JP6057672B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
可変成形型電子線描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
複数の図形パターンを有するチップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割されたメッシュ領域毎に当該チップに関するパラメータを定義したマップを作成するマップ作成部と、
チップのチップ中心、又は上述した領域の領域中心を軸にして当該チップのチップデータの反転と回転の少なくとも1つのデータ処理を行う場合に、マップのメッシュ領域毎に定義されたパラメータ同士をデータ処理後の図形パターンの位置に対応させて入れ替える入れ替え部と、
荷電粒子ビームを用いて、反転と回転の少なくとも1つのデータ処理が行われたチップ内の図形パターンを試料に描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
入れ替え部は、チップ位置がオフセットされた状態で、前記マップのメッシュ領域毎に定義されたパラメータ同士をデータ処理後の図形パターンの位置に対応させて入れ替えると好適である。
オフセット処理部は、データ処理前後のチップの原点位置同士間の差分が許容値を超える場合に、チップ位置をオフセットすると好適である。
複数の図形パターンを有するチップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割されたメッシュ領域毎に当該チップに関するパラメータを定義したマップを作成する工程と、
チップのチップ中心、又は上述した領域の領域中心を軸にして当該チップのチップデータの反転と回転の少なくとも1つのデータ処理を行う場合に、マップのメッシュ領域毎に定義されたパラメータ同士をデータ処理後の図形パターンの位置に対応させて入れ替える工程と、
荷電粒子ビームを用いて、反転と回転の少なくとも1つのデータ処理が行われたチップ内の図形パターンを試料に描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
(A1)実際にチップデータに対して、ミラー処理を実施する場合
データ処理時間=ミラー処理無のマップ作成時間a+チップデータをミラー処理する時間b+ミラー処理後のマップ作成時間a’で定義できる。
(B1)実施の形態1の場合
データ処理時間=ミラー処理無のマップ作成時間a+メッシュ値入れ替え時間cで定義できる。
(A2)実際にチップデータに対して、ミラー処理を実施する場合
データ処理時間=チップデータをミラー処理する時間b+ミラー処理後のマップ作成時間a’で定義できる。
(B2)実施の形態1の場合
データ処理時間=ミラー処理無のマップ作成時間a+メッシュ値入れ替え時間cで定義できる。
(1) Tes=α1・Ntotal+β1
ミラー処理自体がチップ中心Aで行う際、ショット数マップのデータ入れ替えをメッシュ中心Bで行う場合、実施の形態1で説明したように、ずれが生じる。実施の形態2では、かかるずれを補正する手法について説明する。実施の形態2における装置構成は図1と同様である。また、以下、特に説明する点以外の内容は実施の形態1と同様である。
32 面積密度演算部
40 ショット数マップ作成部
42,44 面積密度マップ作成部
46 最大ドーズ変調率マップ作成部
50 入れ替え部
52 オフセット処理部
54 判定部
56 描画時間予測部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110,120 制御計算機
112 メモリ
130 制御回路
140,142,144,146 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
510 チップ
512 セル
514 図形パターン
Claims (5)
- 複数の図形パターンを有するチップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割されたメッシュ領域毎に当該チップに関するパラメータを定義したマップを作成するマップ作成部と、
前記チップのチップ中心、又は前記領域の領域中心を軸にして当該チップのチップデータの反転と回転の少なくとも1つのデータ処理を行う場合に、前記マップのメッシュ領域毎に定義されたパラメータ同士を前記データ処理後の図形パターンの位置に対応させて入れ替える入れ替え部と、
荷電粒子ビームを用いて、前記反転と回転の少なくとも1つのデータ処理が行われたチップ内の図形パターンを試料に描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記パラメータとして、各メッシュ領域内を描画する際の荷電粒子ビームのショット数と、各メッシュ領域内のパターン面積密度と、ドーズ変調率毎の各メッシュ領域内のパターン面積密度と、各メッシュ領域内の最大ドーズ変調率と、のうちのいずれかが用いられることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記領域中心を軸にして当該チップのチップデータの反転と回転の少なくとも1つのデータ処理を行った場合に、前記チップ中心がデータ処理前の位置に対してずれないようにチップ位置をオフセットするオフセット処理部をさらに備え、
前記入れ替え部は、前記チップ位置がオフセットされた状態で、前記マップのメッシュ領域毎に定義されたパラメータ同士を前記データ処理後の図形パターンの位置に対応させて入れ替えることを特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記領域中心を軸にして当該チップのチップデータの反転と回転の少なくとも1つのデータ処理を行った場合に、データ処理前後の前記チップの原点位置同士間の差分が許容値内かどうかを判定する判定部をさらに備え、
前記オフセット処理部は、データ処理前後の前記チップの原点位置同士間の差分が許容値を超える場合に、前記チップ位置をオフセットすることを特徴とする請求項3記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 複数の図形パターンを有するチップを含む領域がメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割されたメッシュ領域毎に当該チップに関するパラメータを定義したマップを作成する工程と、
前記チップのチップ中心、又は前記領域の領域中心を軸にして当該チップのチップデータの反転と回転の少なくとも1つのデータ処理を行う場合に、前記マップのメッシュ領域毎に定義されたパラメータ同士を前記データ処理後の図形パターンの位置に対応させて入れ替える工程と、
荷電粒子ビームを用いて、前記反転と回転の少なくとも1つのデータ処理が行われたチップ内の図形パターンを試料に描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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