JP5472557B1 - 複合電子部品及びそれを備える電子装置 - Google Patents

複合電子部品及びそれを備える電子装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5472557B1
JP5472557B1 JP2013552757A JP2013552757A JP5472557B1 JP 5472557 B1 JP5472557 B1 JP 5472557B1 JP 2013552757 A JP2013552757 A JP 2013552757A JP 2013552757 A JP2013552757 A JP 2013552757A JP 5472557 B1 JP5472557 B1 JP 5472557B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic component
substrate
main surface
pad electrode
composite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013552757A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2014017514A1 (ja
Inventor
基嗣 津田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2013552757A priority Critical patent/JP5472557B1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5472557B1 publication Critical patent/JP5472557B1/ja
Publication of JPWO2014017514A1 publication Critical patent/JPWO2014017514A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06517—Bump or bump-like direct electrical connections from device to substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06572—Auxiliary carrier between devices, the carrier having an electrical connection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

好適に実装し得る複合電子部品を提供する。
複合電子部品１は、基板１０と、第１の電子部品２０と、第２の電子部品３０と、支持部材１４とを備える。第１の電子部品２０は、基板１０の一主面１０ａ上に実装されている。第２の電子部品３０は、基板１０の他主面１０ｂ上に実装されている。支持部材１４は、基板１０と第２の電子部品３０との間に配されている。第１の電子部品２０は、平面視において基板１０よりも外形寸法が小さい。平面視において、第１の電子部品２０が実装されていない基板１０の一主面の領域の上に、第１の電子部品２０と電気的に接続されたパッド電極１２が設けられている。平面視において、支持部材１４がパッド電極１２と重なる位置に設けられている。

