JP5468847B2 - ウエーハのレーザー加工方法 - Google Patents
ウエーハのレーザー加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5468847B2 JP5468847B2 JP2009198204A JP2009198204A JP5468847B2 JP 5468847 B2 JP5468847 B2 JP 5468847B2 JP 2009198204 A JP2009198204 A JP 2009198204A JP 2009198204 A JP2009198204 A JP 2009198204A JP 5468847 B2 JP5468847 B2 JP 5468847B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- processing
- laser processing
- laser
- street
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 32
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 237
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 51
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 28
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 204
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 20
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035772 mutation Effects 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
特に、ストリートの間隔が1mm以下と狭いウエーハにおいては、僅かの膨張分の累積を無視することができない。
被加工用ウエーハの表面または裏面に保護部材を貼着し、該保護部材側を該チャックテーブルに保持するウエーハ保持工程と、
該チャックテーブルに保持されている被加工用ウエーハに形成された複数のストリートをX軸方向と平行に位置付けるウエーハ位置付け工程と、
該ウエーハ位置付け工程が実施された被加工用ウエーハのY軸方向における一方の最外側のストリートを該集光器の直下に位置付け、該集光器からレーザー光線を照射しつつ該加工送り手段を作動して該チャックテーブルを加工送りすることによりストリートに沿ってレーザー加工を施すレーザー光線照射工程と、該割り出し送り手段を作動し該チャックテーブルに保持された被加工用ウエーハにおける該レーザー光線照射工程が実施されたストリートに隣接するストリートを該集光器の直下に位置付ける割り出し送り工程とを順次実施し、被加工用ウエーハの一方の半分領域に形成された複数のストリートに沿ってレーザー加工を施す第1のレーザー加工工程と、
該第1のレーザー加工工程が実施された被加工用ウエーハのY軸方向における他方の最外側のストリートを該集光器の直下に位置付け、該集光器からレーザー光線を照射しつつ該加工送り手段を作動して該チャックテーブルを加工送りすることによりストリートに沿ってレーザー加工を施すレーザー光線照射工程と、該割り出し送り手段を作動し該チャックテーブルに保持された被加工用ウエーハにおける該レーザー光線照射工程が実施されたストリートに隣接するストリートを該集光器の直下に位置付ける割り出し送り工程とを順次実施し、被加工用ウエーハの他方の半分領域に形成された複数のストリートに沿ってレーザー加工を施す第2のレーザー加工工程と、を含み、
被加工用ウエーハと同じ大きさ、同じ厚さ、同じ材質のゲージ用ウエーハに対して被加工用ウエーハに形成された複数のストリートに対応する加工領域における第1のレーザー加工工程および第2のレーザー加工工程を実施する前の最初の加工領域のY軸方向の基準位置を検出する基準位置検出工程と、ゲージ用ウエーハに対して被加工用ウエーハに形成された複数のストリートに対応する加工領域に第1のレーザー加工工程および第2のレーザー加工工程を実施し、所定本数の加工領域毎に最初の加工領域と最後の加工領域とのY軸方向における総距離を測定する総距離測定工程と、レーザー加工が実施された最初の加工領域と該基準位置とのY軸方向のズレ量を測定するズレ量測定工程と、該総距離測定工程によって得られた総距離から被加工用ウエーハに形成された複数のストリートの所定本数の間隔と該ズレ量測定工程によって得られたズレ量を減算した値を補正値とする補正データ作成工程と、を実施することにより、予めゲージ用ウエーハに対して被加工用ウエーハに形成されたストリートに対応する加工領域に所定本数の加工領域毎に該第1のレーザー加工工程および該第2のレーザー加工工程を実施して所定本数の加工領域毎にゲージ用ウエーハのY軸方向における中心側のズレ量を検出することにより所定本数の加工領域毎に補正データを作成し、
被加工用ウエーハに対して該第1のレーザー加工工程および該第2のレーザー加工工程を実施する際に、該所定本数のストリートに沿ってレーザー加工を実施する毎に、該補正データに基づいて割り出し送り量を補正する、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法が提供される。
先ず、上述した半導体ウエーハ10は、図4に示すように環状のフレーム20に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ30に表面10a側を貼着する。従って、半導体ウエーハ10は、裏面10bが上側となる。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4レーザー
波長 :1064nmのパルスレーザー
集光スポット径 :φ1μm
集光点のピークパワー密度:3.2×1010W/cm2
繰り返し周波数 :100kHz
加工送り速度 :100mm/秒
先ず、図12に示すようにゲージ用ウエーハ100を用意し、このゲージ用ウエーハ100を環状のフレーム20に装着された保護テープ30に貼着する。なお、ゲージ用ウエーハ100は、図3に示す半導体ウエーハ10と同じ大きさ、同じ厚さ、同じ材質のシリコンウエーハからなっている。
2:静止基台
3:チャックテーブル機構
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
38:第1の割り出し送り手段
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
43:第2の割り出し送り手段
5:レーザー光線照射ユニット
52:レーザー光線照射手段
524:集光器
6:撮像手段
8:制御手段
10:半導体ウエーハ
11:第1のストリート
12:第2のストリート
13:デバイス
20:環状のフレーム
30:保護テープ
100:ゲージ用ウエーハ
Claims (1)
- 被加工用ウエーハを保持し回転可能に構成されたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハにレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送り方向(X軸方向)に加工送りする加工送り手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とをX軸方向と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)に割り出し送りする割り出し送り手段とを具備するレーザー加工装置を用いて、表面に複数の平行なストリートが形成された被加工用ウエーハにストリートに沿ってレーザー加工を施すウエーハのレーザー加工方法であって、
被加工用ウエーハの表面または裏面に保護部材を貼着し、該保護部材側を該チャックテーブルに保持するウエーハ保持工程と、
該チャックテーブルに保持されている被加工用ウエーハに形成された複数のストリートをX軸方向と平行に位置付けるウエーハ位置付け工程と、
該ウエーハ位置付け工程が実施された被加工用ウエーハのY軸方向における一方の最外側のストリートを該集光器の直下に位置付け、該集光器からレーザー光線を照射しつつ該加工送り手段を作動して該チャックテーブルを加工送りすることによりストリートに沿ってレーザー加工を施すレーザー光線照射工程と、該割り出し送り手段を作動し該チャックテーブルに保持された被加工用ウエーハにおける該レーザー光線照射工程が実施されたストリートに隣接するストリートを該集光器の直下に位置付ける割り出し送り工程とを順次実施し、被加工用ウエーハの一方の半分領域に形成された複数のストリートに沿ってレーザー加工を施す第1のレーザー加工工程と、
該第1のレーザー加工工程が実施された被加工用ウエーハのY軸方向における他方の最外側のストリートを該集光器の直下に位置付け、該集光器からレーザー光線を照射しつつ該加工送り手段を作動して該チャックテーブルを加工送りすることによりストリートに沿ってレーザー加工を施すレーザー光線照射工程と、該割り出し送り手段を作動し該チャックテーブルに保持された被加工用ウエーハにおける該レーザー光線照射工程が実施されたストリートに隣接するストリートを該集光器の直下に位置付ける割り出し送り工程とを順次実施し、被加工用ウエーハの他方の半分領域に形成された複数のストリートに沿ってレーザー加工を施す第2のレーザー加工工程と、を含み、
被加工用ウエーハと同じ大きさ、同じ厚さ、同じ材質のゲージ用ウエーハに対して被加工用ウエーハに形成された複数のストリートに対応する加工領域における第1のレーザー加工工程および第2のレーザー加工工程を実施する前の最初の加工領域のY軸方向の基準位置を検出する基準位置検出工程と、ゲージ用ウエーハに対して被加工用ウエーハに形成された複数のストリートに対応する加工領域に第1のレーザー加工工程および第2のレーザー加工工程を実施し、所定本数の加工領域毎に最初の加工領域と最後の加工領域とのY軸方向における総距離を測定する総距離測定工程と、レーザー加工が実施された最初の加工領域と該基準位置とのY軸方向のズレ量を測定するズレ量測定工程と、該総距離測定工程によって得られた総距離から被加工用ウエーハに形成された複数のストリートの所定本数の間隔と該ズレ量測定工程によって得られたズレ量を減算した値を補正値とする補正データ作成工程と、を実施することにより、予めゲージ用ウエーハに対して被加工用ウエーハに形成されたストリートに対応する加工領域に所定本数の加工領域毎に該第1のレーザー加工工程および該第2のレーザー加工工程を実施して所定本数の加工領域毎にゲージ用ウエーハのY軸方向における中心側のズレ量を検出することにより所定本数の加工領域毎に補正データを作成し、
被加工用ウエーハに対して該第1のレーザー加工工程および該第2のレーザー加工工程を実施する際に、該所定本数のストリートに沿ってレーザー加工を実施する毎に、該補正データに基づいて割り出し送り量を補正する、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009198204A JP5468847B2 (ja) | 2009-08-28 | 2009-08-28 | ウエーハのレーザー加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009198204A JP5468847B2 (ja) | 2009-08-28 | 2009-08-28 | ウエーハのレーザー加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011049454A JP2011049454A (ja) | 2011-03-10 |
JP5468847B2 true JP5468847B2 (ja) | 2014-04-09 |
Family
ID=43835480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009198204A Active JP5468847B2 (ja) | 2009-08-28 | 2009-08-28 | ウエーハのレーザー加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5468847B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5968150B2 (ja) * | 2012-08-03 | 2016-08-10 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2016054204A (ja) * | 2014-09-03 | 2016-04-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP7032050B2 (ja) * | 2017-03-14 | 2022-03-08 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP7233816B2 (ja) | 2019-02-19 | 2023-03-07 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021146374A (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-27 | Ntn株式会社 | 筒状部材の加工方法、加工装置、及び加工プログラム |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4354262B2 (ja) * | 2003-12-08 | 2009-10-28 | 株式会社ディスコ | レーザー加工された変質層の確認方法 |
JP2008060164A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法 |
JP5037082B2 (ja) * | 2006-10-02 | 2012-09-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
-
2009
- 2009-08-28 JP JP2009198204A patent/JP5468847B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011049454A (ja) | 2011-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5000944B2 (ja) | レーザー加工装置のアライメント方法 | |
JP5395411B2 (ja) | ウエーハのレーザー加工方法 | |
JP5912293B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP5192213B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP4755839B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
KR101253791B1 (ko) | 레이저 광선 조사 장치 및 레이저 가공기 | |
JP5869259B2 (ja) | 穿孔方法およびレーザー加工装置 | |
JP2010123723A (ja) | ウエーハのレーザー加工方法 | |
JP2008060164A (ja) | ウエーハのレーザー加工方法 | |
JP5980504B2 (ja) | ウエーハの加工方法およびレーザー加工装置 | |
JP5964604B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2008212999A (ja) | レーザー加工装置 | |
JP4851918B2 (ja) | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 | |
JP4813985B2 (ja) | ウエーハの加工条件設定方法 | |
JP2008207210A (ja) | レーザー光線照射装置およびレーザー加工機 | |
KR20130087360A (ko) | 레이저 가공 장치 | |
JP4786997B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP5468847B2 (ja) | ウエーハのレーザー加工方法 | |
JP5495869B2 (ja) | レーザー加工溝の確認方法 | |
JP5947056B2 (ja) | レーザー加工方法およびレーザー加工装置 | |
JP4791138B2 (ja) | レーザー加工方法およびレーザー加工装置 | |
JP2012094591A (ja) | ビアホールの加工方法およびレーザー加工装置 | |
JP2007307597A (ja) | レーザー加工装置 | |
JP5053727B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP6215558B2 (ja) | 加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120726 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5468847 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |