JP5449662B2 - 現像装置 - Google Patents

現像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5449662B2
JP5449662B2 JP2007271366A JP2007271366A JP5449662B2 JP 5449662 B2 JP5449662 B2 JP 5449662B2 JP 2007271366 A JP2007271366 A JP 2007271366A JP 2007271366 A JP2007271366 A JP 2007271366A JP 5449662 B2 JP5449662 B2 JP 5449662B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
developer
developing device
discharge ports
discharge port
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007271366A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009099851A (ja
Inventor
将彦 春本
晃 山口
章博 久井
念 杉山
拓也 黒田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
Original Assignee
Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=40563633&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP5449662(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Screen Semiconductor Solutions Co Ltd filed Critical Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
Priority to JP2007271366A priority Critical patent/JP5449662B2/ja
Priority to KR1020080093034A priority patent/KR20090039605A/ko
Priority to CN2008101666103A priority patent/CN101414132B/zh
Priority to US12/252,225 priority patent/US20090103960A1/en
Priority to TW97139884A priority patent/TWI402635B/zh
Publication of JP2009099851A publication Critical patent/JP2009099851A/ja
Priority to KR1020110074986A priority patent/KR101213284B1/ko
Priority to US13/359,388 priority patent/US8956695B2/en
Publication of JP5449662B2 publication Critical patent/JP5449662B2/ja
Application granted granted Critical
Priority to US14/572,677 priority patent/US9581907B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60Substrates
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005Spin coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)を現像する現像装置に係り、特に、現像液を効率よく基板に供給して現像液の消費量を抑制する技術に関する。
従来、この種の装置として、基板を回転可能に保持するスピンチャックと、現像液を帯状に供給するスリットノズルと、このスリットノズルを移動させる移動機構と、を備えているものがある。この装置では、基板を回転させるとともにスリットノズルを移動させて帯状の現像液を螺旋状に基板に供給する。この装置によれば、基板上に現像液を液盛りして基板を現像する場合に比べて、現像液の消費量を低減することができる(例えば、特許文献1参照)。
特開2005−210059号公報
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、スリットノズルに供給される現像液の流量が変動すると、スリットノズルから供給される現像液の幅は不安定になり易い。具体的には帯状の現像液が細く狭まったり、割れたりする。このような場合、基板上の所望の位置、範囲に現像液を着液させることが困難となり、たとえ螺旋状に現像液を供給しても基板全面に隙間なく現像液を供給できなくなるという不都合を招く。また、このような不都合を回避するため、余剰分を加えた量の現像液を供給することも考えられるが、この場合は現像液の消費量を十分に低減することはできない。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、現像液の消費量を抑制することができる現像装置を提供することを目的とする。
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明は、基板を現像する現像装置において、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、現像液を吐出する複数の吐出口が一列に並んで形成されて、各吐出口から吐出された現像液を互いに分離したままで基板に着液させる現像液供給手段と、前記吐出口の並び方向を平面視で基板の中心に向かう一方向に保ちつつ、この一方向に前記現像液供給手段を移動することによって、前記現像液供給手段を平面視で基板の略中心と周縁とにわたって移動する移動手段と、前記回転保持手段と前記移動手段とを制御して、各吐出口から基板上に現像液をそれぞれ螺旋状に着液させて基板を現像する制御手段と、を備え、前記制御手段が基板を1回転させる間に前記現像液供給手段を移動させる距離は、隣り合う吐出口の中心間距離を、吐出口の総数から1を引いた数で割った値であり、基板の回転速度をω[rad/s]とし、現像液供給手段の移動速度をv[m/s]とし、現像液供給手段に形成される吐出口の総数を(m+1)とし、隣り合う吐出口の中心間距離をP[m]としたとき、v×2π/ω=P/mの式を満たすことを特徴とするものである。
[作用・効果]本発明によれば、現像液供給手段の各吐出口から吐出された現像液は、基板に着液するまで互いに分離したままである。このため、吐出口から基板面にかけて、流下する現像液の形状は現像液の流量変動によらず安定している。よって、現像液が基板に着液する位置、範囲も安定している。移動手段は、一列に並ぶ各吐出口の並び方向を平面視で基板の中心に向いた一方向に保った状態で、この一方向に現像液供給手段を移動して、現像液供給手段を平面視で基板の略中心と周縁とにわたって移動する。制御手段はこのような移動手段を回転保持手段とともに制御することで、各吐出口に応じた複数の螺旋形状の領域に現像液が供給される。この際、各吐出口は平面視で常に基板の中心を通る直線上にあり、基板の中心から各吐出口までの距離は一様に現像液供給手段が移動した距離に比例して増減する。よって、基板上における複数の螺旋形状の領域相互の位置関係を容易に制御することができる。これにより、基板全面に隙間なく、かつ、効率よく現像液を供給することができ、これにより現像液の消費量を抑制することができる。
また、確実に基板全面に現像液を供給することができる。
また、本発明は、基板を現像する現像装置において、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、現像液を吐出する複数の吐出口が一列に並んで形成されて、各吐出口から吐出された現像液を互いに分離したままで基板に着液させる現像液供給手段と、前記吐出口の並び方向を平面視で基板の中心に向かう一方向に保ちつつ、この一方向に前記現像液供給手段を移動することによって、前記現像液供給手段を平面視で基板の略中心と周縁とにわたって移動する移動手段と、前記回転保持手段と前記移動手段とを制御して、各吐出口から基板上に現像液をそれぞれ螺旋状に着液させて基板を現像する制御手段と、を備え、前記制御手段が基板を1回転させる間に前記現像液供給手段を移動させる距離は、隣り合う吐出口の中心間距離より短く、基板の回転速度をω[rad/s]とし、現像液供給手段の移動速度をv[m/s]とし、隣り合う吐出口の中心間距離をP[m]とし、0以上で1未満の定数である係数をkとしたとき、v×2π/ω=P×kの式を満たすいことを特徴とするものである。
[作用・効果]本発明によれば、現像液供給手段の各吐出口から吐出された現像液は、基板に着液するまで互いに分離したままである。このため、吐出口から基板面にかけて、流下する現像液の形状は現像液の流量変動によらず安定している。よって、現像液が基板に着液する位置、範囲も安定している。移動手段は、一列に並ぶ各吐出口の並び方向を平面視で基板の中心に向いた一方向に保った状態で、この一方向に現像液供給手段を移動して、現像液供給手段を平面視で基板の略中心と周縁とにわたって移動する。制御手段はこのような移動手段を回転保持手段とともに制御することで、各吐出口に応じた複数の螺旋形状の領域に現像液が供給される。この際、各吐出口は平面視で常に基板の中心を通る直線上にあり、基板の中心から各吐出口までの距離は一様に現像液供給手段が移動した距離に比例して増減する。よって、基板上における複数の螺旋形状の領域相互の位置関係を容易に制御することができる。これにより、基板全面に隙間なく、かつ、効率よく現像液を供給することができ、これにより現像液の消費量を抑制することができる。
また、確実に基板全面に現像液を供給することができる。
本発明において、前記制御手段は、前記回転保持手段と前記移動手段とを制御して、隣り合う現像液の着液位置の軌跡同士を近接させて、これら軌跡と軌跡の間の基板面を着液後に広がる現像液で覆うことが好ましい。基板を回転させつつ現像液供給手段を移動させることで、着液位置は螺旋状に連なる。この着液位置の軌跡同士を近接させることで、基板の全面に隙間なく現像液を確実に供給することができる。なお、隣り合う着液位置の軌跡は、それぞれ異なる2つの吐出口に応じたものである場合のほかに、同じ吐出口に応じたものである場合もある。
本発明において、前記吐出口から吐出された現像液は棒状に流下することが好ましい。現像液が基板に着液する位置や範囲を、現像液の供給流量によらず、好適に制御することができる。
本発明において、各吐出口は互いに近接して設けられており、各吐出口から同時に現像液が吐出されたとき、基板に現像液が着液する着液位置同士の間の基板面を着液後に広がる現像液で覆うことが好ましい。基板に現像液を効率よく供給することができるので、現像液の消費量を抑制することができる。
本発明において、前記制御手段は、前記回転保持手段と前記移動手段とを制御して基板の回転速度と前記現像液供給手段の移動速度との関係を調整することによって、前記隣り合う現像液の着液位置の軌跡同士の間隔を制御することが好ましい。制御手段は簡易な制御によって、基板の全面に確実に現像液を供給させることができる。
本発明において、前記制御手段は、前記間隔が予め設定されている所定値又は所定範囲内となるように制御することが好ましい。制御手段は好適に制御することができる。
本発明において、前記制御手段は、各吐出口から基板上に現像液をそれぞれ螺旋状に着液させて基板を現像する際、基板の回転速度および前記現像液供給手段の移動速度をそれぞれ一定に制御することが好ましい。前記制御手段により好適に制御することができる。
なお、本明細書は、次のような現像装置に係る発明も開示している。
(1)上述した現像装置において、各吐出口の直径は約1mmの円形であり、隣り合う吐出口の間はそれぞれ約3mm離れていることを特徴とする現像装置。
前記(1)に記載の発明によれば、各吐出口から吐出された現像液はそれぞれ円柱状を呈して、分離したまま基板に着液させることができる。また、基板上に着液した現像液が広がって、異なる着液位置の現像液が基板上で合流することで、基板面に隙間なく現像液を供給することができる。
(2)基板を現像する現像装置において、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、現像液を吐出する複数の吐出口が一列に並んで形成されて、各吐出口から吐出された現像液を互いに分離したままで基板に着液させる現像液供給手段と、前記吐出口の並び方向を平面視で基板の中心に向かう一方向に保ちつつ、この一方向に前記現像液供給手段を移動することによって、前記現像液供給手段を平面視で基板の略中心と周縁とにわたって移動する移動手段と、前記回転保持手段と前記移動手段とを制御して、各吐出口から基板上に現像液をそれぞれ螺旋状に着液させて基板を現像する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記回転保持手段と前記移動手段とを制御して、隣り合う現像液の着液位置の軌跡同士を近接させて、これら軌跡と軌跡の間の基板面を着液後に広がる現像液で覆い、前記制御手段は、基板を1回転させる間に、前記現像液供給手段の移動方向に対して最後尾の吐出口を、1回転を開始する時点における先頭の吐出口の位置に対して移動方向側で近接する位置まで移動させることを特徴とするものである。
前記(2)に記載の発明によれば、現像液供給手段の各吐出口から吐出された現像液は、基板に着液するまで互いに分離したままである。このため、吐出口から基板面にかけて、流下する現像液の形状は現像液の流量変動によらず安定している。よって、現像液が基板に着液する位置、範囲も安定している。移動手段は、一列に並ぶ各吐出口の並び方向を平面視で基板の中心に向いた一方向に保った状態で、この一方向に現像液供給手段を移動して、現像液供給手段を平面視で基板の略中心と周縁とにわたって移動する。制御手段はこのような移動手段を回転保持手段とともに制御することで、各吐出口に応じた複数の螺旋形状の領域に現像液が供給される。この際、各吐出口は平面視で常に基板の中心を通る直線上にあり、基板の中心から各吐出口までの距離は一様に現像液供給手段が移動した距離に比例して増減する。よって、基板上における複数の螺旋形状の領域相互の位置関係を容易に制御することができる。これにより、基板全面に隙間なく、かつ、効率よく現像液を供給することができ、これにより現像液の消費量を抑制することができる。
また、基板を回転させつつ現像液供給手段を移動させることで、着液位置は螺旋状に連なる。この着液位置の軌跡同士を近接させることで、基板の全面に隙間なく現像液を確実に供給することができる。なお、隣り合う着液位置の軌跡は、それぞれ異なる2つの吐出口に応じたものである場合のほかに、同じ吐出口に応じたものである場合もある。
制御手段は基板の全面に効率よく現像液を供給することができる。このため、現像液の消費量をより低減させることができる。
(3)基板を現像する現像装置において、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、現像液を吐出する複数の吐出口が一列に並んで形成されて、各吐出口から吐出された現像液を互いに分離したままで基板に着液させる現像液供給手段と、前記吐出口の並び方向を平面視で基板の中心に向かう一方向に保ちつつ、この一方向に前記現像液供給手段を移動することによって、前記現像液供給手段を平面視で基板の略中心と周縁とにわたって移動する移動手段と、前記回転保持手段と前記移動手段とを制御して、各吐出口から基板上に現像液をそれぞれ螺旋状に着液させて基板を現像する制御手段と、を備え、前記制御手段は、各吐出口に応じた複数の前記軌跡のうち、少なくともいずれか2つの軌跡が重なるように制御することを特徴とするものである。
前記(3)に記載の発明によれば、現像液供給手段の各吐出口から吐出された現像液は、基板に着液するまで互いに分離したままである。このため、吐出口から基板面にかけて、流下する現像液の形状は現像液の流量変動によらず安定している。よって、現像液が基板に着液する位置、範囲も安定している。移動手段は、一列に並ぶ各吐出口の並び方向を平面視で基板の中心に向いた一方向に保った状態で、この一方向に現像液供給手段を移動して、現像液供給手段を平面視で基板の略中心と周縁とにわたって移動する。制御手段はこのような移動手段を回転保持手段とともに制御することで、各吐出口に応じた複数の螺旋形状の領域に現像液が供給される。この際、各吐出口は平面視で常に基板の中心を通る直線上にあり、基板の中心から各吐出口までの距離は一様に現像液供給手段が移動した距離に比例して増減する。よって、基板上における複数の螺旋形状の領域相互の位置関係を容易に制御することができる。これにより、基板全面に隙間なく、かつ、効率よく現像液を供給することができ、これにより現像液の消費量を抑制することができる。
また、現像液の着液位置の軌跡を重ねることによって、より確実に基板全面に現像液を供給することができる。
(4)上述した現像装置において、前記制御手段は、各吐出口に応じた軌跡が互いに重なるように制御することが好ましい。前記(4)に記載の発明によれば、確実に基板全面に現像液を供給することができる。
この発明に係る現像装置によれば、現像液供給手段の各吐出口から吐出された現像液は、基板に着液するまで互いに分離したままである。このため、吐出口から基板面にかけて、流下する現像液の形状は現像液の流量変動によらず安定している。よって、現像液が基板に着液する位置、範囲も安定している。移動手段は、一列に並ぶ各吐出口の並び方向を平面視で基板の中心に向いた一方向に保った状態で、この一方向に現像液供給手段を移動して、現像液供給手段を平面視で基板の略中心と周縁とにわたって移動する。制御手段はこのような移動手段を回転保持手段とともに制御することで、各吐出口に応じた複数の螺旋形状の領域に現像液が供給される。この際、各吐出口は平面視で常に基板の中心を通る直線上にあり、基板の中心から各吐出口までの距離は一様に現像液供給手段が移動した距離に比例して増減する。よって、基板上における複数の螺旋形状の領域相互の位置関係を容易に制御することができる。これにより、基板全面に隙間なく、かつ、効率よく現像液を供給することができ、これにより現像液の消費量を抑制することができる。
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。図1は、実施例に係る現像装置の概略構成を示すブロック図であり、図2は、実施例に係る現像装置の平面図である。
本実施例に係る現像装置は、基板Wの下面中央部を吸着して、基板Wを水平姿勢で保持するスピンチャック1を備えている。スピンチャック1の下部中央にはモータ3の出力軸3aの先端が連結されている。モータ3の出力軸3aが回転駆動することで、スピンチャック1と基板Wを鉛直軸AX周りに回転させる。なお、鉛直軸AXは基板Wの略中心を通る。スピンチャック1及びモータ3は、この発明における回転保持手段に相当する。なお、回転保持手段は、上記の例に限られない。たとえば、スピンチャック1を、基板Wの端縁を保持する複数のピンが設けられた回転板に変更してもよい。
スピンチャック1の周囲には、飛散防止カップ5が配備されている。飛散防止カップ5は、基板Wの外周から周囲に飛散する現像液等を下方へ案内するとともに回収する機能を備える。
本装置は、現像液を供給する現像液ノズル11を備えている。現像液ノズル11の下面には、複数個(本実施例では3個)の吐出口aが一列に並んで形成されている。現像液ノズル11には現像液配管13の一端が連通接続されている。現像液ノズル11内には現像液配管13と各吐出口aとを連通させる流路が形成されている(図4(a)を参照)。現像液配管13の他端は現像液供給源15に連通接続されている。現像液配管13には現像液の流路を開閉する開閉弁17が設けられている。現像液ノズル11は、この発明における現像液供給手段に相当する。
現像液ノズル11は水平移動機構21に支持されている。水平移動機構21は、その吐出口aの並び方向d1が基板Wの略中心に向かう一方向に保ちつつ現像液ノズル11をその一方向に移動させて、基板Wの略中心の上方位置(図1において実線で示す現像液ノズル11の位置)と、基板Wの周縁の上方位置(図1において点線で示す現像液ノズル11の位置)とにわたって現像液ノズル11を移動する。さらに、水平移動機構21は基板Wの上方から外れた位置(図2において実線で示す現像液ノズル11の位置)に現像液ノズル11を移動する。なお、図2において点線で示す現像液ノズル11の位置は、基板Wの略中心の上方位置である。
この水平移動機構21は、レール部22と自走台23とアーム部24とを備えている。レール部22は直線形状を呈し、飛散防止カップ5の側方に水平に設置されている。レール部22には自走台23が摺動可能に取り付けられている。自走台23は、レール部22に案内されつつ、飛散防止カップ5の側方を水平1軸方向(以下では、「移動方向d2」と呼ぶ)に前後移動する。自走台23の上部にはアーム部24の一端が連結されて、飛散防止カップ5の上端より高い位置でアーム部24が支持されている。アーム部24の他端には現像液ノズル11が取り付けられている。このとき、各吐出口aの並び方向d1が自走台23の移動方向d2と平行となり、かつ、並び方向d1を平面視で基板Wの略中心に向かうように、現像液ノズル11の位置、姿勢が決められた状態で固定的にアーム部24に連結されている。この結果、現像液ノズル11は自走台23と一体に移動して、基板Wの略中心の上方と、基板Wの上方から外れた位置との間を直線的に移動する。水平移動機構21は、この発明における移動手段に相当する。
このように現像液ノズル11の移動方向は、自走台23の移動方向d2、および、吐出口aの並び方向d1と同じであるので、以下では、符号「d1」、「d2」を適宜に「d」と略記するとともに、適宜に「現像液ノズル11の移動方向d」と記載する。また、3つの吐出口aを区別する場合は、基板Wの略中心に近いほうから順に「吐出口a0、a1、a2」と記載する。本装置は、さらに、基板Wの上方に移動可能に構成されているリンス液ノズル(図示省略)等が配備されている。
また、本装置は、上述した各構成を統括的に操作する制御部31を備えている。具体的には、モータ3を駆動させて基板Wの回転数(回転速度)を制御し、水平移動機構21を駆動させて現像液ノズル11の移動速度を制御し、開閉弁17を開放・閉止させて現像液の供給量を制御する。
