JP5431624B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
そこで、一般には、半導体記憶装置の内部に、各バンクから読み出されたデータをデータ端子数に応じたビット幅に圧縮するためのデータ圧縮回路を設けておき、いわゆるパラレルテストにより各バンクを同時に活性化し、各バンクから並列的に読み出されたデータをデータ圧縮回路により圧縮して外部に出力する。これにより、バンク構成の半導体記憶装置のテスト効率を改善している。
上記課題を解決するため、この発明は以下の構成を有する。すなわち、この発明にかかる半導体記憶装置は、行方向と列方向に分割された複数の領域を含むメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの行方向に配線された複数のメインワード線と、前記メインワード線に従属して選択され前記列方向の複数の領域に対応づけて分割された複数のサブワードドライバに接続する複数のサブワード線と、前記メモリセルアレイの列ごとに設けられた複数のセンスアンプと、を含み、通常の動作モード時に、前記メモリセルアレイの同一行に属する前記列方向の複数の領域毎の複数のサブワード線がそれぞれ選択されると共に、対応する前記列方向の複数の領域毎の前記複数のセンスアンプがそれぞれ動作するように構成された半導体記憶装置において、テストモードの時に、前記列方向の複数の領域を選択する外部信号に基づき、前記同一行に属する前記複数のサブワード線と前記複数のセンスアンプとをそれぞれ対応づけて、前記複数のサブワード線の一部と前記複数のセンスアンプの一部とを選択的に非活性状態とするセンスアンプ非活性化制御系を備え、前記センスアンプ非活性化制御系は、前記テストモードを示すテスト信号と前記外部信号から、前記列方向の複数の領域を選択する第1の信号を出力する、センスアンプ活性化制御回路と、それぞれが前記第1の信号を受け、前記列方向の複数の領域にそれぞれ含まれる前記複数のサブワードドライバを選択する第2の信号を出力する第1のドライバ、及び前記列方向の複数の領域にそれぞれ含まれる前記複数のセンスアンプを選択する第3の信号を出力する第2のドライバを含み、前記センスアンプ活性化制御回路は、前記テストモードの時、前記第1と第2のドライバによって、前記通常の動作モード時に活性化する前記複数の領域の数よりも少ない数の前記複数の領域を活性する、ことを特徴とする。
<実施の形態1>
図1に、この発明の実施の形態1にかかる半導体記憶装置の全体構成例を概略的に示す。この半導体記憶装置は、SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)であり、4つのバンク100A,100B,100C,100Dと、周辺回路200とを含み、各バンクは、周辺回路200から供給される行アドレス信号X0〜X13および列アドレス信号Y0〜Y8を受けて、16ビットのデータDQ0〜DQ15を入出力するように構成される。
各サブアレイには、プレート(PLT)とサブワードドライバ(SWD)とが8行2列のマトリックス状に配置され、サブアレイ1101は、2つの領域に分割されている。この例では、例えばサブアレイ1101は、複数の領域1101Aおよび領域1101Bに分割されており、例えば領域1101Aには、プレート11010,11020,11030などの8個のプレートが存在する。
この図に示すように、RAドライバ1501A(1501B)は、アドレス信号X0,X1,X2を受けて反転させるインバータ1511〜1513と、アドレス信号X0,X1,X2の正論理信号と負論理信号(インバータ1511〜1513の出力信号)とを選択的に入力する否定的論理積ゲート回路1514〜1521と、この否定的論理積ゲート回路の出力信号を受けて信号RA0〜RA7を出力するインバータ1512〜1519とから構成される。
サブワードドライバ(SWD)は、RAドライバ1501A,1501Bが出力する信号RAA,RABを受けて、8本のサブワード線のうちの1本を選択的に駆動するように構成される。例えばプレート11020の場合、64本のメインワード線MWLのうちの1本が選択されると、このメインワード線に接続されたサブワードドライバが、信号RAAに応じて8本のサブワード線のうちの1本を選択的に駆動する。非選択状態にあるメインワード線に接続されたサブワードドライバは、RAドライバ(RAD)からの信号にかかわりなく、何れのサブワード線をも駆動しない。
通常の動作モード(読み出しモード)では、図5において、信号TESTが論理値「0」に固定される。この結果、信号DQMに関係なく、信号センスアンプ活性化制御回路1601Aは信号Y8Aとして論理値「1」を出力し、センスアンプ活性化制御回路1601Bは、信号Y8Bとして論理値「1」を出力する。
このように、通常の動作モードでは、メモリセルアレイの同一行に属する複数のサブワード線の全てが選択されると共に、メインワード線により選択された1行分のプレートの各列に設けられた全センスアンプが動作し、データの読み出しが行われる。
まず、テストモードを起動するためのテストコマンドが実行され、信号TESTが「1」とされる。この状態から、テスト内容に従って各種のコマンドが実行され、各テストパターンについてのテストが行われる。図6に、リード動作に関するテストにおける各信号のタイミングの一例を示す。同図に示すように、リード動作を行う場合、先ず外部クロックに同期して、アクティブコマンドおよびロウアドレスと共に、サブワード線およびセンスアンプを選択的に非活性状態に制御するための外部信号(DQM)を取り込む。このアクティブコマンド時に取り込まれたロウアドレスと外部信号(DQM)とに基づいて、以下に説明するように、サブワード線の選択とセンスアンプの活性化が行われる。
なお、リードコマンドの実行後、図6に示すように、プリチャージコマンドが実行されてビット線の電位等が初期化され、次の動作サイクルに備える。
以下、この発明の実施の形態2を説明する。
図7に、1バンク分のメモリセルアレイの構成を示す。
プレート(PLT)とサブワードドライバ(SWD)とがマトリックス状に配置され、ロウデコーダ2200と、カラムデコーダ2300と、RAドライバ2500A〜Dが配置されている。
この図に示すように、RAドライバ2501Aは、インバータ2511、否定的論理積ゲート回路2514〜2517、インバータ2518〜2521、インバータ2522、否定的論理積ゲート回路2523、インバータ2524から構成される。
サブワードドライバ(SWD)は、RAドライバ1501A,1501Bが出力する信号RAA,RABを受けて、4本のサブワード線のうちの1本を選択的に駆動するように構成される。例えばプレート21020に設けられたサブワードドライバ(プレート21020の下側)とプレート21030に設けられたサブワードドライバ(プレート21030の上側)はそれぞれ4本のサブワード線のうちの1本を選択するように構成される。
図13(a)に示すように、センスアンプ活性化制御回路2601Aは、否定的論理積ゲート回路から構成され、信号DQMと信号TESTを入力して信号Y8−Aを出力する。
また、図13(b)に示すように、センスアンプ活性化制御回路2601Bは、インバータ2611,2612と、論理積ゲート回路2613,2614と、否定的論理和ゲート回路2615と、否定的論理積ゲート回路2616とから構成される。
なお、メインワード線(MWL)、センスアンプ(SA)、およびカラムスイッチ(YSW)の各構成については上述の実施の形態1と同様である。
先ず、通常の動作時には、図9〜図12に示すRAドライバ2501A〜2501Dは、信号DQMにかかわりなく、行アドレス信号X0〜X2に基づいて信号RA−A0〜RA−A3,RA−B0〜RA−B3,RA−C0〜RA−C3,RA−D0〜RA−D3をそれぞれ出力する。また、センスアンプ活性化制御回路2601A〜2601Dの出力信号は、何れも論理値「1」に固定される。
図14において、プレートに付した符号は、便宜上のものであって、例えばプレート2,3が、図8に示すプレート21020、21021に相当する。まず、行アドレス信号X0が「0」であって、信号DQMが「0」の場合、図14(a)に示すように、プレート1およびプレート4が選択され、プレート2,3が非選択状態とされる。行アドレス信号X0が「1」であって、信号DQMが「0」の場合、図14(b)に示すように、プレート1およびプレート2が選択され、プレート3,4が非選択状態とされる。
すなわち、この発明にかかる半導体記憶装置によれば、テストモード時に、メモリセルアレイの複数の領域を区別するアドレス信号に基づき、サブワード線とセンスアンプとを対応づけて、一部のサブワード線と一部のセンスアンプとを選択的に非活性状態とするセンスアンプ非活性化制御系を備えたので、いわゆるパラレルテストにおいて、センスアンプ動作に起因するノイズおよびピーク電流の発生を抑制することができる。
200:周辺回路
1101〜1104:サブアレイ
1101A〜1101B:領域
1200:ロウデコーダ
1300:カラムデコーダ
1401〜1404:データアンプ
1501〜1504:RAドライバ
1501A,1501B:RAドライバ
1601A,1601B:センスアンプ活性化制御回路
11010〜11017:プレート
11020〜11027:プレート
11030〜11037:プレート
2200:ロウデコーダ
2300:カラムデコーダ
2501A〜2501D:RAドライバ
2601B,2601C:センスアンプ活性化制御回路
21010〜21017:プレート
21020〜21027:プレート
21030〜21037:プレート
Claims (7)
- 行方向と列方向に分割された複数の領域を含むメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの行方向に配線された複数のメインワード線と、
前記メインワード線に従属して選択され前記列方向の複数の領域に対応づけて分割された複数のサブワードドライバに接続する複数のサブワード線と、
前記メモリセルアレイの列ごとに設けられた複数のセンスアンプと、を含み、
通常の動作モード時に、前記メモリセルアレイの同一行に属する前記列方向の複数の領域毎の複数のサブワード線がそれぞれ選択されると共に、対応する前記列方向の複数の領域毎の前記複数のセンスアンプがそれぞれ動作するように構成された半導体記憶装置において、
テストモードの時に、前記列方向の複数の領域を選択する外部信号に基づき、前記同一行に属する前記複数のサブワード線と前記複数のセンスアンプとをそれぞれ対応づけて、前記複数のサブワード線の一部と前記複数のセンスアンプの一部とを選択的に非活性状態とするセンスアンプ非活性化制御系を備え、
前記センスアンプ非活性化制御系は、前記テストモードを示すテスト信号と前記外部信号から、前記列方向の複数の領域を選択する第1の信号を出力するセンスアンプ活性化制御回路と、
それぞれが前記第1の信号を受け、前記列方向の複数の領域にそれぞれ含まれる前記複数のサブワードドライバを選択する第2の信号を出力する第1のドライバ、及び前記列方向の複数の領域にそれぞれ含まれる前記複数のセンスアンプを選択する第3の信号を出力する第2のドライバを含み、
