TWI395622B - 處理液供應單元、使用處理液供應單元的基板處理裝置及方法 - Google Patents

Description

處理液供應單元、使用處理液供應單元的基板處理裝置及方法 treating liquid supplying unit and substrate treating apparatus and method using the same 【交互參考之相關申請案】

本申請案主張於一個韓國專利申請案的優先權，該韓國專利申請案於西元2008年10月9日提出申請，其申請號為：2008-0099229。在此，該韓國申請案的全部內容作為本申請案的參考。

本發明為一種化學液供應單元、使用該化學液供應單元的基板處理裝置及方法，尤指一種用於光阻塗佈製程的化學液供應單元、使用該化學液供應單元的基板處理裝置及方法。

通常，製造一個半導體基板(semiconductor substrate)時，是藉由在一個矽晶圓(silicon wafer)上堆疊出多個薄膜(thin films)，以構成一個預定的電路圖案(circuit pattern)。為了形成及堆疊出該些薄膜，多個單元製程，例如沈積製程(deposition process)、光微影製程(photolithography process)、蝕刻製程(etching process)等，將會重複地執行之。

在該些單元製程之中，光微影製程是用來形成圖案於晶圓上。光微影製程包括：一光阻塗佈製程(photoresist coating process)、一曝光製程(exposing process)、一顯影製程(developing process)等。

光阻沈積製程是用來均勻地將對光線敏感的光阻鋪至晶圓的一表面上。曝光製程是用來將電路圖案曝在光阻形成之處，其藉由使用步進機(stepper)來讓光線通過光罩上的對應電路圖案而達成之。顯影製程則是使用顯影機(developer)來選擇性地在晶圓上顯影出一光阻層部分(a photoresist layer portion)。也就是說，該光阻層部分藉由曝光製程被曝到光或是沒有被曝到光。

藉由沈積、曝光及顯影製程，該電路圖案形成於晶圓上，並且利用晶圓上的該電路圖案，來蝕刻該晶圓的最上層，藉此形成具有該電路圖案的裝置。

本發明提供一種化學液供應單元，其藉由在一個單一的噴嘴臂上安裝多個用來噴灑液體(例如有機溶劑、邊緣液滴的去除媒介等)的噴嘴，使得設備安裝的空間可較佳地被利用。本發明並提供使用該單元的基板處理裝置及方法。

本發明的實施例提出了一種處理液供應單元，包括：一光阻噴嘴，供應光阻於一基板上；以及一邊緣液滴去除噴嘴，供應邊緣液滴去除液於該基板的一邊緣，以去除形成於該基板邊緣的一邊緣液滴；其中該光阻噴嘴及該邊緣液滴去除噴嘴設置於一單一的噴嘴臂上。

在部分實施例中，該處理液供應單元更包括：一預濕噴嘴，該預濕噴嘴供應有機溶劑於該基板上，以增加從該光阻噴嘴供應至該基板上的光阻的濕度，其中該預濕噴嘴可設置在該噴嘴臂上。

在其他實施例中，該預濕噴嘴、該光阻噴嘴及該邊緣液滴去除噴嘴沿著與該噴嘴臂的一長度方向垂直的一直線，直線地排列於該噴嘴臂的一端。

在更多其他實施例中，該光阻噴嘴設置於該噴嘴臂的一第一端的一中心上，該預濕噴嘴及該邊緣液滴去除噴嘴可分別地設置於該光阻噴嘴的兩側。

在另外其他實施例中，該處理液供應單元更包括：一光阻供應源；一光阻供應管線，連接於該光阻供應源及該光阻噴嘴；一邊緣液滴去除液供應源；一邊緣液滴去除液供應管線，連接於該邊緣液滴去除液供應源及該邊緣液滴去除噴嘴；一有機溶劑供應源；一有機溶劑供應管線，連接於該有機溶劑供應源及該預濕噴嘴。

在本發明的其他實施例中，基板處理裝置包括：一基板支撐元件，支撐一基板；以及一處理液供應單元，用於進行一光阻沈積製程於該基板支撐元件上的該基板。其中該處理液供應單元包括：一光阻噴嘴，該光阻噴嘴供應光阻於該基板上，以及一邊緣液滴去除噴嘴，該邊緣液滴去除噴嘴供應邊緣液滴去除液於該基板的一邊緣，以去除形成於該基板邊緣的一邊緣液滴。該光阻噴嘴及該邊緣液滴去除噴嘴設置於一單一的噴嘴臂上。

在部分實施例中，該處理液供應單元更包括：一預濕噴嘴，該預濕噴嘴供應有機溶劑於該基板上，以增加從該光阻噴嘴供應至該基板上的光阻的濕度，其中該預濕噴嘴可設置在該噴嘴臂上。

在其他實施例中，該預濕噴嘴、該光阻噴嘴及該邊緣液滴去除噴嘴沿著與該噴嘴臂的一長度方向垂直的一直線，直線地排列於該噴嘴臂的一端。

在更多其他實施例中，該光阻噴嘴設置於該噴嘴臂的一第一端的一中心上，該預濕噴嘴及該邊緣液滴去除噴嘴可分別地設置於該光阻噴嘴的兩側。

在還有更多其他實施例中，該噴嘴臂設置於該基板支撐元件的一側，使得該預濕噴嘴、該光阻噴組及該邊緣液滴去除噴嘴的排列方向可通過位於該基板支撐元件上的該基板的中心。

在其他更多其他實施例中，該基板處理裝置更包括：一驅動元件，該驅動元件直線地移動該噴嘴臂，使得該預濕噴嘴、該光阻噴組及該邊緣液滴去除噴嘴移動至一製程位置，而該製程位置位於該基板上，且該基板上設置於該基板支撐元件上，其中該驅動元件包括：一噴嘴臂支撐元件、一驅動單元及一導引元件，該噴嘴臂支撐元件支撐該噴嘴臂，該驅動單元往復地移動該噴嘴臂支撐元件，該導引元件導引該噴嘴臂支撐元件的直線運動。

在其他還有更多其他實施例中，該處理液供應單元更包括：一光阻供應源；一光阻供應管線，該光阻供應管線連接於該光阻供應源及該光阻噴嘴；一邊緣液滴去除液供應源；一邊緣液滴去除液供應管線，該邊緣液滴去除液供應管線連接於該邊緣液滴去除液供應源及該邊緣液滴去除噴嘴；以及一有機溶劑供應源；一有機溶劑供應管線，，該有機溶劑供應管線連接於該有機溶劑供應源及該預濕噴嘴。

在本發明的更多其他實施例中，使用上述的基板處理裝置對一基板執行光阻沈積製程的方法，包括：移動該噴嘴臂，使得該預濕噴嘴位於該基板的中心的上方，然後供應該有機溶劑至該基板的中心；移動該噴嘴臂，使得該光阻噴嘴位於該基板的中心的上方，然後供應該光阻至該基板的中心；以及移動該噴嘴臂，使得該邊緣液滴去除噴嘴位於該基板的邊緣的上方，然後供應該邊緣液滴去除液至該基板的邊緣；其中該有機溶劑、該光阻及該邊緣液滴去除液供應時，該基板為旋轉的。

在部分實施例中，該預濕噴嘴、該光阻噴嘴及該邊緣液滴去除噴嘴沿著與該噴嘴臂的一長度方向垂直的一直線，直線地排列於該噴嘴臂的一端上；當該噴嘴臂沿著該預濕噴嘴、該光阻噴嘴及該邊緣液滴去除噴嘴的一排列方向移動時，該有機溶劑及該光阻連續地供應至該基板的中心，然後該邊緣液滴去除液供應至該基板的邊緣。

本發明的較佳實施例將依據所附的圖示來更詳細地說明。然而，本發明可用不同形式來實施之，並不應被侷限於在此所提出的該些實施例。更確切地說，該些實施例被提出後，將使得揭露更完善，並且可完整地傳達出本發明的範疇於熟知本領域的技藝者。在圖示之中，元件的形狀是較為誇大，目的是為了清楚地表現。

第一圖為具有一個基板處理裝置的半導體製造設施的上視圖，其依據本發明的一實施例所繪製。第二圖為第一圖的該半導體製造設施的側視圖，第三圖為示意圖，其描繪出第一圖的該半導體製造設施的一個製程處理單元。

請參考第一圖至第三圖，一半導體製造設施10包括有一索引單元(index)20、一製程處理單元(process treating unit)30以及一連接單元(interface)50。索引單元20、製程處理單元30及連接單元50排列在朝一第一方向12延伸的一直線上。沿著朝第一方向12延伸的該直線，該索引單元20設置於鄰接於該製程處理單元30的前端。而沿著朝第一方向12延伸的該直線，該連接單元50設置於鄰接於該製程處理單元30的後端。該索引單元20及連接單元50都具有長度，該些長度朝著與第一方向12垂直的一第二方向14延伸。以一個上下方向而論，該製程處理單元30具有一雙層結構(duplex structure)。一第一處理單元32a設置在一下層，而一第二處理單元32b設置在一上層。該索引單元20及連接單元50將基板放入至製程處理單元30或從製程處理單元30取出。

該第一處理單元32a包括有：一第一傳輸路徑(first transferring path)34a、一第一主機器裝置(first main robot)36a及多個處理模組(treating modules)40。在第一方向12，第一傳輸路徑34a由一鄰接於索引單元20的位置延伸至一鄰接於連接單元50的位置。該些處理模組40沿著該第一傳輸路徑34a排列，並排列於該第一傳輸路徑34a的兩側。該第一主機器裝置36a安裝於該第一傳輸路徑34a上。該第一主機器裝置36a在索引單元20、處理模組40及連接單元50之間傳送基板。

該第二處理單元32b包括有：一第二傳輸路徑(second transferring path)34b、一第二主機器裝置(second main robot)36b及多個處理模組(treating modules)40。沿著第一方向12，第二傳輸路徑34b由一鄰近於索引單元20的位置延伸至一鄰近於連接單元50的位置。該些處理模組40沿著該第二傳輸路徑34b排列，並排列於該第二傳輸路徑34b的兩側。該第二主機器裝置36b安裝於該第二傳輸路徑34b上。該第二主機器裝置36b在索引單元20、處理模組40及連接單元50之間傳送基板。

該第一處理單元32a可包括用於沈積製程的模組，該第二處理單元32b可包括用於顯影製程的模組。或者，該第一處理單元32a可包括用於顯影製程的模組，該第二處理單元32b可包括用於沈積製程的模組。或者，每一個第一處理單元32a及第二處理單元32b可同時包括用於顯影製程及沈積製程的模組。

舉例而言，用於沈積製程的模組包括：一用於黏著製程(adhesion process)的模組、一用於冷卻製程的模組、一用於光阻沈積製程的模組及一用於軟烤製程(soft bake process)的模組；用於顯影製程的模組包括：一用於加熱曝光後的基板至一預定溫度的模組、一用於冷卻基板的模組、一藉由提供顯影溶液來移除基板中曝光或非曝光區域的模組以及一用於硬烤製程(hard bake process)的模組。

該索引單元20安裝於該製程處理單元30的前端。該索引單元20包括有多數個負載埠(load port)22a、22b、22c、22d以及及一索引機器裝置(index robot)100a，其中收容基板的晶圓盒(cassette)C設置於該些負載埠22a、22b、22c及22d上。該些負載埠22a、22b、22c、22d是沿著在第二方向14延伸的一直線，連續地被設置。該索引機器裝置100a位於製程處理單元30及該些負載埠22a、22b、22c、22d之間。收容基板的晶圓盒C被一輸送單元(圖未示)傳送至該些負載埠22a、22b、22c、22d，該輸送單元可為一高架傳送器(overhead transfer)、一高架輸送機(overhead conveyor)或是一自動搬運車(automatic guided vehicle)。一種封閉式晶圓，例如前開式晶圓盒(front open unified pod,FOUP)，可作為該晶圓盒C。該索引機器裝置100a在設置於該些負載埠22a、22b、22c、22d上的晶圓盒C及該製程處理單元30之間，傳送基板。