この制御部31は、基板Wを処理するための処理条件が予め設定されている処理レシピと、現像液ノズル11の形状に関するノズル情報とを有している。処理条件としては、後述する距離Lや、現像、洗浄または乾燥などの各種処理時間や、現像液供給流量などを含む。ノズル情報としては、各吐出口aの寸法、吐出口a同士の間隔la(後述)、または、水平移動機構21の位置に応じた各吐出口aと基板Wとの相対的な位置関係などを含む。制御部31は、各種処理を実行する中央演算処理装置(CPU)や、演算処理の作業領域となるRAM(Random-Access Memory)や、各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。
次に、実施例に係る現像装置の動作について説明する。まず、レジスト膜が被着された基板Wが既にスピンチャック1に吸着保持されているものとして、基板Wを現像する一連の動作を簡略に説明する。
<ステップS1>
制御部31は、モータ3を駆動し、開閉弁17を開放するとともに水平移動機構21を駆動する。これにより、基板Wを回転させるとともに、各吐出口aから現像液を吐出させつつ、現像液ノズル11を基板Wの周縁上方から基板Wの略中心の上方に向かって移動させる。そして、現像液ノズル11が基板Wの略中心の上方まで移動すると、制御部31は現像液ノズル11の移動を停止させる。これにより、各吐出口aから吐出された現像液は基板Wの表面に供給されて、基板Wを現像する。
<ステップS2〜S4>
制御部31は、基板Wを回転させつつ、基板Wの略中心の上方位置に静止させた現像液ノズル11から現像液を基板Wに吐出させている状態を、所定の時間が経過するまで維持する(ステップS2)。所定の時間が経過すると、制御部31は、現像液ノズル11を基板Wの上方から外れた位置に退避させるとともに、吐出口aからの現像液の吐出を停止させ、図示省略のリンス液ノズルからリンス液を基板Wに供給して、基板Wの現像を停止させて基板Wを洗浄する(ステップS3)。基板Wに洗浄処理を所定時間行うと、制御部31はリンス液の供給を停止して、基板Wをより高速に回転させる(ステップS4)。これにより、リンス液を基板Wから振り切りつつ基板Wを乾燥する。
次に、ステップS1のより詳細な処理内容について、3通りの処理例(ステップS1a、S1b、S1c)をそれぞれ説明する。
<第1の処理例(ステップS1a)>
制御部31は、基板Wを1回転させる間に、現像液ノズル11の移動方向dに対して最後尾の吐出口a2を、1回転を開始する時点における先頭の吐出口a0の位置に対して移動方向側に近接した位置に移動させる。
図3を参照する。図3は、回転する基板に着液した現像液の様子を模式的に示す平面図であり、図4(a)、(b)は、それぞれ図3のA−A矢視とB−B矢視の垂直断面図である。図4(a)に示すように、各吐出口aからそれぞれ吐出された現像液Dは棒状に流下し、互いに分離されたままで基板Wに着液する(図4(a)参照)。現像液Dが基板Wに直接着液する着液位置は、吐出口aのほぼ鉛直下方であって吐出口aの大きさとほぼ同じ領域を有する。図3では、各吐出口a0、a1、a2から吐出された現像液Dの着液位置をそれぞれ符号b0、b1、b2を付して示す。なお、着液位置b0、b1、b2を特に区別しないときは適宜に「着液位置b」と略記する。
各吐出口aから現像液Dを吐出した状態で基板Wを鉛直軸AX周りに回転させつつ(回転方向を図3において符号「c」を付して示す)、現像液ノズル11を移動させることにより、各着液位置bはそれぞれ連続的に変位する。本明細書では、着液位置b0、b1、b2をそれぞれ連ねた各領域を着液位置の軌跡bL0、bL1、bL2と呼ぶ。なお、図3における符号「bL0」、「bL1」、「bL2」は、着液位置b0、b1、b2にそれぞれ対応する2本の湾曲した破線で囲まれた領域を指している。以下では、着液位置の軌跡bL0、bL1、bL2を特に区別しないときは適宜に「着液位置の軌跡bL」と略記する。
着液した現像液Dは時間の経過とともに着液位置bから横方向へ広がる。このため、図3に示すように、基板Wに現像液Dが供給される範囲は着液位置の軌跡bLよりも広い。
本実施例では、実験結果等に基づいて吐出口a同士の間隔(より詳しくは吐出口aの縁同士の距離)laは設計されており、これにより、図4(b)に示すように隣り合う着液位置bに同時に分離着液した現像液は基板W上で合流する。したがって、図3に示すように、着液位置の軌跡bL同士の間の基板W面にも確実に現像液が供給される。なお、隣り合う吐出口a同士の間隔laは、例えば3(mm)であることが好ましい。この場合、吐出口aの直径としては1(mm)であることが好ましい。
図5は、基板Wの表面に供給された現像液の範囲を示す模式図であり、図5(b)は、図5(a)で示した時刻から基板Wが1回転した後の時点を示している。図5では、現像液が供給された範囲を、吐出口aごとにパターン濃度を変えて図示している。
図示するように、基板Wを鉛直軸AX周りに回転させつつ(図5において符号「c」を付した方向)、現像液ノズル11を移動方向dに移動させることにより、現像液は、基板Wの略中心に向けて徐々に径が縮小する螺旋形状の領域に供給される。
さらに、図5に示すように、基板Wが1回転する間に、移動方向dに対して最後尾となる吐出口a2を、1回転の開始時における先頭の吐出口a0に対して移動方向d側へ距離Lだけ間隔をあけた位置に移動させる(以下、単に距離Lと記載する)。この距離Lも、隣り合う吐出口a同士の間隔laと同様に、基板W上に現像液が供給されない隙間が生じないような値に設定されている。このように、隣り合う現像液の着液位置の軌跡bL0、bL2との間隔を近接させることで、図5(b)に示すように、吐出口a2に応じた現像液の供給範囲は、吐出口a0に応じた現像液の供給範囲に隙間なく密接させることができる。
上述した距離L(m)は、基板Wの回転速度ω(rad/s)および現像液ノズル11の移動速度v(m/s)の関係と、既知の現像液ノズル11のノズル情報とで決まる(ここで、ω、vはいずれも正の定数とする)。以下、数式を用いて具体的に説明する。
図6は、直交座標系を模式的に示す平面図であり、図7は、ノズル情報および距離Lを模式的に示す現像液ノズル11の下面図である。図7(b)は、図7(a)で示した時点から基板Wが1回転した後の時点の様子を示している。図6に示すように、基板W面と平行な2次元平面の座標であって、X軸を吐出口aの並び方向d(現像液ノズル11の移動方向d)とし、Y軸をX軸および鉛直軸AXと直交する軸とする直交座標系を想定する。この直交座標系の原点(0,0)は、平面視で基板Wの回転中心の位置と一致する。
現像液ノズル11に形成される吐出口aの総数は(m+1)個とし、移動方向dの先頭から順に吐出口a0、a1、a2、……、amと呼ぶ(mは1以上の整数)。各吐出口aiは半径r(m)の円形とし、隣り合う吐出口aの中心間距離をそれぞれP(m)とする(iは0からmまでの任意の整数とし、Pは正の定数とする)。時刻t=0(s)における先頭の吐出口a0の中心位置を(−R,0)とすると、時刻t=0(s)における各吐出口aiの中心位置は、(−R−i×P,0)となる(Rは正の定数とする)。
各吐出口aiの中心位置から回転する基板W面に垂直に下ろした点を再びXY座標系に投影した点Bi(Xi,Yi)が、時刻tの経過とともに移動する軌跡は、
Xi=(−R−i×P+v×t)×cosωt …… (1)
Yi=(−R−i×P+v×t)×sinωt …… (2)
で表される。
