JP5123730B2 - 偏向アンプのセトリング時間検査方法及び偏向アンプの故障判定方法 - Google Patents
偏向アンプのセトリング時間検査方法及び偏向アンプの故障判定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5123730B2 JP5123730B2 JP2008119557A JP2008119557A JP5123730B2 JP 5123730 B2 JP5123730 B2 JP 5123730B2 JP 2008119557 A JP2008119557 A JP 2008119557A JP 2008119557 A JP2008119557 A JP 2008119557A JP 5123730 B2 JP5123730 B2 JP 5123730B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- settling time
- deflection amplifier
- current
- deflection
- difference
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
- G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
- G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30433—System calibration
- H01J2237/3045—Deflection calibration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30472—Controlling the beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
セトリング時間を設定して、設定されたセトリング時間で駆動させる偏向アンプの出力により制御される偏向器により荷電粒子ビームを偏向させて、荷電粒子ビームに第1と第2の成形アパーチャを通過させることによって成形された異なる2種のパターンを複数回交互にショットする工程と、
ショットされたビーム電流を測定する工程と、
測定されたビーム電流について、積分電流を演算する工程と、
演算された積分電流と基準積分電流との差分を演算し、出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
セトリング時間を設定して、設定されたセトリング時間で駆動させる偏向アンプの出力により制御される偏向器により荷電粒子ビームを偏向させて、荷電粒子ビームに第1と第2の成形アパーチャを通過させることによって成形された異なる2種のパターンを複数回交互にショットする工程と、
ショットされたビーム電流を測定する工程と、
測定されたビーム電流について、積分電流を演算する工程と、
演算された積分電流と基準積分電流との差分を演算する工程と、
演算された差分と上述したセトリング時間における基準値との差分が所定の範囲を超えている場合に偏向アンプの故障と判定する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。
図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1の成形アパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2の成形アパーチャ206、対物レンズ207、及び偏向器208が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料が配置されることになるが、ここでは図示を省略している。XYステージ105上には、試料が配置される位置とは異なる位置にファラデーカップ209が配置される。制御部160は、制御計算機110、メモリ112、モニタ114、インターフェース回路116、偏向制御回路120、DAC(デジタル・アナログコンバータ)122、偏向アンプ124、及び計測器210を有している。制御計算機110には、図示しないバスを介して、メモリ112、モニタ114、インターフェース回路116、偏向制御回路120、及び計測器210が接続されている。また、偏向制御回路120には、DAC122を介して偏向アンプ124が接続され、偏向アンプ124は、偏向器205に接続される。そして、計測器210は、ファラデーカップ209に接続される。また、制御計算機110に入力される入力データ或いは演算された結果はメモリ112に記憶される。ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わないことは言うまでもない。
図3は、実施の形態1における第2の成形アパーチャの開口部の一例を示す概念図である。
図2において、第1の成形アパーチャ203には、矩形、例えば正方形或いは長方形の開口部10が形成されている。図3において、第2の成形アパーチャ206には、長方形の1辺と6角形の1辺とを無くしてつなげた開口部20が形成されている。開口部20は、例えば、45度の整数倍の角度を頂点とした図形に形成されている。
図4において、ショット工程(S102)、ビーム電流測定工程(S104)、回数判定工程(S106)、回数変更工程(S108)、積分電流演算工程(S110)、差分演算工程(S112)、セトリング時間判定工程(S114)、及び設定時間変更工程(S116)という一連の工程を実施する。
図5では、開口部10を通過した第1の成形アパーチャ像12と第2の成形アパーチャ206の開口部20との重なり位置の一例を示す図である。偏向器205で電子ビーム200を偏向しない場合、第1の成形アパーチャ像12は、(0)で示す開口部20から外れた位置に照射されることになる。例えば、正方形或いは長方形に電子ビーム200を成形する場合、第1の成形アパーチャ像12は、偏向アンプ124から出力された偏向電圧が印加された偏向器205によって偏向されて(1)で示す位置に照射され、開口部20を通過する斜線部分が成形された像となる。また、例えば、図5において左下に直角の角が位置する直角二等辺三角形に電子ビーム200を成形する場合、第1の成形アパーチャ像12は、偏向アンプ124から出力された偏向電圧が印加された偏向器205によって偏向されて(2)で示す位置に照射され、開口部20を通過する斜線部分が成形された像となる。また、例えば、図5において右下に直角の角が位置する直角二等辺三角形に電子ビーム200を成形する場合、第1の成形アパーチャ像12は、偏向アンプ124から出力された偏向電圧が印加された偏向器205によって偏向されて(3)で示す位置に照射され、開口部20を通過する斜線部分が成形された像となる。また、例えば、図5において右上に直角の角が位置する直角二等辺三角形に電子ビーム200を成形する場合、第1の成形アパーチャ像12は、偏向アンプ124から出力された偏向電圧が印加された偏向器205によって偏向されて(4)で示す位置に照射され、開口部20を通過する斜線部分が成形された像となる。また、例えば、図5において左上に直角の角が位置する直角二等辺三角形に電子ビーム200を成形する場合、第1の成形アパーチャ像12は、偏向アンプ124から出力された偏向電圧が印加された偏向器205によって偏向されて(5)で示す位置に照射され、開口部20を通過する斜線部分が成形された像となる。これらの図形がショットごとに変化しながら試料に所望するパターンを描画することになる。偏向アンプ124のセトリング時間tは、例えば、(0)〜(5)の各位置のうちのいずれか2つの位置間を偏向させるために必要な時間を設定する必要がある。例えば、一例として、(2)で示す位置から(4)で示す位置へと偏向するために必要なセトリング時間について以下に説明する。
図6は、実施の形態1における交互にショットされるショット図形の一例を示す図である。
図6では、一例として、第1の成形アパーチャ像12が(2)で示す位置に照射された場合の左下に直角の角が位置する直角二等辺三角形のパターン30と、第1の成形アパーチャ像12が(4)で示す位置に照射された場合の右上に直角の角が位置する直角二等辺三角形のパターン32とを交互に成形する場合を示している。
図7において、”A”で示す折れ線グラフは、図5における(2)で示す位置から(4)で示す位置へと偏向する場合に得られたセトリング時間tと積分電流の差分との関係の一例を示している。”B”で示す折れ線グラフは、図5における(3)で示す位置から(5)で示す位置へと偏向する場合に得られたセトリング時間tと積分電流の差分との関係の一例を示している。ここで、連続して一方のパターンを成形してショットした後に連続して他方のパターンを成形してショットする場合でも、交互に成形するパターンを変える場合でも結果として、成形したパターンの数は同じであるので、セトリング時間が足りていれば両者の積分電流の値も同じになるはずである。よって、積分電流の差がほぼ0になるセトリング時間が最適時間となる。1回のビーム電流だけ測定しても電流値が小さすぎて判定することは困難であるが、複数回ショットしたビーム電流を積分した積分電流を用いることで値を大きくすることができ、判定可能な程度にその差を明確にすることができる。図7では、図5における(2)で示す位置から(4)で示す位置へと偏向する場合の最適セトリング時間は、グラフAから200nsec程度であることがわかる。また、図5における(3)で示す位置から(5)で示す位置へと偏向する場合の最適セトリング時間は、グラフBから150nsec程度であることがわかる。このグラフは、制御計算機110が作成し、モニタ114に表示させることでユーザが視認することができる。或いは、I/F回路116を介して外部に出力してもよい。
上述した例では、図5における(2)で示す位置から(4)で示す位置へと偏向する場合について説明したが、その他の2つの位置間でも同様に測定し、偏向距離dと最適セトリング時間tとの関係を示す相関テーブル40を作成する。この相関テーブル40を作成するのに、30〜60分程度が必要となる。この相関テーブル40を作成しておけば、成形偏向に必要な距離dから最適セトリング時間tを参照することができる。
実施の形態1では、成形アンプの最適セトリング時間を検査する方法について説明した。実施の形態2では、上述したセトリング時間tと積分電流の差分との関係を利用して、偏向アンプの故障判定方法について説明する。
図9において、セトリング時間判定工程(S114)の後に、判定工程(S118)を追加した点以外は、図4と同様である。また、装置構成も図1と同様である。パターン寸法に誤差が生じた場合に、原因が偏向アンプ124の故障かどうかを以下のようにして判定する。ここでは、故障が疑われている偏向アンプ124を用いて、S102からS114までを実施の形態1と同様に実施する。これにより、故障が疑われている偏向アンプ124を用いた場合のセトリング時間tと積分電流の差分との関係を得ることができる。
図10において、「A’」と「B’」で示す折れ線グラフは、故障が疑われている偏向アンプ124を用いて得られたセトリング時間tと積分電流の差分との関係の一例を示している。ここで、同じパターンを成形した結果で比較することは言うまでもない。
図11は、照射位置を変更しながらショットを行なう場合の照射位置の一例を示す図である。
図11(a)では、連続して一方の図形を番号1から25まで照射した後に、連続して他方の図形を番号26から50まで照射する場合を示している。図11(b)では、交互に図形を変更しながら番号1から50まで照射する場合を示している。図11(a)(b)において、番号は、ショット順序を示している。いずれの場合でもファラデーカップ209で電子ビーム200が受けられるように偏向器208で電子ビーム200を偏向すればよい。ここでは、25回ずつの計50回のショットを一例として記載しているが、例えば、数万回ずつショットすると好適である。
ここでは、異なる2種のパターンをレジストが塗布された基板に実際に描画をおこなった。例えば、図11(b)に示したような2種のパターンを交互に基板に描画すればよい。そして、描画された基板を現像し、エッチングして形成されたパターンの寸法を測定した。これらの作業を、セトリング時間を変えながら繰り返し行ない、それぞれのセトリング時間で得られたパターンの寸法とセトリング時間が十分長く設定して得られたパターンの寸法との寸法ずれをグラフに示した。図12において、”a”と”b”と”c”で示す各折れ線グラフは、描画したパターンの構造を変えて得られた場合を示している。ここでは、どれも故障が疑われている成形アンプを使った結果である。図12に示すグラフから100nsecから400nsecの間で各グラフも共に寸法ずれが大きいことがわかる。実施の形態2における手法で得られた故障が疑われている成形アンプを使った結果でも図10で示したように100nsecから400nsecの間で積分電流の差が0から大きくはずれていた。よって、従来の評価と同様の結果となった。したがって、実施の形態2の手法が成形アンプの故障を判定するうえで十分有効であることがわかる。
12 第1の成形アパーチャ像
30,32 パターン
40 相関テーブル
100 描画装置
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
114 モニタ
116 I/F回路
120 偏向制御回路
122 DAC
124 偏向アンプ
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 第1の成形アパーチャ
204 投影レンズ
205,208 偏向器
206 第2の成形アパーチャ
207 対物レンズ
209 ファラデーカップ
210 計測器
330 電子線
340 試料
410 第1のアパーチャ
411 開口
420 第2のアパーチャ
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- セトリング時間を設定して、設定されたセトリング時間で駆動させる偏向アンプの出力により制御される偏向器により荷電粒子ビームを偏向させて、前記荷電粒子ビームに第1と第2の成形アパーチャを通過させることによって成形された異なる2種のパターンを複数回交互にショットする工程と、
ショットされたビーム電流を測定する工程と、
測定されたビーム電流について、積分電流を演算する工程と、
演算された積分電流と基準積分電流との差分を演算し、出力する工程と、
を備えたことを特徴とする偏向アンプのセトリング時間検査方法。 - 前記セトリング時間を変更して、前記各工程を行なうことを特徴とする請求項1記載の偏向アンプのセトリング時間検査方法。
- 前記ビーム電流は、ファラデーカップを用いて測定されることを特徴とする請求項1又は2記載の偏向アンプのセトリング時間検査方法。
- セトリング時間を設定して、設定されたセトリング時間で駆動させる偏向アンプの出力により制御される偏向器により荷電粒子ビームを偏向させて、前記荷電粒子ビームに第1と第2の成形アパーチャを通過させることによって成形された異なる2種のパターンを複数回交互にショットする工程と、
ショットされたビーム電流を測定する工程と、
測定されたビーム電流について、積分電流を演算する工程と、
演算された積分電流と基準積分電流との差分を演算する工程と、
演算された差分と前記セトリング時間における基準値との差分が所定の範囲を超えている場合に前記偏向アンプの故障と判定する工程と、
を備えたことを特徴とする偏向アンプの故障判定方法。 - 前記ビーム電流は、ファラデーカップを用いて測定されることを特徴とする請求項4記載の偏向アンプの故障判定方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008119557A JP5123730B2 (ja) | 2008-05-01 | 2008-05-01 | 偏向アンプのセトリング時間検査方法及び偏向アンプの故障判定方法 |
TW098114248A TWI380338B (en) | 2008-05-01 | 2009-04-29 | Method for inspecting settling time of deflection amplifier, and method for judging failure of deflection amplifier |
DE102009019426.6A DE102009019426B4 (de) | 2008-05-01 | 2009-04-29 | Verfahren zum Inspizieren der Einregelzeit eines Ablenkungsverstärkers und Verfahren zum Beurteilen des Versagens eines Ablenkungsverstärkers |
KR1020090037900A KR101105919B1 (ko) | 2008-05-01 | 2009-04-30 | 편향 앰프의 세틀링 시간 검사 방법 및 편향 앰프의 고장 판정 방법 |
US12/432,874 US7989777B2 (en) | 2008-05-01 | 2009-04-30 | Method for inspecting settling time of deflection amplifier, and method for judging failure of deflection amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008119557A JP5123730B2 (ja) | 2008-05-01 | 2008-05-01 | 偏向アンプのセトリング時間検査方法及び偏向アンプの故障判定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009272366A JP2009272366A (ja) | 2009-11-19 |
JP5123730B2 true JP5123730B2 (ja) | 2013-01-23 |
Family
ID=41180633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008119557A Active JP5123730B2 (ja) | 2008-05-01 | 2008-05-01 | 偏向アンプのセトリング時間検査方法及び偏向アンプの故障判定方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7989777B2 (ja) |
JP (1) | JP5123730B2 (ja) |
KR (1) | KR101105919B1 (ja) |
DE (1) | DE102009019426B4 (ja) |
TW (1) | TWI380338B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5095364B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2012-12-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム |
JP5693981B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2015-04-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2012199529A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-10-18 | Canon Inc | 荷電粒子線描画装置、およびそれを用いた物品の製造方法 |
JP5881972B2 (ja) * | 2011-05-12 | 2016-03-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Dacアンプの評価方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2013207135A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Nuflare Technology Inc | 成形オフセット調整方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP6043125B2 (ja) * | 2012-08-23 | 2016-12-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | セトリング時間の取得方法 |
JP6057797B2 (ja) * | 2013-03-21 | 2017-01-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | セトリング時間の取得方法 |
JP6262007B2 (ja) * | 2014-02-13 | 2018-01-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | セトリング時間の取得方法 |
KR102193686B1 (ko) * | 2014-04-23 | 2020-12-21 | 삼성전자주식회사 | 세틀링 시간 제어를 이용하는 노광 방법 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법 |
US9583305B2 (en) * | 2014-04-23 | 2017-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Exposure method using control of settling times and methods of manufacturing integrated circuit devices by using the same |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3984827A (en) * | 1974-09-19 | 1976-10-05 | General Electric Company | Beam repositioning circuitry for a cathode ray tube calligraphic display system |
US4954757A (en) * | 1988-10-27 | 1990-09-04 | Hughes Aircraft Company | Linear deflection amplifier with energy recovery |
JP2872420B2 (ja) * | 1991-02-28 | 1999-03-17 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光の方法と装置 |
JP3197321B2 (ja) * | 1992-03-27 | 2001-08-13 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビームによるパターン描画方法 |
JPH0636996A (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-10 | Hitachi Ltd | 電子ビーム装置 |
US5345085A (en) * | 1993-03-26 | 1994-09-06 | Etec Systems, Inc. | Method and structure for electronically measuring beam parameters |
US5530250A (en) * | 1993-10-20 | 1996-06-25 | Nec Corporation | Electron beam deflecting apparatus with reduced settling time period |
US5546319A (en) * | 1994-01-28 | 1996-08-13 | Fujitsu Limited | Method of and system for charged particle beam exposure |
JP3455005B2 (ja) * | 1996-03-25 | 2003-10-06 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム露光装置 |
JPH1027749A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Toshiba Corp | 荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2004259812A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線描画装置および電子線描画装置のセトリングタイム測定方法 |
US7068202B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-06-27 | Conexant Systems, Inc. | Architecture for an algorithmic analog-to-digital converter |
US7088275B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-08-08 | Conexant Systems, Inc. | Variable clock rate analog-to-digital converter |
JP2006339405A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子ビーム描画装置 |
US7417233B2 (en) * | 2005-09-28 | 2008-08-26 | Applied Materials, Inc. | Beam exposure correction system and method |
TWI323004B (en) * | 2005-12-15 | 2010-04-01 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam writing method and apparatus |
JP5007063B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-08-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム装置、da変換装置の異常検出方法、荷電粒子ビーム描画方法及びマスク |
JP5111798B2 (ja) * | 2006-07-05 | 2013-01-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置、及び描画装置における描画方法 |
US7589335B2 (en) * | 2006-07-14 | 2009-09-15 | Nuflare Technology, Inc. | Charged-particle beam pattern writing method and apparatus and software program for use therein |
JP4948948B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2012-06-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画装置の評価方法 |
JP2008119557A (ja) | 2006-11-08 | 2008-05-29 | Anest Iwata Corp | 外部電極を備えた外部帯電式静電塗装ガン |
JP2009038055A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5204451B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2013-06-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5095364B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2012-12-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム |
JP5406551B2 (ja) * | 2009-02-16 | 2014-02-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5465923B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2014-04-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画の主偏向セトリング時間の決定方法及び荷電粒子ビーム描画方法 |
US7898447B2 (en) * | 2009-07-16 | 2011-03-01 | Nuflare Technology, Inc. | Methods and systems for testing digital-to-analog converter/amplifier circuits |
-
2008
- 2008-05-01 JP JP2008119557A patent/JP5123730B2/ja active Active
-
2009
- 2009-04-29 DE DE102009019426.6A patent/DE102009019426B4/de active Active
- 2009-04-29 TW TW098114248A patent/TWI380338B/zh active
- 2009-04-30 KR KR1020090037900A patent/KR101105919B1/ko active IP Right Grant
- 2009-04-30 US US12/432,874 patent/US7989777B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI380338B (en) | 2012-12-21 |
KR20090115676A (ko) | 2009-11-05 |
US20090272911A1 (en) | 2009-11-05 |
DE102009019426A1 (de) | 2009-11-19 |
DE102009019426B4 (de) | 2019-06-06 |
US7989777B2 (en) | 2011-08-02 |
JP2009272366A (ja) | 2009-11-19 |
TW201009876A (en) | 2010-03-01 |
KR101105919B1 (ko) | 2012-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5123730B2 (ja) | 偏向アンプのセトリング時間検査方法及び偏向アンプの故障判定方法 | |
US9653262B2 (en) | Method of measuring beam position of multi charged particle beam, and multi charged particle beam writing apparatus | |
US8779379B2 (en) | Acquisition method of charged particle beam deflection shape error and charged particle beam writing method | |
JP6043125B2 (ja) | セトリング時間の取得方法 | |
US9508528B2 (en) | Method for correcting drift of accelerating voltage, method for correcting drift of charged particle beam, and charged particle beam writing apparatus | |
TWI639895B (zh) | Multi-charged particle beam drawing device and adjusting method thereof | |
KR101605352B1 (ko) | 셋틀링 시간의 취득 방법 | |
TWI661279B (zh) | Multi-charged particle beam drawing device and multi-charged particle beam drawing method | |
JP4747112B2 (ja) | パターン形成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP6262007B2 (ja) | セトリング時間の取得方法 | |
US9536705B2 (en) | Method for correcting drift of charged particle beam, and charged particle beam writing apparatus | |
US8253112B2 (en) | Lithography apparatus and focusing method for charged particle beam | |
JP5432630B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置、偏向器間のタイミング調整方法、及び偏向アンプの故障検出方法 | |
US20190385812A1 (en) | Multi-charged-particle-beam writing apparatus and beam evaluating method for the same | |
JP2006324569A (ja) | 電子ビーム電流計測方法及びそれを用いた電子ビーム応用装置 | |
TWI654421B (zh) | 帶電粒子束的解析度測定方法及帶電粒子束描繪裝置 | |
JP2011066236A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP6478782B2 (ja) | ビームドリフト量の測定方法 | |
JP2008042173A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画装置及びプログラム | |
JP2014041862A (ja) | 荷電粒子ビーム補正方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2014038945A (ja) | ビームドリフトの補正間隔パターンの設定方法、荷電粒子ビーム描画装置の部品メンテナンスの実施時期判定方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2022007078A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2015215269A (ja) | パターン位置測定方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110323 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121002 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121026 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5123730 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |