JPH10209036A

JPH10209036A - 露光方法および露光装置

Info

Publication number: JPH10209036A
Application number: JP9025818A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Hara; 真一原
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-01-24
Filing date: 1997-01-24
Publication date: 1998-08-07

Abstract

(57)【要約】【課題】露光中のウエハの昇温を防ぐ。【解決手段】ピンチャック型のウエハチャックＥ₁
は、本体１の凹所１ａをヘリウムガスの減圧雰囲気に制
御して、ウエハＷ₁ の表面の雰囲気圧力との差によっ
て、外周リブ１ｂや突起１ｃにウエハＷ₁ を吸着保持す
る。本体１の内部配管２に温調流体を流して凹所１ａの
ヘリウムガスの対流等によってウエハＷ₁ を冷却する。
露光中は、凹所１ａのヘリウムガスの圧力を低下させ、
ヘリウムガスの断熱膨張による温度低下を利用してウエ
ハＷ₁ の昇温を防ぐ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マスク等原版のパ
ターンをウエハ等基板に転写、焼き付けするための露光
方法および露光装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体素子の高集積化に伴なっ
て、２５６メガビットのＤＲＡＭのための最小線幅０．
２５μｍのパターン、あるいは１ギガビットのＤＲＡＭ
のための最小線幅０．１８μｍのパターンを転写、焼き
付けできる露光装置の開発が望まれている。なかでも荷
電粒子蓄積リング放射光等のＸ線を露光光とするＸ線露
光装置は、転写精度と生産性の双方にすぐれており、将
来性が大きく期待されている。

【０００３】一般的に、マスク等原版とウエハ等基板の
アライメントの誤差は、パターンの線幅の１／４以下で
あることが要求される。従って、最小線幅０．２５μ
ｍ、あるいは０．１８μｍの極めて微細化されたパター
ンの転写、焼き付けに許容されるアライメントの誤差
は、それぞれ６０ｎｍ、４０ｎｍ程度までである。そこ
で、露光光として、ｉ線やＫｒＦレーザ等を用いる技術
が開発されているが、回折による解像度の劣化を避ける
ためには、より短波長の荷電粒子蓄積リング放射光等の
Ｘ線を用いるのが望ましい。

【０００４】荷電粒子蓄積リング放射光等の軟Ｘ線は、
大気中で著しく減衰するため、マスクやウエハを搬入し
た露光室をヘリウムガスの減圧雰囲気に制御して露光を
行なう。すなわち、荷電粒子蓄積リング放射光は原子番
号の大きい元素に対して吸収性が高いため、Ｎ₂ 、Ｏ₂
等を含む大気を露光室から排出し、露光室を所定の真空
度に真空引きしたうえで、高純度のヘリウムガスを露光
室に充填する。

【０００５】このようなＸ線を露光光とする露光装置に
おいては、露光光の高エネルギーを吸収したウエハが昇
温し、著しい熱歪を発生する。そこで、ウエハを吸着保
持するウエハチャックを強制冷却することでウエハの昇
温を防ぐ工夫がなされている。

【０００６】図８は一従来例によるウエハチャックＥ₀
を示すもので、これは、図示しないＸＹステージ上に載
置された円盤状の本体１０１と、その内部に配設された
温調用の内部配管１０２に恒温水等の温調流体を供給す
る温調流体供給源１０３と、本体１０１の表面すなわち
吸着面１０１ａに形成された吸着溝１０１ｂに吸着力を
発生させるための真空排気ライン１０４を有し、該真空
排気ライン１０４は、本体１０１の吸着溝１０１ｂに連
通する排気管１０４ａと、これに接続された真空ポンプ
１０４ｂからなる。

【０００７】図示しない光源から発生された露光光Ｌ₀
は、マスクＭ₀ を経てウエハチャックＥ₀ 上のウエハＷ
₀ に照射され、マスクＭ₀ のパターンをウエハＷ₀ に転
写、焼き付けする。

【０００８】露光中はマスクＭ₀ やウエハＷ₀ が露光光
のエネルギーを吸収するが、マスクＭ₀ の熱は周囲の雰
囲気中に放出され、ウエハＷ₀ は、温調流体によって冷
却されたウエハチャックＥ₀ に接触することで放熱す
る。

