JP5482279B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクター等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置は、基板上に、画素電極、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）を備え、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。このような電気光学装置では、互いに隣り合う画素電極間の隙間から光源光が漏れ出ることを防止するため、画素電極間の隔たりに遮光膜を形成して、非開口領域（即ち、画素毎に表示に寄与する光が出射しない領域）が形成されている。

しかしながら、光源光の一部は、電気光学装置内に形成された素子、配線等によって屈折、散乱又は反射されることにより、少なからず非開口領域から漏れ、表示画像のコントラスト比を低下させてしまう。このため、例えば特許文献１及び２では、位相差フィルム及び光学補償板を設けることによって、表示画像のコントラスト比を向上させる技術が開示されている。また特許文献３では、基板上の導電パターンの断面を逆テーパ状に形成することで、導電パターンの側壁での反射を防ぎ、表示画像のコントラスト比を向上させる技術が開示されている。

特開平１０−１０５１３号公報 特開２００８−２５６９５６号公報 特開２００９−３１３７３号公報

しかしながら、特許文献１及び２に開示された技術では、液晶パネルに位相差フィルム及び光学補償板を組み込む必要があり、装置の構成が複雑になってしまう。よって、製造方法が技術的に難しくなったり、製造コストの増大を招いてしまうそれがある。また、特許文献３に開示された技術では、基板上の導電性パターンの断面を逆テーパ状に形成する際に技術的な困難を伴う。具体的には、導電パターンを逆テーパ状に形成する際のエッチング角度を、非開口領域からの光漏れを最小に抑えるために最適な値に調整する必要があるが、この値は、個々の電気光学装置によって異なるため、その選定が技術的に難しい。また、導電パターンへのエッチングを逆テーパ状に行おうとすると、エッチング工程が複雑化してしまう。更に、逆テーパ状だと、その上に形成される膜の品質或いは付き回りにも悪影響を与えかねない。このように、上述の技術は、実践上の様々な不都合が生じてしまうという技術的問題点を有している。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、表示画像のコントラスト比を向上させることにより、高品位な画像表示が可能な電気光学装置及びそのような電気光学装置を用いた電子機器を提供することを課題とする。

本発明の一態様の電気光学装置は、画素電極と、前記画素電極が配列された画素領域に配置された導電層と、前記導電層を挟んで基板と対向するように配置される保護層と、前記導電層より光反射率の低い材料を含んでおり、前記導電層及び前記保護層を挟んで前記基板に対向するように配置される反射防止膜と、前記反射防止膜を挟んで前記基板に対向するように配置される絶縁膜と、前記絶縁膜から前記基板に向かう方向から見て、前記絶縁膜の前記導電層及び前記保護膜と重なる位置に形成されたコンタクトホールと、を含み、前記反射防止膜は、前記導電層の端面及び前記保護層の端面を少なくとも部分的に覆い、前記方向から見て、前記コンタクトホールは、データ線と重なることを特徴とする。
上記の本発明に係る電気光学装置は、画素電極と、前記画素電極が配列された画素領域に配置された導電層と、前記導電層を挟んで基板と対向するように配置される保護層と、前記導電層より光反射率の低い材料を含んでおり、前記導電層及び前記保護層を挟んで前記基板に対向するように配置される反射防止膜と、前記反射防止膜を挟んで前記基板に対向するように配置される絶縁膜と、前記絶縁膜から前記基板に向かう方向から見て、前記絶縁膜の前記導電層及び前記保護膜と重なる位置に形成されたコンタクトホールと、を含み、前記反射防止膜は、前記導電層の端面及び前記保護層の端面を少なくとも部分的に覆うことを特徴とする。
本発明の別の一態様の電気光学装置は、前記コンタクトホールに配置される電極をさらに含み、前記電極は前記反射防止膜又は前記保護層と電気的に接続されることを特徴とする。
本発明のさらに別の一態様の電気光学装置は、前記導電層の端面と前記保護層の端面とは連続していることを特徴とする。
上記の本発明に係る本発明の電気光学装置は、基板上に、画素毎に設けられた画素電極と、前記画素電極が配列された画素領域において、電気光学動作を行うための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、前記導電層の上層に形成された保護層と、前記導電層より光反射率の低い材料を含んでおり、前記導電層及び前記保護層の上層に形成されると共に、前記導電層及び前記保護層の端面を少なくとも部分的に覆う反射防止膜と、前記反射防止膜の上層に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜における前記導電層及び前記保護層と平面的に重なる位置に、前記反射防止膜又は前記保護層を露出させるように形成されたコンタクトホールとを備える。

