JP5320746B2 - 薄膜トランジスタ - Google Patents
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- H01L29/78609—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device for preventing leakage current
Description
絶縁基板10としてPEN基材(帝人デュポン社製Q65 厚さ125μm)上に、DCマグネトロンスパッタ装置を用いてITOを100nm成膜し、フォトリソグラフィー法を用いてゲート電極11を形成した。次にRFマグネトロンスパッタ法を用いてIn―Ga―Zn―O系酸化物からなる絶縁基板10と接する下部ゲート絶縁層12a(膜厚100nm)、SiONからなる上部ゲート絶縁層12b(膜厚200nm)、In―Ga―Zn―O系酸化物からなる半導体層13(膜厚40nm)を連続成膜した。下部ゲート絶縁層12aの抵抗値は3.2×1014Ω・cmであった。表1にスパッタ法による成膜条件を示す。さらにEB(ElectronBeam)マスク蒸着によりAlソース電極14とドレイン電極15を膜厚150nmとして形成し、薄膜トランジスタ素子1を得た(図1)。ここでソース/ドレイン電極間のチャネル長は0.2mmであり、チャネル幅は2mmであった。また、膜厚は触針式膜厚計(ULVAC製 Dektak6M)で測定した。
図1において下部ゲート絶縁層12a(膜厚150nm)、上部ゲート絶縁層12b(膜厚150nm)の膜厚以外は実施例1と同様に作製し、薄膜トランジスタ素子2を得た。下部ゲート絶縁層12aの抵抗値は2.8×1014Ω・cmであった。
図1において下部ゲート絶縁層12a(膜厚200nm)、上部ゲート絶縁層12b(膜厚100nm)の膜厚以外は実施例1と同様に作製し、薄膜トランジスタ素子3を得た。下部ゲート絶縁層12aの抵抗値は3.2×1014Ω・cmであった。
図1において下部ゲート絶縁層12a(膜厚225nm)、上部ゲート絶縁層12b(膜厚75nm)の膜厚以外は実施例1と同様に作製し、薄膜トランジスタ素子4を得た。下部ゲート絶縁層12aの抵抗値は3.2×1014Ω・cmであった。
図1において下部ゲート絶縁層12a(膜厚240nm)、上部ゲート絶縁層12b(膜厚60nm)の膜厚以外は実施例1と同様に作製し、薄膜トランジスタ素子5を得た。下部ゲート絶縁層12aの抵抗値は4.0×1014Ω・cmであった。
図1において下部ゲート絶縁層12a(膜厚200nm)、上部ゲート絶縁層12b(膜厚100nm)の膜厚および上部ゲート絶縁層12bの成膜条件以外は実施例1と同様に作製し、薄膜トランジスタ素子6を得た。表2にスパッタ法による成膜条件を示す。下部ゲート絶縁層12aの抵抗値は2.2×1010Ω・cmであった。
図1において下部ゲート絶縁層12a(膜厚200nm)、上部ゲート絶縁層12b(膜厚100nm)の膜厚および上部ゲート絶縁層12bの成膜条件以外は実施例1と同様に作製し、薄膜トランジスタ素子7を得た。表3にスパッタ法による成膜条件を示す。
下部ゲート絶縁層12aの抵抗値は2.2×109Ω・cmであった。
図1においてゲート絶縁層12としてSiON(膜厚300nm)を単層で形成した以外は、実施例1と同様に作製し、薄膜トランジスタ素子8を得た(図3)。表4にスパッタ法による成膜条件を示す。ゲート絶縁層12の抵抗値は3.6×1014Ω・cmであった。
11 ゲート電極
12 ゲート絶縁層
12a 下部ゲート絶縁層
12b 上部ゲート絶縁層
13 半導体層
14 ソース電極
15 ドレイン電極
Claims (7)
- ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルサルフェン、トリアセチルセルロース、ポリビニルフルオライドフィルム、エチレン-テトラフルオロエチレン共重合樹脂、耐候性ポリエチレンテレフタレート、耐候性ポリプロピレン、ガラス繊維強化アクリル樹脂フィルム、ガラス繊維強化ポリカーボネート、透明性ポリイミド、フッ素系樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂のいずれか一種以上の材料からなるプラスチック基板上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物を含む半導体層が順次積層され、前記半導体層上にソース電極とドレイン電極が設けられた薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁層が前記絶縁基板に接する下部層と前記下部層上に設けられた少なくとも一層以上の上部層からなり、且つ前記下部層はInZnGaO 4 を含む酸化物であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
- ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルサルフェン、トリアセチルセルロース、ポリビニルフルオライドフィルム、エチレン-テトラフルオロエチレン共重合樹脂、耐候性ポリエチレンテレフタレート、耐候性ポリプロピレン、ガラス繊維強化アクリル樹脂フィルム、ガラス繊維強化ポリカーボネート、透明性ポリイミド、フッ素系樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂のいずれか一種以上の材料からなるプラスチック基板上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層が順次積層され、前記ゲート絶縁層上にソース電極とドレイン電極が設けられ、少なくとも前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ゲート絶縁層上に酸化物を含む半導体層が設けられた薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁層が前記絶縁基板に接する下部層と前記下部層上に設けられた少なくとも一層以上の上部層からなり、且つ前記下部層はInZnGaO 4 を含む酸化物であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 前記上部層の少なくとも一層が、酸化シリコン、窒化シリコン、シリコンオキシナイトライド、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニア、酸化チタンのいずれか1種の化合物を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記上部層の少なくとも一層が、ポリアクリレート、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコールのいずれか1種の化合物を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記下部層の膜厚が、ゲート絶縁層全体の膜厚の2/3以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
- 前記下部層の膜厚が、2nm以上200nm以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
- 前記下部層の抵抗率が1010Ω・cm以上であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
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JP4415062B1 (ja) * | 2009-06-22 | 2010-02-17 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
KR101782176B1 (ko) * | 2009-07-18 | 2017-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
WO2011010544A1 (en) * | 2009-07-18 | 2011-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
CN105810753A (zh) * | 2009-09-04 | 2016-07-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
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WO2011043164A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
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KR101763126B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2017-07-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR102089200B1 (ko) * | 2009-11-28 | 2020-03-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP5357808B2 (ja) * | 2010-03-03 | 2013-12-04 | 富士フイルム株式会社 | Igzo系アモルファス酸化物絶縁膜の製造方法及びそれを用いた電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP5864875B2 (ja) * | 2010-03-22 | 2016-02-17 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置 |
WO2011132548A1 (en) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP5627929B2 (ja) * | 2010-05-28 | 2014-11-19 | 富士フイルム株式会社 | 非晶質酸化物薄膜の製造方法及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
WO2011158704A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
CN107195686B (zh) | 2010-07-02 | 2021-02-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
JP5886491B2 (ja) * | 2010-11-12 | 2016-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR20120075048A (ko) * | 2010-12-28 | 2012-07-06 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
JP2013153118A (ja) * | 2011-03-09 | 2013-08-08 | Kobe Steel Ltd | 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物、上記酸化物を備えた薄膜トランジスタの半導体層および薄膜トランジスタ |
US9012904B2 (en) * | 2011-03-25 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8927329B2 (en) | 2011-03-30 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties |
CN102832226B (zh) | 2011-10-06 | 2016-06-01 | 友达光电股份有限公司 | 主动元件阵列基板及其制造方法 |
US8698230B2 (en) * | 2012-02-22 | 2014-04-15 | Eastman Kodak Company | Circuit including vertical transistors with a conductive stack having reentrant profile |
JP6285150B2 (ja) | 2012-11-16 | 2018-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN104300005A (zh) * | 2014-09-25 | 2015-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、阵列基板和显示装置 |
Family Cites Families (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103956361A (zh) * | 1995-10-03 | 2014-07-30 | 精工爱普生株式会社 | 有源矩阵基板的制造方法和薄膜元件的制造方法 |
JP2720862B2 (ja) * | 1995-12-08 | 1998-03-04 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタアレイ |
US6891236B1 (en) * | 1999-01-14 | 2005-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
KR100372579B1 (ko) * | 2000-06-21 | 2003-02-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
WO2002016679A1 (fr) * | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Matiere semi-conductrice polycristalline |
US6433359B1 (en) * | 2001-09-06 | 2002-08-13 | 3M Innovative Properties Company | Surface modifying layers for organic thin film transistors |
JP4090716B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
WO2003040441A1 (en) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
US6946676B2 (en) * | 2001-11-05 | 2005-09-20 | 3M Innovative Properties Company | Organic thin film transistor with polymeric interface |
WO2003088193A1 (fr) * | 2002-04-16 | 2003-10-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrat, affichage a cristaux liquides comprenant ce substrat et procede de production du substrat |
JP2004235298A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Pioneer Electronic Corp | 有機半導体素子及びその製造方法 |
US6887776B2 (en) * | 2003-04-11 | 2005-05-03 | Applied Materials, Inc. | Methods to form metal lines using selective electrochemical deposition |
US7098525B2 (en) * | 2003-05-08 | 2006-08-29 | 3M Innovative Properties Company | Organic polymers, electronic devices, and methods |
JP4108633B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
KR100995451B1 (ko) * | 2003-07-03 | 2010-11-18 | 삼성전자주식회사 | 다층 구조의 게이트 절연막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 |
US7592207B2 (en) * | 2003-11-14 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
US7598129B2 (en) * | 2003-11-14 | 2009-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
JP2005235923A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに有機薄膜デバイス |
US7242039B2 (en) * | 2004-03-12 | 2007-07-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7476572B2 (en) * | 2004-03-25 | 2009-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film transistor |
DE102004025423B4 (de) * | 2004-05-24 | 2008-03-06 | Qimonda Ag | Dünnfilm-Feldeffekt-Transistor mit Gate-Dielektrikum aus organischem Material und Verfahren zu dessen Herstellung |
US7491590B2 (en) * | 2004-05-28 | 2009-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film transistor in display device |
US7211825B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
US20060003485A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Hoffman Randy L | Devices and methods of making the same |
KR100615237B1 (ko) * | 2004-08-07 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
US7427776B2 (en) * | 2004-10-07 | 2008-09-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thin-film transistor and methods |
WO2006043690A1 (en) * | 2004-10-20 | 2006-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method, laser irradiation apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
CA2585071A1 (en) * | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
US7863611B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7453065B2 (en) * | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
JP5053537B2 (ja) | 2004-11-10 | 2012-10-17 | キヤノン株式会社 | 非晶質酸化物を利用した半導体デバイス |
JP4882256B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2012-02-22 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ |
JP4792781B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-10-12 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
KR101122231B1 (ko) * | 2004-12-17 | 2012-03-19 | 삼성전자주식회사 | 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 |
KR101142998B1 (ko) * | 2004-12-20 | 2012-05-08 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 유기 절연막 및 유기 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터표시판 및 그 제조 방법 |
KR100662790B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2007-01-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR101086159B1 (ko) * | 2005-01-07 | 2011-11-25 | 삼성전자주식회사 | 불소계 고분자 박막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 |
US7309895B2 (en) * | 2005-01-25 | 2007-12-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
KR20060089832A (ko) * | 2005-02-04 | 2006-08-09 | 삼성전자주식회사 | 편광판 및 액정 표시 장치 |
KR101102152B1 (ko) * | 2005-06-28 | 2012-01-02 | 삼성전자주식회사 | 유기박막 트랜지스터의 제조방법 및 그에 의해 제조된유기박막 트랜지스터 |
JP4767616B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-09-07 | 富士フイルム株式会社 | 半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス |
JP4981283B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2012-07-18 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ |
US7435989B2 (en) * | 2005-09-06 | 2008-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with layer containing polysiloxane compound |
KR100647704B1 (ko) * | 2005-09-26 | 2006-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치,유기 박막 트랜지스터의 제조방법 및 평판 디스플레이장치의 제조방법 |
EP1995787A3 (en) * | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof |
US20070161165A1 (en) * | 2006-01-12 | 2007-07-12 | Toppoly Optoelectronics Corp. | Systems and methods involving thin film transistors |
JP4977478B2 (ja) * | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
KR100788758B1 (ko) * | 2006-02-06 | 2007-12-26 | 양재우 | 저전압 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR20070101595A (ko) * | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
KR101236427B1 (ko) * | 2006-05-10 | 2013-02-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터용 게이트 절연막의 제조방법 및 이를이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 |
KR101243809B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-03-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터의 제조방법 및 이를 이용한 tft 어레이기판의 제조방법 |
US20080171422A1 (en) * | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Tokie Jeffrey H | Apparatus and methods for fabrication of thin film electronic devices and circuits |
JP5320746B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2013-10-23 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ |
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