JP2988393B2 - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JP2988393B2 JP2988393B2 JP22909496A JP22909496A JP2988393B2 JP 2988393 B2 JP2988393 B2 JP 2988393B2 JP 22909496 A JP22909496 A JP 22909496A JP 22909496 A JP22909496 A JP 22909496A JP 2988393 B2 JP2988393 B2 JP 2988393B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- mask
- pattern
- circuit pattern
- reticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
製造のフォトリソグラフィー工程に用いる縮小投影露光
用のレチクルマスクや密着露光用マスクを用いた露光方
法に関する。
マスクでは、ガラス基板の周辺部にレチクルアライメン
トマークを設け、中央部に遮光領域に囲まれた回路パタ
ーンを設けている。そしてこれらのアライメントマー
ク、遮光領域および回路パターンは電子ビーム描画装置
により形成されるから、これらのパターン間の相対的な
位置精度は高いものであるとされている。
たパターンの位置マークに対して、アライメントマーク
で位置出しをして露光することによりレチクルマスクの
回路パターンを転写することが出来る。
示されている図6に示すようなレチクルマスクにおいて
も、ガラス基板36に対するアライメントマーク33、
遮光領域32および遮光領域に囲まれた回路パターン領
域38に形成された回路パターン31からなるパターン
群の位置関係を検査するために、ガラス基板36の角部
に相対位置測定マーク34を設ける技術を提案している
が、周辺部のレチクルアライメントマーク33と中央部
の遮光領域に囲まれた回路パターン31とのパターン間
の相対的な位置精度は高いものであり、これらのパター
ンどうしには位置ずれは無いものとしている。
製造する際の電子ビーム描画装置において、描画中に電
子ビームのドリフトが発生した場合、中央部の回路パタ
ーンと周辺部のレチクルアライメントマークとの間に位
置ずれを起こしてしまう。
により半導体基板上に既に形成されてあるパターンに正
確に位置合わせを行ったつもりでも、露光された回路パ
ターンは半導体基板上に既に形成されてあるパターンと
重ね合わせずれを発生し、半導体集積回路の歩留まりを
低下させる原因となっていた。
基板側で測定しても、それがマスクに起因するものなの
か露光装置に起因するものかを判別することが出来ず、
その解決が困難であった。
イメントマークを基準にして回路パターンの位置ずれ量
を容易に測定することが出来るマスクを提供し、もって
半導体集積回路の歩留まりの低下を防止するである。
トマークと回路パターンとの間に位置ずれ量が発生して
いる場合でも、半導体基板上において既に形成されてい
るパターンとの重ね合わせずれ量を抑制することができ
る露光方法を提供することである。
集積回路の製造工程に用いる露光方法において、遮光領
域に囲まれた回路パターン領域に、レチクルアライメン
トマークを基準として回路パターンの位置ずれ量を測定
するための位置計測用パターンを有したマスクを用い、
前記レチクルアライメントマークを基準とした前記位置
計測用パターンの位置を計測することにより得られた前
記回路パターンの位置ずれ量を補正する補正値を予め露
光装置に入力し、しかる後、アライメントを行って露光
を行うる露光方法にある。この場合、前記矩形パターン
の短辺方向の長さが1〜40μmであることが好まし
い。また、露光はレチクルマスクを用いた縮小投影露光
法であることができる。あるいは、露光は密着露光用マ
スクを用いた密着露光法であることができる。
回路パターン領域に、レチクルアライメントマークを基
準として回路パターンの位置ずれ量を測定するための位
置計測用パターンを有したマスクを用いた露光方法であ
って、第1のフォトリソグラフィー工程に用いる第1の
マスクのレチクルアライメントマークを基準としてその
回路パターンの位置座標を、その位置計測用パターンを
用いて計測する第1のステップと、前記第1のフォトリ
ソグラフィー工程の後で行う第2のフォトリソグラフィ
ー工程に用いる第2のマスクのレチクルアライメントマ
