JP2008060567A - リソグラフィ装置およびモータ冷却デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】課題の一つは、高い負荷で作動し、これにより大量の熱を放散するモータに適切なモータ冷却構成を提供することである。
【解決手段】リソグラフィデバイスは、モータからの熱を除去する冷却デバイスを含む。冷却デバイスは、モータの少なくとも一部と熱接触した状態で設けられた冷却要素を有する。冷却デバイスはさらに、冷却流体を冷却要素に供給する供給ダクトと、冷却流体を冷却要素から放出する放出ダクトがある冷却ダクトアセンブリを有する。ポンプは、冷却流体を冷却ダクトアセンブリの少なくとも一部を通して流す。流れ制御デバイスが、冷却ダクトアセンブリの少なくとも一部を通る冷却流体の流量を制御して、冷却要素内で冷却流体の所定の平均温度を維持する。
【選択図】図２

Description

[0001] 本発明は、モータ冷却デバイスを含むリソグラフィ装置、および、モータから熱を除去する冷却デバイスに関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターン化される網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] パターニングデバイス、さらに基板は、基板へのパターンの転写中に移動することができる。そのために、パターニングデバイスおよび基板は、それぞれパターニング支持体および基板支持体と呼ばれ、幾つかの自由度でモータによって駆動される関連の支持体に装着される。支持体の運動は、可能な限り最短の時間にしなければならない。したがって、特に基板支持体用であるが、それに制限されないモータは、加速および減速を増大できるように動力量の増加を必要とする傾向があり、加速および減速すべき質量も増加する傾向を有する。それと同時に、モータの物理的寸法を制限された状態に維持する必要がある。

[0004] 作動時には、モータは熱を放散する。電気モータでは、熱はモータの部品内に収容された電気コイル内を流れる電流によって発生する。モータ内で放散する熱は、モータの発熱部品との熱接触部に装着した冷却板などの少なくとも一つの冷却要素を通して除去しなければならない。冷却要素内では、モータ内で発生した熱を冷却流体（気体または液体、例えば水）へと伝達する。冷却流体は、供給ダクトを通して冷却要素へと供給され、例えば冷却要素内に設けたチャネル内で冷却要素へと流入して、それを通り、冷却要素を出て放出ダクトに入り、これによって熱がモータの発熱部品から除去される。この熱の一部は、放射または対流によって冷却要素からモータの環境へ、またはその逆へと伝達され、伝達される熱の量は、冷却要素の表面の平均温度によって決定される。モータの負荷が変動した場合に、モータ内に放散する熱が変動しても、冷却要素表面と環境との間で伝達される熱を制限して、モータを含む装置の安定した作動状態を維持することが望ましい。

[0005] 従来、モータは、固定温度を有する冷却流体をモータの冷却要素へと固定した流量で供給することによって冷却されている。モータ内の放散熱は経時変動する一方、単位時間当たりの水量は変動しないので、冷却要素の平均表面温度はモータの負荷とともに変動する。平均温度およびこの平均温度の変動を制限しなければならないので、モータの負荷（モータ内で放散する熱）も制限される。

[0006] モータの動力が増加し、それと同時にモータのサイズ制限があるので、モータの冷却には問題が生じる。

[0007] 冷却要素の冷却チャネルの断面を増加させることによって冷却流体の冷却率を上げることは望ましくない。というのは、これはモータの磁気ギャップを増大させ、それによってモータの定数が悪化するからである。

[0008] 冷却要素内の冷却流体の流速を上げることによって冷却流体の流量を増加させることは、必要とされる高い圧力の観点から、および冷却流体の流れが層流ではなく乱流になる危険があり、したがって望ましくない変動および過度の圧力低下を引き起こすという観点から望ましくない。高い圧力はさらに、このような圧力に耐えることができる構造を必要とする。また、高い圧力または流速は、望ましくない振動の発生を引き起こす。

[0009] 冷却流体の温度を低下させ、冷却流体の温度上昇をさらに高くできることは、その結果としてモータ負荷が広い範囲にわたって変動した場合に、温度変動が比較的高くなるという観点から望ましくない。

[0010] 高い負荷で作動し、したがって大量の熱を放散するモータに適切なモータ冷却構成を提供することが望ましい。

[0011] 本発明による実施形態では、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを与えて、パターン化した放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構成されたパターニング支持体と、基板を支持するように構成された基板支持体と、パターン化した放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、パターニング支持体および基板支持体のうち一方と結合されたモータと、モータから熱を除去するように構成された冷却デバイスとを含むリソグラフィ装置が提供される。冷却デバイスは、モータの少なくとも一部と熱接触した状態で設けられた冷却要素と、冷却流体を冷却要素に供給する供給ダクトを含む冷却ダクトアセンブリと、冷却流体を冷却ダクトアセンブリの少なくとも一部を通って流すように構成されたポンプと、冷却要素内で冷却流体の所定の平均温度に到達するために、冷却ダクトアセンブリの少なくとも一部を通る冷却流体の流量を制御するように構成された流れ制御デバイスとを含むリソグラフィ装置が提供される。