この点Biの軌跡は、上述した着液位置の軌跡bLの中心線とみなせる。ここで、角速度ωと移動速度vは一定である。このため、点Biの軌跡同士の間隔を半径方向から見る場合(すなわち、点Biの各軌跡が原点を通過する直線とそれぞれ交わる交点同士の距離を間隔とする場合)、いずれの角度の半径方向からみても変わらない。そこで、点Biの軌跡同士の間隔を、X軸の負の部分(点(−R,0)と原点(0,0)を結ぶ線分)を通過する位置で求めることが便宜である。点BiがX軸の負の部分上にあるときのX座標は、式(1)に時刻t=2πN/ω(Nは基板Wの周回数であり、0以上の整数)を与えることで得られる。
よって、それぞれ周回数N、Nにおける各吐出口ai、aiに対応する各点BiのX座標の差(Xi−Xi)は、
Xi−Xi=(−i+i)×P+v×2π×(N−N)/ω …… (3)
で表すことができる。
ここで、X座標の差(Xi−Xi)から2rを引いた値は、隣り合う現像液の着液位置の軌跡同士bLの間隔とみなせる。よって、周回数N、Nにおける各吐出口ai、aiに応じたX座標の差(Xi−Xi)は、隣り合う現像液の着液位置の軌跡同士bLの間隔に対応する。
ここで、ステップS1aのように動作させる場合は、任意の周回数N=nにおける先頭の吐出口a0の位置を(x,0)とすると、さらに1週分加えた周回数N=(n+1)における最後尾の吐出口amの位置が(x+L+2r,0)となる(図7(a)、(b)を参照)。
すなわち、次式(4)から式(6)に示す関係が成立する。
=0 …… (4)
=m …… (5)
−N=−1 …… (6)
これら式(4)から式(6)を式(3)に与えると、次式(7)が得られる。
v×2π/ω=L+2r+m×P …… (7)
式(7)において、m、P、rの各値は、現像液ノズル11固有の値であり、いずれも既知である。よって、基板Wの回転速度ω(rad/s)および現像液ノズル11の移動速度v(m/s)との関係によって、距離L(m)が自ずと決まる。
このように関係式(7)によれば、吐出口aの個数(〜m)、隣り合う吐出口aの中心間距離P、及び、吐出口aの半径rがそれぞれ任意の値をとる種々の現像液ノズル11について一般化して、基板Wの回転速度ωと現像液ノズル11の移動速度vと距離Lとの関係を表すことできる。
このため、制御部31は、上述の吐出口aの総数(〜m)、隣り合う吐出口aの中心間距離Pおよび吐出口aの半径rの各値が予め設定されているノズル情報を有している。また、制御部31は、処理条件として距離Lの値(所定値)が予め設定されている処理レシピを有している。そして、第1の処理例において、制御部31は、式(7)において距離Lに所定値を与えて得られる基板Wの回転速度ωと現像液ノズル11の移動速度vとの関係が保たれるように、水平移動機構21とモータ3とを制御する。例えば、距離Lが0.003(m)となるように、基板Wの回転速度ωと現像液ノズル11の移動速度vとの関係を調整することが好ましい。
この結果、図5に示すように、基板Wが1回転する間に、移動方向dに対して最後尾の吐出口amを、1回転を開始する時点における先頭の吐出口a0に対して、移動方向d側へ距離L(m)だけ離して近接させることができる。このようにして、現像液ノズル11を基板Wの略中心の上方位置まで移動させると、基板Wの全面に隙間なく現像液が供給される。
次に、ステップS1について第2の処理例(ステップS1b)を説明する。
<ステップS1b>
制御部31は、基板Wを1回転させる間に、吐出口aの総数から1引いた数で、隣り合う各吐出口aの中心間距離Pを分割した距離だけ、移動方向dに現像液ノズル11を移動させる。
図8を参照する。図8は、第2の処理例によって基板Wの表面に供給された現像液の範囲を示す模式図である。図示するように、現像液ノズル11が3つの吐出口aを有するので、基板Wが1回転する間に、各吐出口aの中心間距離Pを2分割した距離だけ移動方向dに現像液ノズル11を移動させている。なお、図8では、隣り合う吐出口a同士の間隔laが大き過ぎて、同時に分離して着液した現像液が基板W上で広がっても合流できない場合を示している。このような制御によって現像液ノズル11を基板Wの略中心の上方位置まで移動させることで、基板Wの全面に隙間なく現像液を供給する。
この第2の処理例は、式(3)において、式(8)から式(10)に示す関係が成立する。
−i=−1 …… (8)
−N=−1 …… (9)
Xi−Xi=(m−1)×P/m …… (10)
あるいは、第2の処理例は、式(3)において、式(11)から式(13)に示す関係が成立する。
−i=0 …… (11)
−N=−1 …… (12)
Xi−Xi=−P/m …… (13)
これら式(8)から式(10)、または、式(11)から式(13)のいずれを式(3)に与えても、次式(14)が得られる。
v×2π/ω=P/m …… (14)
よって、第2の処理例では、制御部31は、式(14)から得られる、基板Wの回転速度ωと現像液ノズル11の移動速度vとの関係が保たれるように、水平移動機構21とモータ3とを制御する。
最後に、ステップS1について第3の処理例(ステップS1c)を説明する。
<ステップS1c>
各吐出口aiに応じた着液位置の軌跡bLが互いに重なるように制御する。そして、現像液ノズル11を基板Wの略中心の上方位置まで移動させることで、基板Wの全面に隙間なく現像液を供給する。
図9を参照する。図9は、第3の処理例によって基板Wの表面に供給された現像液の範囲を示す模式図である。図示するように、3つの吐出口aの着液位置の各軌跡bLは、周回数が1周ずつ前後して一致する。
第3の処理例は、式(3)において、次式(15)から式(17)に示す関係が成立する。
−i=1 …… (15)
−N=1 …… (16)
Xi−Xi=0 …… (17)
これら式(15)から式(17)を式(3)に与えると、次式(18)が得られる。
v×2π/ω=P …… (18)
よって、第3の処理例では、制御部31は、式(18)から得られる、基板Wの回転速度ωと現像液ノズル11の移動速度vとの関係が保たれるように、水平移動機構21とモータ3とを制御する。
また、隣り合う吐出口a同士の着液位置の軌跡bLが重なるように制御することをさらに一般化して次のように制御してもよい。すなわち、各吐出口aに応じた複数の着液位置の軌跡bLのうち、少なくともいずれか2つの軌跡bLが重なるように制御してもよい。このように動作させる場合は、吐出口ai、aiが同じでなく周回数N、Nが異なるものとして、周回数Nにおける吐出口aiに応じた点BiのX座標Xiと、周回数N(N≠N)における吐出口aiに応じた点BiのX座標Xiが一致することになる。
よって、式(3)において、次式(19)から式(21)に示す関係が成立する。
−i≠0 …… (19)
−N≠0 …… (20)
Xi−Xi=0 …… (21)
これら式(19)から式(21)を式(3)に与えると、次式(22)が得られる。
v×2π/ω=(i−i)×P/(N−N) …… (22)
よって、第3の処理例では、制御部31は、式(22)から得られる、基板Wの回転速度ωと現像液ノズル11の移動速度vとの関係が保たれるように、水平移動機構21とモータ3とを制御する。
このように、実施例1に係る現像装置によれば、現像液ノズル11は複数の吐出口aを有し、各吐出口aから吐出された現像液は、基板Wに着液するまで互いに分離したままである。このため、吐出口aから吐出されてから基板Wに着液するまでの間、現像液は安定した形状を保って流下する。よって、現像液が基板Wに着液する位置、範囲も安定しており、現像液の着液位置bを容易に制御、管理することができる。
また、各吐出口aは円形であるため、各吐出口aから現像液が円柱状に流下する。このため、流下する現像液の形状が、帯状の現像液に比べて容易に変形しない。具体的には、流下する現像液の幅が広狭したり、流下する現像液が2以上に割れたりしない。