前記センスアンプ活性化制御回路は、前記テストモードの時、前記第1と第2のドライバによって、前記通常の動作モード時に活性化する前記複数の領域の数よりも少ない数の前記複数の領域を活性する、ことを特徴とする半導体記憶装置。
- 前記センスアンプ非活性化制御系は、前記領域ごとに設けられた一群のセンスアンプを単位として、前記複数のサブワード線と複数のセンスアンプを活性化する半導体装置の外部から供給されるコマンドに対応して、前記複数のサブワード線の一部と前記複数のセンスアンプの一部とを選択的に非活性状態とする、ことを特徴とする請求項1に記載された半導体記憶装置。
- 前記センスアンプ非活性化制御系は、前記複数の領域のうち、隣接する2つの領域にわたって設けられたサブワード線を選択する動作において、前記複数のサブワード線の一部と前記複数のセンスアンプの一部とを選択的に非活性状態とする、ことを特徴とする請求項1に記載された半導体記憶装置。
- 前記センスアンプ活性化制御回路は、前記テスト信号と前記外部信号を入力する論理ゲートを含む、ことを特徴とする請求項2または3の何れかに記載された半導体記憶装置。
- 前記論理ゲートは、更に、前記複数のサブワード線を選択するアドレスを入力する、ことを特徴とする請求項4に記載された半導体記憶装置。
- 前記コマンドは、少なくとも前記メインワード線を選択するロウアドレスの入力タイミングと同一タイミングで前記外部信号を取り込む、ことを特徴とする請求項2ないし5の何れかに記載された半導体記憶装置。
- 前記メモリセルアレイは複数のメモリセルを含み、前記通常の動作モード時に入出力データの一部のビットをマスクするデータマスク用の信号が割り付けられた外部端子を介して、前記外部信号を取り込む、ことを特徴とする請求項2ないし6の何れかに記載された半導体記憶装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000160788A JP5431624B2 (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 半導体記憶装置 |
TW090112009A TWI222082B (en) | 2000-05-30 | 2001-05-18 | Semiconductor memory device |
US09/867,057 US6636448B2 (en) | 2000-05-30 | 2001-05-29 | Semiconductor memory device having fewer memory cell plates being activated in a test mode than in a normal mode |
KR10-2001-0029981A KR100414956B1 (ko) | 2000-05-30 | 2001-05-30 | 반도체 메모리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000160788A JP5431624B2 (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001344996A JP2001344996A (ja) | 2001-12-14 |
JP5431624B2 true JP5431624B2 (ja) | 2014-03-05 |
Family
ID=18664928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000160788A Expired - Fee Related JP5431624B2 (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 半導体記憶装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6636448B2 (ja) |
JP (1) | JP5431624B2 (ja) |
KR (1) | KR100414956B1 (ja) |
TW (1) | TWI222082B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6873536B2 (en) * | 2002-04-19 | 2005-03-29 | Texas Instruments Incorporated | Shared data buffer in FeRAM utilizing word line direction segmentation |
JP4345399B2 (ja) * | 2003-08-07 | 2009-10-14 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
KR100911186B1 (ko) * | 2008-02-14 | 2009-08-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치 및 그 장치의 데이터 출력 방법 |
JP5651292B2 (ja) | 2008-04-24 | 2015-01-07 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体記憶装置及びそのテスト方法 |
KR101039859B1 (ko) * | 2009-07-03 | 2011-06-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 |
US8837250B2 (en) * | 2010-07-20 | 2014-09-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for word line decoder layout |
US9484117B2 (en) * | 2013-04-09 | 2016-11-01 | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. | Semiconductor memory device having compression test mode |
US10838899B2 (en) * | 2017-03-21 | 2020-11-17 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for in-memory data switching networks |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2845713B2 (ja) * | 1993-03-12 | 1999-01-13 | 株式会社東芝 | 並列ビットテストモード内蔵半導体メモリ |
KR960025748A (ko) * | 1994-12-21 | 1996-07-20 | 김광호 | 반도체메모리소자의 메모리셀어레이 활성화방법 |
EP1008992A4 (en) * | 1996-07-29 | 2001-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE |
JP2000100172A (ja) * | 1998-07-22 | 2000-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP2000101045A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
KR100282525B1 (ko) * | 1998-11-11 | 2001-02-15 | 김영환 | 메모리 테스트 회로 |
US6469947B2 (en) * | 1999-06-29 | 2002-10-22 | Hyundai Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device having regions with independent word lines alternately selected for refresh operation |
DE19944036C2 (de) * | 1999-09-14 | 2003-04-17 | Infineon Technologies Ag | Integrierter Speicher mit wenigstens zwei Plattensegmenten |
-
2000
- 2000-05-30 JP JP2000160788A patent/JP5431624B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-05-18 TW TW090112009A patent/TWI222082B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-05-29 US US09/867,057 patent/US6636448B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-30 KR KR10-2001-0029981A patent/KR100414956B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010109170A (ko) | 2001-12-08 |
KR100414956B1 (ko) | 2004-01-13 |
US6636448B2 (en) | 2003-10-21 |
TWI222082B (en) | 2004-10-11 |
US20010050870A1 (en) | 2001-12-13 |
JP2001344996A (ja) | 2001-12-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040517 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050221 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070206 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091125 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100125 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101013 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130917 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130917 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131205 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |