JPH02130816A - フォトレジスト塗布装置 - Google Patents

フォトレジスト塗布装置

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Publication number
JPH02130816A
JPH02130816A JP28500188A JP28500188A JPH02130816A JP H02130816 A JPH02130816 A JP H02130816A JP 28500188 A JP28500188 A JP 28500188A JP 28500188 A JP28500188 A JP 28500188A JP H02130816 A JPH02130816 A JP H02130816A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
dry air
hot plate
controlled
photoresist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28500188A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomio Yamamoto
山本 冨男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH02130816A publication Critical patent/JPH02130816A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置のりソゲラフイエ程に用いるフォ
トレジスト塗布装置に関し、特に塗布後のフォトレジス
トを加熱するプリベータ部を有するフォトレジスト塗布
装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のフォトレジスト塗布装置のプリベータ部
は、温度コントロールを精度よくおこなうため、ウェハ
ー裏面を直接ホットプレートに接して加熱する方式を用
いていた。しかし、微細加工化が進むにつれウェハー裏
面のゴミが問題となってきたため、ホットプレートから
0.1〜0.5閣程度ウェハーを浮かせてゴミの付着を
防止する方式となってきた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のフォトレジスト塗布装置のプリベータ部
は、ホットプレート上の数点に突起部を設置し、ウェハ
ーとの間に0.1〜0.5m程度のすき間を設けてゴミ
の付着を防止しているので、プリベーク時に蒸発するフ
ォトレジストの溶剤をパージするための乾燥空気が上記
すき間を通るためウェハーが冷やされ、結果としてウェ
ハーの温度フントロールの精度が低下するという欠点が
あった。この問題を解決するため、パージ用乾燥空気の
温度をコン)G−−ルする方法が考えらhるが、パージ
用乾燥空気はホットプレートの周辺部から吹き付けてい
るため、ウェハー中央部と周辺部で温度のバラツキが生
じる欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のフォトレジスト塗布装置は、フォトレジストを
塗布したウェハーの裏面をホットプレートにより間接的
に加熱するプリベーク部を備えたフォトレジスト塗布装
置において、前記ホットプレート表面に温度コントロー
ルされたガスを前記ウェハー裏面に当てるための多数の
孔を有することを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のプリベーク部の縦断面図で
ある。第1図において、ウェハー1は、ホットプレート
の内部に取り付けられたウェハー加熱用ヒーター3で温
度コントロールしながら加熱され紙面に垂直な方向に搬
送される。同時に、ホットプレート内な通るウェハー加
熱用乾燥空気導入管2内で上記ヒーターにより加熱され
た乾燥空気がウェハー1の裏面にホットプレート上の多
数の孔を通して当たる、一方、パージ用乾燥空気ノズル
から吹き出した乾燥空気は、ウェハー1の表面のフォト
レジストから蒸発した溶剤をパージするが、ウェハー1
の裏面からは、上記ウェハー加熱用乾燥空気が吹き出し
ているため、回り込むことはない、したがって、ウェハ
ーはパージ用乾燥空気で冷やされることなく、裏面から
の加熱により精度よく温度フントロールされる。
第2図は本発明の他の実施例のプリベーク部の縦断面図
である。第2図において、ウェハーは該−実施例と同様
にウェハー加熱用ヒーター13及びウェハー加熱用乾燥
空気導入管12を通った乾燥空気により精度よく温度コ
ントロールされている。しかし、上記一実施例ではホッ
トプレート上の孔から上向きに乾燥空気が出るため、ホ
ットプレート上の微小なゴミを巻き上げることかがある
これに対し、本実施例では、パージ用乾燥空気ノズル1
5から出た乾燥空気は、フィルター16を通りウェハー
11の表面からゴミをおさえこむように流りる。そして
、排気孔14を通って排気される。したがって、該−実
施例と同様精度よく温度コントロールできるとともに、
ゴミの付着をおさえる利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明のフォトレジスト塗布装置は
、ホットプレートを加熱することにより、ホットプレー
ト上のウェハーを加熱するのに加えてホットプレート部
に多数の孔を有し、この孔を通して加熱された乾燥空気
等のガスをウェハーの裏面に当てることにより、ウェハ
ーの温度コントロールを精度よくおこなうことができる
ため、ウェハー裏面にゴミを付着させることなく、ウェ
ハー上に塗布されたフォトレジストの感度を精度よくコ
ントロールすることができ、結果としてフォトレジスト
パターンの寸法精度を向上させることができる効果があ
る。
は本発明の他の実施例の縦断面図である。
1・・・・・・ウェハー 2・・・・・・ウェノ・−加
熱用乾燥空気導入管、3・・・・・・ウェハー加熱用ヒ
ーター4・・・・・・パージ用乾燥空気ノズル、11・
・・・・・ウェハー 12・・・・・・ウェハー加熱用
乾燥空気導入管、13・・・・・・ウェハー加熱用ヒー
ター 14・・・・・・排気孔、15・・・・・・パー
ジ用乾燥空気ノズル、16・・・・・・フィルター 代理人 弁理士  内 原   晋
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の縦断面図、第2図手続補正
°書 (方式) %式% 事件の表示 昭和63年 特 許 願第285001号 2゜ 発明の名称 フォトレジスト塗布装置 3゜ 補正をする者 事件との関係

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. フォトレジストを塗布したウェハーの裏面をホットプレ
    ートにより間接的に加熱するプリベーク部を備えたフォ
    トレジスト塗布装置において、前記ホットプレート表面
    に温度コントロールされたガスを前記ウェハー裏面に当
    てるための多数の孔を有することを特徴とするフォトレ
    ジスト塗布装置。
JP28500188A 1988-11-10 1988-11-10 フォトレジスト塗布装置 Pending JPH02130816A (ja)

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JPH02130816A true JPH02130816A (ja) 1990-05-18

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JP (1) JPH02130816A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005328051A (ja) * 2004-05-11 2005-11-24 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005328051A (ja) * 2004-05-11 2005-11-24 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

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