Description

本発明は、複合電子部品及びそれを備える電子装置に関する。
従来、基板の両主面上に電子部品が実装された複合電子部品が知られている（例えば特許文献１，２を参照）。このような複合電子部品を用いることにより、電子部品の実装面積を小さくし得る。
特開２００１−１８９４１７号公報 ＷＯ０１／０２１６１５５ Ａ１号公報
複合電子部品においては、電子部品と配線基板との接続は、基板上に設けられており、電子部品に電気的に接続されたパッド電極にワイヤやバンプを接続することにより電子部品を配線基板に電気的に接続する場合がある。
現在のところ、基板の一主面上に、電子部品が電気的に接続されたパッド電極が設けられている複合電子部品の好ましい構成については十分に検討されていない。
本発明の主な目的は、好適に実装し得る複合電子部品を提供することである。
本発明に係る複合電子部品は、基板と、第１の電子部品と、第２の電子部品と、支持部材とを備える。第１の電子部品は、基板の一主面上に実装されている。第２の電子部品は、基板の他主面上に実装されている。支持部材は、基板と第２の電子部品との間に配されている。第１の電子部品は、平面視において、基板よりも外形寸法が小さい。平面視において、第１の電子部品が実装されていない基板の一主面の領域の上に、第１の電子部品が電気的に接続されたパッド電極が設けられている。平面視において、支持部材がパッド電極と重なる位置に設けられている。
本発明に係る複合電子部品のある特定の局面では、支持部材は、第２の電子部品と基板とを電気的に接続している接続部材により構成されている。
本発明に係る電子装置は、上記複合電子部品と、複合電子部品が実装されたマザー基板と、パッド電極とマザー基板とを電気的に接続しており、パッド電極に超音波接合された配線部材とを備える。
本発明によれば、好適に実装し得る複合電子部品を提供することができる。
図１は、第１の実施形態における複合電子部品の略図的断面図である。 図２は、第１の実施形態における電子装置の略図的断面図である。 図３は、第２の実施形態における複合電子部品の略図的断面図である。 図４は、第３の実施形態における複合電子部品の略図的断面図である。 図５は、第４の実施形態における複合電子部品の略図的断面図である。
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態における複合電子部品の略図的断面図である。図１に示されるように、複合電子部品１は、配線基板１０を備えている。配線基板１０は、例えば、内部に配線が設けられた樹脂基板やセラミック基板により構成することができる。配線基板１０の第１の主面１０ａの上には、第１のパッド電極１１と、第２のパッド電極１２とが設けられている。
第１の主面１０ａの中央部の上には、第１の電子部品２０が実装されている。第１の電子部品２０は、バンプ１３により、第１のパッド電極１１に電気的に接続されている。平面視した場合、第1の主面１０ａ上の領域であって、第１の主面１０ａと第１の電子部品２０とが重なる領域に、第１のパッド電極１１が設けられている。第１のパッド電極１１は、第２のパッド電極１２に電気的に接続されている。このため、第２のパッド電極１２には、第１の電子部品２０が電気的に接続されている。(図示せず)
第１の電子部品２０の種類は、特に限定されない。第１の電子部品２０は、例えば、弾性表面波部品や弾性境界波部品などの弾性波部品であってもよい。弾性波部品は、弾性波共振子であってもよいし、弾性波フィルタ装置であってもよい。本実施形態では、第１の電子部品２０が、弾性表面波部品である例について説明する。第１の電子部品２０は、圧電基板２１と、圧電基板２１の配線基板１０側の主面２１ａの上に配されたＩＤＴ電極２２とを有する。なお、第１の電子部品２０の温度特性を補償することなどを目的として、主面２１ａの上に、ＩＤＴ電極２２を覆うように、酸化ケイ素膜等が設けられていてもよい。
第１の電子部品２０は、配線基板１０よりも小さい。すなわち、配線基板１０の面積の方が、第１の電子部品２０の面積よりも大きい。第１の主面１０ａの平面視において、配線基板１０の第１の主面１０ａの一部は、第１の電子部品２０から露出している。この配線基板１０の第１の主面１０ａの露出部の上に第２のパッド電極１２が配されている。すなわち、第１の主面１０ａの平面視において、第１の主面１０ａの第１の電子部品２０が実装されていない領域の上に第２のパッド電極１２が設けられている。図１では、第１の主面１０ａの周縁近くの第１の電子部品２０が実装されていない、第1の主面１０ａ上の領域に、第２のパッド電極１２が設けられている。
第２の主面１０ｂの上には、第２の電子部品３０が実装されている。第２の電子部品３０は、配線基板１０を介して第１の電子部品２０と対向している。第２の電子部品３０は、接続部材を構成しているバンプ１４により、第２の主面１０ｂ上に設けられた第３のパッド電極１５に電気的に接続されている。本実施形態では、この配線基板１０と第２の電子部品３０との間に設けられたバンプ１４は、第２の電子部品３０の支持部材を構成している。
第３のパッド電極１５は、配線基板１０を貫通するビアホール電極１６によって、第１の主面１０ａ上に設けられた第２のパッド電極１２に電気的に接続されている。このため、第２のパッド電極１２には、第１の電子部品２０が電気的に接続されていると共に、第２の電子部品３０も電気的に接続されている。
第２の電子部品３０の種類は、特に限定されない。第２の電子部品３０は、例えば、弾性表面波部品や弾性境界波部品などの弾性波部品であってもよい。弾性波部品は、弾性波共振子であってもよいし、弾性波フィルタ装置であってもよい。本実施形態では、第２の電子部品３０が、弾性表面波部品である例について説明する。第２の電子部品３０は、圧電基板３１と、圧電基板３１の配線基板１０側の主面３１ａの上に配されたＩＤＴ電極３２とを有する。なお、第２の電子部品３０の温度特性を補償することなどを目的として、主面３１ａの上に、ＩＤＴ電極３２を覆うように、酸化ケイ素膜等が設けられていてもよい。
第２の電子部品３０の外形寸法は、第１の電子部品２０の外形寸法よりも大きい。すなわち、第２の電子部品３０の面積の方が、第１の電子部品２０の面積よりも大きい。第２の電子部品３０は、第１の電子部品２０が設けられた領域と第２のパッド電極１２が設けられた領域とに跨がって設けられている。第１の主面１０ａ側から平面視した場合、支持部材を構成しているバンプ１４は、第２のパッド電極１２と重なるように設けられている。一つの実施形態として、配線基板１０と第２の電子部品３０とが同じ面積であり、かつ平面視において、配線基板１０と第２の電子部品３０とが完全に重なっている。
図２は、複合電子部品１を搭載した電子装置２の略図的断面図である。電子装置２は、マザー基板４０を備えている。このマザー基板４０の主面４０ａの上に、複合電子部品１が実装されている。複合電子部品１の第２の電子部品３０の圧電基板３１のＩＤＴ電極３２とは反対側の主面３１ｂは、接着剤の硬化物を含む接着層４１によってマザー基板４０に接着されている。マザー基板４０の主面４０ａの上には、パッド電極４３が設けられている。パッド電極４３と第２のパッド電極１２とは、ワイヤ４２などの配線部材により電気的に接続されている。ワイヤ４２は、パッド電極４３，１２に超音波接合されている。なお、配線部材として、バンプを用いてもよい。
主面４０ａの上には、複合電子部品１を封止するための封止部材４４が設けられている。
以上説明したように、複合電子部品１では、第１の電子部品２０と第２の電子部品３０とが配線基板１０を介して対向するように設けられている。このため、例えば、第１の電子部品２０と第２の電子部品３０とを別個にマザー基板４０に実装する場合よりも、第１及び第２の電子部品２０，３０の実装面積を小さくすることができる。
支持部材を構成しているバンプ１４が、第１の主面１０ａ側から平面視した場合、第２のパッド電極１２と重なるように設けられている。このため、超音波接合法などによりワイヤ４２などの配線部材をバンプ１４に接合するとき、配線基板１０に応力が加わった際には、バンプ１４を介して応力がマザー基板４０側に伝わり、配線基板１０に大きな応力が加わり難い。よって、配線基板１０の損傷を抑制することができる。また、配線基板１０に求められる剛性が低くなるため、配線基板１０を薄くすることができる。さらに、ワイヤ４２を超音波接合する際に超音波が減衰しにくく、ワイヤ４２の接合強度を高めることができる。また、バンプ１４と第1の電子部品２０との距離を離すことができるため、バンプ１４から第1の電子部品２０に伝わる応力を小さくできる。よって、第1の電子部品２０の損傷を抑制することができる。
なお、配線基板１０の熱膨張係数は、電子部品２０，３０を構成している圧電基板２１，３１の熱膨張係数と近似していることが好ましい。
複合電子部品１は、例えば、複数の配線基板１０を構成するためのマザー基板４０の上に、複数の電子部品２０，３０を実装し、その後マザー基板４０を複数に分断することにより作製してもよい。
配線基板１０の上に、第１及び第２の電子部品２０，３０以外の電子部品がさらに実装されていてもよい。また、第1の電子部品２０は、第1の主面１０ａの中央部に必ずしも実装されていなくともよい。具体的には、第１の主面１０ａ側から平面視した場合、第1の電子部品２０が第１の主面１０ａの一部と重ならない領域を有すればよい。好ましくは、第１の主面１０ａと平行に延びるある方向において、第1の電子部品２０の両端に、第1の電子部品２０が第１の主面１０ａの一部と重ならない２つの領域が設けられていることが望ましい。さらに好ましくは、この重ならない２つの領域に第２のパッド電極及び支持部材が設けられていることが望ましい。この場合には、第２のパッド電極及び支持部材に力が加わったとしても、基板に加わる力が分散される。
以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
（第２の実施形態）
図３は、第２の実施形態における複合電子部品１ａの略図的断面図である。第１の実施形態における複合電子部品１では、配線基板１０の上に、第１及び第２の電子部品２０，３０が実装されている。それに対して、本実施形態に係る複合電子部品１ａでは、第１及び第２の電子部品２０，３０は、第３の電子部品５０に実装されている。すなわち、本発明において、基板は、電子部品により構成されていてもよい。
第３の電子部品５０は、圧電基板５１を備えている。圧電基板５１の主面５１ａ、５１ｂのそれぞれの上には、ＩＤＴ電極５２，５３が設けられている。
（第３の実施形態）
図４は、第３の実施形態における複合電子部品１ｂの略図的断面図である。第１の実施形態に係る複合電子部品１では、バンプ１４が支持部材を兼ねているのに対して、本実施形態の複合電子部品１ｂでは、樹脂などからなる絶縁性の支持部材１７が設けられている。この場合であっても、第１の実施形態と同様の効果が奏される。また、支持部材１７を第２の電子部品３０の全周にわたって設けることにより、例えば、ＩＤＴ電極３２を封止することもできる。図４では、絶縁性の支持部材１７の内部にビアホール電極１６が配置されている。ビアホール電極１６に加わる荷重を支持部材１７の剛性によって分散できる。
（第４の実施形態）
図５は、第４の実施形態における複合電子部品の略図的断面図である。図５に示されるように、第１及び第２の電子部品２０，３０の少なくとも一方が、配線基板１０に複数実装されていてもよい。
１、１ａ、１ｂ…複合電子部品
２…電子装置
１０…配線基板
１０ａ…第１の主面
１０ｂ…第２の主面
１１…第１のパッド電極
１２…第２のパッド電極
１３、１４…バンプ
１５…第３のパッド電極
１６…ビアホール電極
１７…支持部材
２０…第１の電子部品
３０…第２の電子部品
２１，３１…圧電基板
２２，３２…ＩＤＴ電極
４０…マザー基板
４０ａ…主面
４１…接着層
４２…ワイヤ
４３…パッド電極
４４…封止部材
５０…第３の電子部品
５１…圧電基板
５２，５３…ＩＤＴ電極