該連接單元50安裝於製程處理單元30的後端。相對於製程處理單元30，連接單元50與索引單元20為對稱。該連接單元50具有一個連接機器裝置(interface robot)100b。該連接機器裝置100b在製程處理單元30及連接單元50後端的曝光處理單元之間，傳送基板。

該索引機器裝置100a包括有：一水平導引件110、一垂直導引件120以及一機器手臂130。該機器手臂130可沿著第一方向直線地移動，以及繞著一Z軸轉動。在第二方向14，該水平導引件110導引該機器手臂130的直線運動。在第三方向16，該垂直導引件120導引該機器手臂130的直線運動。該機器手臂130沿著水平導引件110在第二方向14直線地移動，繞著Z軸轉動，以及在第三方向移動。該連接機器裝置110b具有與索引機器裝置100a相同的結構。

以下將說明被建造如上文所述之半導體製造設施10的操作流程。該晶圓盒C被一操作員或是輸送單元(圖未示)輸送至索引單元20之中的負載埠22a上。該索引機器裝置100a從晶圓盒C中取出基板，並將該基板傳遞至第一處理單元32a的第一主機器裝置36a。第一主機器裝置36a沿著第一傳輸路徑34a移動，並且將基板裝入至該些處理模組40中，之後沈積製程將執行之。當基板於處理模組40中被處理後，被處理過的基板從處理模組40之中取出。藉由第一主機器裝置36a把取出後的基板輸送至該連接機器裝置100b。連接機器裝置100b把基板輸送至曝光處理單元60中。基板在曝光處理單處理後，被該連接機器裝置100b輸送至第二處理單元32b中。該基板被該第二主機器裝置36b輸送至該些處理模組40中，之後顯影製程將執行之。顯影後的基板被輸送至索引單元20中。

第四圖為該些處理模組40之中，用於沈積製程的處理模組40a的上視平面圖。第五圖為第四圖的處理模組40a的側視剖面圖，而第六圖為第四圖中A部分的前視圖。

請參考第四圖至第六圖，該處理模組40a包括：一處理腔室(treating chamber)400、一基板支撐元件(substrate supporting member)410及一處理液供應單元(treating liquid supplying unit)430。該處理腔室400提供一空間，讓基板處理製程可在該空間中於執行。一開口402a貫穿該處理腔室400的一側牆402而成型之，使得基板W可通過該開口402a而進入及離開該處理腔室400。該基板支撐元件410設置於該處理腔室400的一中央部分。該基板支撐元件410支撐該基板W，以及旋轉該基板W。該處理液供應單元430供應處理液體至位於基板支撐元件410上的基板W，以處理該基板W。

該基板支撐元件410支撐該基板W，以及藉由一旋轉驅動元件412來旋轉該基板W，旋轉驅動元件412可為製程之中的一個馬達。該基板支撐元件410包括有：一具有圓形上表面的支撐板(supporting plate)414。多個用以支撐該基板W的頂針元件(pin member)416安裝於該支撐板414的上表面。當該基板支撐元件410被旋轉驅動元件412旋轉時，被該些頂針元件416支撐的基板W也會旋轉。

一容器420設置成環繞該基板支撐元件410。該容器420實質地形成一圓柱狀，並且提供一具有一排放孔424的下牆422於其中。一個排放管426連接至該排放孔424。一排放元件428，例如泵浦，連接至該排放管426。排放元件428被施加一負壓，使得在容器420之中的流體可被排放出，該流體包含有被旋轉的基板W所分散的液體。