本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、例えば基板上に形成されたデータ線から画素電極への画像信号の供給が制御され、所謂アクティブマトリクス方式による画像表示が可能となる。尚、画像信号は、例えば、データ線及び画素電極間に電気的に接続されたスイッチング素子であるトランジスタが走査線から供給される走査信号に応じてオンオフされることによって、所定のタイミングでデータ線からトランジスタを介して画素電極に供給される。画素電極は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる透明電極であり、データ線及び走査線の交差に対応して、基板上において表示領域となるべき領域にマトリクス状に複数設けられる。

走査線、データ線及びトランジスタは、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に設けられる。尚、ここでの「開口領域」とは、画素毎に表示に実際に寄与する光が出射する領域など、各画素において電気光学素子或いは電気光学物質による電気光学動作が実際に行なわれる領域をいう。また「非開口領域」は、画素毎の開口領域を互いに隔てる領域であり、画素毎に表示に寄与する光が出射しない領域など、各画素において電気光学素子或いは電気光学物質による電気光学動作が実際に行なわれない領域をいう。

本発明では、電気光学動作を行うための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層が、画素電極が配列された画素領域に形成されている。導電層は、例えばデータ線や走査線であってもよいし、画素電極の電圧保持特性を向上させるための付加容量を構成する一対の容量電極の一方として構成してもよい。導電層は、例えばＡｌ（アルミニウム）等の比較的導電性の高い材料を含んで形成される。

導電層の上層には、導電層を保護する保護層が形成される。保護層は、例えば導電性を有すると共に比較的酸化し難いＴｉＮ（チタンナイトライド）等を含んで構成されている。導電層及び保護層は、平面的に見て、少なくとも一部又は全部が非開口領域内に配置されている。尚、導電層及び保護層は、光を反射又は吸収する遮光膜から構成され、非開口領域を少なくとも部分的に又は冗長的に規定してもよい。

本発明では更に、上述した導電層及び保護層の上層に反射防止膜が形成されている。反射防止膜は、例えばＴｉＮやＷ（タングステン）等の導電層より光反射率の低い材料を含んでおり、導電層及び保護層の端面を少なくとも部分的に覆うように形成される。

ここで特に、導電層及び保護層の端面は、動作時に入射される光源光を反射してしまうことによって光漏れを生じ易い箇所である。よって、仮に何らの対策も講じないとすれば、光漏れに起因して表示画像のコントラストが低下し、画質の低下を引き起こしてしまうおそれがある。

しかるに本発明では特に、導電層及び保護層の端面を覆うように反射防止膜が形成されている。よって、導電層及び保護層の端面における光の反射が抑制され、光漏れの発生を低減させることができる。尚、反射防止膜は、導電層及び保護層の端面全てを覆うように形成されてもよいし、光漏れを生じ易い部分でのみ端面を覆うようしてもよい。

反射防止膜の上層には絶縁膜が形成され、絶縁膜における導電層及び保護層と平面的に重なる位置には、反射防止膜又は保護層を露出させるようにコンタクトホールが形成される。即ち、コンタクトホールは、絶縁膜を貫通して反射防止膜まで達するように、或いは絶縁膜及び反射防止膜を貫通して保護層にまで達するように設けられている。このコンタクトホールによれば、反射防止膜及び保護層を介して導電層との電気的接続を実現できる。

本発明では、導電層の上層に反射防止膜及び保護層が設けられているため、コンタクトホールを形成する際のマージンが確保できるため、より好適に装置を製造することができる。例えば、コンタクトホールを形成する際のエッチングに高い精度が求められなくなるので、より容易に導電層と他の層との電気的接続を実現できる。

以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、導電層を反射防止膜及び保護層で覆うことによって、装置の製造を容易なものとすることが可能である。更に、導電層及び保護層の端面を反射防止膜で覆うことによって、表示領域における光漏れの発生を抑制することができる。その結果、高いコントラスト比を有する高品位な画像表示を実現可能である。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記導電層及び前記保護層は同時にパターニングされることで、前記基板上で平面的に見て、互いに同じ領域に形成されている。

この態様によれば、導電層及び保護層は、夫々を構成する２つの膜が形成された後に同時にパターニングされることで、互いに同じ領域に形成される。尚、ここでの「同時」とは、導電層及び保護層が完全に同時にパターニングされることを意味するものではなく、導電層及び保護層が、同一の工程によってパターニングされることを意味している。具体的には、導電層の上層に保護層を形成した後に、導電層及び保護層がまとめてエッチングされる。

ここで仮に、導電層をパターニングした後に保護層をパターニングしたとすると（即ち、導電層及び保護層を夫々別々にパターニングしたとすると）、導電層と保護層との界面に酸化膜系の絶縁膜が形成され、この絶縁膜の存在に起因して導電層及び保護層の抵抗値が高くなってしまうおそれがある。

本態様では、導電層及び保護層を一緒にパターニングし、２つの層を互いに同じ領域に形成することにより、上述した高抵抗化を防止することができる。よって、表示画像の品質を更に向上させることが可能である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記導電層は、第１の方向に延びる第１部分及び前記第１の方向と交わる第２の方向に延びる第２部分を有し、前記反射防止膜は、前記第１部分及び前記第２部分が互いに交差する交差領域において前記導電層及び前記保護層の端面を覆うように形成されている。

この態様によれば、導電層には、第１の方向に延びる第１部分と第２の方向に延びる第２部分が有されている。第１部分と第２部分は、同層として形成されていてもよいし、例えば走査線及びデータ線のように、互いに異なる層として形成されていてもよい。

ここで特に、第１部分及び第２部分が互いに交差する交差領域は、端面における光の反射によって光漏れが発生し易い箇所である。よって、交差領域において導電層及び保護層の端面を反射防止膜で覆うようにすれば、極めて効率的に光漏れを抑制することができる。従って、好適に表示画像の品質を高めることが可能である。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備える。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパーなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。

実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ´線断面図である。 実施形態に係る電気光学装置における各種素子、配線等の等価回路図である。 実施形態に係る電気光学装置における交差領域の具体的な構成を示す平面図である。 図４のＡ−Ａ´線断面図である。 実施形態に係る導電層の製造工程を示す工程断面図である。 比較例に係る導電層の構成を示す断面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクターの構成を示す平面図である。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。

＜電気光学装置＞
本実施形態に係る電気光学装置の構成について、図１から図７を参照して説明する。尚、以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板や、シリコン基板等である。対向基板２０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。

ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素電極が設けられた画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により、相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。

ＴＦＴアレイ基板１０上における対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域には、両基板間を上下導通材で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。

画素電極９ａは、対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。

対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクター用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。

遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。また遮光膜２３上には、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルターが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。

尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、上述したデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

次に、本実施形態に係る電気光学装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートには、走査線３ａが電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。

液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。

ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に電気的に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカーの低減といった表示特性の向上が可能となる。

次に、本実施形態に係る電気光学装置に特有の層構造について、図４から図７を参照して説明する。ここに図４は、実施形態に係る電気光学装置における交差領域の具体的な構成を示す平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ´線断面図である。また図６は、実施形態に係る導電層の製造工程を示す工程断面図であり、図７は、比較例に係る導電層の構成を示す断面図である。尚、図４以降の図では、説明の便宜上、装置を構成する各層のうち本実施形態に関わりの深い層のみを図示し、その他の層については適宜図示を省略している。

図４において、本実施形態に係る電気光学装置は、データ線６ａ及びデータ線６ａと同層に形成された第３中継層９０と、第１中継層２００及び第１中継層２００と同層に形成された第２中継層４００とを備えて構成されている。データ線６ａ及び第３中継層９０、並びに第１中継層２００及び第２中継層４００は、夫々遮光性を有する材料を含んでおり、画素領域における非開口領域を規定している。

データ線６ａは、コンタクトホール８１を介して、下層側の第１中継層２００と電気的に接続されている。第１中継層２００は、コンタクトホール８２を介して、下層側の導電層（例えば、ＴＦＴ３０を構成する半導体層のソース領域）に電気的に接続されている。

第２中継層は、コンタクトホール８３を介して、下層側の導電層（例えば、ＴＦＴ３０を構成する半導体層のドレイン領域）に電気的に接続されている。また第２中継層は、コンタクトホール８４を介して、上層側の第３中継層９０と電気的に接続されている。第３中継層９０は、コンタクトホール８５を介して、上層側の導電層（例えば、画素電極）と電気的に接続されている。

ここで特に、第１中継層２００は、導電層２１０と、導電層２１０を上層側から覆うように形成された反射防止層２２０とを備えている。また、第１中継層２００と同層に形成された第２中継層４００も同様に、導電層４１０と、導電層４１０を上層側から覆うように形成された反射防止層４２０とを備えている。

図５において、導電層２１０は、第１の層２１１及び第１の層２１１の上層に積層された第２の層２１２から構成されている。第１の層２１１は、本発明の「導電層」の一例であり、例えばアルミニウム等の比較的導電性の高い材料を含んで構成されている。第２の層２１２は、本発明の「保護層」の一例であり、例えば導電性を有すると共に比較的酸化し難いＴｉＮ（チタンナイトライド）等を含んで構成されている。反射防止層２２０は、本発明の「反射防止膜」の一例であり、例えばＴｉＮやＷ（タングステン）等の導電層より光反射率の低い材料を含んでいる。反射防止層２２０は特に、第１の層２１１及び第２の層２１２の端面（即ち、縦方向に切り立った部分）を覆うように形成されている。

図５（ａ）において、データ線６ａは、反射防止層２２０より層間絶縁膜４０を介して上層に形成されており、層間絶縁膜４０を貫通するように形成されたコンタクトホール８１を介して、反射防止膜２２０と電気的に接続されている。或いは図５（ｂ）に示すように、データ線６ａは、層間絶縁膜４０及び反射防止層２２０を貫通するように形成されたコンタクトホール８１を介して、保護層２１２と電気的に接続されてもよい。

ここで特に、本願発明者の研究によれば、第１の層２１１及び第２の層２１２の端面は、動作時に入射される光源光を反射してしまうことによって光漏れを生じ易い箇所である。よって、仮に何らの対策も講じないとすれば、光漏れに起因して表示画像のコントラストが低下し、画質の低下を引き起こしてしまうおそれがある。

しかるに本実施形態に係る電気光学装置では特に、第１の層２１１及び第２の層２１２の端面を覆うように反射防止層２２０が形成されている。よって、第１の層２１１及び第２の層２１２の端面における光の反射が抑制され、光漏れの発生を低減させることができる。尚、本実施形態に係る反射防止層２２０は、第１の層２１１及び第２の層２１２の端面全てを覆うように形成されているが、光漏れを生じ易い部分でのみ端面を覆うように形成されてもよい。

