JP5428116B2 - 炭化ケイ素半導体装置および炭化ケイ素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 168
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 164
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 57
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 43
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 43
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 26
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 144
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 41
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 16
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 8
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 6
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002618 waking effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
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- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
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- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02529—Silicon carbide
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/0455—Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion
- H01L21/046—Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion using ion implantation
- H01L21/0465—Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion using ion implantation using masks
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
- H01L29/66068—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
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- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
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- H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
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Description
また、本発明は、低濃度p型堆積膜に設けられた第2の領域の幅が前記高濃度p+ 型堆積膜に設けられた第1の領域より広くなっているため、その部分からの抵抗成分が小さくなり、オン抵抗が低減される。
この発明の他の目的、その他の特徴は、添付の図面に基づく以下の詳しい説明で明らかにする。
本発明によれば、低濃度p型堆積膜内に形成された低濃度のゲート領域を有する炭化ケイ素縦型MOSFETを高耐圧化することができ、低いオン抵抗、かつ高耐圧の炭化ケイ素縦型MOSFETの製造が可能となる。
第1図は本発明にかかる第1実施例である炭化ケイ素縦型MOSFETの単位セルを説明するための模式断面図である。第1図において、たとえば、1×1018cm-3の窒素がドーピングされた厚さ300μmの(0001)面を有する高濃度n+ 型基板1表面上には、たとえば、5×1015cm-3の窒素がドーピングされた厚さ10μmの低濃度n型ドリフト層2が堆積されている。
第8図は、本発明の第4実施例である炭化ケイ素縦型MOSFETを説明するための模式断面図である。第4実施例は、前記第1実施例ないし第3実施例の図中で使用した番号を同じ部分に使用する。第4実施例は、ゲート構造を除き、基本的な構造は、実施例1に示した第1図と同じである。実施例1と異なる点は、低濃度n型ベース領域4表面上に、ゲート電極7が除かれた部分を有し、ゲート絶縁膜6上に、層間絶縁膜8が直接堆積されていることである。前記ゲート構造は、実施例2の構造に対しても適用でき、効果も同様である。
第9図は、本発明の第5実施例である炭化ケイ素縦型MOSFETを説明するための模式断面図である。第5実施例は、第1図に示された第1実施例における凹部41がない点、および低濃度n型不純物からなる埋め込みチャネル領域91を設けた点で異なっている。前記埋め込みチャネル領域91は、窒素イオンがたとえば、1×1017cm-3で、その深さが0.2μmとした。前記第5実施例の動作は、第1図における第1実施例とほぼ同じであった。また、第5実施例は、前記. 1実施例ないし第4実施例とともに、適用することもできる。
本発明の炭化ケイ素半導体装置において、チャネル移動度を向上させ、かつ低いオン抵抗と同時に高耐圧を達成した理由をさらに詳述する。
Claims (22)
- 第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)表面上に形成されている第1伝導型の低濃度炭化ケイ素からなる第1の堆積膜(2)と、
前記第1の堆積膜(2)上に選択的に切り欠かれている第1の領域を有する第2伝導型の高濃度ゲート領域からなる第2の堆積膜(31)と、
前記第2の堆積膜(31)上に選択的に切り欠かれている前記第1の領域と比べ幅が同じもしくは広い第2の領域と第1伝導型の高濃度ソース領域(5)と第2伝導型の低濃度ゲート領域からなる第3の堆積膜(32)と、
前記第1の堆積膜(2)に接し、前記第1の領域および第2の領域に形成されている第1伝導型の低濃度ベース領域(4)と、
少なくとも前記第3の堆積膜(32)の表面上に形成されたゲート絶縁膜(6)と、
前記ゲート絶縁膜(6)を介して形成されたゲート電極(7)と、
前記第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)の裏面に低抵抗接続されたドレイン電極(10)と、
前記第1伝導型の高濃度ソース領域(5)および第2伝導型の低濃度ゲート領域(32)の一部に低抵抗接続されているソース電極(9)と、
からなり、
前記第3の堆積膜(32)の厚さは、0.2μm〜0.7μmの範囲にあり、かつ、前記第3の堆積膜(32)内に選択的に形成された前記第2伝導型の低濃度ゲート領域(11)において、前記ゲート絶縁膜(6)と接する部分の不純物濃度は、1×1015cm-3より高濃度で、1×1016cm-3より低濃度であることを特徴とする炭化ケイ素半導体装置。 - 前記第1伝導型の低濃度ベース領域(4)における上面には、前記ゲート絶縁膜(6)と接する部分の少なくとも一部に凹部(41)が設けられていることを特徴とする請求項1記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第1伝導型の低濃度ベース領域(4)の不純物濃度は、前記第2伝導型の高濃度ゲート領域(31)の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項1または請求項2記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第3の堆積膜(32)内に選択的に形成された前記第2伝導型の低濃度ゲート領域(11)において、前記ゲート絶縁膜(6)と接する部分の不純物濃度は、2×1016cm-3以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第3の堆積膜(32)内に選択的に形成された前記第1伝導型の低濃度ベース領域(4)の不純物濃度は、前記第2伝導型の高濃度ゲート領域(31)と接する部分において、4×1016cm-3以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第2伝導型の高濃度ゲート領域(31)は、第1の堆積膜(2)上に形成された炭化ケイ素からなる第2の堆積膜(31)であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第3の堆積膜(32)上に形成されたゲート絶縁膜(6)は、少なくとも前記第3の堆積膜(32)内に選択的に形成された第1伝導型の低濃度ベース領域(4)上において
、他の部分より厚くなっている部分を有することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項記載の炭化ケイ素半導体装置。 - 前記第3の堆積膜(32)内に選択的に形成された第1伝導型のベース領域(4)の表面上において、ゲート電極(7)は、少なくとも一部が除かれていることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)表面の結晶学的面指数は、(11−20)面に対して平行な面であることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか1項記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)表面の結晶学的面指数は、(000−1)面に対して平行な面であることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか1項記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第2伝導型の低濃度ゲート領域(11)内の前記ゲート絶縁膜(6)と接する部分には、第1伝導型の埋め込みチャネル領域(91)を有することを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれか1項記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)表面上に形成されている第1伝導型の低濃度炭化ケイ素からなる下部堆積膜(2)と、
前記第1伝導型の低濃度炭化ケイ素が残されている第1の領域を有するように
前記下部堆積膜(2)内に選択的に形成された第2伝導型の高濃度ゲート領域(31)と、
前記下部堆積膜(2)上に選択的に前記第1の領域と比べ幅が同じか広い第2領域からなる第1伝導型の低濃度ベース領域(4)と、前記第1伝導型の高濃度ソース領域(5)と、第2伝導型の低濃度ゲート領域(11)とからなる上部堆積膜(32)と、
少なくとも前記上部堆積膜(32)の表面上に形成されたゲート絶縁膜(6)と、
前記ゲート絶縁膜(6)を介して形成されたゲート電極(7)と、
前記第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)の裏面に低抵抗接続されたドレイン電極(10)と、
前記第1伝導型の高濃度ソース領域(5)および第2伝導型の低濃度ゲート領域(11)の一部に低抵抗接続されているソース電極(9)と、
からなり、
前記上部堆積膜(32)の厚さは、0.2μm〜0.7μmの範囲にあり、かつ、前記上部堆積膜(32)内に選択的に形成された前記第2伝導型の低濃度ゲート領域(11)において、前記ゲート絶縁膜(6)と接する部分の不純物濃度は、1×1015cm-3より高濃度で、1×1016cm-3より低濃度であることを特徴とする炭化ケイ素半導体装置。 - 前記第1伝導型の低濃度ベース領域(4)の不純物濃度は、前記第2伝導型の高濃度ゲート領域(31)の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項12記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記上部堆積膜(32)内に選択的に形成された前記第2伝導型の低濃度ゲート領域(11)において、前記ゲート絶縁膜(6)と接する部分の不純物濃度は、2×1016cm-3以下であることを特徴とする請求項12または請求項13記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記上部堆積膜(32)は、炭化ケイ素からなることを特徴とする請求項12乃至請求項14のいずれか1項記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記上部堆積膜(32)上に形成されたゲート絶縁膜(6)は、少なくとも前記上部堆積膜(32)内に選択的に形成された第1伝導型の低濃度ベース領域(4)上において、他の部分より厚くなっている部分を有することを特徴とする請求項12乃至請求項15のいずれか1項記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記上部堆積膜(32)内に選択的に形成された第1伝導型の低濃度ベース領域(4)の表面上において、ゲート電極(7)は、少なくとも一部が除かれていることを特徴とする請求項12乃至請求項16のいずれか1項記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)表面の結晶学的面指数は、(11−20)面に対して平行な面であることを特徴とする請求項12乃至請求項17のいずれか1項記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)表面の結晶学的面指数は、(000−1)面に対して平行な面であることを特徴とする請求項12乃至請求項18のいずれか1項記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第2伝導型の低濃度ゲート領域(11)内の前記ゲート絶縁膜(6)と接する部分には、第1伝導型の埋め込みチャネル領域(91)を有することを特徴とする請求項12乃至請求項19のいずれか1項記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)表面上に第1伝導型の低濃度炭化ケイ素からなる第1の堆積膜(2)を形成する工程と、
前記第1の堆積膜(2)上に前記第2伝導型の高濃度領域が選択的に欠除した第1の領域を有する第2の堆積膜(31)を形成する工程と、
前記第2の堆積膜(31)上および前記第2の堆積膜(31)が選択的に欠除した第1の領域に形成された第2伝導型の低濃度領域からなる第3の堆積膜(32)を形成する工程と、
前記第3の堆積膜(32)に選択的に前記第1の領域に比べ幅が同じもしくはを広くした第2の領域が形成されるように、前記第1伝導型の低濃度炭化ケイ素からなる第1の堆積膜(2)に接し、前記第1の領域および第2の領域に第1伝導型の低濃度ベース領域(4)を形成し、また、前記第3の堆積膜(32)に選択的に第1伝導型の高濃度炭化ケイ素からなるソース領域(5)を形成する工程と、
少なくとも前記第3の堆積膜(32)の表面上にゲート絶縁膜(6)を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜(6)を介してゲート電極(7)を形成する工程と、
前記第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)の裏面に低抵抗接続されるドレイン電極(10)を形成する工程と、
前記第1伝導型の高濃度ソース領域(5)および第2伝導型の低濃度ゲート領域(11)の一部に低抵抗接続されるソース電極(9)を形成する工程と、
前記第1の堆積膜(2)上に前記第2の堆積膜(31)を形成する工程と、
前記第2の堆積膜(31)表面から前記第1の堆積膜(2)に達するトレンチ溝(41)を形成する工程と、
前記第2の堆積膜(31)および前記トレンチ溝(41)の上に第3の堆積膜(32)を形成する工程と、
前記第3の堆積膜(32)内に前記第1伝導型の低濃度ベース領域(4)を形成するために選択的に第1伝導型の不純物イオン注入を行う工程と、
を有することを特徴とする炭化ケイ素半導体装置の製造方法。 - 第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)表面上に第1伝導型の低濃度炭化ケイ素からなる下部堆積膜(2)を形成する工程と、
前記下部堆積膜(2)中に第2伝導型の不純物領域(31)を形成する工程と、
前記第2伝導型の不純物領域(31)が形成されている下部堆積膜(2)上に第2伝導型の低濃度ゲート領域(11)となる上部堆積膜(32)を形成する工程と、
前記上部堆積膜(32)に第1伝導型の高濃度ソース領域(5)を形成する工程と、
前記上部堆積膜(32)に前記下部堆積膜(2)に接する第1伝導型の低濃度ベース領域(4)を形成する工程と、
少なくとも前記上部堆積膜(32)の表面上にゲート絶縁膜(6)を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜(6)を介してゲート電極(7)を形成する工程と、
前記第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)の裏面に低抵抗接続されるドレイン電極(10)を形成する工程と、
前記第1伝導型の高濃度ソース領域(5)および第2伝導型の低濃度ゲート領域(11)の一部に低抵抗接続されるソース電極(9)を形成する工程と、
前記低濃度炭化ケイ素からなる下部堆積膜(2)に高濃度の第2伝導型の不純物イオン注入により形成し、その上に上部堆積膜(32)を形成する工程と、
前記上部堆積膜(32)内に前記第1伝導型の低濃度ベース領域(4)を形成するために選択的に第1伝導型の不純物イオン注入を行う工程と、
を有することを特徴とする炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010245409A JP5428116B2 (ja) | 2002-10-18 | 2010-11-01 | 炭化ケイ素半導体装置および炭化ケイ素半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002304596 | 2002-10-18 | ||
JP2002304596 | 2002-10-18 | ||
JP2010245409A JP5428116B2 (ja) | 2002-10-18 | 2010-11-01 | 炭化ケイ素半導体装置および炭化ケイ素半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004544920A Division JPWO2004036655A1 (ja) | 2002-10-18 | 2003-10-03 | 炭化ケイ素半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011023757A JP2011023757A (ja) | 2011-02-03 |
JP5428116B2 true JP5428116B2 (ja) | 2014-02-26 |
Family
ID=32105126
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004544920A Pending JPWO2004036655A1 (ja) | 2002-10-18 | 2003-10-03 | 炭化ケイ素半導体装置及びその製造方法 |
JP2010245409A Expired - Lifetime JP5428116B2 (ja) | 2002-10-18 | 2010-11-01 | 炭化ケイ素半導体装置および炭化ケイ素半導体装置の製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004544920A Pending JPWO2004036655A1 (ja) | 2002-10-18 | 2003-10-03 | 炭化ケイ素半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8952391B2 (ja) |
EP (1) | EP1566843B1 (ja) |
JP (2) | JPWO2004036655A1 (ja) |
AU (1) | AU2003275541A1 (ja) |
WO (1) | WO2004036655A1 (ja) |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7118970B2 (en) * | 2004-06-22 | 2006-10-10 | Cree, Inc. | Methods of fabricating silicon carbide devices with hybrid well regions |
JP5114832B2 (ja) * | 2004-09-02 | 2013-01-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4604241B2 (ja) * | 2004-11-18 | 2011-01-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 炭化ケイ素mos電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2006295134A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-10-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4627211B2 (ja) * | 2005-04-22 | 2011-02-09 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置、及びその製造方法 |
JP4948784B2 (ja) * | 2005-05-19 | 2012-06-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4620564B2 (ja) * | 2005-10-03 | 2011-01-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4900662B2 (ja) * | 2006-03-02 | 2012-03-21 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ショットキーダイオードを内蔵した炭化ケイ素mos電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP5044151B2 (ja) * | 2006-06-26 | 2012-10-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP5071763B2 (ja) * | 2006-10-16 | 2012-11-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 |
JP2008177335A (ja) | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 炭化珪素絶縁ゲート型半導体装置。 |
JP5303839B2 (ja) | 2007-01-29 | 2013-10-02 | 富士電機株式会社 | 絶縁ゲート炭化珪素半導体装置とその製造方法 |
JP4412335B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2010-02-10 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
CN101578705B (zh) * | 2007-07-20 | 2012-05-30 | 松下电器产业株式会社 | 碳化硅半导体装置及其制造方法 |
US7982224B2 (en) * | 2007-10-15 | 2011-07-19 | Panasonic Corporation | Semiconductor device with silicon carbide epitaxial layer including dopant profiles for reducing current overconcentration |
EP2091083A3 (en) * | 2008-02-13 | 2009-10-14 | Denso Corporation | Silicon carbide semiconductor device including a deep layer |
JP5182359B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2013-04-17 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
JP4640439B2 (ja) * | 2008-04-17 | 2011-03-02 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置 |
US20100314695A1 (en) * | 2009-06-10 | 2010-12-16 | International Rectifier Corporation | Self-aligned vertical group III-V transistor and method for fabricated same |
JP2011165861A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体素子 |
JP5616665B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-10-29 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JPWO2012137914A1 (ja) * | 2011-04-08 | 2014-07-28 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素縦型電界効果トランジスタ |
JP5687128B2 (ja) * | 2011-05-06 | 2015-03-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5687127B2 (ja) * | 2011-05-06 | 2015-03-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012253108A (ja) | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP6108330B2 (ja) * | 2011-11-10 | 2017-04-05 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JP6278549B2 (ja) | 2012-03-30 | 2018-02-14 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP6338134B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2018-06-06 | 富士電機株式会社 | 炭化ケイ素縦型mosfet及びその製造方法 |
DE112013001796B4 (de) | 2012-03-30 | 2018-03-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Vertikale Hochspannungshalbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren einer vertikalen Hochspannungshalbleitervorrichtung |
CN104303312B (zh) * | 2012-04-24 | 2018-03-20 | 富士电机株式会社 | 立式耐高压半导体装置及其制造方法 |
JP2013232561A (ja) | 2012-04-27 | 2013-11-14 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置 |
JP6074787B2 (ja) * | 2012-05-25 | 2017-02-08 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2014063949A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP5900698B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2016-04-06 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US9142668B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-09-22 | Cree, Inc. | Field effect transistor devices with buried well protection regions |
US9240476B2 (en) * | 2013-03-13 | 2016-01-19 | Cree, Inc. | Field effect transistor devices with buried well regions and epitaxial layers |
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JP6183087B2 (ja) * | 2013-09-13 | 2017-08-23 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2016013471A1 (ja) * | 2014-07-23 | 2016-01-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP6589143B2 (ja) * | 2014-07-24 | 2019-10-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 炭化珪素半導体素子およびその製造方法 |
DE112016000831T5 (de) * | 2015-02-20 | 2017-11-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung |
JP6627359B2 (ja) | 2015-09-17 | 2020-01-08 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6696247B2 (ja) * | 2016-03-16 | 2020-05-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6965499B2 (ja) * | 2016-03-16 | 2021-11-10 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP6844163B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2021-03-17 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
JP6933746B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2021-09-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP6530361B2 (ja) * | 2016-10-07 | 2019-06-12 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP6880637B2 (ja) * | 2016-10-13 | 2021-06-02 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP7139596B2 (ja) | 2017-12-06 | 2022-09-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
KR102554414B1 (ko) | 2018-11-01 | 2023-07-11 | 삼성전자주식회사 | 전력 소자 |
US10957768B1 (en) | 2019-10-07 | 2021-03-23 | Infineon Technologies Ag | Silicon carbide device with an implantation tail compensation region |
US20230006049A1 (en) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | Hunan Sanan Semiconductor Co., Ltd. | Silicon carbide power device with an enhanced junction field effect transistor region |
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CN116613215B (zh) * | 2023-06-26 | 2024-07-19 | 陕西亚成微电子股份有限公司 | 一种线性平面功率vdmos结构及其制备方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6113667A (ja) | 1984-06-28 | 1986-01-21 | Toshiba Corp | 絶縁ゲ−ト形電界効果トランジスタ |
JP2594296B2 (ja) | 1987-11-30 | 1997-03-26 | 富士電機株式会社 | 絶縁ゲート電界効果トランジスタ |
JPH02216871A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Fuji Electric Co Ltd | パワーmosfet |
JP3471823B2 (ja) | 1992-01-16 | 2003-12-02 | 富士電機株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
JP3158973B2 (ja) * | 1995-07-20 | 2001-04-23 | 富士電機株式会社 | 炭化けい素縦型fet |
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JP3206727B2 (ja) * | 1997-02-20 | 2001-09-10 | 富士電機株式会社 | 炭化けい素縦型mosfetおよびその製造方法 |
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JP3216804B2 (ja) * | 1998-01-06 | 2001-10-09 | 富士電機株式会社 | 炭化けい素縦形fetの製造方法および炭化けい素縦形fet |
JP4123636B2 (ja) * | 1998-06-22 | 2008-07-23 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JP2000150875A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Toshiba Corp | 半導体装置及び薄膜形成方法 |
JP4192353B2 (ja) * | 1999-09-21 | 2008-12-10 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JP2001119025A (ja) * | 1999-10-21 | 2001-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子およびその形成方法 |
JP2001135817A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-18 | Toyota Motor Corp | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
US6504176B2 (en) * | 2000-04-06 | 2003-01-07 | Matshushita Electric Industrial Co., Ltd. | Field effect transistor and method of manufacturing the same |
US6429041B1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-08-06 | Cree, Inc. | Methods of fabricating silicon carbide inversion channel devices without the need to utilize P-type implantation |
JP3881840B2 (ja) * | 2000-11-14 | 2007-02-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 半導体装置 |
JP4830213B2 (ja) * | 2001-05-08 | 2011-12-07 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JP4604241B2 (ja) | 2004-11-18 | 2011-01-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 炭化ケイ素mos電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2011119025A (ja) | 2011-03-18 | 2011-06-16 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
-
2003
- 2003-10-03 AU AU2003275541A patent/AU2003275541A1/en not_active Abandoned
- 2003-10-03 JP JP2004544920A patent/JPWO2004036655A1/ja active Pending
- 2003-10-03 US US10/531,582 patent/US8952391B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-03 WO PCT/JP2003/012727 patent/WO2004036655A1/ja active Application Filing
- 2003-10-03 EP EP03758710.2A patent/EP1566843B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2010
- 2010-11-01 JP JP2010245409A patent/JP5428116B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2013
- 2013-12-31 US US14/145,147 patent/US9490338B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2004036655A1 (ja) | 2004-04-29 |
AU2003275541A1 (en) | 2004-05-04 |
EP1566843A4 (en) | 2010-06-16 |
AU2003275541A8 (en) | 2004-05-04 |
US8952391B2 (en) | 2015-02-10 |
EP1566843B1 (en) | 2013-12-18 |
EP1566843A1 (en) | 2005-08-24 |
US20060057796A1 (en) | 2006-03-16 |
US20140113421A1 (en) | 2014-04-24 |
JP2011023757A (ja) | 2011-02-03 |
US9490338B2 (en) | 2016-11-08 |
JPWO2004036655A1 (ja) | 2006-03-16 |
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JP2022073551A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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