[0012] 本発明による実施形態では、供給ダクト内の冷却流体は、所定の供給温度を有し、流れ制御デバイスは、放出ダクト内の冷却流体の放出温度を測定する温度センサを含み、流れ制御デバイスは、冷却流体の流量を制御するために、放出温度を基準温度と比較するように構成される。

[0013] 本発明による実施形態では、流れ制御デバイスは、供給ダクト内の冷却流体の供給温度を測定する第一温度センサと、放出ダクト内の冷却流体の放出温度を測定する第二温度センサとを含み、流れ制御デバイスは、冷却流体の流量を制御するために、供給温度と放出温度の平均温度を基準温度と比較するように構成される。

[0014] 本発明による実施形態では、流れ制御デバイスは、モータの少なくとも一部のモータ温度を測定する温度センサを含み、流れ制御デバイスは、冷却流体の流量を制御するために、モータ温度を基準温度と比較するように構成される。

[0015] 本発明による実施形態では、モータは、少なくとも一つのモータ電流によって付勢される電気モータであり、流れ制御デバイスは、冷却流体の流量を制御するために少なくとも一つのモータ電流を測定するように構成される。

[0016] 本発明によるさらなる実施形態では、モータから熱を除去する冷却デバイスが提供される。冷却デバイスは、モータの少なくとも一部と熱接触した状態で設けられた冷却要素と、冷却流体を冷却要素に供給する供給ダクトを含む冷却ダクトアセンブリと、冷却流体を冷却要素から放出する放出ダクトと、冷却流体を冷却ダクトアセンブリの少なくとも一部を通して流すように構成されたポンプと、冷却要素内の冷却流体の所定の平均温度を維持するために、冷却ダクトアセンブリの少なくとも一部を通る冷却流体の流量を制御するように構成された流れ制御デバイスとを含む。

[0017] デバイス製造方法は、（ａ）パターン化された放射のビームを形成するために、パターニングデバイス支持体によって支持されたパターニングデバイスで、放射のビームをパターン化し、（ｂ）基板支持体によって支持された基板にパターン化したビームを投影し、（ｃ）モータとともに支持体の１つを配置し、（ｄ）モータの少なくとも一部と熱接触した冷却要素で、モータによって発生した熱を除去することからなり、除去することは、（ｉ）冷却流体を冷却要素に供給し、（ｉｉ）冷却流体を冷却要素から放出し、（ｉｉｉ）冷却要素内の冷却流体の所定の平均温度を維持するために、冷却要素を通る冷却流体の流量を制御することを含む。

[0018] 次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。

[0035] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射または任意の他の適切な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一位置決め装置ＰＭに接続されたマスク支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴとを含む。リソグラフィ装置は、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴまたは「基板支持体」も含む。リソグラフィ装置はさらに、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。

[0036] 照明システムは、放射の誘導、成形、または制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、またはその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[0037] マスク支持構造体は、パターニングデバイスを支持、つまりその重量を支えている。該マスク支持構造体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。マスク支持構造体は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。マスク支持構造体は、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。マスク支持構造体は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義とみなすことができる。

[0038] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。

[0039] パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、Alternating位相シフトマスク、減衰型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[0040] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、または液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システム、またはその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。

[0041] ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する）。

[0042] リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブルまたは「基板支持体」（および／または２つ以上のマスクテーブルまたは「マスク支持体」）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルまたは支持体を並行して使用するか、１つまたは複数の他のテーブルまたは支持体を露光に使用している間に１つまたは複数のテーブルまたは支持体で予備工程を実行することができる。

[0043] リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に使用してもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造体を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。

[0044] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとみなされず、放射ビームは、例えば適切な複数の誘導ミラーおよび／またはビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの補助により、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0045] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。

[0046] 放射ビームＢは、マスク支持構造体（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン化される。放射ビームＢはマスクＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの移動は、第一位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」の移動は、第二位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールの助けにより実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット位置を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0047] 図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[0048] １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴまたは「マスク支持体」および基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」は、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」がＸ方向および／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。

[0049] ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴまたは「マスク支持体」および基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」が同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴまたは「マスク支持体」に対する基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」の速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。

[0050] ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴまたは「マスク支持体」はプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」を移動またはスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」を移動させる毎に、またはスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に利用できる。

[0051] 上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも利用できる。

[0052] 第一位置決めデバイスＰＭおよび／または第二位置決めデバイスＰＷは幾つかのモータを含む。本発明の実施形態によれば、これらのモータの少なくとも幾つかに、以下でさらに詳細に説明する冷却デバイスを設ける。

[0053] 図２は、電気モータなどの他の少なくとも一部と熱接触した状態で設けられる冷却要素２を示す。従来、電気モータ内で熱は少なくともモータコイル内で放散されている。プレーナモータ内では、このようなコイルが基本的に平面状に延在することができ、コイルを、冷却板として設計された冷却要素の間に挟むことができる。

[0054] 冷却ダクトアセンブリは、冷却要素２へと供給される冷却流体（つまり気体または液体、例えば水）が通る供給ダクト４を含み、冷却要素２から放出される冷却流体が通る放出ダクト６を含む。ポンプ８が、冷却ダクトアセンブリ内の冷却流体の流れを提供する。

[0055] 図２に示す冷却構成はさらに、放出ダクト６内の制御可能なバルブ１０、および放出ダクト６内の冷却流体の放出温度を測定するように構成された温度センサ１２を含む。放出温度を表す信号が、制御システム１４に入力され、これは制御信号を出力して、バルブ１の流量を制御する。温度センサ１２、制御システム１４、およびバルブ１０のアセンブリを、流れ制御デバイス１６とみなすことができる。

[0056] 図２の冷却デバイスの動作は、以下の通りである。ポンプ８は、所定の温度Ｔ１を有する冷却流体の流れを供給ダクト４内に送出して、冷却要素２に通し、ここでモータまたはその一部が放散した熱が、冷却流体に吸収され、さらに放出ダクト６およびバルブ１０を通す。冷却流体は、放出ダクト６から放出して、再び使用しないか、所定の温度Ｔ１まで冷却して、再循環のために再びポンプ８へと供給することができる。

[0057] 冷却ダクトアセンブリ内の冷却流体の流量は、流れ制御デバイス１６によって決定される。温度センサ１２が測定した温度Ｔ２が制御システム１４に入力され、これはこの温度を供給ダクト４内の冷却流体の所定の（既知の）温度Ｔ１（基準温度と呼んでもよい）と比較する。制御システム１４は、冷却要素２内の冷却流体の所定の平均温度Ｔａ＝（Ｔ２＋Ｔ１）／２に到達するように、バルブ１０によって冷却流体の流量を制御するように構成される。

[0058] 一例として、Ｔ１は１２℃であり、Ｔａは２２℃であるように選択される。流れ制御デバイス１６は、以上の関係式によりＴ２が２・Ｔａ−Ｔ１＝３２℃になるように、バルブ１０によって冷却流体の流量を制御する。冷却要素２内で所望の平均温度Ｔａに到達するために、冷却要素２にかかる熱負荷が高いほど、冷却ダクトアセンブリ内の冷却流体の流量を高くしなければならない。逆に、冷却要素２内で所望の平均温度Ｔａに到達するために、冷却要素２にかかる熱負荷が低いほど、冷却ダクトアセンブリ内の冷却流体の流量は低くしなければならない。冷却要素２にかかる熱負荷がゼロである場合、バルブ１０が放出ダクト６を閉鎖し、それによってダクトアセンブリ内の冷却流体の流れを停止することができる。

[0059] 図３の実施形態では、バルブ１０を、図２のように放出ダクト６内ではなく、供給ダクト４内に配置する。しかし、図３の流れ制御デバイス１６の動作は、図２の流れ制御デバイス１６の動作と同じである。図２と図３の実施形態の違いは、図２によると、冷却要素２内の冷却流体圧力は、制御システム１４によるバルブ１０の制御によって引き起こされる冷却流体の流量の変動とともに変動しないが、図３によると、冷却要素２内の冷却流体圧力は、制御システム１４によるバルブ１０の制御によって引き起こされる冷却流体の流量の変動とともに変動するという点に見ることができる。

[0060] 図４の実施形態では、流れ制御デバイス１６ａは温度センサ１２、制御システム１４ａ、および制御可能な流量を有するポンプ８ａを含む。温度センサ１２によって測定された温度Ｔ２を表す信号を制御システム１４ａに入力し、これはこの温度を供給ダクト４内の冷却流体の所定の（したがって既知の）温度Ｔ１と比較する。制御システム１４は、冷却要素２内で冷却流体の所定の平均温度Ｔａ＝（Ｔ２＋Ｔ１）／２に到達するように、ポンプ８ａの流量を制御することによって、冷却流体の流量を制御するように構成される。

[0061] 図５に示す実施形態では、流れ制御デバイス１６ｂは、供給ダクト４内の冷却流体の温度Ｔ１を測定する温度センサ１１、放出ダクト６内の冷却流体の温度Ｔ２を測定する温度センサ１２、制御システム１４ｂ、および放出ダクト６内の制御可能なバルブ１０を含む。

[0062] 以前の実施形態と同様に、冷却ダクトアセンブリ内の冷却流体の流量は、流れ制御デバイス１６ｂによって決定される。温度センサ１１および１２それぞれによって測定された温度Ｔ１およびＴ２を表す信号を、これらの温度を比較する制御システム１４ｂに入力する。制御システム１４ｂは、冷却要素２内で冷却流体の所定の平均温度Ｔａ＝（Ｔ２＋Ｔ１）／２に到達するように、バルブ１０によって冷却流体の流量を制御するように構成される。図２の実施形態とは異なり、図５の実施形態では、供給ダクト４内の冷却流体の温度Ｔ１は、到達すべき平均温度Ｔａより下である限り、知る必要がないか、正確に設定する必要がない。

[0063] 一例として、Ｔ１が１０℃であり、Ｔａが２２℃であるように選択すると、流れ制御デバイス１６ｂは、以上の関係式によりＴ２が２・Ｔａ−Ｔ１＝３４℃になるように、冷却流体の流量を制御する。Ｔ１が１５℃であり、Ｔａが再び２２℃であるように選択すると、流れ制御デバイス１６ｂは、以上の関係式によりＴ２が２・Ｔａ−Ｔ１＝２９℃になるように、冷却流体の流量を制御する。したがって、同じ平均温度Ｔａを達成するために、Ｔ１が高いほど、Ｔ２は低くなければならない。

[0064] 図６に示す実施形態では、バルブ１０を、図５のように放出ダクト６内ではなく、供給ダクト４内に配置する。しかし、図６の流れ制御デバイス１６ｂの動作は、図５の流れ制御デバイス１６ｂの動作と同じである。図５と図６の実施形態の違いは、図５によると、冷却要素２内の冷却流体圧力は、制御システム１４ｂによるバルブ１０の制御によって引き起こされる冷却流体の流量の変動とともに変動しないが、図６によると、冷却要素２内の冷却流体圧力は、制御システム１４ｂによるバルブ１０の制御によって引き起こされる冷却流体の流量の変動とともに変動するという点に見ることができる。

[0065] 図７に示す実施形態では、温度センサ１１、温度センサ１２、制御システム１４ｃ、および制御可能な流量を有するポンプ８ｃを含む。温度センサ１１および１２それぞれによって測定した温度Ｔ１およびＴ２を表す信号を、これらの温度を比較する制御システム１４ｃに入力する。制御システム１４は、冷却要素２内で冷却流体の所定の平均温度Ｔａ＝（Ｔ２＋Ｔ１）／２に到達するように、ポンプ８ｃの流量を制御することによって、冷却流体の流量を制御するように構成される。

[0066] 図８は、ポンプ８がある供給ダクト４、冷却要素２、および制御可能なバルブ１０がある放出ダクト６を含む冷却デバイスの実施形態を示す。バルブ１０は、さらに制御システム１４ｄを含む流れ制御デバイス１６ｄの一部である。

[0067] 動作時には、図８の冷却ダクトアセンブリ内の冷却流体の流量は、流れ制御デバイス１６ｄによって決定される。冷却要素２と熱接触しているモータの電流Ｉｓを測定し、これは冷却要素２にかかる熱負荷を表す。電流Ｉｓを表す信号を制御システム１４ｄに入力し、これが制御信号を出力して、バルブ１０の流量を制御する。制御システム１４ｄは、冷却要素２内で冷却流体の所定の平均温度Ｔａに到達するように、バルブ１０によって冷却流体の流量を制御するように構成される。図２、図３および図４の実施形態と同様に、供給ダクト４内の冷却流体の温度は分かっているものとする。電流Ｉｓと、電流Ｉｓを変動させるためのバルブ１０の対応する流量との関係は、冷却要素２内で冷却流体の所望の平均温度Ｔａに到達するために、流れ制御デバイス１４ｄの較正により予め確立していてもよい。

[0068] 図９の実施形態では、バルブ１０を、図８のように放出ダクト６内ではなく、供給ダクト４内に配置する。しかし、図９の流れ制御デバイス１６ｄの動作は、図８の流れ制御デバイス１６ｄの動作と同じである。図８と図９の実施形態の違いは、図８によると、冷却要素２内の冷却流体圧力は、制御システム１４ｄによるバルブ１０の制御によって引き起こされる冷却流体の流量の変動とともに変動しないが、図９によると、冷却要素２内の冷却流体圧力は、制御システム１４ｄによるバルブ１０の制御によって引き起こされる冷却流体の流量の変動とともに変動するという点に見ることができる。

[0069] 図１０の実施形態では、流れ制御デバイス１６ｅは制御システム１４ｅ、および制御可能な流量を有するポンプ８ｅを含む。図８および図９と同様に、モータ電流Ｉｓを表す信号を制御システム１４ｅに入力し、これは冷却要素２内で冷却流体の所定の平均温度Ｔａに到達するように、ポンプ８ｅの流量を制御することによって冷却流体の流量を制御するように構成される。電流Ｉｓと、電流Ｉｓを変動させるためのバルブ８ｅの対応する流量との関係は、冷却要素２内で冷却流体の所望の平均温度Ｔａに到達するために、流れ制御デバイス１４ｅの較正により予め確立していてもよい。

[0070] 図１１は、モータの少なくとも一部と熱接触した状態で設けられる冷却要素２を示す。冷却ダクトアセンブリは、冷却要素２へと供給される冷却流体（つまり気体または液体、例えば水）が通る供給ダクト４を含み、冷却要素２から放出される冷却流体が通る放出ダクト６を含む。ポンプ８が、冷却ダクトアセンブリ内の冷却流体の流れを提供する。

[0071] 図１１に示す冷却デバイスはさらに、追加のポンプ９を有する再循環ダクト５、再循環ダクト５内の制御可能なバルブ１０、および放出ダクト６内の冷却流体の放出温度を測定する温度センサ１２を含む。再循環ダクト５は、供給ダクト４を放出ダクト６と接続する。放出温度を表す信号を制御システム１４ｆに入力し、これは制御信号を出力して、バルブ１０の流量を制御する。相互接続した温度センサ１２、制御システム１４ｆ、およびバルブ１０のアセンブリを、流れ制御デバイス１６ｆとみなすことができる。

[0072] 図１１の冷却構成の動作は、以下の通りである。ポンプ８は、所定の温度Ｔ１を有する冷却流体の流れを供給ダクト４内に送出して、冷却要素２に通し、ここでモータが放散した熱が冷却流体に吸収され、さらに放出ダクト６通す。放出ダクト６から、冷却流体の一部は、バルブ１０およびポンプ９を含む再循環ダクト５を通して供給ダクト４へと再循環される。

[0073] 冷却ダクトアセンブリ内の冷却流体の流量は、流れ制御デバイス１６ｆによって決定される。温度センサ１２が測定した温度Ｔ１を制御システム１４ｆに入力し、これは冷却要素２内で冷却流体の所定の平均温度Ｔａに到達するように、バルブ１０によって冷却流体の流量を制御するように（例えば較正によって）構成される。

[0074] ここでは、バルブ１０を、図１１に示すようにポンプ９の上流の再循環ダクト５ではなく、ポンプ９の下流の再循環ダクト５に配置する、または再循環ダクト５の上流または下流の供給ダクト４に、または再循環ダクト５の上流または下流の放出ダクト６内に配置してよいことが分かる。代替位置は点線の円で図示されている。また、複数のバルブ１０を指示された位置のいずれかに装着し、別個に、または共通で制御することができる。

[0075] 図１２に示す冷却デバイスの実施形態は、図１２の冷却デバイスが、再循環ダクト５の下流で供給ダクト４内の冷却流体の温度Ｔ１を測定する温度センサ１１、および再循環ダクト５の上流で放出ダクト６内の冷却流体の温度Ｔ２を測定する温度センサを含むという点で、図１１の冷却デバイスと異なる。

[0076] 図１２の実施形態では、流れ制御デバイス１６ｇは相互接続した温度センサ１１および１２、制御システム１４ｇ、および再循環ダクト５内の制御可能なバルブ１０を含む。

[0077] 以前の実施形態と同様に、冷却ダクトアセンブリ内の冷却流体の流量は、流れ制御デバイス１６ｇによって決定される。温度センサ１１および１２それぞれが測定した温度Ｔ１およびＴ２を表す信号を、これらの温度を比較する制御システム１４ｇに入力する。制御システム１４ｇは、冷却要素２内で冷却流体の所定の平均温度Ｔａ＝（Ｔ２＋Ｔ１）／２に到達するように、バルブ１０によって冷却流体の流量を制御するように構成される。図１１の実施形態とは異なり、図１２の実施形態では、供給ダクト４内の冷却流体の温度は、再循環ダクト５の上流であれ、下流であれ、到達すべき平均温度Ｔａより下である限り、知る必要はなく、正確に設定する必要もない。

[0078] 図１１の実施形態のように、図１２の実施形態ではバルブ１０を、ポンプ９の上流の再循環ダクト５ではなく、ポンプ９の下流の再循環ダクト５に配置する、または再循環ダクト５の上流または下流の供給ダクト４内、または再循環ダクト５の上流または下流の放出ダクト６内に配置することができる。代替位置は点線の円で図示されている。また、複数のバルブ１０を指示された位置のいずれかに装着し、別個に、または共通で制御することができる。

[0079] 図１１および図１２それぞれに関して、ポンプ９がなく、全ての他の構成要素、特にバルブ１０がまだ存在する代替実施形態を設計することができる。ここでは、ダクト５は、バイパスダクトと呼ぶことができ、バルブ１０を含む。代替実施形態では、ポンプ８は所定の温度Ｔ１を有する冷却流体の流れを供給ダクト４およびバイパスダクト５に送出する。バイパスダクト５内の冷却流体の流量は、流れ制御デバイス１６ｆ（図１１）、１６ｇ（図１２）によって決定される。供給ダクト４内の冷却流体の流量は、バイパスダクト５内の冷却流体の流量によって決定される。ポンプ８によって提供される流れは一定である。図１１によれば、代替実施形態では温度センサ１２が測定した温度Ｔ２を制御システム１４ｆに入力し、これは冷却要素２内で冷却流体の所定の平均温度Ｔａに到達するように、バルブ１０によって冷却流体の流量を制御するように構成される。図１２によれば、代替実施形態では温度センサ１１および１２それぞれが測定した温度Ｔ１およびＴ２を表す信号を制御システム１４ｇに入力し、これはこれらの温度を比較し、冷却要素２内で冷却流体の所定の平均温度Ｔａ＝（Ｔ２＋Ｔ１）／２に到達するように、バルブ１０によって冷却流体の流量を制御するように構成される。バルブ１０の代替位置は点線の円で指示され、代替実施形態には適用されない。

[0080] 図１３は、放出ダクト６内の冷却流体の温度を表す信号を制御システム１４ｈに入力する温度センサ１２を含む流れ制御デバイス１６ｈを示し、制御システムは、放出ダクト６を供給ダクト４に接続する再循環ダクト５内の制御可能な流量を有するポンプ９ｈへと、制御信号を出力する。代替的または追加的に、制御システム１４ｈは、一点鎖線で示すように、制御可能な流量を有するポンプ８ｈに制御信号を出力することができる。

[0081] 図１３の冷却ダクトアセンブリ内の冷却流体の流量は、流れ制御デバイス１６ｈによって決定される。ポンプ８ｈによって供給される冷却流体は所定の（既知の）温度を有する。温度センサ１２が測定した温度を表す信号を制御システム１４ｈに入力し、これは冷却要素２内で冷却流体の所定の平均温度Ｔａに到達するように、ポンプ９ｈの流量を、および場合によってはポンプ８ｈの流量も制御することによって、冷却流体の流量を制御するように（例えば較正によって）構成される。

[0082] 図１４の実施形態では、流れ制御デバイス１６ｉは温度センサ１１および１２、制御システム１４ｉ、および放出ダクト６を供給ダクト４に接続する再循環ダクト５内で制御可能な流量を有するポンプ９ｉを含む。

[0083] 以前の実施形態のように、冷却ダクトアセンブリ内の冷却流体の流量は、流れ制御デバイス１６ｉによって決定される。温度センサ１１および１２それぞれが測定した温度Ｔ１およびＴ２を表す信号を、これらの温度を比較する制御システム１４ｉに入力する。制御システム１４ｉは、冷却要素２内で冷却流体の所定の平均温度Ｔａ＝（Ｔ２＋Ｔ１）／２に到達するように、ポンプ９ｉによって冷却流体の流量を、および場合によってはポンプ８ｉによって冷却流体の流量も制御するように構成される。図１３の実施形態とは異なり、図１４の実施形態では、供給ダクト４内の冷却流体の温度は、再循環ダクト５の上流であれ、下流であれ、到達すべき平均温度Ｔａより下である限り、知る必要はなく、正確に設定する必要もない。

[0084] 図１５は、モータの少なくとも一部と熱接触した状態で設けられた冷却要素２を示す。冷却ダクトアセンブリは、冷却要素２へと供給される冷却流体が通る供給ダクト４を含み、さらに冷却要素２から放出される冷却流体が通る放出ダクト６を含む。ポンプ８が、冷却ダクトアセンブリ内の冷却流体の流れを提供する。

[0085] 図１５に示す冷却構成はさらに、補助ポンプ１９を有する補助ダクト１５、補助ダクト１５内の制御可能なバルブ１０、補助ダクト１５の下流で供給ダクト４内の冷却流体の温度を測定する温度センサ１１、および放出ダクト６内の冷却流体の放出温度を測定する温度センサ１２を含む。補助ダクト１５は供給ダクト４に接続され、これによって補助ダクト１５を通って供給される冷却流体が、冷却要素２へと流れる前に、供給ダクト４を通って供給される冷却流体と混合される。温度センサ１１および１２が測定した温度を表す信号を制御システム１４ｊに入力し、これは制御信号を出力して、バルブ１０の流量を制御する。温度センサ１１および１２、制御システム１４ｊ、およびバルブ１０のアセンブリを、流れ制御デバイス１６ｊとみなすことができる。

[0086] 図１５の冷却デバイスの動作は、以下の通りである。ポンプ８は、第一温度を有する冷却流体の流れを送出する。ポンプ１９は、第一温度より高い第二温度を有する冷却流体の流れを送出する。ポンプ１９からの冷却流体の流れは、バルブ１０によって制御され、ゼロ以上でよい。第一温度を有する冷却流体を、第二温度を有する冷却流体と混合した後、冷却流体は供給ダクト４に流入して、冷却要素２を通り、ここで熱が冷却流体によって吸収され、さらに放出ダクト６を通る。

[0087] 冷却ダクトアセンブリ内の冷却流体の流量は、流れ制御デバイス１６ｊによって決定される。温度センサ１１および１２が測定した温度を表す信号を制御システム１４ｊに入力し、これは冷却要素２内で冷却流体の所定の平均温度Ｔａに到達するように、バルブ１０によって第二温度を有する冷却流体の流量を制御するように構成される。

[0088] 図１６は、温度信号を制御システム１４ｋに入力する温度センサ１１および１２を含む流れ制御デバイス１６ｋを示し、制御システムは、補助ダクト１５内で制御可能な流量を有するポンプ１９ｋに制御信号を出力する。代替的または追加的に、制御システム１４ｋは、一点鎖線で示すように、制御可能な流量を有するポンプ８ｋに制御信号を出力することができる。図１５に示す実施形態のように、図１６の実施形態では、ポンプ８ｋが、第一温度を有する冷却流体の流れを送出する。ポンプ１９ｋは、第一温度より高い第二温度を有する冷却流体の流れを送出する。ポンプ１９ｋからの冷却流体の流れは、ゼロ以上でよい。第一温度を有する冷却流体を、第二温度を有する冷却流体と混合した後、冷却流体は供給ダクト４に流入して、冷却要素２を通り、ここで熱が冷却流体によって吸収され、さらに放出ダクト６を通る。

[0089] 図１６の冷却ダクトアセンブリ内の冷却流体の流量は、流れ制御デバイス１６ｋによって決定される。温度センサ１１および１２が測定した温度を表す信号を制御システム１４ｋに入力し、これは冷却要素２内で冷却流体の所定の平均温度Ｔａに到達するように、バルブ１９ｋの流量を、および場合によってはポンプ８ｋの流量も制御することによって、第二温度を有する冷却流体の流量を制御するように構成される。

[0090] 冷却ダクトアセンブリ内で１つまたは複数の温度センサを使用する前述の実施形態に関して、冷却ダクトアセンブリ内の温度センサを、冷却要素２と熱接触したモータコイルなどのモータの少なくとも一部の温度を測定する１つまたは複数のモータ温度センサと置換した代替実施形態を想定することができる。１つまたは複数のモータ温度センサは、いずれにせよ安全の理由でモータ内に存在してよい。この方法で、平均温度Ｔａと同様の、またはそれに対応する温度を測定し、流れ制御デバイスに入力して、冷却要素２内で冷却流体の所定の平均温度に到達するために、冷却ダクトアセンブリの少なくとも一部を通る冷却流体の流量を制御することができる。

[0091] 一方では図２から図１０の実施形態と、他方では図１１から図１６の実施形態との違いは、前者の実施形態の方が後者の実施形態より制御を高速にし、より正確にできることである。

[0092] 請求の範囲から逸脱することなく、上述し、図面で図示したような様々な冷却流体流量制御を相互に組み合わせて、本発明の実施形態により改造された冷却デバイスを獲得できることが、当業者には認識される。

[0093] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」または「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの１層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツールおよび／またはインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[0094] 以上では光学リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィによって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスのトポグラフィを基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力またはその組合せにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。

[0095] 本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長を有する）および極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。

[0096] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気および静電気光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか、またはその組合せを指す。

[0097] 本明細書で使用する「a」または「an」という用語は、１つまたは複数であると定義される。本明細書で使用する複数という用語は、２つまたはそれより大きいと定義される。本明細書で使用する別のという用語は、少なくとも２番目以降であると定義される。本明細書で使用する含むおよび／または有するという用語は、含むことであると定義される（つまりオープン言語）。本明細書で使用する結合という用語は、接続すると定義されるが、直接的および機械的である必要はない。さらに、本明細書で使用する用語およびフレーズは、制限的ではなく、本発明の理解可能な説明を提供するものである。

[0019] 本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。 [0020] 本発明の実施形態によるモータ冷却デバイスを概略的に示した図である。 [0021] 本発明のさらなる実施形態のモータ冷却デバイスを概略的に示した図である。 [0022] 本発明のさらなる実施形態のモータ冷却デバイスを概略的に示した図である。 [0023] 本発明のさらなる実施形態のモータ冷却デバイスを概略的に示した図である。 [0024] 本発明のさらなる実施形態のモータ冷却デバイスを概略的に示した図である。 [0025] 本発明のさらなる実施形態のモータ冷却デバイスを概略的に示した図である。 [0026] 本発明のさらなる実施形態のモータ冷却デバイスを概略的に示した図である。 [0027] 本発明のさらなる実施形態のモータ冷却デバイスを概略的に示した図である。 [0028] 本発明のさらなる実施形態のモータ冷却デバイスを概略的に示した図である。 [0029] 本発明のさらなる実施形態のモータ冷却デバイスを概略的に示した図である。 [0030] 本発明のさらなる実施形態のモータ冷却デバイスを概略的に示した図である。 [0031] 本発明のさらなる実施形態のモータ冷却デバイスを概略的に示した図である。 [0032] 本発明のさらなる実施形態のモータ冷却デバイスを概略的に示した図である。 [0033] 本発明のさらなる実施形態のモータ冷却デバイスを概略的に示した図である。 [0034] 本発明のさらなる実施形態のモータ冷却デバイスを概略的に示した図である。

Claims (17)

1. （ａ）放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
   （ｂ）パターン化した放射ビームを形成するために前記放射ビームの断面にパターンを与えることができるパターニングデバイスを支持するように構成されたパターニングデバイス支持体と、
   （ｃ）基板を支持するように構成された基板支持体と、
   （ｄ）前記パターン化した放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
   （ｅ）前記支持体の１つに結合したモータと、
   （ｆ）前記モータからの熱を除去するように構成された冷却デバイスと、
   を含み、前記冷却デバイスが、
   （ｉ）前記モータの少なくとも一部と熱接触した状態で設けられた冷却要素と、
   （ｉｉ）冷却流体を前記冷却要素に供給するように構成された供給ダクト、および、前記冷却要素から前記冷却流体を放出するように構成された放出ダクトを含む冷却ダクトアセンブリと、
   （ｉｉｉ）前記冷却流体を前記冷却ダクトアセンブリの少なくとも一部を通して流すように構成されたポンプと、
   （ｉｖ）前記冷却流体が、前記冷却要素内で所定の平均温度に到達するように、前記冷却ダクトアセンブリの少なくとも一部を通る前記冷却流体の流量を制御するように構成された流れ制御デバイスと、
   を含むリソグラフィ装置。
2. 前記供給ダクト内の前記冷却流体が所定の供給温度を有し、前記流れ制御デバイスが、前記放出ダクト内の前記冷却流体の放出温度を測定するように構成された温度センサを備え、前記流れ制御デバイスが、前記放出温度を基準温度と比較して、前記冷却流体の前記流量を制御するように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記流れ制御デバイスが、前記供給ダクト内の前記冷却流体の供給温度を測定するように構成された第一温度センサと、前記放出ダクト内の前記冷却流体の放出温度を測定するように構成された第二温度センサとを備え、前記流れ制御デバイスが、前記供給温度と前記放出温度の平均温度を基準温度と比較して、前記冷却流体の前記流量を制御するように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記流れ制御デバイスが、前記モータの少なくとも一部のモータ温度を測定するように構成された温度センサを備え、前記流れ制御デバイスが、前記モータ温度を基準温度と比較して、前記冷却流体の前記流量を制御するように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記モータが、少なくとも一つのモータ電流によって活性化される電気モータであり、前記流れ制御デバイスが、前記少なくとも一つのモータ電流を測定して、前記冷却流体の流量を制御するように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記流れ制御デバイスが、前記冷却ダクトアセンブリ内に配置されたバルブを備え、前記バルブが制御可能な流量を提供するように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記バルブが前記放出ダクト内にある、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記流れ制御デバイスが、前記ポンプによって生成された流量を制御するように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
9. 前記冷却ダクトアセンブリが、前記放出ダクトおよび前記供給ダクトを相互に接続するように構成された再循環ダクトを備え、前記再循環ダクトが追加ポンプを含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
10. 前記流れ制御デバイスが、前記再循環ダクト内に配置されたバルブを備え、前記バルブが制御可能な流量を提供するように構成される、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
11. 前記流れ制御デバイスが、前記追加ポンプによって生成された流量を制御するように構成される、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
12. 前記冷却ダクトアセンブリが、冷却流体を前記供給ダクトに供給するように構成された補助ダクトを備え、前記補助ダクトが追加ポンプを含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
13. 前記流れ制御デバイスが、前記補助ダクト内にバルブを備え、前記バルブが制御可能な流量を提供するように構成される、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
14. 前記流れ制御デバイスが、前記追加ポンプによって生成された流量を制御するように構成される、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
15. モータからの熱を除去する冷却デバイスであって、
    前記モータの少なくとも一部と熱接触した状態で設けられた冷却要素と、
    冷却流体を前記冷却要素に供給するように構成された供給ダクト、および、前記冷却流体を前記冷却要素から放出するように構成された放出ダクトを含む冷却ダクトアセンブリと、
    前記冷却流体を前記冷却ダクトアセンブリの少なくとも一部を通して流すように構成されたポンプと、
    前記冷却要素内で前記冷却流体の所定の平均温度を維持するように、前記冷却ダクトアセンブリの少なくとも一部を通る前記冷却流体の流量を制御するように構成された流れ制御デバイスと、
    を含む冷却デバイス。
16. （ａ）パターン化された放射ビームを形成するために、パターニングデバイス支持体によって支持されたパターニングデバイスで、放射ビームをパターン化すること、
    （ｂ）基板支持体によって支持された基板に前記パターン化した放射ビームを投影すること、
    （ｃ）前記支持体の１つをモータとともに配置すること、および、
    （ｄ）前記モータの少なくとも一部と熱接触した冷却要素で、前記モータによって発生した熱を除去すること、
    を含み、前記除去することは、
    （ｉ）冷却流体を前記冷却要素に供給すること、
    （ｉｉ）前記冷却流体を前記冷却要素から放出すること、および、
    （ｉｉｉ）前記冷却要素内の前記冷却流体の所定の平均温度を維持するために、前記冷却要素を通る前記冷却流体の流量を制御すること
    を含むデバイス製造方法。
17. 前記供給の前に、前記冷却流体の第一温度を測定すること、
    前記放出の後に、前記冷却流体の第二温度を測定すること、
    前記第一および第二温度を基準温度と比較すること、および、
    前記比較に基づいて前記流量を制御すること、
    をさらに含む、請求項１６に記載の方法。

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