ークを基準としてその回路パターンの位置座標を、その
位置計測用パターンを用いて計測する第2のステップ
と、前記第1および第2のステップにより計測されたレ
チクルアライメントマーク基準の回路パターンの位置座
標をもとに、前記第1のマスクの回路パターンに対する
前記第2のマスクの回路パターンの位置ずれ量を算出す
る第3のステップとを有し、前記第1のフォトリソグラ
フィー工程の後の第2のフォトリソグラフィー工程の露
光において、前記第3のステップにより得られた位置ず
れ量を露光装置にオフセットして入力し、しかる後、前
記位置ずれ量を補正した第2のフォトリソグラフィー工
程の露光を行う露光方法にある。ここで、前記露光方法
は縮小投影露光方法であり、前記第1および第2のマス
クはそれぞれ第1および第2のレチクルマスクであるこ
とができる。あるいは、前記露光方法は密着露光方法で
あり、前記第1および第2のマスクはそれぞれ第1およ
び第2の密着露光用マスクであることができる。
て説明する。
マスクを示す平面図であり、ガラス基板6上には、周辺
部にレチクルアライメントマーク3が形成され、中央部
の遮光領域2に囲まれた内側の回路パターン領域8に回
路パターン1が形成され、さらにこの回路パターン領域
8に本発明の位置計測用パターン5が形成されている。
すなわちこれらの回路パターン1、遮光領域2、レチク
ルアライメントマーク3および位置計測用パターン5は
電子ビーム露光における電子ビームの描画でそれぞれが
形成されている。ここで、図1(A)は回路パターン
1、遮光領域2、レチクルアライメントマーク3および
位置計測用パターン5に位置ずれがない場合であり、図
1(B)はレチクルアライメントマーク3に対して回路
パターン1、遮光領域2および位置計測用パターン5が
位置ずれを起こしている場合である。
ことにより、レチクルアライメントマーク3に対して回
路パターン1が正規の位置より位置ずれを起こすから、
この位置ずれ量を測定するために位置計測用パターン5
を設ける。したがって位置計測用パターン5も回路パタ
ーン1と同様に位置ずれが発生する必要があり、このた
めに位置計測用パターン5は回路パターン1とともに遮
光領域2に囲まれた回路パターン領域8に形成される。
示すように、2つの矩形パターンからなり、少なくとも
短辺方向の長さは測定装置の計測可能な寸法範囲を考慮
すると、レチクルマスク上で1〜40μmであることが
好ましい。
ェハー上の位置計測用パターン5と、重ね合わせ露光す
る次の工程のレチクルの位置計測用パターン5が重なり
合わないように異なる位置座標に位置計測用パターン5
を配置したり、製造行程によってはレチクル上の位置計
測用パターン5の明暗を反転して使用することも可能で
ある。
れた位置計測パターン5を、適当な位置座標測定器を用
いレチクルアライメントマーク3を基準にして位置計測
用パターン5の位置座標を予め測定することにより、半
導体集積回路の各製造行程で用いられるレチクルマスク
のレチクルアライメントマークに対する回路パターン1
や位置計測用パターン5の各レチクル間での相対的な位
置ずれ量がわかり、レチクルマスクの良否の判定をした
り、あるいはこの値を予め露光装置に補正値として入力
しておくことにより、重ね合わせ露光された回路パター
ンどうしの位置ずれが無くなり、位置ずれによる半導体
回路の歩留まりの低下を防止することができる。
と副尺からなるノギスパターンといわれる前の工程で形
成された回路パターンと次の工程に用いられるレチクル
の回路パターンとの間の位置ずれ量を測定するためのパ
ターンの近傍に配置するのが望ましい。
細な形状を示す。
スク上の位置計測用パターン5は中心座標7aからそれ
ぞれY方向およびX方向に延在する2つの矩形パターン
5a、5bからなる。例えばレチクルマスク上のこの矩
形パターンの長辺方向の長さが20μmで、短辺方向の
長さは10μmであり、1/5縮小投影露光装置の場合
であればこの短形パターンは半導体ウェハ上で長辺方向
の長さが4μm、短辺方向の長さが2μmとなる。そし
て先に説明したようにレチクルマスク上の矩形パターン
5a、5bの短辺方向の長さは1〜40μmであること
が好ましい。
計測用パターン5を示し、その中心座標7bからそれぞ
れY方向およびX方向に延在する2つの矩形パターン5
c、5dからなり、かつ図2(A)と明暗が逆になって
いる。
重ねた場合で、このように位置計測用パターン5は、半
導体集積回路の製造過程において、重ね合わせ露光され
