WO2016042972A1 - 電子部品及び樹脂モールド型電子部品装置 - Google Patents

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比良　光善
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to an electronic component having a hollow portion and a resin mold type electronic component device in which the electronic component is resin molded.
  • Patent Document 1 discloses a package structure of a surface acoustic wave device having a hollow portion.
  • an IDT electrode is formed on a substrate.
  • a support layer is formed on the substrate so as to form a hollow portion facing the IDT electrode, and a top plate member is provided so as to cover the opening of the support layer.
  • a barrier layer made of an inorganic material or metal is provided on the lower surface of the top plate member.
  • the barrier layer is formed in order to prevent the package from being swollen or broken due to the generation of gas from the resin constituting the top plate member.
  • the top plate member or the like may be bent by the heat and pressure of the mold resin. As a result, there is a risk of contact with the IDT electrode and the like, and the electrical characteristics and reliability of the electronic component may be reduced.
  • An object of the present invention is to provide an electronic component and a resin mold type electronic component device having the electronic component, which are unlikely to deteriorate due to deformation of a cover member.
  • An electronic component according to the present invention is provided on a substrate, a functional electrode that is provided on the substrate, forms a part of the electronic element, and a hollow portion on which the functional electrode faces.
  • a resin support layer portion comprising a support layer provided so as to surround the functional electrode portion, and a cover member laminated on the support layer so as to seal an opening of the support layer, wherein the support layer is made of resin.
  • a reinforcing metal layer laminated on the resin support layer portion, and the thickness of the reinforcing metal layer is thicker than that of the resin support layer portion, and the reinforcing metal layer is opposed across the opening. It is provided on at least one of the one side and the other side.
  • the reinforcing metal layer is provided on both one side and the other side facing each other across the opening. In this case, it is reinforced by the reinforcing metal layer on both sides of the opening. Therefore, the cover member is less likely to be deformed.
  • both sides of the opening are both sides of the maximum dimension of the opening.
  • the reinforcing metal layers are provided on both sides of the maximum dimension in which the cover member is most likely to be deformed. Therefore, the deformation of the cover member can be more effectively suppressed.
  • the electronic component further includes a wiring electrode electrically connected to the functional electrode on the substrate, and a part of the wiring electrode is the reinforcing metal layer.
  • the reinforcing metal layer can be formed using the wiring electrode.
  • the electronic component further includes a wiring electrode electrically connected to the functional electrode on the substrate, and the reinforcing metal layer is provided separately from the wiring electrode.
  • the reinforcing metal layer can be arranged at an optimum position without depending on the wiring electrode.
  • the substrate is a piezoelectric substrate.
  • the functional electrode is an excitation electrode provided on the piezoelectric substrate so as to excite an acoustic wave.
  • the excitation electrode has an IDT electrode that constitutes a part of the resonator, and an elastic wave resonator is formed.
  • At least one of both sides of the IDT electrode in the elastic wave propagation direction is at least one of both sides of the opening. In this case, the contact of the cover member to the IDT electrode can be effectively suppressed.
  • an inner edge of the reinforcing metal layer located on the opening side of the reinforcing metal layer is more than an inner edge of the resin support layer portion. Located inside. In this case, contact of the cover member with the functional electrode can be more effectively suppressed.
  • a resin mold type electronic component device includes a case substrate, an electronic component mounted on the case substrate and configured according to the present invention, and a mold provided to seal the electronic component. And a resin layer.
  • the reinforcing metal layer is thicker than the resin supporting layer portion, the supporting layer is reinforced by the reinforcing metal layer, and thereby deformation of the cover member is effectively suppressed. Accordingly, even when a mold resin layer is further provided in the electronic component of the present invention, deformation of the cover member due to heat and pressure when forming the mold resin layer is effectively suppressed. Therefore, it is possible to provide a resin mold type electronic component device in which deformation of the cover member hardly occurs.
  • FIGS. 1A and 1B are a front sectional view of an electronic component according to a first embodiment of the present invention and a schematic bottom view showing a structure on a piezoelectric substrate from which a cover member has been removed.
  • FIG. 2 is a front sectional view of the resin mold type electronic component device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of an electronic component according to a modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A is a front sectional view of an electronic component according to the first embodiment of the present invention.
  • the electronic component 1 is an electronic component having a hollow portion that is a space that enables excitation of acoustic waves.
  • the surface acoustic wave device includes at least one acoustic wave resonator.
  • the electronic component according to the present invention is not limited to a surface acoustic wave device.
  • a bulk acoustic wave (BAW) device may be used.
  • the electronic component 1 has a piezoelectric substrate 2 as a substrate.
  • the piezoelectric substrate 2 is made of LiTaO 3 , LiNbO 3 or an appropriate piezoelectric ceramic.
  • the piezoelectric substrate 2 has a first main surface 2a and a second main surface 2b. In FIG. 1A, the first main surface 2a is located on the lower surface side.
  • a functional electrode constituting a part of an electronic element such as a resonator is provided on the first main surface 2a.
  • This functional electrode is an excitation electrode for exciting an elastic wave, and an IDT electrode 3 is formed on the first main surface 2a.
  • An acoustic wave resonator including an IDT electrode 3 provided on the first main surface 2a of the piezoelectric substrate 2 is configured and functions as an electronic element.
  • the IDT electrode 3 is made of an appropriate metal such as Al, Au, Ag, W, or Cu.
  • the IDT electrode 3 may be made of a single metal film or a laminated metal film.
  • the IDT electrode 3 constituting the functional electrode unit excites surface acoustic waves. Therefore, the IDT electrode 3 is formed so as to face the hollow portion 4 so as not to disturb the excitation of the surface acoustic wave. More specifically, the support layer 5 is formed so as to surround the IDT electrode 3.
  • the support layer 5 includes a resin support layer portion 5a and a reinforcing metal layer 5b.
  • the reinforcing metal layer 5b is thicker than the resin support layer portion 5a.
  • the resin support layer 5a is made of an appropriate resin such as polyimide or a cured epoxy resin.
  • the reinforcing metal layer 5b is made of an appropriate metal.
  • the first layer wiring electrode 6 is formed on the first main surface 2a of the piezoelectric substrate 2, and the first layer wiring electrode 6 has the above-described structure.
  • a support layer 5 is provided.
  • the first layer wiring electrode 6 is made of an appropriate metal.
  • the first layer wiring electrode 6 is preferably made of the same material as the IDT electrode 3.
  • a cover member 7 is provided so as to cover the opening below the support layer 5.
  • the cover member 7 is made of an appropriate synthetic resin or ceramic.
  • the cover member 7 is made of a synthetic resin because it is inexpensive and easy to manufacture.
  • the cover member 7 is preferably made of a synthetic resin. Examples of such a synthetic resin include appropriate resins such as polyimide and epoxy resin.
  • the number of layers of the cover member 7 may be a single layer or a plurality of layers.
  • a via-hole conductor 8 is provided so as to penetrate the cover member 7.
  • the via-hole conductor 8 is made of an appropriate metal or alloy such as Au or Ag.
  • a bump 9 is provided so as to be electrically connected to the lower end of the via-hole conductor 8.
  • the bump 9 is made of an appropriate metal such as solder or Au.
  • FIG. 1B is a schematic bottom view showing the structure on the first main surface 2a of the piezoelectric substrate 2 shown with the cover member 7 removed.
  • the through-hole of the part by which the via-hole conductor 8 is provided in the support layer 5 is shown as a continuous line.
  • the one-dot chain circle around the solid circle indicating the through hole indicates a portion where the bump 9 (see FIG. 1A) is finally provided.
  • a plurality of surface acoustic wave resonators having IDT electrodes are formed on the piezoelectric substrate 2. More specifically, the series arm resonators S1 and S2 and the parallel arm resonators P1 and P2 are configured to configure a ladder circuit.
  • each resonator component is indicated by a schematic symbol in which X is surrounded by a square.
  • a portion surrounded by a square is a portion in which an IDT electrode and reflectors disposed on both sides of the surface acoustic wave propagation direction of the IDT electrode are provided, whereby a 1-port surface acoustic wave resonator is provided. Is configured.
  • a portion where the series arm resonators S1 and S2 and the parallel arm resonators P1 and P2 are configured is a hollow portion 4. Therefore, in this embodiment, one hollow part 4 is provided.
  • the first layer wiring electrode 6 (FIG. 1) is formed of the same conductive film as that of the series arm resonators S1 and S2 and the parallel arm resonators P1 and P2. (See (a)) is formed.
  • a second layer wiring electrode 11 is formed on the first layer wiring electrode 6. It should be pointed out that the lower first layer wiring electrode 6 is not shown in FIG.
  • the reinforcing metal layer 5 b is formed of the same metal film as the second layer wiring electrode 11.
  • the reinforcing metal layer 5b has a structure in which the same metal film as that of the second layer wiring electrode is laminated on the same conductive film as that of the first layer wiring electrode.
  • the reinforcing metal layer 5b is not electrically connected to the series arm resonators S1, S2 and the parallel arm resonators P1, P2.
  • the support layer 5 shown in FIG. 1A is formed so as to surround a region where the series arm resonators S1 and S2 and the parallel arm resonators P1 and P2 are provided.
  • the inner peripheral edge of the support layer 5 is indicated by a solid line A. Accordingly, the support layer 5 is provided so as to surround the portion where the series arm resonators S1 and S2 and the parallel arm resonators P1 and P2 are formed.
  • FIG. 1A is a cross section corresponding to a portion along the line BB in FIG.
  • the support layer 5 having the reinforcing metal layer 5b is located on one side of the series arm resonator S2 in the surface acoustic wave propagation direction.
  • the second layer wiring electrode 11 is laminated on the resin support layer portion 5a.
  • the second-layer wiring electrode also serves as a reinforcing metal layer.
  • the reinforcing metal layer 5b is thicker than the resin support layer portion 5a.
  • the second layer wiring electrode 11 is also thicker than the resin support layer portion 5a and formed with high rigidity. Therefore, in the series arm resonator S2, the second layer wiring also serving as the relatively thick reinforcing metal layer 5b and the reinforcing metal layer on either one side or the other side of the surface acoustic wave propagation direction of the IDT electrode 3
  • the support layer 5 is reinforced by the electrode 11. Therefore, the deformation of the cover member 7 is effectively suppressed.
  • the reinforcing metal layer 5b or the second layer wiring electrode 11 that also serves as the reinforcing metal layer 5b is provided on both sides in the surface acoustic wave propagation direction. It may be provided on the side.
  • the deformation of the cover member 7 can be more effectively suppressed by providing a relatively thick reinforcing metal layer on both sides of the surface acoustic wave propagation direction as in the present embodiment.
  • the deformation of the cover member can be more effectively suppressed. This will be described with reference to FIG.
  • FIG. 2 is a front sectional view showing a resin mold type electronic component device 21 having the electronic component 1 of the first embodiment.
  • the resin mold type electronic component device 21 has a case substrate 22. On the case substrate 22, the electronic component 1 of the above-described embodiment is mounted. And the resin mold layer 23 is provided so that the circumference
  • the resin mold layer 23 is made of a synthetic resin. In providing the resin mold layer 23, the case substrate 22 on which the electronic component 1 is mounted is placed in a mold.
  • a mold resin is injected and cured to form a resin mold layer 23.
  • the resin in a molten state is injected, a large external force is applied to the cover member 7 as described above. And the cover member 7 tends to deform
  • the thickness of the reinforcing metal layer 5b is relatively thick, or the thickness of the second layer wiring electrode 11 that also serves as the reinforcing metal layer is relatively thick. Therefore, the cover member 7 is supported with sufficient strength. Therefore, the deformation of the cover member 7 is effectively suppressed.
  • the end of the reinforcing metal layer 5b on the hollow part side that is, the inner edge
  • the end of the reinforcing metal layer 5b on the hollow part side is located on the inner side of the inner edge of the resin support layer 5a.
  • the both sides of the series arm resonator S2 have been described.
  • the second layer wiring electrode is stacked on the first layer wiring electrode. Accordingly, since the second-layer wiring electrode serving also as the reinforcing metal layer is sufficiently thick, the support strength of the cover member 7 can be increased similarly to the portion where the series arm resonator S2 is formed. Can be suppressed.
  • the reinforcing metal layer or the second layer wiring electrode serving as the reinforcing metal layer is not formed on both sides of the surface acoustic wave propagation direction.
  • the second-layer wiring electrodes are formed on both sides of the direction orthogonal to the surface acoustic wave propagation direction, and therefore deformation of the cover member 7 is suppressed in this direction.
  • the series arm resonator S1 and the parallel arm resonator P2 are located outside the series arm resonator S2 and the parallel arm resonator P1 in the electronic component 1.
  • the cover member 7 is greatly deformed on the center side when viewed in plan. Therefore, in the series arm resonator S1, even if the reinforcing metal layer and the second layer wiring electrode corresponding to the reinforcing metal layer are not formed on both sides of the surface acoustic wave propagation direction, there is no significant influence.
  • the reinforcing metal layer or the second layer wiring electrode corresponding to the reinforcing metal layer is located on both sides of the surface acoustic wave propagation direction. More preferably, in all the surface acoustic wave resonator constituent parts, it is desirable that the second layer wiring electrode corresponding to the reinforcing metal layer or the reinforcing metal layer is located on both sides of the surface acoustic wave propagation direction.
  • the electronic component 1 applied to the surface acoustic wave device has been described.
  • the present invention is not limited to the surface acoustic wave device. Therefore, the present invention can be applied to various electronic components in which a functional electrode requiring the hollow portion 4 is provided on the substrate.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing the structure on the piezoelectric substrate of the electronic component according to the modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 shows a state where the cover member is removed. Therefore, it is pointed out that the hollow portions 4A and 4B are not shown in a state of being sealed by the cover member 7.
  • a first resonator 38 a is formed on the first main surface 2 a of the piezoelectric substrate 2.
  • a second resonator 38b is configured.
  • the first and second resonators 38a and 38b have an IDT electrode and reflectors disposed on both sides of the IDT electrode in the surface acoustic wave propagation direction, as in the first embodiment.
  • a plurality of hollow portions may be provided.
  • the hollow portion 4B having the largest opening area it is desirable to provide a support layer having the reinforcing metal layer 5b on at least one of one side and the other side of the opposed inner side surfaces.
  • the one side and the other side facing each other in the opening constituting the hollow portion are the portions where the distance between the one side and the other side facing the other side of the opening is the longest. This is because the cover member is likely to be deformed in the portion constituting the maximum direction dimension having the largest distance.

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Abstract

　カバー部材の変形による劣化等が生じ難い、電子部品及び該電子部品を有する樹脂モールド型電子部品装置を提供する。　基板としての圧電基板２上に、機能電極としてのＩＤＴ電極３が形成されている。ＩＤＴ電極３が臨む中空部４を形成するために、支持層５が圧電基板２上に形成されている。支持層５は、樹脂支持層部５ａと、樹脂支持層部５ａよりも厚みが厚い補強金属層５ｂとを有する。支持層５の開口部を封止するようにカバー部材７が設けられている。

Description

電子部品及び樹脂モールド型電子部品装置
　本発明は、中空部分を有する電子部品及び該電子部品が樹脂モールドされた樹脂モールド型電子部品装置に関する。
　従来、中空部が形成されている電子部品のパッケージ構造が知られている。例えば下記の特許文献１には、中空部を有する弾性表面波装置のパッケージ構造体が開示されている。特許文献１では、基板上にＩＤＴ電極が形成されている。このＩＤＴ電極が臨む中空部を形成するように、基板上に支持層が形成されており、この支持層の開口部を覆うように天板部材が設けられている。天板部材の下面に、無機材料または金属からなるバリア層が設けられている。
特開２０１２－１６０８４０号公報
　特許文献１では、天板部材を構成している樹脂からのガス発生によるパッケージの膨れや破壊を防止するために、上記バリア層が形成されている。
　しかしながら、中空部を有する電子部品を、さらにケース基板に実装し、モールド樹脂層で被覆する場合、モールド樹脂の熱及び圧力により、天板部材などがたわむことがあった。その結果、ＩＤＴ電極などに接触するおそれがあり、電子部品の電気的特性や信頼性が低下することがあった。
　本発明の目的は、カバー部材の変形による劣化等が生じ難い、電子部品及び該電子部品を有する樹脂モールド型電子部品装置を提供することにある。
　本発明に係る電子部品は、基板と、前記基板上に設けられており、電子素子の一部を構成する機能電極と、前記機能電極が臨む中空部を形成するために、前記基板上において前記機能電極部を囲むように設けられた支持層と、前記支持層の開口部を封止するように前記支持層に積層されたカバー部材とを備え、前記支持層が樹脂からなる樹脂支持層部と、前記樹脂支持層部に積層されている補強金属層とを有し、前記補強金属層の厚みが、前記樹脂支持層部よりも厚く、前記補強金属層が、前記開口部を挟んで対向する一方側及び他方側のうち少なくとも一方において設けられている。
　本発明に係る電子部品のある特定の局面では、前記補強金属層が、前記開口部を挟んで対向している一方側及び他方側の双方に設けられている。この場合には、開口部の両側で、補強金属層により補強される。従って、カバー部材の変形がより一層生じ難い。
　本発明に係る電子部品の他の特定の局面では、前記開口部の両側が、前記開口部の最大方向寸法の両側である。この場合には、最もカバー部材の変形が生じやすい最大方向寸法の両側において、補強金属層が設けられる。従って、カバー部材の変形をより効果的に抑制することができる。
　本発明に係る電子部品のさらに他の特定の局面では、前記基板上に前記機能電極に電気的に接続された配線電極をさらに備え、前記配線電極の一部が前記補強金属層とされている。この場合には、配線電極を利用して補強金属層を構成することができる。
　本発明に係る電子部品の別の特定の局面では、前記基板上に前記機能電極に電気的に接続された配線電極をさらに備え、前記補強金属層が、前記配線電極とは別に設けられている。この場合には、配線電極に依存せず、補強金属層を最適な位置に配置することができる。
　本発明に係る電子部品の別の特定の局面では、前記基板が圧電基板である。前記機能電極が、音響波を励振するように、前記圧電基板上に設けられた励振電極である。
　本発明に係る電子部品の別の特定の局面では、前記励振電極が共振子の一部を構成するＩＤＴ電極を有し、弾性波共振子が構成されている。
　本発明に係る電子部品のさらに別の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極における弾性波伝搬方向両側の少なくとも一方が、前記開口部の両側の少なくとも一方である。この場合には、ＩＤＴ電極へのカバー部材の接触を効果的に抑制することができる。
　本発明に係る電子部品のさらに別の特定の局面では、前記補強金属層の前記開口部側に位置している前記補強金属層の内側端縁が、前記樹脂支持層部の内側端縁よりも内側に位置している。この場合には、カバー部材の機能電極への接触をより効果的に抑制することができる。
　本発明に係る樹脂モールド型電子部品装置は、ケース基板と、前記ケース基板上に実装されており、本発明に従って構成されている電子部品と、前記電子部品を封止するように設けられたモールド樹脂層とを備える。
　本発明によれば、補強金属層の厚みが樹脂支持層部よりも厚いため、支持層が補強金属層により補強され、それによって、カバー部材の変形が効果的に抑制される。従って、本発明の電子部品に、さらにモールド樹脂層を設けた場合であっても、モールド樹脂層を形成する際の熱や圧力によるカバー部材の変形が効果的に抑制される。よって、カバー部材の変形が生じ難い樹脂モールド型電子部品装置を提供することができる。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品の正面断面図及びカバー部材を除去した圧電基板上の構造を示す模式的底面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る樹脂モールド型電子部品装置の正面断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る電子部品の模式的平面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品の正面断面図である。電子部品１は、音響波を励振可能にする空間である中空部を有する電子部品である。本実施形態では、少なくとも１つの弾性波共振子を含む弾性表面波装置である。なお、本発明に係る電子部品は弾性表面波装置には限定されない。例えば、バルク弾性波（ＢＡＷ）装置であってもよい。
　電子部品１は基板として圧電基板２を有する。圧電基板２は、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３または適宜の圧電セラミックスからなる。圧電基板２は、第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを有する。図１（ａ）では第１の主面２ａが下面側に位置している。第１の主面２ａ上に、共振子などの電子素子の一部を構成する機能電極が設けられる。この機能電極は弾性波を励振する励振電極であり、第１の主面２ａ上にＩＤＴ電極３が形成されている。圧電基板２の第１の主面２ａ上に設けられたＩＤＴ電極３を含む弾性波共振子が構成され、電子素子として機能する。
　ＩＤＴ電極３は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｃｕなどの適宜の金属からなる。なお、ＩＤＴ電極３は、単一の金属膜からなるものであってもよく、積層金属膜からなるものであってもよい。
　機能電極部を構成するＩＤＴ電極３は、弾性表面波を励振させる。従って、弾性表面波の励振を妨げないために、中空部４に臨むようにＩＤＴ電極３が形成されている。より具体的には、ＩＤＴ電極３を囲むように、支持層５が形成されている。この支持層５は、樹脂支持層部５ａと、補強金属層５ｂとを有する。補強金属層５ｂは、樹脂支持層部５ａよりも厚くされている。樹脂支持層部５ａは、ポリイミドあるいはエポキシ樹脂硬化物などの適宜の樹脂からなる。補強金属層５ｂは、適宜の金属からなる。
　なお、図１（ａ）に示されている断面では、圧電基板２の第１の主面２ａ上に第１層配線電極６が形成されており、この第１層配線電極６上に、上記支持層５が設けられている。第１層配線電極６は、適宜の金属からなる。第１層配線電極６は、好ましくは、ＩＤＴ電極３と同じ材料からなる。
　支持層５の下方の開口を覆うようにカバー部材７が設けられている。
　カバー部材７は、適宜の合成樹脂またはセラミックスからなる。好ましくは、安価であり、製造が容易であるため、カバー部材７は合成樹脂からなる。カバー部材７は、合成樹脂からなることが好ましいが、このような合成樹脂としては、ポリイミド、エポキシ樹脂などの適宜の樹脂を挙げることができる。カバー部材７の層数は単層でも複数層でもよい。
　カバー部材７を貫通するように、ビアホール導体８が設けられている。ビアホール導体８は、Ａｕ、Ａｇなどの適宜の金属もしくは合金からなる。ビアホール導体８の下端に電気的に接続されるように、バンプ９が設けられている。バンプ９は、はんだやＡｕなどの適宜の金属からなる。
　図１（ｂ）は、カバー部材７を除去して示す圧電基板２の第１の主面２ａ上の構造を示す模式的底面図である。なお、支持層５に、ビアホール導体８が設けられている部分の貫通孔を実線で示す。また、この貫通孔を示す実線の円の周囲の一点鎖線の円は、最終的にバンプ９（図１（ａ）参照）が設けられている部分を示す。圧電基板２上には、ＩＤＴ電極を有する弾性表面波共振子が複数形成されている。より具体的には、ラダー型回路を構成するように、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２が構成されている。
　図１（ｂ）では、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２については、Ｘを四角で囲んだ略図的記号により、各共振子構成部分を示している。このＸを四角で囲んだ部分は、ＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極の弾性表面波伝搬方向両側に配置された反射器とが設けられている部分であり、それによって、１ポート型弾性表面波共振子が構成されている。
　また、上記直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２が構成されている部分が中空部４となる。従って、本実施形態では、１つの中空部４が設けられている。
　圧電基板２の第１の主面２ａ上においては、上記直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２を構成する導電膜と同じ導電膜により、第１層配線電極６（図１（ａ）参照）が形成されている。この第１層配線電極６上に、第２層配線電極１１が形成されている。図１（ｂ）では、下方の第１層配線電極６は図示されていないことを指摘しておく。上記電子部品１では、第２層配線電極１１と同じ金属膜により、補強金属層５ｂが形成されている。補強金属層５ｂは、第１層配線電極と同じ導電膜上に、第２層配線電極と同じ金属膜を積層した構造を有する。この補強金属層５ｂは、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２には電気的に接続されていない。
　他方、上記直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２が設けられている領域を囲むように、図１（ａ）に示した支持層５が形成されている。この支持層５の内周縁を、実線Ａで示す。従って、各直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２が形成されている部分を囲むように支持層５が設けられている。
　支持層５においては、前述した樹脂支持層部５ａに、補強金属層５ｂが積層されている。本実施形態では、上記第２層配線電極１１の一部も、補強金属層を兼ねていることになる。すなわち、図１（ａ）は、図１（ｂ）のＢ－Ｂ線に沿う部分に相当する断面である。この場合、直列腕共振子Ｓ２の弾性表面波伝搬方向一方側に、上記補強金属層５ｂを有する支持層５が位置している。他方、弾性表面波伝搬方向他方側においては、樹脂支持層部５ａ上に、第２層配線電極１１が積層されている。ここでは、第２層配線電極が補強金属層を兼ねている。
　そして、前述したように、補強金属層５ｂは、樹脂支持層部５ａよりも厚くされている。同様に、第２層配線電極１１についても、樹脂支持層部５ａよりも厚く、高い剛性で形成されていることになる。従って、直列腕共振子Ｓ２においては、ＩＤＴ電極３の弾性表面波伝搬方向一方側及び他方側のいずれにおいても相対的に厚みの厚い補強金属層５ｂや補強金属層を兼ねている第２層配線電極１１により、支持層５が補強されている。従って、カバー部材７の変形が効果的に抑制される。
　本実施形態では、上記直列腕共振子Ｓ２において、弾性表面波伝搬方向の両側に補強金属層５ｂまたは補強金属層５ｂを兼ねている第２層配線電極１１が設けられていたが、少なくとも一方の側に設けられていてもよい。好ましくは、本実施形態のように、弾性表面波伝搬方向両側に相対的に厚みの厚い補強金属層を設けることにより、カバー部材７の変形をより効果的に抑制することができる。特に、電子部品１にさらにモールド樹脂層などを設けた樹脂モールド型電子部品装置を形成した場合に、カバー部材の変形をより効果的に抑制することができる。図２を参照して、説明する。
　図２は、第１の実施形態の電子部品１を有する樹脂モールド型電子部品装置２１を示す正面断面図である。樹脂モールド型電子部品装置２１は、ケース基板２２を有する。ケース基板２２上に、上述した実施形態の電子部品１が実装されている。そして、電子部品１の周囲を囲むように、樹脂モールド層２３が設けられている。この樹脂モールド層２３は合成樹脂からなる。樹脂モールド層２３を設けるにあたっては、金型内に電子部品１が実装されたケース基板２２を載置する。
　そして、モールド樹脂を注入し、硬化させ、樹脂モールド層２３を形成する。この場合、溶融状態にある樹脂が注入されるため、前述したように、カバー部材７に大きな外力が加わる。そして、図２の一点鎖線Ｃで示す方向にカバー部材７が変形しがちとなる。この変形が大きすぎると、カバー部材７がＩＤＴ電極３に励振を阻害するように接触し、励振特性の劣化等が生じる。
　しかしながら、本実施形態では、支持層５において、補強金属層５ｂの厚みが相対的に厚く、あるいは補強金属層を兼ねている第２層配線電極１１の厚みが相対的に厚い。従って、上記カバー部材７を十分な強度で支持している。よって、カバー部材７の変形が効果的に抑制される。
　加えて、図２に示すように、好ましくは、上記補強金属層５ｂの中空部側の端縁、すなわち内側縁は、樹脂支持層部５ａの内側端縁よりも内側に位置される。それによって、カバー部材７が一点鎖線Ｃで示すように変形したとしても、カバー部材７の表面が補強金属層５ｂのコーナー部分に接触し、カバー部材７のそれ以上の変形が抑制される。従って、補強金属層５ｂの内側端縁は、樹脂支持層部５ａの内側端縁よりも内側にあることが望ましい。
　なお、図１（ｂ）に示した実施形態では、直列腕共振子Ｓ２の両側について説明したが、並列腕共振子Ｐ１及び並列腕共振子Ｐ２が設けられている部分においても、それぞれ、弾性表面波伝搬方向両側において、第２層配線電極が第１層配線電極に積層されている。従って、補強金属層を兼ねている第２層配線電極が十分に厚いため、直列腕共振子Ｓ２が形成されている部分と同様に、カバー部材７の支持強度を高めることができ、カバー部材７の変形を抑制することができる。
　なお、直列腕共振子Ｓ１では、弾性表面波伝搬方向両側に、上記補強金属層、あるいは補強金属層を兼ねる第２層配線電極は形成されていない。もっとも、弾性表面波伝搬方向と直交する方向両側においては、第２層配線電極が形成されており、従って、この方向においては、カバー部材７の変形が抑制される。
　もっとも、直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ２は、電子部品１において、直列腕共振子Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１よりも外側に位置している。カバー部材７は、平面視した場合、中央側においてより大きく変形する。従って、直列腕共振子Ｓ１においては、弾性表面波伝搬方向両側に、補強金属層や補強金属層に相当する第２層配線電極が形成されずとも、大きな影響はない。