さらに、各吐出口aはそれぞれ間隔laをあけて一列に近接配置されているので、吐出口a毎に分離して基板W上に着液した現像液が広がり、着液位置b同士の間の基板W面を現像液によって覆うことができる。よって、基板Wに現像液を隙間なく供給することができる。
また、水平移動機構21は、各吐出口aの並び方向dが平面視で基板Wの中心に向いた一定の方向に保った状態で、この一方向に現像液ノズル11を移動する。このため、各吐出口aは平面視で常に基板Wの中心を通る直線上にある。よって、基板Wの中心から各吐出口aまでの距離は一様に現像液ノズル11が移動した距離に比例して増減する。このため、制御部31は、基板Wの回転数(回転速度ω)と現像液ノズル11の移動速度vの関係を調整することによって、着液位置の軌跡bLの位置を制御できる。
そして、上述したように、各吐出口aに応じた現像液の着液位置bと、これら各着液位置の軌跡bLの位置を精度よく制御することができることから、複数の着液位置の軌跡bLの相互の位置関係も調整できる。よって、現像液の供給量に余剰分を含めることを要することなく、効率よく現像液を基板W全面に供給することができる。よって、現像液の消費量を低減することができる。
具体的には、第1の処理例では、各吐出口aに応じた着液位置の軌跡bLがいずれも重複せず、ただ基板W上で合流するのみである。これにより、基板W全面に極めて効率よく、かつ、均一に現像液を供給することができる。
また、第2の処理例では、隣り合う着液位置bに分離供給された現像液が基板W上でも合流しないほど、各吐出口a同士の間隔laが大きい場合に有効である。すなわち、処理例2によれば、同時に着液する着液位置b同士の間に、その後の周回数Nで現像液を着液させることができ、基板Wの全面に確実に現像液を供給することができる。
また、第3の処理例では、各吐出口aからの現像液の吐出が仮に不安定になった場合に有効である。すなわち、全ての吐出口aから周回数を異にして同じ位置に現像液を吐出させるため、確実に所望の位置に現像液を着液することができる。これにより、確実に基板Wの全面に現像液を供給することができる。
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
(1)上述した第1の処理例(ステップS1a)では、吐出口a同士の間隔laおよび距離Lとして好ましい値を例示したが、これに限られない。現像液Dが広がることで確実に隣り合う着液位置b同士の隙間を覆うことができる範囲内であれば、吐出口a同士の間隔laおよび距離Lの値を適宜に変更してもよい。また、これらの値が大きい値であるほど、より効率よく現像液を供給することができ、現像液の消費量を低減することができる。
このため、第1の処理例を次のような制御のもとで動作するように変更してもよい。すなわち、制御部31は、距離Lの値ではなく、距離Lの上限値Lmaxの値が設定されている処理条件を処理レシピとして予め有している。
そして、距離Lが上限値Lmax以下(所定範囲内)となるように、すなわち、上記した式(7)を変形した下記の式(23)を満たすように、モータ3と水平移動機構21を制御部31が制御するようにしてもよい。
L = v×2π/ω−2r−m×P ≦ Lmax …… (23)
このようにして動作させることにより、基板Wの周縁から略中心に現像液ノズル11を移動させる間の基板Wの周回数をさらに少なくすることができ、着液位置の軌跡bLの全長を短くすることができる。このため、現像液を基板Wの全面にさらに効率よく供給することができる。
また、処理条件として上述の距離Lの上限値Lmaxに加えて、距離Lの下限値Lminを予め設定しておき、距離Lが上限値Lmaxから下限値Lminまでの所定範囲内ととなるように、すなわち、上記した式(7)を変形した下記の式(24)を満たすようにモータ3と水平移動機構21を制御部31が制御するようにしてもよい。
Lmin ≦ L = v×2π/ω−2r−m×P ≦ Lmax …… (24)
(2)上述した第2の処理例(ステップS1b)では、基板Wを1回転させる間に、吐出口aの総数から1引いた数で、隣り合う各吐出口aの中心間距離Pを分割した距離だけ、移動方向dに現像液ノズル11を移動させるように構成したが、これに限られない。例えば、基板Wを1回転させる間に現像液ノズル11を移動方向dに移動させる距離を、隣り合う吐出口aの中心間距離Pより短い距離に変更してもよい。
たとえば、上述した条件式(11)、(12)に加えて、次の式(25)を式(3)に与えるように変更すればよい。
Xi−Xi=−P×k …… (25)
k:係数(0以上で1未満の定数)
そこで、係数k、または、隣り合う吐出口aの中心間距離Pより短い距離(P×k)を処理条件として設定しておき、式(3)、(11)、(12)、(25)を満たすように、モータ3と水平移動機構21を制御部31が制御するようにしてもよい。
(3)上述した実施例では、水平移動機構21は、現像液ノズル11を水平方向に移動させるものであったが、これに限られない。現像液ノズル11を平面視で基板Wの周縁と中心との間で変位させることができれば、他の方向の成分を含んで移動させるものであってもよい。
(4)上述した各実施例では、現像液ノズル11の移動方向dを、平面視で基板Wの略中心に向かう方向として説明したが、この方向と反対の方向に移動させつつ現像液を供給してもよい。
(5)上述した実施例では、吐出口aは円形であったが、吐出した現像液を棒状に流下させることができれば、吐出口aの形状は矩形(正方形)やその他の形状に適宜に変更できる。
(6)上述した実施例、特に第1の処理例の説明において、隣り合う吐出口a同士の間隔laとして、同時に分離して着液した現像液が基板W上で合流可能な値であることが好ましいと記載したが、これに限られるものではない。たとえば、同時に分離して着液した現像液が基板W上で広がっても合流できないほど、隣り合う吐出口a同士の間隔laを大きく設計してもよい。このような現像液ノズル11に変更した場合であっても、第2の処理例や第3の処理例を行うことによって、基板Wの全面に現像液を隙間なく供給することができる。
実施例に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。 実施例に係る現像装置の平面図である。 回転する基板に着液した現像液の様子を模式的に示す要部平面図である。 (a)、(b)は、それぞれ図3に示すA−A矢視とB−B矢視の垂直断面図である。 第1の処理例によって、基板の表面に供給された現像液の範囲を示す模式図であり、(a)で示した時刻から基板が1回転した後の時点が(b)である。 直交座標系を模式的に示す要部平面図である。 ノズル情報および距離を模式的に示す現像液ノズルの下面図である。 第2の処理例によって、基板の表面に供給された現像液の範囲を示す模式図であり、(a)で示した時刻から基板が1回転した後の時点が(b)である。 第3の処理例によって、基板の表面に供給された現像液の範囲を示す模式図であり、(a)で示した時刻から基板が1回転した後の時点が(b)である。
符号の説明
1 …スピンチャック
3 …モータ
11 …現像液ノズル
21 …水平移動機構
31 …制御部
a、a0、a1、a2、ai、ai、ai …吐出口
b、b0、b1、b2 …着液位置
bL、bL0、bL1、bL2 …着液位置の軌跡
d1 …吐出口の並び方向
d …現像液ノズルの移動方向
m …吐出口の総数から1を引いた値
r …吐出口の半径
la …隣り合う吐出口同士の間隔
ω …基板の角速度
v …現像液ノズルの移動速度
L …距離
Lmax …距離Lの上限値
Lmin …距離Lの下限値
N、N、N …基板の周回数
W …基板
D …現像液

Claims (8)

  1. 基板を現像する現像装置において、
    基板を回転可能に保持する回転保持手段と、
    現像液を吐出する複数の吐出口が一列に並んで形成されて、各吐出口から吐出された現像液を互いに分離したままで基板に着液させる現像液供給手段と、
    前記吐出口の並び方向を平面視で基板の中心に向かう一方向に保ちつつ、この一方向に前記現像液供給手段を移動することによって、前記現像液供給手段を平面視で基板の略中心と周縁とにわたって移動する移動手段と、
    前記回転保持手段と前記移動手段とを制御して、各吐出口から基板上に現像液をそれぞれ螺旋状に着液させて基板を現像する制御手段と、
    を備え、
    前記制御手段が基板を1回転させる間に前記現像液供給手段を移動させる距離は、隣り合う吐出口の中心間距離を、吐出口の総数から1を引いた数で割った値であり、
    基板の回転速度をω[rad/s]とし、
    現像液供給手段の移動速度をv[m/s]とし、
    現像液供給手段に形成される吐出口の総数を(m+1)とし、
    隣り合う吐出口の中心間距離をP[m]としたとき、
    v×2π/ω=P/m
    の式を満たすことを特徴とする現像装置。
  2. 基板を現像する現像装置において、
    基板を回転可能に保持する回転保持手段と、
    現像液を吐出する複数の吐出口が一列に並んで形成されて、各吐出口から吐出された現像液を互いに分離したままで基板に着液させる現像液供給手段と、
    前記吐出口の並び方向を平面視で基板の中心に向かう一方向に保ちつつ、この一方向に前記現像液供給手段を移動することによって、前記現像液供給手段を平面視で基板の略中心と周縁とにわたって移動する移動手段と、
    前記回転保持手段と前記移動手段とを制御して、各吐出口から基板上に現像液をそれぞれ螺旋状に着液させて基板を現像する制御手段と、
    を備え、
    前記制御手段が基板を1回転させる間に前記現像液供給手段を移動させる距離は、隣り合う吐出口の中心間距離より短く、
    基板の回転速度をω[rad/s]とし、
    現像液供給手段の移動速度をv[m/s]とし、
    隣り合う吐出口の中心間距離をP[m]とし、
    0以上で1未満の定数である係数をkとしたとき、
    v×2π/ω=P×k
    の式を満たすことを特徴とする現像装置。
  3. 請求項1または2に記載の現像装置において、
    前記制御手段は、前記回転保持手段と前記移動手段とを制御して、隣り合う現像液の着液位置の軌跡同士を近接させて、これら軌跡と軌跡の間の基板面を着液後に広がる現像液で覆うことを特徴とする現像装置。
  4. 請求項1から3のいずれかに記載の現像装置において、
    前記吐出口から吐出された現像液は棒状に流下することを特徴とする現像装置。
  5. 請求項1から4のいずれかに記載の現像装置において、
    各吐出口は互いに近接して設けられており、各吐出口から同時に現像液が吐出されたとき、基板に現像液が着液する着液位置同士の間の基板面を着液後に広がる現像液で覆うことを特徴とする現像装置。
  6. 請求項1から5のいずれかに記載の現像装置において、
    前記制御手段は、前記回転保持手段と前記移動手段とを制御して基板の回転速度と前記現像液供給手段の移動速度との関係を調整することによって、前記隣り合う現像液の着液位置の軌跡同士の間隔を制御することを特徴とする現像装置。
  7. 請求項6に記載の現像装置において、
    前記制御手段は、前記間隔が予め設定されている所定値又は所定範囲内となるように制御することを特徴とする現像装置。
  8. 請求項1から7のいずれかに記載の現像装置において、
    前記制御手段は、各吐出口から基板上に現像液をそれぞれ螺旋状に着液させて基板を現像する際、基板の回転速度および前記現像液供給手段の移動速度をそれぞれ一定に制御することを特徴とする現像装置。
JP2007271366A 2007-10-18 2007-10-18 現像装置 Active JP5449662B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007271366A JP5449662B2 (ja) 2007-10-18 2007-10-18 現像装置
KR1020080093034A KR20090039605A (ko) 2007-10-18 2008-09-23 현상장치
CN2008101666103A CN101414132B (zh) 2007-10-18 2008-10-15 显影装置
US12/252,225 US20090103960A1 (en) 2007-10-18 2008-10-15 Developing apparatus
TW97139884A TWI402635B (zh) 2007-10-18 2008-10-17 顯影裝置
KR1020110074986A KR101213284B1 (ko) 2007-10-18 2011-07-28 현상장치
US13/359,388 US8956695B2 (en) 2007-10-18 2012-01-26 Developing method
US14/572,677 US9581907B2 (en) 2007-10-18 2014-12-16 Developing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007271366A JP5449662B2 (ja) 2007-10-18 2007-10-18 現像装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013206612A Division JP5668120B2 (ja) 2013-10-01 2013-10-01 現像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009099851A JP2009099851A (ja) 2009-05-07
JP5449662B2 true JP5449662B2 (ja) 2014-03-19

Family

ID=40563633

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007271366A Active JP5449662B2 (ja) 2007-10-18 2007-10-18 現像装置

Country Status (5)

Country Link
US (3) US20090103960A1 (ja)
JP (1) JP5449662B2 (ja)
KR (2) KR20090039605A (ja)
CN (1) CN101414132B (ja)
TW (1) TWI402635B (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5449662B2 (ja) 2007-10-18 2014-03-19 株式会社Sokudo 現像装置
CN101907834B (zh) * 2009-06-03 2011-12-21 沈阳芯源微电子设备有限公司 真空显影机构
CN102645854A (zh) * 2011-04-20 2012-08-22 京东方科技集团股份有限公司 显影液喷淋***及方法、基板产品
CN103630959A (zh) * 2013-03-05 2014-03-12 苏州秀诺光电科技有限公司 一种全息光栅的显影方法及其专用设备
JP6390732B2 (ja) * 2013-08-05 2018-09-19 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置
JP6221954B2 (ja) * 2013-08-05 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置及び記憶媒体
CN103424997B (zh) * 2013-08-30 2016-05-18 中国电子科技集团公司第二十六研究所 光刻工艺的显影方法
KR20150064430A (ko) * 2013-12-03 2015-06-11 삼성전자주식회사 스핀 코팅 장치 및 스핀 코팅 방법
JP6093321B2 (ja) * 2014-03-17 2017-03-08 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、塗布方法及び記録媒体
JP6545464B2 (ja) 2015-01-07 2019-07-17 株式会社Screenホールディングス 現像方法
US10332761B2 (en) 2015-02-18 2019-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP6509583B2 (ja) * 2015-02-25 2019-05-08 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6504540B2 (ja) * 2015-02-25 2019-04-24 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6432941B2 (ja) * 2015-02-25 2018-12-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6439766B2 (ja) * 2016-09-23 2018-12-19 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像方法及び塗布、現像装置
KR102000019B1 (ko) * 2017-04-28 2019-07-18 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법
CN112612188A (zh) * 2020-12-17 2021-04-06 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 一种显影装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4564280A (en) * 1982-10-28 1986-01-14 Fujitsu Limited Method and apparatus for developing resist film including a movable nozzle arm
JPH07263302A (ja) 1994-03-18 1995-10-13 Fujitsu Ltd レジストの現像方法
US5935331A (en) * 1994-09-09 1999-08-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for forming films
JP3890393B2 (ja) * 1996-01-29 2007-03-07 株式会社Sokudo 回転式基板塗布装置
KR19980056407U (ko) 1997-01-14 1998-10-15 문정환 반도체 제조 공정라인의 포토레지스트 도포장치
JPH1111603A (ja) 1997-06-12 1999-01-19 Tomy & Brain Corp キッチン流し台における生ゴミ処理装置
US5962070A (en) * 1997-09-25 1999-10-05 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus
JPH11111603A (ja) * 1997-10-07 1999-04-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板現像方法及びその装置
JPH11156278A (ja) * 1997-11-27 1999-06-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液吐出ノズル及びそれを備えた基板処理装置
JP2000068188A (ja) * 1998-08-24 2000-03-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 現像装置および現像方法
KR100585448B1 (ko) * 1999-04-08 2006-06-02 동경 엘렉트론 주식회사 막 형성방법 및 막 형성장치
JP2000311846A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Sony Corp レジスト現像方法およびレジスト現像装置
TW505822B (en) 1999-06-09 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Developing method and developing apparatus
JP3605545B2 (ja) * 1999-06-09 2004-12-22 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法および現像処理装置
US6383948B1 (en) * 1999-12-20 2002-05-07 Tokyo Electron Limited Coating film forming apparatus and coating film forming method
JP3535997B2 (ja) * 1999-10-01 2004-06-07 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置及び現像処理方法
US6270579B1 (en) * 1999-10-29 2001-08-07 Advanced Micro Devices, Inc. Nozzle arm movement for resist development
JP3898906B2 (ja) 2001-05-22 2007-03-28 東京エレクトロン株式会社 基板の塗布装置
JP2003022966A (ja) * 2002-05-08 2003-01-24 Tokyo Electron Ltd 塗布装置及び塗布方法
JP4084167B2 (ja) 2002-06-10 2008-04-30 株式会社Sokudo 処理液塗布方法
US6645880B1 (en) * 2002-06-10 2003-11-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Treating solution applying method
JP2005046694A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Toshiba Corp 塗布膜形成方法及び塗布装置
JP4369325B2 (ja) * 2003-12-26 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像処理方法
JP4480134B2 (ja) * 2004-03-15 2010-06-16 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法及びその装置
JP4537109B2 (ja) * 2004-04-16 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置および現像処理方法
JP4464763B2 (ja) * 2004-08-20 2010-05-19 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像方法
JP4494332B2 (ja) 2005-11-29 2010-06-30 東京エレクトロン株式会社 リンス処理方法、現像処理装置、および制御プログラム
JP5449662B2 (ja) 2007-10-18 2014-03-19 株式会社Sokudo 現像装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090039605A (ko) 2009-04-22
TW200933313A (en) 2009-08-01
TWI402635B (zh) 2013-07-21
CN101414132B (zh) 2012-01-11
KR101213284B1 (ko) 2012-12-20
CN101414132A (zh) 2009-04-22
US20090103960A1 (en) 2009-04-23
US8956695B2 (en) 2015-02-17
US20120122038A1 (en) 2012-05-17
KR20110102261A (ko) 2011-09-16
US20150104747A1 (en) 2015-04-16
JP2009099851A (ja) 2009-05-07
US9581907B2 (en) 2017-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5449662B2 (ja) 現像装置
JP6267141B2 (ja) 液塗布方法、液塗布装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US7547614B2 (en) Solution treatment apparatus and solution treatment method
JP5218781B2 (ja) 基板処理装置
TW425618B (en) Coating apparatus and coating method
KR101993047B1 (ko) 기판 세정 장치, 기판 처리 장치 및 기판 세정 방법
US20060086460A1 (en) Developing treatment apparatus
JP2022046444A (ja) 洗浄ジグ、これを含む基板処理装置、そして基板処理装置の洗浄方法
TWI395622B (zh) 處理液供應單元、使用處理液供應單元的基板處理裝置及方法
JPH11111603A (ja) 基板現像方法及びその装置
JP6475487B2 (ja) 現像方法
JP5920736B2 (ja) スピン現像方法および装置
JP5668120B2 (ja) 現像装置
US20040028403A1 (en) Developing apparatus and developing method
KR102363198B1 (ko) 액처리 장치 및 액처리 방법
JP2010153474A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US6752544B2 (en) Developing apparatus and developing method
JP4326820B2 (ja) 現像装置及び現像方法
JPH10284381A (ja) 塗布装置
JP2018061957A (ja) 液塗布方法、液塗布装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6812262B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20210133166A (ko) 노즐 유닛, 액 처리 장치 및 액 처리 방법
JPH07335543A (ja) 基板処理装置
JPH0462069B2 (ja)
JP2004103835A (ja) 基板の塗布処理装置及び基板の塗布処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100903

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130305

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130430

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130702

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131001

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20131011

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131217

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131225

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5449662

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250