JP5527649B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
はじめに、半導体装置におけるメモリセル領域の構造について説明する。図1に示すように、メモリセル領域Mでは、複数のディジット線31が互いに間隔を隔てて一方向に延在するように形成され、複数のビット線41が互いに間隔を隔てて、一方向とほぼ直交する方向に延在するように形成されている。ディジット線31とビット線41とが交差する部分に、磁気抵抗素子51が配置されている。磁気抵抗素子の一端側はビット線41に接続され、他端側は素子選択用トランジスタ(図示せず)のドレイン領域に接続されている。
ここでは、エッチングによって、メモリセル領域に位置する層間絶縁膜の部分の表面の位置を、周辺領域に位置する層間絶縁膜の部分の表面の位置よりも低くする手法について説明する。
Claims (9)
- 半導体基板の主表面を電気的に分離する態様で区切られた第1領域および第2領域と、
前記第1領域および前記第2領域を覆うように、前記半導体基板上に形成された第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜のうち、前記第1領域に位置する第1部分の表面に接触するように形成された複数の引出し電極と、
複数の前記引出し電極のそれぞれに形成された複数の磁気抵抗素子と、
互いに隣接する複数の前記磁気抵抗素子の間の隙間を充填するように前記第1絶縁膜上に形成され、第1配線溝を有する第2絶縁膜と、
前記第1配線溝に形成され、複数の前記磁気抵抗素子のうち、所定の磁気抵抗素子と電気的に接続される第1配線と
を備え、
前記第1絶縁膜における前記第1部分の表面は、前記第1絶縁膜のうち前記第2領域に位置する第2部分の表面よりも低い位置にあり、
前記第1絶縁膜における前記第1部分の表面と前記第1絶縁膜における前記第2部分の表面とは、前記第1部分の表面から前記第2部分の表面にかけて漸近的に高くなり、なだらかに繋がっている、半導体装置。 - 前記第1絶縁膜における前記第1部分の厚さは、前記第1絶縁膜における前記第2部分の厚さよりも薄い、請求項1記載の半導体装置。
- ダイシングされた前記半導体基板の端面に露出する前記第1絶縁膜の部分の厚さは、前記第1絶縁膜における前記第1部分の厚さよりも厚い、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第2絶縁膜の表面は、前記磁気抵抗素子の上面よりも高い位置にあり、
前記第2絶縁膜には、前記磁気抵抗素子を露出する開口部が形成され、
前記開口部に、前記磁気抵抗素子と前記第1配線とを電気的に接続する第1導電体部が形成された、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記磁気抵抗素子および前記引出し電極の表面を覆う態様で、前記磁気抵抗素子および前記引出し電極と前記第2絶縁膜との間に第3絶縁膜が形成された、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記磁気抵抗素子は、前記第1配線と、前記磁気抵抗素子の下方に距離を隔てて形成された第2配線とにそれぞれ電流を流すことにより生じる磁場によって、スピンの向きが変えられる態様の磁気抵抗素子である、請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記磁気抵抗素子は、前記第1配線を介して前記磁気抵抗素子に流される電流によって、スピンの向きが変えられる態様の磁気抵抗素子である、請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置。
- 半導体基板の主表面を電気的に分離する態様で第1領域と第2領域とに区切る工程と、
前記第1領域および前記第2領域を覆うように、前記半導体基板上に第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜のうち、前記第1領域に位置する第1部分の表面を、前記第1絶縁膜のうち前記第2領域に位置する第2部分の表面よりも低い位置にする工程と、
前記第1絶縁膜における前記第1部分の表面に接触するように、複数の引出し電極を形成する工程と、
複数の前記引出し電極のそれぞれの表面に接触するように、複数の磁気抵抗素子を形成する工程と、
互いに隣接する複数の前記磁気抵抗素子の間の隙間を充填するように、前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜に、配線溝を形成する工程と、
前記配線溝に、複数の前記磁気抵抗素子のうち所定の磁気抵抗素子と電気的に接続される所定の配線を形成する工程と
を備え、
前記第1部分の表面を前記第2部分の表面よりも低い位置にする工程では、前記第1絶縁膜に研磨処理を施すことによって、前記第1部分の表面が前記第2部分の表面よりも低い位置にされる、半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の主表面を電気的に分離する態様で第1領域と第2領域とに区切る工程と、
前記第1領域および前記第2領域を覆うように、前記半導体基板上に第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜のうち、前記第1領域に位置する第1部分の表面を、前記第1絶縁膜のうち前記第2領域に位置する第2部分の表面よりも低い位置にする工程と、
前記第1絶縁膜における前記第1部分の表面に接触するように、複数の引出し電極を形成する工程と、
複数の前記引出し電極のそれぞれの表面に接触するように、複数の磁気抵抗素子を形成する工程と、
互いに隣接する複数の前記磁気抵抗素子の間の隙間を充填するように、前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜上にシリコン酸窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン酸窒化膜上に第3絶縁膜を形成する工程と、
前記第3絶縁膜および前記シリコン酸窒化膜に、配線溝を形成する工程と、
前記配線溝に、複数の前記磁気抵抗素子のうち所定の磁気抵抗素子と電気的に接続される所定の配線を形成する工程と
を備え、
前記第1部分の表面を前記第2部分の表面よりも低い位置にする工程では、前記第1絶縁膜に研磨処理を施すことによって、前記第1部分の表面が前記第2部分の表面よりも低い位置にされる、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009198181A JP5527649B2 (ja) | 2009-08-28 | 2009-08-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
US12/870,486 US8415756B2 (en) | 2009-08-28 | 2010-08-27 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009198181A JP5527649B2 (ja) | 2009-08-28 | 2009-08-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011049451A JP2011049451A (ja) | 2011-03-10 |
JP5527649B2 true JP5527649B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=43623587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009198181A Expired - Fee Related JP5527649B2 (ja) | 2009-08-28 | 2009-08-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8415756B2 (ja) |
JP (1) | JP5527649B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5115573B2 (ja) * | 2010-03-03 | 2013-01-09 | オムロン株式会社 | 接続用パッドの製造方法 |
US9007818B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-04-14 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, semiconductor device structures, systems including such cells, and methods of fabrication |
US9054030B2 (en) | 2012-06-19 | 2015-06-09 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, semiconductor device structures, memory systems, and methods of fabrication |
US8923038B2 (en) | 2012-06-19 | 2014-12-30 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, semiconductor device structures, memory systems, and methods of fabrication |
KR101927691B1 (ko) | 2012-08-06 | 2018-12-12 | 삼성전자 주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법 |
KR101919040B1 (ko) | 2012-08-13 | 2018-11-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기억 소자 |
US9379315B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-06-28 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, and memory systems |
CN108320769A (zh) | 2013-03-15 | 2018-07-24 | 英特尔公司 | 包括嵌入式磁性隧道结的逻辑芯片 |
US9368714B2 (en) | 2013-07-01 | 2016-06-14 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of operation and fabrication, semiconductor device structures, and memory systems |
US9466787B2 (en) | 2013-07-23 | 2016-10-11 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, memory systems, and electronic systems |
US9461242B2 (en) | 2013-09-13 | 2016-10-04 | Micron Technology, Inc. | Magnetic memory cells, methods of fabrication, semiconductor devices, memory systems, and electronic systems |
US9608197B2 (en) | 2013-09-18 | 2017-03-28 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices |
US10454024B2 (en) | 2014-02-28 | 2019-10-22 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of fabrication, and memory devices |
US9281466B2 (en) | 2014-04-09 | 2016-03-08 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication |
US9269888B2 (en) | 2014-04-18 | 2016-02-23 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices |
US9349945B2 (en) | 2014-10-16 | 2016-05-24 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, semiconductor devices, and methods of fabrication |
US9768377B2 (en) | 2014-12-02 | 2017-09-19 | Micron Technology, Inc. | Magnetic cell structures, and methods of fabrication |
US10439131B2 (en) | 2015-01-15 | 2019-10-08 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor devices including tunnel barrier materials |
KR102411678B1 (ko) * | 2015-07-28 | 2022-06-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 반도체 패키지 |
KR102613512B1 (ko) | 2017-01-19 | 2023-12-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 이를 포함하는 전자 시스템 |
JP6970076B2 (ja) * | 2018-11-16 | 2021-11-24 | 株式会社東芝 | 磁気記憶装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3135316B2 (ja) * | 1991-11-01 | 2001-02-13 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3271090B2 (ja) | 1992-12-01 | 2002-04-02 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製法 |
US5617451A (en) * | 1993-09-13 | 1997-04-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Direct-conversion receiver for digital-modulation signal with signal strength detection |
JP3532352B2 (ja) * | 1996-06-28 | 2004-05-31 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
JP2000188383A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-07-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法、半導体集積回路およびその製造方法 |
US6165803A (en) | 1999-05-17 | 2000-12-26 | Motorola, Inc. | Magnetic random access memory and fabricating method thereof |
US6211090B1 (en) * | 2000-03-21 | 2001-04-03 | Motorola, Inc. | Method of fabricating flux concentrating layer for use with magnetoresistive random access memories |
US6236590B1 (en) | 2000-07-21 | 2001-05-22 | Hewlett-Packard Company | Optimal write conductors layout for improved performance in MRAM |
JP2003163214A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4618989B2 (ja) * | 2003-02-18 | 2011-01-26 | 三菱電機株式会社 | 磁気記憶半導体装置 |
JP2004253584A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP5080102B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2012-11-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 磁気記憶装置の製造方法および磁気記憶装置 |
JP2011134976A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
-
2009
- 2009-08-28 JP JP2009198181A patent/JP5527649B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-08-27 US US12/870,486 patent/US8415756B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8415756B2 (en) | 2013-04-09 |
US20110049657A1 (en) | 2011-03-03 |
JP2011049451A (ja) | 2011-03-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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