　好ましくは直列腕共振子Ｓ１においても、弾性表面波伝搬方向両側において、補強金属層または補強金属層に相当する第２層配線電極が位置していることが望ましい。より好ましくは、全ての弾性表面波共振子構成部分において、弾性表面波伝搬方向両側に、補強金属層または補強金属層に相当する第２層配線電極が位置していることが望ましい。
　なお、上記実施形態では、弾性表面波装置に適用した電子部品１を説明したが、本発明は、前述したように、弾性表面波装置に限定されるものではない。従って、中空部４を必要とする機能電極が基板上に設けられている様々な電子部品に本発明を適用することができる。
　図３は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る電子部品の圧電基板上の構造を示す模式的平面図である。
　図１（ｂ）に示した第１の実施形態では、１つの中空部４が設けられていたが、本変形例では、中空部４Ａ，４Ｂが設けられている。図３では、カバー部材を取り除いた状態が示されている。従って、中空部４Ａ，４Ｂは、カバー部材７により封止された状態で示されていないことを指摘しておく。中空部４Ａにおいては、圧電基板２の第１の主面２ａ上に、第１の共振子３８ａが構成されている。中空部４Ｂにおいては、第２の共振子３８ｂが構成されている。
　第１，第２の共振子３８ａ，３８ｂは、第１の実施形態と同様に、ＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極の弾性表面波伝搬方向両側に配置されている反射器とを有する。上記のように、本発明においては、複数の中空部が設けられてもよい。
　この場合、最も大きな開口面積を有する中空部４Ｂにおいて、対向しあう内側面の一方側及び他方側の少なくとも一方に、補強金属層５ｂを有する支持層を設けることが望ましい。それによって、変形しやすい、最も大きな開口面積を有する中空部におけるカバー部材の変形を抑制することができる。より好ましくは、図３に示すように、中空部４Ｂの対向しあう内側面の一方側及び他方側の双方に、補強金属層５ｂを有する支持層を設けることが望ましい。また、中空部を構成する開口部において対向する一方側及び他方側は、当該開口部の側面において一方側と対向する他方側との間の距離が最も大きい部分であることが望ましい。距離が最も大きい最大方向寸法を構成する部分では、カバー部材の変形が生じやすいためである。
１…電子部品
２…圧電基板
２ａ…第１の主面
２ｂ…第２の主面
３…ＩＤＴ電極
４…中空部
４Ａ…中空部
４Ｂ…中空部
５…支持層
５ａ…樹脂支持層部
５ｂ…補強金属層
６…第１層配線電極
７…カバー部材
８…ビアホール導体
９…バンプ
１１…第２層配線電極
２１…樹脂モールド型電子部品装置
２２…ケース基板
２３…樹脂モールド層
３８ａ…第１の共振子
３８ｂ…第２の共振子
Ｐ１，Ｐ２…並列腕共振子
Ｓ１，Ｓ２…直列腕共振子

Claims (10)

  1. 　基板と、
    　前記基板上に設けられており、電子素子の一部を構成する機能電極と、
    　前記機能電極が臨む中空部を形成するために、前記基板上において前記機能電極部を囲むように設けられた支持層と、
    　前記支持層の開口部を封止するように前記支持層に積層されたカバー部材とを備え、
    　前記支持層が樹脂からなる樹脂支持層部と、前記樹脂支持層部に積層されている補強金属層とを有し、前記補強金属層の厚みが、前記樹脂支持層部よりも厚く、
    　前記補強金属層が、前記開口部を挟んで対向する一方側及び他方側のうち少なくとも一方において設けられている、電子部品。
  2. 　前記補強金属層が、前記開口部を挟んで対向している一方側及び他方側の双方に設けられている、請求項１に記載の電子部品。
  3. 　前記開口部の両側が、前記開口部の最大方向寸法の両側である、請求項１または２に記載の電子部品。
  4. 　前記基板上に前記機能電極に電気的に接続された配線電極をさらに備え、
    　前記配線電極の一部が前記補強金属層とされている、請求項１～３のいずれか一項に記載の電子部品。
  5. 　前記基板上に前記機能電極に電気的に接続された配線電極をさらに備え、
    　前記補強金属層が、前記配線電極とは別に設けられている、請求項１～３のいずれか一項に記載の電子部品。
  6. 　前記基板が圧電基板であって、
    　前記機能電極が、音響波を励振するように、前記圧電基板上に設けられた励振電極である、請求項１～５のいずれか一項に記載の電子部品。
  7. 　前記励振電極が共振子の一部を構成するＩＤＴ電極を有し、弾性波共振子が構成されている、請求項６に記載の電子部品。
  8. 　前記ＩＤＴ電極における弾性波伝搬方向両側の少なくとも一方が、前記開口部の両側の少なくとも一方である、請求項７に記載の電子部品。
  9. 　前記補強金属層の前記開口部側に位置している前記補強金属層の内側端縁が、前記樹脂支持層部の内側端縁よりも内側に位置している、請求項１～８のいずれか一項に記載の電子部品。
  10. 　ケース基板と、
    　前記ケース基板上に実装されている請求項１～９のいずれか一項に記載の電子部品と、
    　前記電子部品を封止するように設けられたモールド樹脂層とを備える、樹脂モールド型電子部品装置。
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