JP5127891B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
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Description
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.06g
トリエタノールアミン(クエンチャー)………………………………………0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図6(a)に示すように、基板1の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.35μmの厚さを持つレジスト膜2を形成する。
本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法について図1(a)〜図1(d)を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.06g
トリエタノールアミン(クエンチャー)………………………………………0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図1(a)に示すように、ウエハ101の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.35μmの厚さを持つレジスト膜102を形成する。
(第2の実施形態)
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法について図面を参照しながら説明する。
以下、前記のように構成された露光装置を用いたパターン形成方法について図3(a)〜図3(d)を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.06g
トリエタノールアミン(クエンチャー)………………………………………0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図3(a)に示すように、ウエハ20の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.35μmの厚さを持つレジスト膜21を形成する。
以下、本発明の第3の実施形態に係る半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法について図面を参照しながら説明する。
以下、前記のように構成された露光装置を用いたパターン形成方法について図5(a)〜図5(d)を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.06g
トリエタノールアミン(クエンチャー)………………………………………0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図5(a)に示すように、ウエハ20の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.35μmの厚さを持つレジスト膜21を形成する。
10B 半導体製造装置
11 チャンバー
20 ウエハ(基板)
21 レジスト膜
21a レジストパターン
25 液体
30 露光部
31 可動ステージ
32 投影レンズ(露光レンズ)
33 液体供給部
34 液体排出部
35 露光光
36 冷却部
40 空調部
50 温度モニタ
51 第1の測定ポイント
52 第2の測定ポイント
53 第1の測定ポイント
54 第2の測定ポイント
60 温度制御部
101 ウエハ
102 レジスト膜
102a レジストパターン
103 液体(不飽和脂肪酸添加)
104 露光光
105 投影レンズ(露光レンズ)
Claims (8)
- ウエハを保持するウエハ保持部と、
前記ウエハ上に形成されたレジスト膜と露光レンズとの間に液体を配してパターン露光を行なう露光部と、
前記レジスト膜の上に前記液体を供給する液体供給部と、
前記レジスト膜の上に配された前記液体を前記レジスト膜の上から排出する液体排出部と、
前記ウエハ保持部の温度が前記液体の温度よりも低くなるように制御する温度制御部とを備えていることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記液体の温度及び前記ウエハ保持部の温度を測定する温度測定部をさらに備え、
前記温度測定部により測定された前記液体の温度及び前記ウエハ保持部の温度に基づいて、前記温度制御部は前記ウエハ保持部の温度を制御することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。 - ウエハを保持するウエハ保持部と、
前記ウエハ上に形成されたレジスト膜と露光レンズとの間に液体を配してパターン露光を行なう露光部と、
前記レジスト膜の上に前記液体を供給する液体供給部と、
前記レジスト膜の上に配された前記液体を前記レジスト膜の上から排出する液体排出部と、
前記ウエハ保持部の温度が前記液体の近傍の温度よりも低くなるように制御する温度制御部とを備えていることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記液体の近傍の温度及び前記ウエハ保持部の温度を測定する温度測定部をさらに備え、
前記温度測定部により測定された前記液体の近傍の温度及び前記ウエハ保持部の温度に基づいて、前記温度制御部は前記ウエハ保持部の温度を制御することを特徴とする請求項3に記載の半導体製造装置。 - 前記液体は、水又はパーフルオロポリエーテルであることを特徴とする請求項1又は3に記載の半導体製造装置。
- 前記露光部の光源は、KrFエキシマレーザ光、Xe2レーザ光、ArFエキシマレーザ光、F2レーザ光、KrArレーザ光又はAr2レーザ光であることを特徴とする請求項1又は3に記載の半導体製造装置。
- 前記ウエハ保持部は可動ステージであることを特徴とする請求項1又は3に記載の半導体製造装置。
- 前記ウエハ保持部は、冷却部を有しており、
前記温度制御部は、前記冷却部の温度を制御することにより前記ウエハ保持部の温度を制御することを特徴とする請求項1又は3に記載の半導体製造装置。
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