【０００９】このようにしてマスクＭ₀ やウエハＷ₀ の
昇温を防ぎ、両者の熱変形に起因する重ね合わせ精度等
の劣化を回避するように工夫されている。

【００１０】ところが、ウエハチャックＥ₀ の吸着面１
０１ａにウエハＷ₀ を密着させるように構成されている
ため、両者の間にゴミ等の異物が挟まれるとこのために
ウエハＷ₀ の平坦度が損われて、著しい転写ずれを発生
する結果となる。例えば、図９に示すように、ウエハチ
ャックＥ₀ に吸着する前には破線で示すように平坦であ
ったウエハＷ₀ が、ウエハチャックＥ₀ とウエハＷ₀ の
間に介在するゴミＸのために湾曲する。これによって、
ウエハＷ₀ の周縁部位の表面が角度θだけ傾いたとき、
ウエハＷ₀ に転写、焼き付けされるパターンの位置ず
れ、すなわち転写ずれ△Ｄは以下の式によって算出され
る。

【００１１】 △Ｄ＝Ｄ₂ −Ｄ₁ ＝ｔ₀ ・θ／２・・・・・（１）ここで、Ｄ₁ ：ウエハチャックＥ₀ に吸着される前のウ
エハＷ₀ の周縁部位Ａの半径位置Ｄ₂ ：ウエハチャックＥ₀ に吸着されてゴミＸのために
湾曲したときのウエハＷ₀ の周縁部位Ａの半径位置ｔ₀ ：ウエハＷ₀ の厚さ例えば、ゴミＸの厚さが３μｍであるとき、式（１）に
よって算出される転写ずれ△Ｄは１００ｎｍにも達す
る。

【００１２】ウエハとウエハチャックの間に挟まれるゴ
ミ等の異物に起因するトラブルを回避するために、図１
０に示すように、円盤状の本体２０１に円形の凹所２０
１ａを設け、該凹所２０１ａを真空ポンプによって真空
排気するとともに、外周リブ２０１ｂと、凹所２０１ａ
に立設された多数の円筒ピン２０２によってウエハＵ₀
の裏面を支持するように構成したいわゆるピンチャック
型のウエハチャックが開発されている。これは、ウエハ
チャックとウエハの接触面積を小さくしてゴミ等が挟ま
れる確率を低減したものである。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、ピンチャック型のウエハチャックにお
いてはゴミ等の異物によるトラブルは効果的に回避でき
るものの、ウエハチャックとウエハの接触面積が小さい
ために両者の伝熱を利用してウエハを冷却するのが困難
であり、露光光によるウエハの昇温を回避できない。特
に、露光時間を短くしてスループットを向上させるため
に、高エネルギーであるＸ線を露光光として用いるＸ線
露光装置においては、露光中のウエハが著しく昇温し、
熱歪のために充分な転写精度を得ることができない。

【００１４】すなわち、ウエハチャックとウエハの間に
ゴミ等が挟まれて転写ずれを生じるのを防ぐためにウエ
ハチャックとウエハの接触面積を小さくすると、ウエハ
の放熱が不充分となり、ウエハの熱歪のために転写ずれ
を発生する。他方、ウエハの昇温を回避するためにウエ
ハとウエハチャックの接触面積を増大させると、両者の
間にゴミ等の異物が挟まれてウエハが変形し、このため
に転写ずれを生じる。結局、いずれを採用しても転写精
度を充分に改善できないという未解決の課題がある。

【００１５】本発明は上記従来の技術の有する未解決の
課題に鑑みてなされたものであり、露光中のウエハ等基
板を充分に冷却し、かつウエハチャックの間にゴミ等の
異物が挟まれる等のトラブルも回避することで、転写精
度を大幅に向上できる露光方法および露光装置を提供す
ることを目的とするものである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の露光方法は、空所を有する基板保持手段の
基板保持面に基板を保持し、該基板を露光する工程を有
し、前記基板保持手段の前記空所のガスの圧力を変化さ
せることで、前記基板の温度を調節することを特徴とす
る。

【００１７】基板保持手段の空所のガスの圧力を低下さ
せることで、基板を冷却するとよい。

【００１８】本発明の露光装置は、基板保持面と空所を
有する基板保持手段と、該基板保持手段の前記基板保持
面に保持された基板を露光する露光手段と、切換手段に
よって前記基板保持手段の前記空所に交互に接続自在で
ある複数のバッファタンクを有することを特徴とする。

【００１９】複数のバッファタンクの替わりに、基板保
持手段の空所に供給されるガスの流量を変化させる流量
調節手段が設けられていてもよい。

【００２０】

【作用】ウエハチャック等の基板保持手段の空所（凹
所）をヘリウムガス等の減圧雰囲気に制御し、ウエハ等
基板の表面の雰囲気との圧力差によって基板を基板保持
手段に吸着する。このようにして保持された基板の温度
を、前記空所のヘリウムガス等の圧力を変化させ、これ
に伴なう温度変化を利用して調節する。

【００２１】露光中は基板が露光光のエネルギーを吸収
して昇温するため、前記空所のヘリウムガス等の圧力を
低下させ、いわゆる断熱膨張による温度低下を利用して
基板を冷却すれば、基板の熱歪による転写ずれを防ぐこ
とができる。

【００２２】基板保持手段がピンチャック型であって基
板との接触面積が小さい場合でも、基板保持手段の空所
のヘリウムガス等の圧力を変化させることで露光中の基
板を充分に冷却できる。基板保持手段と基板の間に挟ま
れるゴミ等によるトラブルと、基板の熱歪による転写ず
れの双方を効果的に回避して、転写精度を大幅に改善で
きる。

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。

【００２４】図１は第１実施例による基板保持手段であ
るウエハチャックＥ₁ を示すもので、これは、図示しな
いＸＹステージ上に載置された円盤状の本体１と、その
内部に配設された温調用の内部配管２に恒温水等の温調
流体を供給する温調流体供給源３を有し、本体１の基板
保持面である吸着面側には空所である凹所１ａが形成さ
れており、凹所１ａを囲む外周リブ１ｂと凹所１ａの底
面に立設された複数の円柱状の突起１ｃが基板であるウ
エハＷ₁ の裏面に当接されるいわゆるピンチャック型の
ウエハチャックである。

【００２５】減圧吸着ライン４によってウエハチャック
Ｅ₁ の凹所１ａを減圧することによってウエハＷ₁ を各
突起１ｃ等の上端に吸着し、これによって、ウエハＷ₁
の平坦度を矯正する。このようにしてウエハチャックＥ
₁ に吸着されたウエハＷ₁ は、露光手段である図示しな
い光源からマスクを経て照射される露光光Ｌ₁ によって
マスクのパターンを転写、焼き付けされる。

【００２６】減圧吸着ライン４は、切換手段である切換
弁４１を介して本体１の貫通孔１ｄに交互に接続自在で
ある第１、第２のバッファタンク４２，４３と、各バッ
ファタンク４２，４３に可変絞り４２ａ，４３ａを介し
て接続されたヘリウムガス供給源４４と、各バッファタ
ンク４２，４３に可変絞り４２ｂ，４３ｂを介して接続
された真空ポンプ４５と、各バッファタンク４２，４３
に内蔵されたヘリウムガスの圧力を検出する圧力センサ
４２ｃ，４３ｃと、各圧力センサ４２ｃ，４３ｃの出力
に基づいて可変絞り４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂの
開度を制御するバッファタンク圧力コントローラ４６
と、本体１の凹所１ａの底部に配設された温度センサ４
７と、切換弁４１と第２のバッファタンク４３の間に設
けられた可変絞り４１ａの開度制御と切換弁４１の切り
換えを行なう切換弁コントローラ４８と、予め設定され
たウエハＷ₁ の目標温度を記憶するウエハ温度コントロ
ーラ４９を有する。

【００２７】第１のバッファタンク４２は、真空ポンプ
４５によって真空排気され、ヘリウムガス供給源４４か
ら供給されるヘリウムガスを所定の減圧状態で内蔵す
る。第１のバッファタンク４２が切換弁４１を経てウエ
ハチャックＥ₁ の本体１の凹所１ａに接続されると、直
ちに凹所１ａの雰囲気が第１のバッファタンク４２のヘ
リウムガスの圧力と同じになる。この圧力は、ウエハチ
ャックＥ₁ の周囲の雰囲気すなわちウエハチャックＥ₁
上のウエハＷ₁ の表面の雰囲気圧力との差によって、本
体１の外周リブ１ｂと各突起１ｃにウエハＷ₁ を安定し
て吸着保持できる程度に低く、しかも、内部配管２内を
流動する温調流体によって冷却される本体１とウエハＷ
₁ の間に、ヘリウムガスの対流等による放熱を確保でき
る値に設定される。