Claims (3)

  1. 基板と、
    前記基板の一主面上に実装された第１の電子部品と、
    前記基板の他主面上に実装された第２の電子部品と、
    前記基板と前記第２の電子部品との間に配された支持部材と、
    を備え、
    平面視において、前記第１の電子部品は、前記基板よりも外形寸法が小さく、
    平面視において、前記第１の電子部品が実装されていない前記基板の一主面の領域の上に、前記第１の電子部品と電気的に接続されたパッド電極が設けられており、
    平面視において、前記支持部材が前記パッド電極と重なる位置に設けられている、複合電子部品。
  2. 前記支持部材は、前記第２の電子部品と前記基板とを電気的に接続している接続部材により構成されている、請求項１に記載の複合電子部品。
  3. 請求項１または２に記載の複合電子部品と、
    前記複合電子部品が実装されたマザー基板と、
    前記パッド電極と前記マザー基板とを電気的に接続しており、前記パッド電極に超音波接合された配線部材と、
    を備える、電子装置。
JP2013552757A 2012-07-26 2013-07-24 複合電子部品及びそれを備える電子装置 Active JP5472557B1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013552757A JP5472557B1 (ja) 2012-07-26 2013-07-24 複合電子部品及びそれを備える電子装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012165377 2012-07-26
JP2012165377 2012-07-26
PCT/JP2013/070003 WO2014017514A1 (ja) 2012-07-26 2013-07-24 複合電子部品及びそれを備える電子装置
JP2013552757A JP5472557B1 (ja) 2012-07-26 2013-07-24 複合電子部品及びそれを備える電子装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5472557B1 true JP5472557B1 (ja) 2014-04-16
JPWO2014017514A1 JPWO2014017514A1 (ja) 2016-07-11

Family

ID=49997323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013552757A Active JP5472557B1 (ja) 2012-07-26 2013-07-24 複合電子部品及びそれを備える電子装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5472557B1 (ja)
WO (1) WO2014017514A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6509147B2 (ja) * 2016-02-29 2019-05-08 太陽誘電株式会社 電子デバイス
JP6315716B2 (ja) 2016-03-17 2018-04-25 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
JP6454299B2 (ja) * 2016-05-13 2019-01-16 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
US10944379B2 (en) * 2016-12-14 2021-03-09 Qualcomm Incorporated Hybrid passive-on-glass (POG) acoustic filter
WO2019146284A1 (ja) 2018-01-25 2019-08-01 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000236230A (ja) * 1999-02-12 2000-08-29 Kyocera Corp 弾性表面波フィルタ
JP2001196529A (ja) * 2000-01-17 2001-07-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその配線方法
JP2002151644A (ja) * 2000-09-04 2002-05-24 Fujitsu Ltd 積層型半導体装置及びその製造方法
JP2006186747A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Nec Corp 弾性波デバイスおよび携帯電話
JP2007060465A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Seiko Epson Corp 薄膜弾性表面波デバイス
JP2008546207A (ja) * 2005-06-07 2008-12-18 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 電気的素子および製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000236230A (ja) * 1999-02-12 2000-08-29 Kyocera Corp 弾性表面波フィルタ
JP2001196529A (ja) * 2000-01-17 2001-07-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその配線方法
JP2002151644A (ja) * 2000-09-04 2002-05-24 Fujitsu Ltd 積層型半導体装置及びその製造方法
JP2006186747A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Nec Corp 弾性波デバイスおよび携帯電話
JP2008546207A (ja) * 2005-06-07 2008-12-18 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 電気的素子および製造方法
JP2007060465A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Seiko Epson Corp 薄膜弾性表面波デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014017514A1 (ja) 2014-01-30
JPWO2014017514A1 (ja) 2016-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5472557B1 (ja) 複合電子部品及びそれを備える電子装置
JP6242597B2 (ja) 弾性波デバイス及びその製造方法
JP4645233B2 (ja) 弾性表面波装置
JP6683255B2 (ja) 弾性波装置及び電子部品
US20140339956A1 (en) Electronic component and electronic component module
TWI481020B (zh) Electronic component module manufacturing method and electronic component module
JP6315650B2 (ja) 電子デバイス
JP2012004166A (ja) 配線基板、配線基板組立体及び半導体装置
JP4811232B2 (ja) 電子部品パッケージ
JP6368091B2 (ja) モジュール
JP5827845B2 (ja) 弾性表面波装置およびその製造方法
WO2018105201A1 (ja) 複合部品及びその実装構造
JP6590843B2 (ja) 弾性波デバイス
JP2014049816A (ja) 電子部品及びその製造方法
JP2013225749A (ja) 圧電デバイス及びモジュール部品
JP5782129B2 (ja) 電子装置
WO2016042972A1 (ja) 電子部品及び樹脂モールド型電子部品装置
JP6544153B2 (ja) 電子部品素子及び電子部品
JP7072394B2 (ja) 弾性波装置、分波器および通信装置
WO2018079485A1 (ja) 弾性波装置
JP6052870B2 (ja) 電子部品用パッケージ
JP5467375B2 (ja) 弾性表面波デバイス
JP2017046330A (ja) 弾性波素子および弾性波装置
JP2006237324A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP5805497B2 (ja) 電子部品の実装構造体

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140120

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5472557

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150