JP5315604B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Description
(付記1)
半導体基板と、
該半導体基板に形成される1つ又は複数のウェルと、
該1つ又は複数のウェル内に形成される1つ又は複数の拡散層と、
配線層に形成される複数の配線と、
該1つ又は複数の拡散層と該複数の配線との直列接続により第1の電位と第2の電位との間を接続する構成において、該第1の電位と該第2の電位との間にある第3の電位に設定される配線に接続され、該第3の電位と基準電位とを比較する比較回路
を含み、該複数の配線のうちで該第1の電位に設定される第1の配線は、少なくとも該1つ又は複数のウェルのうちの第1のウェルと該1つ又は複数の拡散層のうちで該第1のウェルに形成される第1の拡散層とに接続されることを特徴とする半導体集積回路。
(付記2)
該1つ又は複数のウェルは該第1のウェルのみからなり、該1つ又は複数の拡散層は該第1の拡散層のみからなり、該第1の配線は該第1の拡散層の第1端に接続され、該複数の配線のうちで該第2の電位に設定される第2の配線は該第1の拡散層の第2端に接続され、該第3の電位に設定される該配線は該1端と該2端との間で該第1の拡散層に接続されることを特徴とする付記1記載の半導体集積回路。
(付記3)
該1つ又は複数のウェルは第2のウェルを含み、該複数の配線のうちで該第2の電位に設定される第2の配線は、該第2のウェルと該1つ又は複数の拡散層のうちで該第2のウェルに形成される第2の拡散層とに接続され、該第1の拡散層の伝導タイプと該第2の拡散層の伝導タイプとは異なることを特徴とする付記1記載の半導体集積回路。
(付記4)
該第3の電位に設定される該配線は該第1の拡散層と該第2の拡散層との間を接続する配線であることを特徴とする付記3記載の半導体集積回路。
(付記5)
該第2のウェルは該第1のウェルの内部に形成されることを特徴とする付記3記載の半導体集積回路。
(付記6)
該1つ又は複数のウェルは第2のウェルを含み、該1つ又は複数の拡散層は該第2のウェルに形成される第2の拡散層を含み、該第2のウェルは該第2の拡散層に接続されることなく該第1の配線に接続されることを特徴とする付記1記載の半導体集積回路。
(付記7)
該1つ又は複数のウェルは第2のウェルを含み、該1つ又は複数の拡散層は該第2のウェルに形成される第2の拡散層を含み、該第2のウェルは該第1の配線に接続されることなく該第2の拡散層に接続されることを特徴とする付記1記載の半導体集積回路。
(付記8)
該1つ又は複数のウェルは第2のウェルを含み、該1つ又は複数の拡散層は該第2のウェルに形成される第2の拡散層を含み、該第2のウェルは該第1の配線に第1のフューズを介して接続されるとともに、該第2の拡散層に第2のフューズを介して接続されることを特徴とする付記1記載の半導体集積回路。
(付記9)
該比較回路の出力に応じて該第1の電位を生成する電圧発生回路を更に含み、該電圧発生回路は、昇圧電位として該第1の電位を生成する昇圧発生回路又は負圧電位として該第1の電位を生成する負圧発生回路であることを特徴とする付記1記載の半導体集積回路。
(付記10)
該第1の電位が検出対象電位で第2の電位に対し高電位であり、該1つまたは複数の拡散層をP型の拡散層と配線層で形成され、かつ、該第1のウェルがN型ウェルで構成されることを特徴とする付記1記載の半導体集積回路。
(付記11)
該第1の電位が検出対象電位で第2の電位に対し低電位であり、該1つまたは複数の拡散層をN型の拡散層と配線層で形成され、かつ、該第1のウェルがP型ウェルで構成されることを特徴とする付記1記載の半導体集積回路。
12 メモリセルアレイ
13 メモリアクセス制御回路
21 電圧検出回路
22 電圧発生回路
23 昇圧発生回路
24 負圧発生回路
R1、R2 抵抗素子
60 電圧検出回路
61 差動増幅器
62 高周波補償寄生容量
71〜73 メタル配線
74〜76 コンタクト
77 P型拡散層
78 P型基板
79 Nウェル
80 N−領域
81 コンタクト
R3、R4 抵抗素子
85 電圧検出回路
86 差動増幅器
87 高周波補償寄生容量
91〜93 メタル配線
94〜96 コンタクト
97 N型拡散層
98 P型基板
99 Nウェル
100 Pウェル
101 P−領域
102 コンタクト
103 コンタクト
Claims (6)
- 半導体基板と、
該半導体基板に形成される1つ又は複数のウェルと、
該1つ又は複数のウェル内に形成される1つ又は複数の拡散層と、
配線層に形成される複数の配線と、
該1つ又は複数の拡散層と該複数の配線との直列接続により第1の電位と第2の電位との間を電気的に接続する構成において、該第1の電位と該第2の電位との間にある第3の電位に設定される配線に電気的に接続され、該第3の電位と基準電位とを比較する比較回路
を含み、該複数の配線のうちで該第1の電位に設定される第1の配線は、少なくとも該1つ又は複数のウェルのうちの第1のウェルと該1つ又は複数の拡散層のうちで該第1のウェルに形成される第1の拡散層とに電気的に接続され、前記第1のウェルが前記第2の電位の配線に電気的に接続されてなく、
該1つ又は複数のウェルは該第1のウェルのみからなり、該1つ又は複数の拡散層は該第1の拡散層のみからなり、該第1の配線は該第1の拡散層の第1端に電気的に接続され、該複数の配線のうちで該第2の電位に設定される第2の配線は該第1の拡散層の第2端に電気的に接続され、該第3の電位に設定される該配線は該1端と該2端との間で該第1の拡散層に電気的に接続されることを特徴とする半導体集積回路。 - 半導体基板と、
該半導体基板に形成される1つ又は複数のウェルと、
該1つ又は複数のウェル内に形成される1つ又は複数の拡散層と、
配線層に形成される複数の配線と、
該1つ又は複数の拡散層と該複数の配線との直列接続により第1の電位と第2の電位との間を電気的に接続する構成において、該第1の電位と該第2の電位との間にある第3の電位に設定される配線に電気的に接続され、該第3の電位と基準電位とを比較する比較回路
を含み、該複数の配線のうちで該第1の電位に設定される第1の配線は、少なくとも該1つ又は複数のウェルのうちの第1のウェルと該1つ又は複数の拡散層のうちで該第1のウェルに形成される第1の拡散層とに電気的に接続され、前記第1のウェルが前記第2の電位の配線に電気的に接続されてなく、
該1つ又は複数のウェルは第2のウェルを含み、該複数の配線のうちで該第2の電位に設定される第2の配線は、該第2のウェルと該1つ又は複数の拡散層のうちで該第2のウェルに形成される第2の拡散層とに電気的に接続され、該第1の拡散層の伝導タイプと該第2の拡散層の伝導タイプとは異なることを特徴とする半導体集積回路。 - 該第3の電位に設定される該配線は該第1の拡散層と該第2の拡散層との間を電気的に接続する配線であることを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路。
- 該第2のウェルは該第1のウェルの内部に形成されることを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路。
- 半導体基板と、
該半導体基板に形成される1つ又は複数のウェルと、
該1つ又は複数のウェル内に形成される1つ又は複数の拡散層と、
配線層に形成される複数の配線と、
該1つ又は複数の拡散層と該複数の配線との直列接続により第1の電位と第2の電位との間を電気的に接続する構成において、該第1の電位と該第2の電位との間にある第3の電位に設定される配線に電気的に接続され、該第3の電位と基準電位とを比較する比較回路
を含み、該複数の配線のうちで該第1の電位に設定される第1の配線は、少なくとも該1つ又は複数のウェルのうちの第1のウェルと該1つ又は複数の拡散層のうちで該第1のウェルに形成される第1の拡散層とに電気的に接続され、前記第1のウェルが前記第2の電位の配線に電気的に接続されてなく、
該1つ又は複数のウェルは第2のウェルを含み、該1つ又は複数の拡散層は該第2のウェルに形成される第2の拡散層を含み、該第2のウェルは該第2の拡散層に電気的に接続されることなく該第1の配線に電気的に接続されることを特徴とする半導体集積回路。 - 半導体基板と、
該半導体基板に形成される1つ又は複数のウェルと、
該1つ又は複数のウェル内に形成される1つ又は複数の拡散層と、
配線層に形成される複数の配線と、
該1つ又は複数の拡散層と該複数の配線との直列接続により第1の電位と第2の電位との間を電気的に接続する構成において、該第1の電位と該第2の電位との間にある第3の電位に設定される配線に電気的に接続され、該第3の電位と基準電位とを比較する比較回路
を含み、該複数の配線のうちで該第1の電位に設定される第1の配線は、少なくとも該1つ又は複数のウェルのうちの第1のウェルと該1つ又は複数の拡散層のうちで該第1のウェルに形成される第1の拡散層とに電気的に接続され、前記第1のウェルが前記第2の電位の配線に電気的に接続されてなく、
該1つ又は複数のウェルは第2のウェルを含み、該1つ又は複数の拡散層は該第2のウェルに形成される第2の拡散層を含み、該第2のウェルは該第1の配線に第1のフューズを介して電気的に接続されるとともに、該第2の拡散層に第2のフューズを介して電気的に接続されることを特徴とする半導体集積回路。
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