図６において、第１の層２１１及び第２の層２１２は、夫々を構成する２つの膜が形成された後に一緒にパターニングされることで、互いに同じ領域に形成される。具体的には、第１の層２１１の上層に第２の層２１２を形成した後に、第１の層２１１及び第２の層２１２がまとめてエッチングされる。その後、第１の層２１１及び第２の層２１２の上層に反射防止層２２０が形成されることで、図５に示すような構成とされる。

図７に示すように、仮に第１の層２１１の上層に第２の層２１２が形成されていないとすると、アルミニウム等で構成された第１の層２１１と、チタンナイトライド等で構成された反射防止膜２２０との界面に酸化膜系の絶縁膜が形成され、第１中継層２００全体としての抵抗値が高くなってしまうおそれがある。

これに対し、本実施形態に係る電気光学装置は、図６で示すように第１の層２１１の上層に第２の層２１２が形成されるため、上述した酸化膜の形成を防止することができる。よって、酸化膜が形成されることに起因する高抵抗化を防止することができる。従って、表示画像の品質を更に向上させることが可能である。

また第２の層２１２は、上層側のコンタクトホール８１を形成する際の保護層としても機能する。具体的には、図５に示すように、コンタクトホール８１は、反射防止膜２２０又は第２の層２１２が露出するように形成されればよいため、形成する際のマージンが確保できる。即ち、コンタクトホール８１を形成する際のエッチングに高い精度が求められなくなる。

以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置によれば、第１の層２１１を第２の層２１２で覆うことによって、装置の製造を容易なものとすることが可能であると共に、高抵抗化を防止することができる。更に、第１の層２１１及び第２の層２１２の端面を反射防止膜で覆うことによって、表示領域における光漏れの発生を抑制することができる。その結果、高いコントラスト比を有する高品位な画像表示を実現可能である。

尚、本実施形態では、第１中継層２００（図４参照）を例にとり説明したが、同様に構成された第２中継層４００においても、上述した効果は得られる。また、第１中継層２００及び第２中継層４００以外の導電層（例えば、走査線３ａやデータ線６ａ）等を、同様の層構造とすることも可能である。

＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図８は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクターについて説明する。

図８に示されるように、プロジェクター１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルターを設ける必要はない。

尚、図８を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダー型、モニタ直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

３ａ…走査線、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、４０…層間絶縁膜、５０…液晶層、７０…蓄積容量、８１，８２，８３，８４，８５…コンタクトホール、９０…第３中継層、２００…第１中継層、２１０…導電層、２１１…第１の層、２１２…第２の層、２２０…反射防止層、４００…第２中継層、４１０…導電層、４２０…反射防止層

Claims (6)

1. 画素電極と、
   前記画素電極が配列された画素領域に配置された導電層と、
   前記導電層を挟んで基板と対向するように配置される保護層と、
   前記導電層より光反射率の低い材料を含んでおり、前記導電層及び前記保護層を挟んで前記基板に対向するように配置される反射防止膜と、
   前記反射防止膜を挟んで前記基板に対向するように配置される絶縁膜と、
   前記絶縁膜から前記基板に向かう方向から見て、前記絶縁膜の前記導電層及び前記保護膜と重なる位置に形成されたコンタクトホールと、
   を含み、
   前記反射防止膜は、前記導電層の端面及び前記保護層の端面を少なくとも部分的に覆い、
   前記方向から見て、前記コンタクトホールは、データ線と重なることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記コンタクトホールに配置される電極をさらに含み、
   前記電極は前記反射防止膜又は前記保護層と電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記導電層の端面と前記保護層の端面とは連続していることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記導電層及び前記保護層は同時にパターニングされることで、前記絶縁膜から前記基板に向かう方向から見て、互いに同じ領域に形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記導電層は、第１の方向に延びる第１部分及び前記第１の方向と交わる第２の方向に延びる第２部分を有し、
   前記反射防止膜は、前記第１部分及び前記第２部分が互いに交差する交差領域において前記導電層及び前記保護層の端面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。

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