該處理液供應單元430將處理液體供應於基板支撐元件410上的該基板W的上表面。該處理液供應單元430包括有：一位在基板支撐元件410的一側的噴嘴臂432。多個噴嘴434、436及438可裝置在該噴嘴臂432的一端。該些噴嘴434、436及438沿著垂直於噴嘴臂432長度方向的一直線，連續地排列於該噴嘴臂432的該端。一光阻噴嘴(photoresist nozzle)434設置於該噴嘴臂432的該端的中心。一預濕噴嘴(pre-wet nozzle)436及一邊緣液滴去除噴嘴(edge bead removal nozzle)438分別地設置於該噴嘴臂432的該端的兩側。該噴嘴臂432可設置於該基板支撐元件410的一側，使得該些噴嘴434、436及438的排列方向可通過位在基板支撐元件410上的該基板W的中心。

該光阻噴嘴434將光阻供應於基板W上。而在該預濕噴嘴436在光阻被供應至基板W前，先供應有機溶劑(organic solvent)於基板W上，以增加光阻的濕度(wetness)。當有機溶劑在光阻之前先被提供至基板上時，光阻會均勻地分佈以均勻地在基板上形成光阻層。

該邊緣液滴去除噴嘴438將邊緣液滴去除液(edge bead removal liquid)供應於基板w的一邊緣，以去除在基板W的邊緣上的邊緣液滴。因為光阻具有流動性，當基板W高速旋轉時，因為離心力的作用，光阻會強制地流向基板W上表面的邊緣。朝向基板W邊緣的光阻形成了邊緣液滴，邊緣液滴較其他部分***。舉例而言，邊緣液滴可能會黏在晶圓盒中，然後變成後續製程中的一個污染材料。因此，該邊緣液滴去除噴嘴438供應邊緣液滴去除液來移除該邊緣液滴。

該光阻噴嘴434藉由一光阻供應管線435-1來連接於一光阻供應源435-2。一個用以選擇開啟或關閉光阻供應管線435-1的閥435-3可安裝於光阻供應管線435-1中。該光阻噴嘴434藉由一有機溶劑供應管線437-1來連接於一有機溶劑供應源437-2。一個用以選擇開啟或關閉有機溶劑供應管線437-1的閥437-3可安裝於有機溶劑供應管線437-1中。該邊緣液滴噴嘴438藉由一邊緣液滴去除液供應管線439-1來連接於一邊緣液滴去除液供應源439-2。一個用以選擇開啟或關閉該邊緣液滴去除液供應管線439-1的閥439-3可安裝於邊緣液滴去除液供應管線439-1中。

舉例而言，稀釋劑可被使用作為由預濕噴嘴436提供至基板上的有機溶劑，以及由邊緣液滴去除噴嘴438提供至基板上的邊緣液滴去除液。

藉由該驅動元件440，設置有該些噴嘴434、436及438的該噴嘴臂432可依據該些噴嘴434、436及438的排列方向，直線地移動。該驅動元件440包括有：一噴嘴臂支撐元件442、一導引元件444及一驅動單元446。該噴嘴臂支撐元件442連接於該噴嘴臂432的另一端。該噴嘴臂支撐元件442可被提供成一種向下垂直排列的移動桿的形式，以保持相對於噴嘴臂432的一正確角度。該噴嘴臂支撐元件442的一下端連接於該導引元件444。該導引元件444設置於該基板支撐元件410的一側，從第四圖的俯視結構排列來看，該導引元件444是垂直於該噴嘴臂432的長度方向。該導引元件444可被提供成一種導軌的形式，以導引該噴嘴臂支撐元件442的直線運動。另外，該用於噴嘴臂支撐元件442的直線運動的驅動單元446是連接於噴嘴臂支撐元件442。該驅動單元446可為一種直線往復機構，例如氣壓釭。或者，該驅動單元446可為一種馬達及齒輪的組合。藉由一驅動元件(圖未示)，該噴嘴臂支撐元件442可在垂直方向直線地移動。

藉由該驅動元件440，該處理液供應單元430直線地移動而位於製程位置(預濕有機溶劑供應位置、光阻供應位置、邊緣液滴去除液供應位置)上，以及位於一個製程預備位置上，該製程預備位置設置於該基板支撐元件410的一側。該預濕有機溶劑供應位置的定義為預濕噴嘴436對齊至該基板的一中心部時，預濕噴嘴436所在的位置。該光阻供應位置的定義為光阻噴嘴434對齊至該基板的該中心部時，光阻噴嘴434所在的位置。另外，該邊緣液滴去除液供應位置的定義為該邊緣液滴去除噴嘴438對齊至該基板的邊緣時，該邊緣液滴去除噴嘴438所在的位置。

依據本發明的一實施例，以下將說明使用上述基板處理裝置的一基板處理方法。

第七A圖至第七C圖為依據本發明的一實施例之該基板處理裝置的操作狀態的示意圖。

一開始，基板W經由處理腔室400的開口402A輸送至處理腔室400中，並且放置在基板支撐元件410上。接著，連接有噴嘴臂432的噴嘴臂支撐元件442藉由導引元件444的導引，直線地移動，從而讓噴嘴臂432移動到基板上的預濕有機溶劑供應位置。該預濕有機溶劑供應位置為預濕噴嘴436對齊至該基板的中心部時的的位置。在此，該基板的中心部為朝著基板的一直徑方向延伸的假想線C1及C2之交會點。

藉由該驅動元件(圖未示)，該噴嘴臂支撐元件442在垂直方向直線地移動，從而讓設置在噴嘴臂432上的預濕噴嘴436與位在基板支撐元件410的基板，保持一預定間距。

該預濕噴嘴436將有機溶劑澆於基板上，且該旋轉驅動元件412(請參考第五圖)旋轉該基板支撐元件410，以旋轉該基板W。由於基板W的旋轉而飛散的有機溶劑會通過容器420的排放管426排出至一外邊(請參考第七A圖)。

當供應有機溶劑於基板W之預濕製程完成後，連接有噴嘴臂432的噴嘴臂支撐元件442藉由導引元件444的導引，直線地移動。因此，該噴嘴臂432移動至該光阻供應位置。該光阻供應位置為光阻噴嘴434對齊至該基板的該中心部時的位置。接著，設置在噴嘴臂432上的光阻噴嘴434將光阻澆於基板W上。於此時，基板W是保持旋轉(請參考第七B圖)。

當供應光阻於基板W的光阻沈積製程完成後，連接有噴嘴臂432的噴嘴臂支撐元件442藉由導引元件444的導引，直線地移動。因此，該噴嘴臂432移動到位在基板上的該邊緣液滴去除液供應位置。該邊緣液滴去除液供應位置為該邊緣液滴去除噴嘴438對齊至該基板的邊緣時的位置。接著，設置在噴嘴臂432上的邊緣液滴去除噴嘴438將邊緣液滴去除液(有機溶劑)澆於基板W上。於此時，基板W是保持旋轉(請參考第七C圖)。

當邊緣液滴去除製程完成後，連接有噴嘴臂432的噴嘴臂支撐元件442藉由導引元件444的導引，直線地移動。因此，該噴嘴臂432移動到位於該基板支撐元件410之一側的一個製程預備位置。

上述實施例的基板處理裝置的特點為預濕噴嘴、光阻噴嘴及邊緣液滴去除噴嘴是設置在單一個噴嘴臂上。

依據該特點，與噴嘴分別安裝在各自的噴嘴臂的情況相比，設備安裝的空間可被節省，使得設備安裝的空間可較佳地被利用。

此外，當預濕製程、光阻供應製程及邊緣液滴去除製程連續地執行時，噴嘴選擇的處理時間可以減少。

雖然該實施例像具有基板處理裝置的半導體製造設施一樣，只有描述一個局部的旋轉設施，其只能執行沈積及顯影製程，但是本發明並不被侷限於此。也就是說，本發明的基板處理裝置可連接一個曝光系統，使得基板處理裝置可應用於一同一產線的旋轉設施，其可連續地執行沈積、曝光及顯影製程。

惟以上所述僅為本發明之較佳實施例，非意欲侷限本發明之專利保護範圍，故舉凡運用本發明說明書及圖式內容所為之等效變化，均同理皆包含於本發明之權利保護範圍內，合予陳明。

10．．．半導體製造設施

12．．．第一方向

14．．．第二方向

16．．．第三方向

20．．．索引單元

22a．．．負載埠

22b．．．負載埠

22c．．．負載埠

22d．．．負載埠

30．．．製程處理單元

32a．．．第一處理單元

32b．．．第二處理單元

34a．．．第一傳輸路徑

34b．．．第二傳輸路徑

36a．．．第一主機器裝置

36b．．．第二主機器裝置

40．．．處理模組

40a．．．處理模組

50．．．連接單元

60．．．曝光處理單元

100a．．．索引機器裝置

100b．．．連接機器裝置

110．．．水平導引件

120．．．垂直導引件

130．．．機器手臂

400．．．處理腔室

402．．．側牆

402a．．．開口

410．．．基板支撐元件

412．．．旋轉驅動元件

414．．．支撐板

416．．．頂針元件

420．．．容器

422．．．下牆

424．．．排放孔

426．．．排放管

428．．．排放元件

430．．．處理液供應單元

432．．．噴嘴臂

434．．．光阻噴嘴

435-1．．．光阻供應管線

435-2．．．光阻供應源

435-3．．．閥

436．．．預濕噴嘴

438．．．邊緣液滴去除噴嘴

439-1．．．邊緣液滴去除液供應管線

439-2．．．邊緣液滴去除液供應源

439-3．．．閥

440．．．旋轉驅動元件

442．．．噴嘴臂支撐元件

444．．．導引元件

446．．．驅動單元

C1．．．假想線

C2．．．假想線

W．．．基板

C．．．晶圓盒

所附圖式提供本發明的進一步說明，並且被納入與構成本說明書的一部分。圖式繪示本發明的示範實施例，並與實施例說明共同解釋本發明的原則，在圖式中：

第一圖為依據本發明的一實施例所繪製的具有一基板處理裝置的半導體製造設施的上視圖。

第二圖為第一圖所示的該半導體製造設施的側視圖。

第三圖為第一圖所示的該半導體製造設施的一製程處理單元的示意圖。

第四圖為該些處理模組之中，用於沈積製程的處理模組的上視平面圖。

第五圖為第四圖所示的處理模組的側視剖面圖。

第六圖為第四圖中A部分的前視圖。

第七A圖至第七C圖為按照本發明的一實施例所繪製的該基板處理裝置的操作狀態的示意圖。

40a．．．處理模組

400．．．處理腔室

402．．．側牆

402a．．．開口

410．．．基板支撐元件

420．．．容器

430．．．處理液供應單元

432．．．噴嘴臂

434．．．光阻噴嘴

436．．．預濕噴嘴

438．．．邊緣液滴去除噴嘴

440．．．旋轉驅動元件

442．．．噴嘴臂支撐元件

444．．．導引元件

446．．．驅動單元

W．．．基板

Claims (8)

1. 一種處理液供應單元，包括：一光阻噴嘴，供應光阻於一基板上；一邊緣液滴去除噴嘴，供應邊緣液滴去除液於該基板的一邊緣，以去除形成於該基板邊緣的一邊緣液滴；以及一預濕噴嘴，供應有機溶劑於該基板上，以增加從該光阻噴嘴供應至該基板上的該光阻的濕度；其中該預濕噴嘴、該光阻噴嘴及該邊緣液滴去除噴嘴設置於一單一的噴嘴臂上；其中，該預濕噴嘴、該光阻噴嘴及該邊緣液滴去除噴嘴直線地排列於該噴嘴臂的一端，且沿著與該噴嘴臂的一長度方向垂直的一直線；其中，該光阻噴嘴設置於該噴嘴臂的一端的一中心上；該預濕噴嘴及該邊緣液滴去除噴嘴分別地設置及相鄰於該光阻噴嘴的兩側。
2. 如申請專利範圍第1項所述的處理液供應單元，更包括：一光阻供應源；一光阻供應管線，該光阻供應管線連接於該光阻供應源及該光阻噴嘴；一邊緣液滴去除液供應源；一邊緣液滴去除液供應管線，該邊緣液滴去除液供應管線連接於該邊緣液滴去除液供應源及該邊緣液滴去除噴嘴；一有機溶劑供應源；及一有機溶劑供應管線，該有機溶劑供應管線連接於該有機溶劑供應源及該預濕噴嘴。
3. 一種基板處理裝置，包括： 一基板支撐元件，其支撐一基板；一處理液供應單元，其用於對位於該基板支撐元件上的該基板進行一光阻沈積製程；其中該處理液供應單元包括：一光阻噴嘴以及一邊緣液滴去除噴嘴，該光阻噴嘴供應光阻於該基板上，該邊緣液滴去除噴嘴供應邊緣液滴去除液於該基板的一邊緣，以去除形成於該基板邊緣的一邊緣液滴，且其中該光阻噴嘴及該邊緣液滴去除噴嘴設置於一單一的噴嘴臂上；以及一預濕噴嘴，該預濕噴嘴供應有機溶劑於該基板上，以增加從該光阻噴嘴供應至該基板上的該光阻的濕度；其中，該預濕噴嘴、該光阻噴嘴及該邊緣液滴去除噴嘴直線地排列於該噴嘴臂的一端上，且沿著與該噴嘴臂的一長度方向垂直的一直線；其中，該光阻噴嘴設置及相鄰於該噴嘴臂的一端的一中心上，該預濕噴嘴及該邊緣液滴去除噴嘴分別地設置於該光阻噴嘴的兩側。
4. 如申請專利範圍第3項所述的基板處理裝置，其中該噴嘴臂設置於該基板支撐元件的一側，使得該預濕噴嘴、該光阻噴組及該邊緣液滴去除噴嘴的排列方向可通過位於該基板支撐元件上的該基板的中心。
5. 如申請專利範圍第4項所述的基板處理裝置，更包括：一驅動元件，該驅動元件直線地移動該噴嘴臂，使得該預濕噴嘴、該光阻噴組及該邊緣液滴去除噴嘴移動至一製程位置，該製程位置位於設置於該基板支撐元件的該基板上；其中該驅動元件包括：一噴嘴臂支撐元件、一驅動單元及一導引元件，該噴嘴臂支撐元件支撐該噴嘴臂，該驅動單元往復地移動該噴嘴臂支撐元件，該導引元件導引該噴嘴臂支撐元件的直線運動。
6. 如申請專利範圍第3項所述的基板處理裝置，其中該處理液供應單元更包括：一光阻供應源、一光阻供應管線、一邊緣液滴去除液供應源、一邊緣液滴去除液供應管線、一有機溶劑供應源及一有機溶劑供應管線，該光阻供應管線連接於該光阻供應源及該光阻噴嘴，該邊緣液滴去除液供應管線連接於該邊緣液滴去除液供應源及該邊緣液滴去除噴嘴，該有機溶劑供應管線連接於該有機溶劑供應源及該預濕噴嘴。
7. 一種使用如申請專利範圍第3項的基板處理裝置的基板處理方法，用以執行一光阻沈積製程於一基板上，該基板處理方法包括：移動該噴嘴臂，使得該預濕噴嘴位於該基板的中心的上方，然後供應該有機溶劑至該基板的中心；移動該噴嘴臂，使得該光阻噴嘴位於該基板的中心的上方，然後供應該光阻至該基板的中心；以及移動該噴嘴臂，使得該邊緣液滴去除噴嘴位於該基板的邊緣的上方，然後供應該邊緣液滴去除液至該基板的邊緣；其中該有機溶劑、該光阻及該邊緣液滴去除液供應時，該基板為旋轉的。
8. 如申請專利範圍第7項所述的基板處理方法，其中該預濕噴嘴、該光阻噴嘴及該邊緣液滴去除噴嘴直線地排列於該噴嘴臂的一端上，且沿著與該噴嘴臂的一長度方向垂直的一直線；當該噴嘴臂沿著該預濕噴嘴、該光阻噴嘴及該邊緣液滴去除噴嘴的一排列方向移動時，該有機溶劑及該光阻連續地供應至該基板的中心，然後該邊緣液滴去除液供應至該基板的邊緣。