JP5308413B2 - リソグラフィ装置および歪み決定方法 - Google Patents
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Description
レチクル書込みエラー、
レチクル加熱、
レチクルサポート内にレチクルを保持すること(クランプの影響および引力たわみ)、
レチクル製作、
レチクルをいわゆるペリクル(pellicle)など他のデバイスと組み合わせること、
の結果として生じうる。
透過イメージ検出用デバイスと、
透過イメージ検出用デバイスから受け取った信号を使用してパターニングデバイスの高次歪みをモデル化するように構成され配置されたプロセッサとを備え、
前記パターニングデバイスが主結像フィールドおよび外辺部を有し、前記装置が、前記外辺部および/または結像フィールド内に備えられた位置合わせ構造物から生じた信号を使用して前記高次歪みをモデル化するように動作可能である。
透過イメージ検出用デバイスと、
透過イメージ検出用デバイスから受け取った信号を使用してパターニングデバイスの高次歪みをモデル化するように構成され配置されたプロセッサとを備え、
前記パターニングデバイスが主結像フィールドおよび外辺部を有し、前記装置が、前記外辺部および/または結像フィールドの少なくとも3つの側辺に備えられた位置合わせ構造物から生じた信号を使用して前記高次歪みをモデル化するように動作可能である。
パターニングデバイスを使用して放射ビームに、その断面にパターン付き放射ビームを形成するようにパターンを与えるステップであって、前記パターニングデバイスが主結像フィールド、外辺部、および複数の位置合わせ構造物を備えるステップと、
前記パターニングデバイスの前記位置合わせ構造物中を透過し、透過イメージ検出用デバイスに入る放射の透過を検出するステップと、
検出された放射から測定信号を生成するステップと、
前記外辺部および/または前記結像フィールド内に備えられた位置合わせ構造物中を透過した放射により生じた測定信号を使用して、前記パターニングデバイスの高次歪みおよび/または像面偏差を決定するステップとを含む。
マスク書込みエラー
放射を吸収することによるマスク加熱、
マスクを保持するマスクサポートMT、
マスク製作、および
マスクMAをペリクルなど他のデバイスと組み合わせること
により生じうる歪みを示す。
1.ステップモードでは、マスクテーブルMTまたは「マスクサポート」、および基板テーブルWTまたは「基板サポート」を本質的に静止したままにしながら、放射ビームに与えられたパターン全体がターゲット部分C上に1度に投影される(すなわち単一静的露光)。次に、基板テーブルWTまたは「基板サポート」は、異なるターゲット部分Cを露光することができるようにXおよび/またはY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光で結像されたターゲット部分Cのサイズを制限する。
2.スキャンモードでは、マスクテーブルMTまたは「マスクサポート」と基板テーブルWTまたは「基板サポート」とが同期してスキャンされるとともに、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分C上に投影される(すなわち単一動的露光)。マスクテーブルMTまたは「マスクサポート」に対する基板テーブルWTまたは「基板サポート」の速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)および像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向の)幅を制限するのに対して、スキャン運動の長さがターゲット部分の(スキャン方向の)高さを決定する。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTまたは「マスクサポート」は本質的に静止したままでプログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルWTまたは「基板サポート」が移動またはスキャンされるとともに、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分C上に投影される。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、基板テーブルWTまたは「基板サポート」の各移動の後、またはスキャン中の連続する放射パルス間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この操作モードは、上述したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
透過イメージ検出用デバイスと、
透過イメージ検出用デバイスから受け取った信号を使用してパターニングデバイスの高次歪みをモデル化するように構成され配置されたプロセッサとを備え、
前記パターニングデバイスが主結像フィールドおよび外辺部を有し、前記装置が、前記外辺部および/または結像フィールド内に備えられた位置合わせ構造物から生じた信号を使用して前記高次歪みをモデル化するように動作可能である装置。
放射ビームに、その断面にパターン付き放射ビームを形成するようにパターンを与えることができるパターニングデバイスと、
基板を保持するように構築され、前記透過イメージ検出用デバイスが上に配置される基板テーブルと、
パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムとをさらに備える、特徴1のリソグラフィ装置。
パターニングデバイスを使用して放射ビームに、その断面にパターン付き放射ビームを形成するようにパターンを与えるステップであって、前記パターニングデバイスが主結像フィールド、外辺部、および複数の位置合わせ構造物を備えるステップと、
前記パターニングデバイスの前記位置合わせ構造物中を透過し、透過イメージ検出用デバイスに入る放射の透過を検出するステップと、
検出された放射から測定信号を生成するステップと、
前記外辺部および/または前記結像フィールド内に備えられた位置合わせ構造物中を透過した放射により生じた測定信号を使用して、前記パターニングデバイスの高次歪みおよび/または像面偏差を決定するステップとを含む方法。
Claims (6)
- パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するリソグラフィ装置であって、前記パターニングデバイスの高次歪みおよび/または像面偏差を測定するように動作可能であり、
透過イメージ検出用デバイスと、
前記透過イメージ検出用デバイスから受け取った信号を使用して前記パターニングデバイスの高次歪みをモデル化するプロセッサと、を備え、
前記パターニングデバイスは、
主結像フィールドと、
第1方向に沿って設けられ、前記主結像フィールドを挟んで対向する一対の第1の外辺部と、
前記第1方向と異なる第2方向に沿って設けられ、前記主結像フィールドを挟んで対向する一対の第2の外辺部と、
を有し、
前記一対の第1の外辺部のそれぞれには、前記第1方向に沿って複数の位置合わせ構造物を有し、
前記一対の第2の外辺部のそれぞれには、前記第2方向に沿って複数の位置合わせ構造物を有し、
前記主結像フィールドは、
前記第1方向に延在する複数のけがき線と前記第2方向に延在する複数のけがき線との交点に配置された複数の追加の位置合わせ構造物を有し、
前記追加の位置合わせ構造物がその境界周りにクロムを有し、
前記プロセッサは、前記位置合わせ構造物および前記追加の位置合わせ構造物から生じた信号を使用して前記高次歪みをモデル化するように動作可能であるリソグラフィ装置。 - 前記透過イメージ検出用デバイスが透過イメージセンサを備える、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記透過イメージディテクタが複数の位置合わせ構造物および複数の放射感応センサを、前記放射がまた前記透過イメージ検出用デバイスの前記位置合わせ構造物中を透過し、前記放射感応センサで受け取られて測定信号が生成されるように備える、請求項2に記載のリソグラフィ装置。
- 放射ビームを調節する照明システムと、
前記放射ビームに、その断面にパターン付き放射ビームを形成するようにパターンを与える前記パターニングデバイスと、
基板を保持し、前記透過イメージ検出用デバイスが上に配置される基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、をさらに備える、請求項1に記載のリソグラフィ装置。 - リソグラフィ装置のパターニングデバイスの高次歪みを決定する方法において、
前記パターニングデバイスは、
主結像フィールドと、
第1方向に沿って設けられ、前記主結像フィールドを挟んで対向する一対の第1の外辺部と、
前記第1方向と異なる第2方向に沿って設けられ、前記主結像フィールドを挟んで対向する一対の第2の外辺部と、
を有し、
前記一対の第1の外辺部のそれぞれには、前記第1方向に沿って複数の位置合わせ構造物を有し、
前記一対の第2の外辺部のそれぞれには、前記第2方向に沿って複数の位置合わせ構造物を有し、
前記主結像フィールドは、
前記第1方向に延在する複数のけがき線と前記第2方向に延在する複数のけがき線との交点に配置された複数の追加の位置合わせ構造物を有し、
前記追加の位置合わせ構造物がその境界周りにクロムを有し、
パターニングデバイスを使用して放射ビームに、その断面にパターン付き放射ビームを形成するようにパターンを与えるステップと、
前記パターニングデバイスの前記位置合わせ構造物および前記追加の位置合わせ構造物中を透過し、透過イメージ検出用デバイスに入る放射の透過を検出するステップと、
前記検出された放射から測定信号を生成するステップと、
前記外辺部に備えられた前記複数の位置合わせ構造物および前記結像フィールド内に備えられた前記追加の位置合わせ構造物中を透過した放射により生じた測定信号を使用して、前記パターニングデバイスの高次歪みおよび/または像面偏差を決定するステップと、
を含む方法。 - 前記追加の位置合わせ構造物がフォーカス測定用の構造物を含み、前記方法がフォーカス項または像面偏差の拡張モデル化、ならびに前記パターニングデバイスの形状補正を経時的に追跡するステップを含む、請求項5に記載の方法。
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