調節用流体の供給部と流体連通している請求項3に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記調節システムが、前記調節用流体を前記基板の表面から運び去るように構成された少なくとも1つの調節用流体除去装置を含む請求項1から4のいずれかに記載されたリソグラフィ装置。
- 前記少なくとも1つの調節用流体除去装置が、前記基板テーブルの表面に形成された少なくとも1つの孔を有し、該少なくとも1つの孔が、前記調節用流体を受け入れる調節用流体のリザーバと流体連通している請求項5に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記調節用流体が空気である請求項1から6のいずれかに記載されたリソグラフィ装置。
- 前記調節用流体が水である請求項1から6のいずれかに記載されたリソグラフィ装置。
- 前記孔が、前記調節用流体の流速を高めることによって前記基板に供給される前記調節用流体への熱伝達を高めるように成形されたノズルである請求項4に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記基板の前記非ターゲット部分は、前記基板の裏面に配置された領域を含み、該裏面は、前記基板の前記ターゲット部分の位置する側とは反対側に配置され、前記流体が前記基板の該裏面を調節するようになっている請求項1から9のいずれかに記載されたリソグラフィ装置。
- 前記調節システムが、前記基板の裏面を調節するように構成されている請求項1から9のいずれかに記載されたリソグラフィ装置。
- 前記調節システムが、熱調節システムである請求項1から11のいずれかに記載されたリソグラフィ装置。
- パターンの形成された放射ビームを基板のターゲット部分に投影することと、
パターンの形成された前記ビームの投影中に前記基板を基板テーブルに保持することと、
前記基板テーブルにより保持されている基板に調節用流体を接触させて前記基板の非ターゲット部分を直接的に調節することと、を含み、前記調節用流体が、前記基板にまたは前記基板テーブルにまたは前記基板及び前記基板テーブルの両方に実質的な力学的外乱を生じさせずに、気体の場合1時間あたり3〜150m 3 の流量を有し、液体の場合1分あたり0.003〜6リットルの流量を有する、デバイス製造方法。 - パターンの形成されたビームの基板のターゲット部分への投影中に基板を保持する基板テーブルと、
前記基板にまたは前記基板テーブルにまたは前記基板及び前記基板テーブルの両方に実質的な力学的外乱を生じさせずに1時間あたり3〜150m 3 の流量で前記基板に気体を向けることにより前記基板テーブルにより保持されている前記基板の温度を調節するように構成された温度調節システムと、を備えるリソグラフィ装置。 - 前記調節システムが、前記基板の表面に調節用流体を運ぶように構成された少なくとも1つの調節用流体供給装置を備え、前記少なくとも1つの調節用流体供給装置が、前記基板テーブルの表面に形成された少なくとも1つの孔を備え、該少なくとも1つの孔が調節用流体の供給部と流体連通している請求項14に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記孔が、前記調節用流体の流速を高めることによって前記基板に供給される前記調節用流体への熱伝達を高めるように成形されたノズルである請求項15に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記調節システムが、前記調節用流体を前記基板の表面から運び去るように構成された少なくとも1つの調節用流体除去装置を備え、前記少なくとも1つの調節用流体除去装置が、前記基板テーブルの表面に形成された少なくとも1つの孔を備え、該少なくとも1つの孔が、前記調節用流体を受け入れる調節用流体のリザーバと流体連通している請求項14から16のいずれかに記載されたリソグラフィ装置。
- パターンの形成されたビームの投影中に前記調節システムにより前記基板が調節される請求項14から17のいずれかに記載されたリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/842,636 US8749762B2 (en) | 2004-05-11 | 2004-05-11 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10/842,636 | 2004-05-11 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010003632A Division JP4852156B2 (ja) | 2004-05-11 | 2010-01-12 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012033940A JP2012033940A (ja) | 2012-02-16 |
JP5551667B2 true JP5551667B2 (ja) | 2014-07-16 |
Family
ID=35309076
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005136983A Pending JP2005328051A (ja) | 2004-05-11 | 2005-05-10 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2010003632A Expired - Fee Related JP4852156B2 (ja) | 2004-05-11 | 2010-01-12 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2011196766A Expired - Fee Related JP5551667B2 (ja) | 2004-05-11 | 2011-09-09 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005136983A Pending JP2005328051A (ja) | 2004-05-11 | 2005-05-10 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2010003632A Expired - Fee Related JP4852156B2 (ja) | 2004-05-11 | 2010-01-12 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8749762B2 (ja) |
JP (3) | JP2005328051A (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1843206B1 (en) * | 2006-04-06 | 2012-09-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7593096B2 (en) * | 2006-05-15 | 2009-09-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8325321B2 (en) * | 2006-07-28 | 2012-12-04 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of heat dissipation and frame |
CN101495922B (zh) * | 2006-07-28 | 2012-12-12 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 光刻***、热消散方法和框架 |
US20080137055A1 (en) * | 2006-12-08 | 2008-06-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8760621B2 (en) * | 2007-03-12 | 2014-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
NL2003470A (en) * | 2008-10-07 | 2010-04-08 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
WO2010082475A1 (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP5127742B2 (ja) * | 2009-02-18 | 2013-01-23 | パナソニック株式会社 | パターン形成方法 |
JP5127891B2 (ja) * | 2010-07-28 | 2013-01-23 | パナソニック株式会社 | 半導体製造装置 |
EP2515170B1 (en) * | 2011-04-20 | 2020-02-19 | ASML Netherlands BV | Thermal conditioning system for thermal conditioning a part of a lithographic apparatus and a thermal conditioning method |
JP5778093B2 (ja) | 2011-08-10 | 2015-09-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板テーブルアセンブリ、液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
US20140042152A1 (en) * | 2012-08-08 | 2014-02-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Variable frequency microwave device and method for rectifying wafer warpage |
US9372407B2 (en) * | 2013-04-18 | 2016-06-21 | E I Du Pont De Nemours And Company | Exposure apparatus and a method for exposing a photosensitive element and a method for preparing a printing form from the photosensitive element |
US9904178B2 (en) * | 2015-04-09 | 2018-02-27 | Nikon Corporation | On-board supply system for a stage assembly |
US10780447B2 (en) * | 2016-04-26 | 2020-09-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling temperature uniformity of a showerhead |
JP6513125B2 (ja) * | 2016-07-14 | 2019-05-15 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |
US10185226B2 (en) * | 2016-07-14 | 2019-01-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Stage apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article |
JP2022120984A (ja) * | 2021-02-08 | 2022-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板支持器、及び基板処理方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60158626A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-20 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
JP2748127B2 (ja) * | 1988-09-02 | 1998-05-06 | キヤノン株式会社 | ウエハ保持方法 |
DE68921687T2 (de) * | 1988-09-02 | 1995-08-03 | Canon Kk | Belichtungseinrichtung. |
JPH02130816A (ja) * | 1988-11-10 | 1990-05-18 | Nec Corp | フォトレジスト塗布装置 |
JP2731950B2 (ja) * | 1989-07-13 | 1998-03-25 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
US5231291A (en) * | 1989-08-01 | 1993-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer table and exposure apparatus with the same |
JPH0448716A (ja) | 1990-06-15 | 1992-02-18 | Canon Inc | 基板保持装置および該装置を有する露光装置 |
JP2928603B2 (ja) | 1990-07-30 | 1999-08-03 | キヤノン株式会社 | X線露光装置用ウエハ冷却装置 |
JP3106499B2 (ja) | 1990-11-30 | 2000-11-06 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JP3168018B2 (ja) * | 1991-03-22 | 2001-05-21 | キヤノン株式会社 | 基板吸着保持方法 |
JPH07263526A (ja) | 1994-03-17 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | ウェハチャックおよび半導体素子の冷却方法 |
JP3814359B2 (ja) * | 1996-03-12 | 2006-08-30 | キヤノン株式会社 | X線投影露光装置及びデバイス製造方法 |
JPH09270457A (ja) | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Nippon Steel Corp | 露光装置 |
US6033478A (en) * | 1996-11-05 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | Wafer support with improved temperature control |
JPH10214782A (ja) | 1996-11-29 | 1998-08-11 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH10209036A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Canon Inc | 露光方法および露光装置 |
JPH11307430A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法ならびに駆動装置 |
US5997963A (en) * | 1998-05-05 | 1999-12-07 | Ultratech Stepper, Inc. | Microchamber |
JP2000031253A (ja) | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Komatsu Ltd | 基板処理装置及び方法 |
TW513617B (en) * | 1999-04-21 | 2002-12-11 | Asml Corp | Lithographic projection apparatus and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus |
WO2001056074A1 (fr) * | 2000-01-28 | 2001-08-02 | Hitachi Tokyo Electronics Co., Ltd. | Support de tranche, systeme d'exposition et procede de fabrication de dispositif a semiconducteur |
JP2002009139A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-11 | Nikon Corp | 静電チャック |
US6552561B2 (en) | 2000-07-10 | 2003-04-22 | Temptronic Corporation | Apparatus and method for controlling temperature in a device under test using integrated temperature sensitive diode |
JP4312394B2 (ja) * | 2001-01-29 | 2009-08-12 | 日本碍子株式会社 | 静電チャックおよび基板処理装置 |
US6628503B2 (en) | 2001-03-13 | 2003-09-30 | Nikon Corporation | Gas cooled electrostatic pin chuck for vacuum applications |
JP4288694B2 (ja) * | 2001-12-20 | 2009-07-01 | 株式会社ニコン | 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
US6867413B2 (en) * | 2002-06-21 | 2005-03-15 | Rupprecht & Patashnick Company, Inc. | High-flow rate, low-noise, gas sampling apparatus and methods for collecting and detecting particulate in a gas |
AU2003289239A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure system and device producing method |
-
2004
- 2004-05-11 US US10/842,636 patent/US8749762B2/en active Active
-
2005
- 2005-05-10 JP JP2005136983A patent/JP2005328051A/ja active Pending
-
2010
- 2010-01-12 JP JP2010003632A patent/JP4852156B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-09-09 JP JP2011196766A patent/JP5551667B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-06-04 US US14/296,242 patent/US9285689B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050254028A1 (en) | 2005-11-17 |
US9285689B2 (en) | 2016-03-15 |
US8749762B2 (en) | 2014-06-10 |
JP2010141342A (ja) | 2010-06-24 |
JP2012033940A (ja) | 2012-02-16 |
JP4852156B2 (ja) | 2012-01-11 |
US20140375971A1 (en) | 2014-12-25 |
JP2005328051A (ja) | 2005-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5551667B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP4482593B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4335197B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP5219993B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
JP4728382B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
TWI528118B (zh) | 微影裝置及器件製造方法 | |
KR101475304B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
US8441610B2 (en) | Assembly comprising a conditioning system and at least one object, a conditioning system, a lithographic apparatus and methods | |
JP4450782B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法及びコンピュータ・プログラム製品 | |
US10642166B2 (en) | Patterning device cooling apparatus | |
JP4580915B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造装置の内部空間調整方法 | |
JP2008060567A (ja) | リソグラフィ装置およびモータ冷却デバイス | |
JP5456848B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
US7148951B2 (en) | Lithographic apparatus | |
TWI646403B (zh) | 圖案化裝置冷卻系統及熱調節圖案化裝置的方法 | |
JP5306414B2 (ja) | 流体供給システム、リソグラフィ装置、流体流量の変更方法及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130423 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140422 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140522 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5551667 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |