JP5325363B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Description
図4(a)はフラッシュメモリのゲート電極(コントロールゲート)にポリメタル構造を適用した一例を示すものである。ポリメタル構造を形成するには、能動層となるシリコン基板100の表面を熱酸化してゲート絶縁膜用のシリコン酸化膜(SiO2膜)110を形成し、このSiO2膜110の上にフローティングゲート用のポリシリコン膜(Poly−Si膜)120を堆積する。このPoly−Si膜120の上に、更に絶縁膜としてSiO2/Si3N4/SiO2膜(ONO構造の絶縁膜)130等を介してゲート電極用のPoly−Si膜140を積層する。抵抗を下げる目的で、バリアメタルとして窒化タングステン(WN)膜150を形成し、その上に金属薄膜としてタングステン(W)膜160を堆積する。この後、ドライエッチング法により上述した積層膜をパターニングすることにより、図4(a)に示すように、ソース領域80とドレイン領域90との間のゲート領域上に積層構造のポリメタルゲート200を有する構造が形成される。
本発明の他の態様によれば、表面に少なくとも金属原子を含まずシリコン原子を含む層と、金属原子を含む層とが露出している基板を処理室内に搬入する工程と、前記処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記基板表面を酸化処理する工程と、酸化処理後の前記基板を前記処理室より搬出する工程とを有し、前記酸化処理工程では、前記処理室内の圧力を大気圧未満の圧力とすると共に酸素含有ガスの流量Aに対する水素含有ガスの流量Bの流量比B/Aを2以上とする半導体装置の製造方法が提供される。
また、本発明の他の態様によれば基板表面に少なくとも金属原子を含まずシリコン原子を含む層と金属原子を含む層が露出している場合に、金属原子を含む層を酸化させることなく、金属原子を含まずシリコン原子を含む層のみを選択的に酸化することができる。
反応炉20は、石英製の反応管21を有し、この反応管21により形成される処理室4内(以下、単に炉内ともいう)に基板保持具としてのボート2が挿入される。ボート2は、複数のシリコンウェハ1を略水平状態で隙間(基板ピッチ間隔)をもって複数段に保持するように構成されている。反応管21の下方は、ボート2を挿入するために開放され、この開放部分はシールキャップ22により密閉されるようにしてある。ボート2は断熱キャップ25上に搭載され、断熱キャップ25は回転軸26を介して回転機構27に取り付けられている。反応管21の周囲には加熱源としての抵抗加熱ヒータ5が配置されている。反応管21には、酸素含有ガスとしての酸素(O2)ガスをシリコンウェハ1の配列領域よりも上流側からシリコンウェハ1に対して供給する酸素含有ガス供給ラインとしての酸素供給ライン7と、水素含有ガスとしての水素(H2)ガスをシリコンウェハ1の配列領域よりも上流側からシリコンウェハ1に対して供給する水素含有ガス供給ラインとしての水素供給ライン8が接続されている。
が接続されており、この排気ライン23には真空ポンプ3が接続され、反応管21内を所定の圧力に保つ構造を有している。基板処理中、反応管21内は真空ポンプ3により大気圧よりも低い所定の圧力(減圧)とされるが、この圧力制御は制御手段としてのコントローラ24により行う。
なお、コントローラ24は、この他回転機構27や、電磁バルブ6a、6bやマスフローコントローラ12a、12b等酸化装置を構成する各部の動作を制御する。
図1は、本発明における酸化処理のプロセスシーケンスの一例を示したものである。なお、以下の説明において酸化装置を構成する各部の動作はコントローラ24により制御される。
その後、水素ガスの導入を維持した状態で酸素供給ライン7より酸素ガスを処理室4内に直接導入する(酸素後行導入)。このとき酸素ガスの流量Aに対する水素ガスの流量Bの流量比B/Aを2以上とする。
というのは、500℃以上の大気圧状態の反応系に、水素先行導入で、後からO2を導入し、そのときのH2/O2流量比を2.0以上(水素リッチ)とすると、反応熱により
連鎖反応が起き、局部的な体積膨張を伴い、爆発範囲に入るため、石英容器を使用した反応系では危険であると考えられていたからである。
(A)本実施の形態では、酸素ガスよりも水素ガスを先行して導入するようにしたので、
次のような作用効果がある。
(1)酸化処理前のシリサイド膜や金属膜等の酸化を防止できる。
酸素先行導入の場合、酸化種である酸素による酸化が進行するが、水素先行導入とすることで、処理室4内を酸化種を含まない還元性ガス雰囲気に保つことができ、酸化防止が可能となる。
酸素先行導入の場合、酸化種である酸素による酸化が進行するが、水素先行導入とすることで、処理室4内を酸化種を含まない還元性ガス雰囲気に保つことができ、酸化防止が可能となる。
酸素先行導入の場合、酸化種である酸素による酸化が進行するが、水素先行導入とすることで、処理室4内を酸化種を含まない還元性ガス雰囲気に保つことができ、酸化防止可能であることに加え、圧力を所定の圧力(先行導入圧力P)とすることにより、自然酸化膜の昇華除去が可能となる。
シリサイド膜や金属膜等の金属原子を含む層(以下、単に金属ともいう)の酸化を防止しつつ、シリコン基板やPoly−Si膜表面等の金属原子を含まずシリコン原子を含む層(以下、単にシリコンともいう)に対して、これを保護する熱酸化膜を選択的に形成で
きる。すなわち、還元性雰囲気のH2中に、微量のO2を添加する場合に、シリコンと金属の選択酸化ができる領域がある。
O2のみの雰囲気では、温度、圧力に依存性はあるものの、シリコンと金属表面は共に酸化が進行する。また、H2のみの雰囲気では、常温、常圧では酸化種が存在しないため、シリコンと金属表面の酸化の進行は起こらない。ところがH2雰囲気にて昇温、減圧とすると、シリコンと金属表面に存在する自然酸化膜の昇華が進行する。酸化と昇華は、同じエネルギーで起こる現象であるが、酸化が進むか、昇華が進むかは、酸化性雰囲気を形成するO2と、還元性雰囲気を形成するH2との混合比率すなわち流量比により決定され、O2に対するH2の流量比が大きくなるにしたがい、昇華反応の起こる確率が増える。シリコンと金属では、酸化膜を形成、または昇華するために必要なエネルギーが異なっており、O2とH2の流量比を変えて、水素リッチな条件、すなわちO2流量Aに対するH2流量Bの流量比B/Aを2以上とすると、シリコンが酸化され、金属は酸化されない選択性を得ることができる。
特に処理室4内の圧力を1333Pa(10Torr)以下、好ましくは133Pa(1Torr)以下とすると共に、前記流量比B/Aを2以上、好ましくは4以上とすると、金属原子を含む層、特にタングステンを酸化することなく、金属原子を含まずシリコン原子を含む層のみを選択的に酸化できる。
また、本実施の形態によれば、H2の還元性雰囲気下で微量のO2を導入することにより、シリコン基板100の表面及び熱酸化膜であるSiO2膜110、Poly−Si膜120、ONO構造の絶縁膜130、Poly−Si膜140の側面の表面層のドライエッチングによるダメッジを回復できる。なお、ドライエッチングによるダメッジを回復するためには、O2を導入する際の温度は、800℃以上とすることが好ましい。
従来の水分による酸化(WET酸化)は拡散律速であるのに対し、実施の形態の酸素と水素との反応により生じる反応種による酸化の場合は、拡散せずに表面反応に近くなり、横方向の酸化が抑えられる。WET酸化では酸化種が、小さい分子のH2Oとなり、酸化
膜中を拡散してしまう。例えばポリメタル構造では、図5に示すように、Poly−Si膜120、140等の表面(側面)だけでなく、例えばゲート酸化膜であるSiO2膜110とPoly−Si膜120との界面へのH2Oの拡散により、Poly−Si膜120の下部に沿った横方向の酸化(矢印51)も進行してしまう。H2Oの拡散は、温度と時間で決まり、高温、長時間処理ではより拡散が早くなり、横方向の酸化の進行が早くなる。これに対して実施の形態における反応種の場合、寿命が短いため、膜中を拡散する間に定常状態に戻り、反応種は酸素等となり酸化力は弱まるため、横方向への酸化の進行は抑えられる。よって、実施の形態における反応種の場合、酸化は表面層(側面層)でのみの反応となる。
H2を先行導入することにより、H2シンター効果が得られる。例えば、ポリメタル構造では、図5に示すように、シリコン基板100と、SiO2膜110との界面52に薄いゲート酸化膜(一部、酸窒化膜)があり、通常、SiO2膜110を形成しただけでは、SiO2膜110とシリコン基板100との界面に未結合種を多く含む遷移領域が存在し、この遷移領域が電子捕獲中心として作用するため、閾値電圧を始めとする様々な特性に影響を及ぼす。通常、金属配線工程を終了した後に、様々な欠陥を埋める目的で実施されるH2シンター処理と呼ばれるH2アニールにて、SiO2膜110とシリコン基板100との界面52の修復も行われる。水素先行導入することで、また水素リッチ条件にて酸化することで、H2シンター処理と同様の効果が生まれる。また、ゲート直近での処理となるため、水素終端の効率も向上する。したがって、シリコン基板100の表面とSiO2膜110との界面52の準位を安定化できる。
水素リッチ条件による酸化では、酸素リッチ条件による酸化に比べ、酸化速度がより遅いため、従来より高温での薄膜酸化が可能となる。処理温度が高い程、膜中ストレスが緩和されるため高耐圧となる。酸化速度が遅くなる理由は、上記(C)(1)で述べた選択性と同じであり、水素リッチとなることで、酸化反応が少なくなり、昇華反応が多くなる。更に水素リッチが進めば、酸化の進行が止まり、平衡状態を経て、昇華が進む領域に入る。このため、同じ酸化温度、圧力では、水素リッチ条件の方が酸化速度を遅くして、より高温で、膜質改善効果を伴いながら、より薄い膜厚の酸化膜を作成することができる。さらに、汚染物質が基板表面に付着するのを低減でき、基板表面を清浄な状態に保つことが容易である。加えて、縦型半導体製造装置にて複数枚のシリコンウェハ1を処理する際に、各シリコンウェハ1上における水素濃度のバラツキに伴う、酸化膜厚のバラツキを抑えることが可能となる。
本実施の形態における反応種により電界集中緩和のための丸め効果が期待できる。例えば、角のあるシリコン表面が酸化される際に、原子の再配列が起こるが、エネルギーの高い本実施の形態における反応種により、表面の自由化エネルギーが一時的に大きくなり、表面のシリコン流動が起こることが推測される。表面エネルギーは、外部からのエネルギーを受けて再配列を起こす際、最もエネルギー的に低くなる形状に動く。表面エネルギーが最も低くなる形状は、球状であり、この理屈にしたがうならば、本実施の形態における反応種による酸化と同時に、表面のシリコン流動を伴う再配列が起こる結果として、丸め酸化が原理的には可能と推測される。例えば図5に示すように、Poly−Si膜120とSiO2膜110との境界端に、電界集中緩和のための丸め53の形成が期待できる。
で維持し、酸素ガスの導入は少なくとも処理室4内の温度を処理温度に維持する工程の間に行うので、昇温開始前から降温終了後までの間における金属原子を含む層の酸化を防止できる。
量比が2.0より大きい水素リッチ条件とすることで、シリサイド膜や金属薄膜の酸化を防止しつつ、シリコン基板や多結晶シリコン膜表面を保護する熱酸化膜を選択的に形成できる。
第1の態様は、基板を処理室内に搬入する工程と、前記処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記基板表面を酸化処理する工程と、酸化処理後の前記基板を前記処理室より搬出する工程とを有し、前記酸化処理工程では、前記処理室内の圧力を大気圧未満の圧力として前記処理室内に水素含有ガスを先行して導入し、続いて水素含有ガスの導入を維持した状態で酸素含有ガスを導入する半導体装置の製造方法である。
本態様によれば、水素含有ガスを先行して導入するので、酸化前における基板表面の初期酸化を抑えることができるとともに、自然酸化膜を除去できる。
本態様によれば、水素含有ガスの導入は少なくとも処理室内温度を昇温させる工程から行い、酸素含有ガスの導入は少なくとも処理室内温度を処理温度に維持する工程の間に行うので、昇温時における基板表面の初期酸化を抑えることができるとともに、自然酸化膜を除去できる。
本態様によれば、水素含有ガスの導入は処理室内温度を昇温させる工程の前から行い、酸素含有ガスの導入は少なくとも処理室内温度を処理温度に維持する工程の間に行うので、昇温前から基板表面の初期酸化を抑えることができるとともに、自然酸化膜を除去できる。
本態様によれば、水素含有ガスを先行して導入する際の処理室内の圧力を、水素含有ガスの導入を維持した状態で酸素含有ガスを導入する際の圧力よりも大きくするので、サーマルエッチングによる基板表面の荒れを防止できる。
本態様によれば、基板表面に少なくとも金属原子を含まずシリコン原子を含む層と、金属原子を含む層が露出している場合において、酸化前における金属原子を含まずシリコン原子を含む層の初期酸化を抑えることができるとともに、自然酸化膜を除去でき、さらに金属原子を含む層の酸化を防止できる。
本態様によれば、酸素含有ガスの流量Aに対する水素含有ガスの流量Bの流量比B/Aを2以上とするので、金属原子を含む層の酸化を防止しつつ、金属原子を含まずシリコン原子を含む層を保護する酸化膜を選択的に形成できる。また、酸化処理工程前の工程により受けた表面層のダメッジを回復できる。また、金属原子を含まずシリコン原子を含む層の厚さ方向と直交する横方向の酸化を抑えることができる。また、基板表面と金属原子を含まずシリコン原子を含む層との界面準位を安定化できる。また、より高温で膜質改善効果を伴いながら薄い膜を作ることができる。また、金属原子を含まずシリコン原子を含む層が電界の集中しやすい端を有する場合には、その端に電界集中緩和のための丸めを形成できる。
本態様によれば、水素含有ガスの導入を維持した状態で酸素含有ガスを導入する際の前記処理室内の圧力を1333Pa(10Torr)以下とするので、酸素と水素の反応確率を下げ爆発範囲から外すことができ、更に、等方性酸化が可能となる。
本態様によれば、水素含有ガスの導入を維持した状態で酸素含有ガスの導入を停止する
ので、酸化後における金属原子を含む層の酸化を防止できる。
本態様によれば、水素含有ガスの導入は少なくとも処理室内温度を昇温させる工程から処理室内温度を降温させる工程が終了するまで維持し、酸素含有ガスの導入は少なくとも処理室内温度を処理温度に維持する工程の間に行うので、昇温開始時から降温終了時までの間における金属原子を含む層の酸化を防止できる。
本態様によれば、水素含有ガスの導入は処理室内温度を昇温させる工程の前から処理室内温度を降温させる工程の後まで維持し、酸素含有ガスの導入は少なくとも処理室内温度を処理温度に維持する工程の間に行うので、昇温開始前から降温終了後までの間における金属原子を含む層の酸化を防止できる。
このような層を有する基板の酸化処理を行う場合に、特に、酸化前に、金属原子を含まずシリコン原子を含む層が初期酸化されやすく、金属原子を含む層が酸化されやすいという問題が生じるが、本態様によればこのような問題を解決できる。
本態様によれば、表面に少なくとも金属原子を含まずシリコン原子を含む層と、金属原子を含む層とが露出している基板を、流量比B/Aを2以上とした酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して酸化処理するので、金属原子を含む層の酸化を防止しつつ、金属原子を含まずシリコン原子を含む層を保護する酸化膜を選択的に形成できる。また、酸化処理工程前の工程により受けた表面層のダメッジを回復できる。また、金属原子を含まずシリコン原子を含む層の厚さ方向と直交する横方向の酸化を抑えることができる。また、基板表面と金属原子を含まずシリコン原子を含む層との界面準位を安定化できる。また、より高温で膜質改善効果を伴いながら薄い膜を作ることができる。また、金属原子を含まずシリコン原子を含む層が電界の集中しやすい端を有する場合には、その端に電界集中緩和のための丸めを形成できる。
本態様によれば、処理室内の圧力と前記流量比B/Aとを、金属原子を含む層を酸化することなく、金属原子を含まずシリコン原子を含む層のみを選択的に酸化するような範囲に設定するので、金属原子を含む層を酸化することなく、金属原子を含まずシリコン原子を含む層のみを選択的に酸化できる。
本態様によれば、処理室内の圧力を1333Pa(10Torr)以下とすると共に、前記流量比B/Aを2以上とするので、金属原子を含む層を酸化することなく、金属原子を含まずシリコン原子を含む層のみを選択的に酸化することができる。
本態様によれば、処理室内の圧力を1333Pa(10Torr)以下とすると共に、前記流量比B/Aを2以上5以下とするので、金属原子を含む層を酸化することなく、金属原子を含まずシリコン原子を含む層のみを選択的に酸化することができ、更に、その酸化レートを実用範囲におさめることができる。
本態様によれば、コントローラを用いて水素含有ガスを先行して導入するよう制御するので、酸化前における基板表面の初期酸化を容易に抑えることができるとともに、自然酸化膜を容易に除去できる。
本態様によれば、コントローラを用いて流量比B/Aを2以上とする水素含有ガスリッチ条件にて、表面に少なくとも金属原子を含まずシリコン原子を含む層と、金属原子を含む層とが露出している基板を酸化処理するよう制御するので、金属原子を含む層の酸化を容易に防止しつつ、金属原子を含まずシリコン原子を含む層を保護する酸化膜を容易に選択形成できる。また、酸化処理工程前の工程により受けた表面層のダメッジを容易に回復できる。また、金属原子を含まずシリコン原子を含む層の厚さ方向と直交する横方向の酸化を容易に抑えることができる。また、基板表面と金属原子を含まずシリコン原子を含む層との界面準位を容易に安定化できる。また、より高温で膜質改善効果を伴いながら薄い
膜を容易に作ることができる。また、金属原子を含まずシリコン原子を含む層が電界の集中しやすい端を有する場合には、その端に電界集中緩和のための丸めを容易に形成できる。
3 真空ポンプ
4 処理室
7 酸素供給ライン(酸素含有ガス供給ライン)
8 水素供給ライン(水素含有ガス供給ライン)
12a、12b マスフローコントローラ
23 排気ライン
24 制御手段
Claims (8)
- 表面に少なくとも金属原子を含まずシリコン原子を含む層と、金属原子を含む層とが露出している基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記基板表面を酸化処理する工程と、
前記酸化処理後の前記基板を前記処理室内より搬出する工程とを有し、
前記酸化処理工程では、前記処理室内の圧力を大気圧未満の圧力として前記処理室内に前記水素含有ガスを先行して導入し、続いて前記水素含有ガスの導入を維持した状態で前記酸素含有ガスを導入し、前記水素含有ガスの導入を維持した状態で前記酸素含有ガスを導入する際の前記処理室内の圧力を1333Pa(10Torr)以下とすると共に、前記酸素含有ガスの流量Aに対する前記水素含有ガスの流量Bの流量比B/Aを2以上とすることで、前記処理室内で前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを反応させて、前記処理室内において反応種を生成し、この反応種を前記水素含有ガス雰囲気下で前記酸化処理に寄与させる半導体装置の製造方法。 - 前記酸化処理工程では、前記処理室内に前記水素含有ガスを先行して導入し、続いて前記水素含有ガスの導入を維持した状態で前記酸素含有ガスを導入し、その後、前記水素含有ガスの導入を維持した状態で前記酸素含有ガスの導入を停止する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属原子を含まずシリコン原子を含む層とは、シリコン単結晶基板、多結晶シリコン膜(Poly−Si膜)、シリコン窒化膜(Si3N4膜)、シリコン酸化膜(SiO2膜)からなる群から選択される少なくとも一つの層であり、前記金属原子を含む層とは、シリサイド膜、金属膜、金属酸化膜からなる群から選択される少なくとも一つの層である請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化処理工程では、前記処理室内で前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを反応させて、前記処理室内においてH2Oとは異なる反応種を生成し、このH2Oとは異なる反応種を前記水素含有ガス雰囲気下で前記酸化処理に寄与させる請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 表面に少なくとも金属原子を含まずシリコン原子を含む層と、金属原子を含む層とが露出している基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記基板表面を酸化処理する工程と、
前記酸化処理後の前記基板を前記処理室内より搬出する工程とを有し、
前記酸化処理工程では、前記処理室内の圧力を大気圧未満の圧力として前記処理室内に前記水素含有ガスを先行して導入し、続いて前記水素含有ガスの導入を維持した状態で前記酸素含有ガスを導入し、前記水素含有ガスの導入を維持した状態で前記酸素含有ガスを導入する際の前記処理室内の圧力を1333Pa(10Torr)以下とすると共に、前記酸素含有ガスの流量Aに対する前記水素含有ガスの流量Bの流量比B/Aを2以上とすることで、前記処理室内で前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを反応させて、前記処理室内において反応種を生成し、この反応種を前記水素含有ガス雰囲気下で前記酸化処理に寄与させる基板処理方法。 - 前記酸化処理工程では、前記処理室内に前記水素含有ガスを先行して導入し、続いて前記水素含有ガスの導入を維持した状態で前記酸素含有ガスを導入し、その後、前記水素含有ガスの導入を維持した状態で前記酸素含有ガスの導入を停止する請求項5に記載の基板処理方法。
- 表面に少なくとも金属原子を含まずシリコン原子を含む層と、金属原子を含む層とが露出している基板を処理する処理室と、
前記処理室内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給ラインと、
前記処理室内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給ラインと、
前記処理室内を排気する排気ラインと、
前記排気ラインに接続され、前記処理室内を真空排気する真空ポンプと、
前記処理室内で基板を処理する際、前記処理室内の圧力を大気圧未満の圧力として前記処理室内に前記水素含有ガスを先行して導入し、続いて前記水素含有ガスの導入を維持した状態で前記酸素含有ガスを導入し、前記水素含有ガスの導入を維持した状態で前記酸素含有ガスを導入する際の前記処理室内の圧力を1333Pa(10Torr)以下とすると共に、前記酸素含有ガスの流量Aに対する前記水素含有ガスの流量Bの流量比B/Aを2以上とすることで、前記処理室内で前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを反応させて、前記処理室内において反応種を生成し、この反応種を前記水素含有ガス雰囲気下で前記酸化処理に寄与させるよう制御するコントローラと、
を有する基板処理装置。 - 前記コントローラは、さらに前記処理室内で基板を処理する際、前記処理室内に前記水素含有ガスを先行して導入し、続いて前記水素含有ガスの導入を維持した状態で前記酸素含有ガスを導入し、その後、前記水素含有ガスの導入を維持した状態で前記酸素含有ガスの導入を停止するよう制御するように構成される請求項7に記載の基板処理装置。
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US9006116B2 (en) * | 2011-06-03 | 2015-04-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method and substrate processing apparatus |
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Family Cites Families (27)
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---|---|---|---|---|
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JP2902012B2 (ja) * | 1989-10-27 | 1999-06-07 | 国際電気株式会社 | 低圧酸化装置 |
JP3541846B2 (ja) * | 1992-05-22 | 2004-07-14 | 松下電器産業株式会社 | 半導体製造装置 |
JP3207943B2 (ja) * | 1992-11-17 | 2001-09-10 | 忠弘 大見 | 低温酸化膜形成装置および低温酸化膜形成方法 |
JP3310386B2 (ja) * | 1993-05-25 | 2002-08-05 | 忠弘 大見 | 絶縁酸化膜の形成方法及び半導体装置 |
KR100310461B1 (ko) | 1994-12-20 | 2001-12-15 | 박종섭 | 실리콘산화막의형성방법 |
JPH10335652A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH10340909A (ja) * | 1997-06-06 | 1998-12-22 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
EP1018150B2 (en) * | 1997-07-11 | 2017-05-31 | Applied Materials, Inc. | Method for oxidation involving in situ vapor generation |
JP3156680B2 (ja) * | 1998-10-13 | 2001-04-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2000211998A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-02 | Angstrom Technology Partnership | シリコンの酸化方法及びそれを用いた単結晶シリコン酸化膜の製造方法 |
NL1013667C2 (nl) * | 1999-11-25 | 2000-12-15 | Asm Int | Werkwijze en inrichting voor het vormen van een oxidelaag op wafers vervaardigd uit halfgeleidermateriaal. |
US20010037237A1 (en) * | 2000-04-28 | 2001-11-01 | Fujitsu Limited | Sales promotion controlling system based on direct mail, server thereof , method thereof, and computer readable record medium thereof |
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JP2002176051A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
DE10119741B4 (de) * | 2001-04-23 | 2012-01-19 | Mattson Thermal Products Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Halbleitersubstraten |
JP2002353214A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002353210A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP2003086792A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置の作製法 |
TW200416772A (en) * | 2002-06-06 | 2004-09-01 | Asml Us Inc | System and method for hydrogen-rich selective oxidation |
US6916744B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for planarization of a material by growing a sacrificial film with customized thickness profile |
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JP2004172623A (ja) * | 2003-11-17 | 2004-06-17 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
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