【００２８】例えば、ウエハチャックＥ₁ が１５０Ｔｏ
ｒｒのヘリウムガスを充填した露光室内に配設されてい
るとき、第１のバッファタンク４２から凹所１ａ内に充
填されるヘリウムガスの圧力が７５Ｔｏｒｒ程度であれ
ば、ウエハチャックＥ₁ が安定してウエハＷ₁ を吸着保
持し、しかも凹所１ａ内のガス（ヘリウムガス）の伝熱
によってウエハＷ₁ を充分に冷却できる状況を作り出す
ことができる。

【００２９】露光開始前のアライメント工程等において
は、このように例えば７５Ｔｏｒｒのヘリウムガスの減
圧雰囲気によってウエハチャック本体１とウエハＷ₁ の
間の伝熱を確保すれば、ウエハＷ₁ の温度を、内部配管
２を流動する温調流体の温度と同程度に制御することが
できる。ところが、露光中すなわち露光光Ｌ₁ がウエハ
Ｗ₁ に照射されるとウエハＷ₁ の温度が急上昇し、上記
のヘリウムガスによる放熱だけでは不充分となり、ウエ
ハＷ₁ に熱歪を発生する。例えば、露光光Ｌ₁が３００
０Ｗ／ｍ² の高エネルギーのＸ線であれば、図３の
（ａ）に示すように、約０．３秒間の露光中にウエハＷ
₁ の温度は０．５℃上昇する。この熱を速やかに除去し
なければ、ウエハＷ₁ の熱歪のために著しい転写ずれを
発生する。

【００３０】そこで、露光開始後に切換弁４１を切り換
えて、第２のバッファタンク４３を本体１の貫通孔１ｄ
に接続する。第２のバッファタンク４３は、真空ポンプ
４５によって真空排気され、ヘリウムガス供給源４４か
ら供給されるヘリウムガスを第１のバッファタンク４２
より低い減圧状態、例えば、７１．３Ｔｏｒｒで貯蔵す
る。

【００３１】切換弁４１の切り換えによって第２のバッ
ファタンク４３が接続されると、図３の（ｂ）に示すよ
うに、本体１の凹所１ａのヘリウムガスの圧力（ウエハ
Ｗ₁の背圧）が７５Ｔｏｒｒから７１．３Ｔｏｒｒに低
下し、断熱膨張によって凹所１ａ内のヘリウムガスの温
度が低下する。このときの温度低下によって露光中のウ
エハＷ₁ の昇温を相殺すれば、ウエハＷ₁ の熱歪を効果
的に防ぐことができる。

【００３２】本体１の凹所１ａのヘリウムガスの初期温
度Ｔ、気体定数Ｒ、定積比熱Ｃｖ、ヘリウムガスの圧力
Ｐとして、△Ｐの圧力変化に伴なう温度変化△Ｔが断熱
変化であると仮定すれば、以下の関係が成立する。

【００３３】 △Ｔ／Ｔ＝Ｒ／（Ｃｖ＋Ｒ）・△Ｐ／Ｐ・・・（１）ヘリウムガスは、Ｃｖ＝２．９０Ｋｊ／Ｋｇ・Ｋ，Ｒ＝
２．２９Ｋｊ／Ｋｇ・Ｋであるから、例えば、Ｔ＝２
３．０℃であれば、△Ｔ＝−０．５℃とするためには、
△Ｐ＝−３．７０Ｔｏｒｒと算出される。すなわち、ヘ
リウムガスの圧力を７５Ｔｏｒｒから７１．３Ｔｏｒｒ
に低下させれば、露光中のウエハＷ₁ の昇温分０．５℃
を相殺できる。

【００３４】理論上はこのように算出されるが、実際に
は、ウエハＷ₁ の温度が直ちに凹所１ａのヘリウムガス
の温度変化に追従することなく、かなりの遅れ等を避け
ることができない。そこで、温度センサ４７によって基
板Ｗ₁ の温度を計測して、切換弁コントローラ４８に導
入する。切換弁コントローラ４８は、ウエハ温度コント
ローラ４９に設定された目標温度と温度センサ４７の出
力を比較して、第２のバッファタンク４３と切換弁４１
の間の可変絞り４１ａを調節する。すなわち、可変絞り
４１ａを調節することで、図３の（ｃ）に示すように、
凹所１ａのヘリウムガスの圧力変化を実線で示す理論値
から破線で示すように変更する。

【００３５】このようにして、露光中のウエハＷ₁ の温
度を一定に保ち、熱歪による転写ずれを回避する。

【００３６】露光後は、切換弁４１を切り換えて、第１
のバッファタンク４２を接続し、凹所１ａ内のヘリウム
ガスを７５Ｔｏｒｒに保つ。

【００３７】なお、図２に示すように各突起１ｃの高さ
を１〜１００μｍ、幅を０．２ｍｍ、隣接する２つの突
起１ｃの間の距離をウエハＷ₁ の厚さと同じ１ｍｍとす
れば、ウエハＷ₁ とウエハチャックＥ₁ の接触面積をウ
エハＷ₁ の全面積の３％以下に縮少して、ゴミ等が挟ま
れる確率を充分に低くすることができる。

【００３８】ウエハチャックＥ₁ の内部配管２を流動す
る温調流体の温度は、例えば、２３±０．０１℃に制御
し、また、流速は、層流にならない範囲で最低流速に制
御するのが望ましい。これは、ウエハチャックＥ₁ の吸
着面の温度が不均一になるのを回避するとともに、温調
流体の流動によってウエハＷ₁ やウエハチャックＥ₁が
振動するのを防ぐためである。

【００３９】図４は、ウエハチャックＥ₁ を垂直に配設
した縦型の露光装置を示す。これは、光源７０から発生
される荷電粒子蓄積リング放射光等のＸ線Ｌ₁ を拡大ミ
ラー７１によって拡大したうえで露光室７２に導入し、
マスク７３を経てウエハチャックＥ₁ 上のウエハＷ₁ に
照射し、マスク７３のパターンを転写するものである。
なお、ウエハチャックＥ₁ は、微動ステージ７４ａと粗
動ステージ７４ｂを有するウエハステージ（ＸＹステー
ジ）７４に支持されている。

【００４０】図５は、第２実施例によるウエハチャック
Ｅ₂ を示すもので、これは、図示しないＸＹステージ上
に載置された保持盤である円盤状の本体２１と、その内
部に配設された温調用の内部配管２２に恒温水等の温調
流体を供給する温調流体供給源２３を有し、本体２１の
保持面である吸着面側には凹所２１ａが形成されてお
り、凹所２１ａを囲む外周リブ２１ｂと凹所２１ａの底
面に立設された複数の円柱状の突起２１ｃが基板である
図示しないウエハの裏面に当接されるいわゆるピンチャ
ック型のウエハチャックである。

【００４１】減圧吸着ライン２４によって本体２１の凹
所２１ａを減圧して、前記ウエハを各突起２１ｃ等の上
端に吸着し、これによって、ウエハの平坦度を矯正す
る。このようにしてウエハチャックＥ₂ に吸着されたウ
エハは、露光手段である図示しない光源からマスクを経
て照射される露光光によってマスクのパターンを転写、
焼き付けされる。

【００４２】減圧吸着ライン２４は、本体２１の中央に
配設された第１の貫通孔２４ａと、これに接続された真
空ポンプ２４ｂと、その真空圧を調節するための可変絞
り２４ｃからなる排気ラインと、本体２１を貫通して凹
所２１ａに開口する第２の貫通孔２４ｄと、流量調節手
段である可変絞り２４ｅを介して第２の貫通孔２４ｄに
接続されたヘリウムガス供給源２４ｆからなるヘリウム
ガス供給ラインを有する。

【００４３】真空ポンプ２４ｂによって本体２１の凹所
２１ａが真空引きされ、ヘリウムガス供給源２４ｆから
ヘリウムガスが可変絞り２４ｅと第２の貫通孔２４ｄを
経て凹所２１ａに供給される。凹所２１ａ内のガスの圧
力は圧力センサ２５によって検出され、減圧吸着ライン
２４のバルブコントローラ２６に導入される。バルブコ
ントローラ２６は、圧力センサ２５の出力に基づいて可
変絞り２４ｃ，２４ｅを調節し、凹所２１ａ内を所定の
減圧雰囲気に制御する。

【００４４】露光開始前は、ウエハ温度コントローラ２
９によってバルブコントローラ２６の目標値（凹所２１
ａのヘリウムガスの圧力）を例えば７５Ｔｏｒｒに設定
しておき、露光開始と同時に前記目標値を例えば７１．
３Ｔｏｒｒに変更する。これによって両可変絞り２４
ｃ，２４ｅの開度を変化させ、第１実施例と同様に凹所
２１ａのヘリウムガスの圧力を低下させると、ヘリウム
ガスの断熱膨張に伴なってその温度が低下し、ウエハの
昇温を防ぐことができる。

【００４５】あるいは、予め実験で求めたウエハの昇温
等のデータに基づいて可変絞り２４ｃ，２４ｅの開度の
調節量やタイミングを算出し、バルブコントローラ２６
に記憶させておいてもよい。

【００４６】なお、第１、第２実施例はいずれもピンチ
ャック型のウエハチャックであるが、円柱状の突起を本
体の凹所に多数配設する替わりに、外周リブの内側にこ
れと同軸の環状リブを所定数配設したものでもよい。

【００４７】次に上記説明した露光装置を利用したデバ
イスの製造方法の実施例を説明する。図６は微小デバイ
ス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフロ
ーを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイス
の回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を
用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを
用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回
路を形成する。次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。

【００４８】図７は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法
を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体
デバイスを製造することができる。

【００４９】

【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。

【００５０】ピンチャック型等のウエハチャックであっ
ても、露光中のウエハ等を効果的に冷却して熱歪を防ぐ
ことができる。すなわち、ウエハとウエハチャック等の
間にゴミ等が挟まれるトラブルと、ウエハ等の熱歪に起
因する転写ずれの双方を効果的に回避して、転写精度を
大幅に改善できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例の主要部を示す模式図である。

【図２】図１のウエハチャックを説明するもので、
（ａ）はウエハチャックを上方からみた平面図、（ｂ）
はウエハチャックの一部分を拡大して示す拡大部分立面
図である。

【図３】露光中のウエハの温度上昇とウエハの背圧制御
を示すグラフである。

【図４】露光装置全体を説明する図である。

【図５】第２実施例の主要部を示す模式図である。

【図６】半導体製造工程を示すフローチャートである。

【図７】ウエハプロセスを示すフローチャートである。

【図８】一従来例の主要部を示す模式部分断面図であ
る。

【図９】ウエハとウエハチャックの間にゴミが挟まれた
場合を説明する図である。

【図１０】別の従来例を示す模式部分断面図である。

【符号の説明】

１，２１本体１ａ，２１ａ凹所１ｂ，２１ｂ外周リブ１ｃ，２１ｃ突起３，２３温調流体供給源４，２４減圧吸着ライン２６バルブコントローラ４１切換弁４２，４３バッファタンク４７温度センサ４８切換弁コントローラ２９，４９ウエハ温度コントローラ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】空所を有する基板保持手段の基板保持面
に基板を保持し、該基板を露光する工程を有し、前記基
板保持手段の前記空所のガスの圧力を変化させること
で、前記基板の温度を調節することを特徴とする露光方
法。
【請求項２】基板保持手段の空所のガスの圧力を低下
させることで、基板を冷却することを特徴とする請求項
１記載の露光方法。
【請求項３】基板の表面の雰囲気と基板保持手段の空
所のガスの圧力差によって前記基板を前記基板保持手段
の基板保持面に吸着することを特徴とする請求項１また
は２記載の露光方法。
【請求項４】基板を露光する露光光がＸ線であること
を特徴とする請求項１ないし３いずれか１項記載の露光
方法。
【請求項５】基板保持面と空所を有する基板保持手段
と、該基板保持手段の前記基板保持面に保持された基板
を露光する露光手段と、切換手段を介して前記基板保持
手段の前記空所に交互に接続自在である複数のバッファ
タンクを有する露光装置。
【請求項６】複数のバッファタンクの替わりに、基板
保持手段の空所に供給されるガスの流量を変化させる流
量調節手段が設けられていることを特徴とする請求項５
記載の露光装置。
【請求項７】基板の温度を検出する温度センサが設け
られていることを特徴とする請求項５または６記載の露
光装置。
【請求項８】基板保持手段が、温調流体を流動させる
内部配管を備えていることを特徴とする請求項５ないし
７いずれか１項記載の露光装置。
【請求項９】基板を露光する露光光がＸ線であること
を特徴とする請求項５ないし８いずれか１項記載の露光
装置。
【請求項１０】基板保持手段が、ピンチャック型の基
板保持手段であることを特徴とする請求項５ないし９い
ずれか１項記載の露光装置。