る工程間のレチクルでこの位置計測用パターン5の各要
素5a,5b,5c,5dどうしが重なり合わないよう
に、位置計測用パターンの位置座標を前の工程のレチク
ルの位置計測用パターンの位置座標と異なる位置に配置
したり、また、レチクル上の位置計測用パターンの明暗
を反転し使用することも可能である。すなわち図2
(A)のレチクルマスクによるフォトリソグラフィ工程
と図2(B)のレチクルマスクによるフォトリソグラフ
ィ工程との後で、半導体ウェハ上では図2(C)の1/
5のパターンが形成されている。
ン5は遮光領域2の内側、つまり回路パターン1が形成
された領域に形成されているため、レチクルアライメン
トマーク3に対する、回路パターン1の位置ずれ量を位
置計測用パターン5を用いることにより測定することが
可能となる。
場合のレチクルアライメントマーク3に対する、回路パ
ターン1の位置ずれ量の測定方法について図面を参照し
て説明する。
の位置計測法法の実施の形態を示す図である。
は5c,5dからなる位置計測用パターン5を、回路パ
ターン1の領域の1つ、または2つ以上、周知のレチク
ル製造工程により、回路パターン1やレチクルアライメ
ントマーク3と同時に形成しておく。
準とし、位置計測用パターン5の中心座標7aを適切な
測定器を用いて計測する。計測方法としては、位置計測
用パターン5a、5bを光学系からなる測定器などを用
いることにより、透過光、または反射光の光強度(透過
光、反射光を合成した光強度でもよい)を計測し、得ら
れた検出波形a、bからエッジ1から4の位置座標を求
め、位置計測用パターン5の中心座標7aを求める。
位置座標がエッジ1、2の中点であり、また、紙面縦方
向の位置座標がエッジ3、4の中点となる。このよう
に、レチクルアライメントマーク3を基準として位置計
測用パターン5中点座標7aを求め、レチクルアライメ
ントマーク3を基準とした位置計測用パターン5の設計
上の位置座標との差を求めることにより、位置計測用パ
ターン5の位置ずれ量を測定する。
5のレチクルアライメントマーク3に対する位置ずれ量
は、位置計測用パターン5が、回路パターン1の領域内
に配置されていることから、レチクルアライメントマー
ク3に対する回路パターン1の位置ずれ量と考えること
ができる。
メントマーク3を基準として回路パターン1の位置ずれ
量を各工程ごとのレチクル作成時に計測しておくことに
より、半導体集積回路を製造する上で各工程間のレチク
ル上の回路パターンの相対的な位置ずれ量がわかり、こ
こで得られたレチクルアライメントマーク3を基準とし
た回路パターン1の位置ずれ量を予め露光装置に入力し
ておくことにより、重ね合わせ露光された回路パターン
どうしの位置ずれが抑制され、位置ずれによる半導体集
積回路の歩留まりの低下を防止することができる。
等)により半導体集積回路を製造する場合、半導体集積
回路の製造工程に応じた回路パターンが描画されたレチ
クルマスクがそれぞれ必要である。これらのレチクルマ
スクを用い、露光装置により前の製造工程で形成された
半導体ウェハ上の回路パターンに対し、次の工程のレチ
クルの回路パターンを重ね合わせ露光し、半導体集積回
路を製造する。
ンどうしの位置ずれは、レチクルマスクと半導体ウェハ
ーとのアライメントによる位置ずれ、上述したレチクル
製造誤差による位置ずれ、露光装置のレンズの歪みによ
る位置ずれが考えられる。
イメントによる位置ずれは、露光装置に位置ずれ量を校
正するための補正値を入力することにより取り除くこと
ができる。
ンズの歪みにより生じた位置ずれの場合、この位置ずれ
がレチクル製造誤差による位置ずれなのか、露光装置の
レンズの歪みによる位置ずれなのかは容易に判断するこ
とはできない。
ターンといわれる位置合わせパターンや、Box in
Boxのような位置合わせパターンを用い位置ずれ量
をみる場合、半導体ウェハー上に形成された位置合わせ
パターンには位置ずれはないが回路パターンには位置ず
れがある、といった場合である。
は、レチクル製造誤差によっても生じるが、露光装置の
レンズの歪みによっても生じる。
チクル上で直接アライメントマーク3と位置計測用パタ
ーン5の相対位置座標を計測することにより、半導体ウ
ェハー上に回路パターンを形成したときに生じる位置ず
れ量が、レチクル製造誤差によるものか、露光装置にレ
ンズの歪みによるものかを判断することができる。
施の形態の露光方法を説明する。
ー工程に用いる第1のマスク10を示す平面図であり、
ガラス基板16の周辺部のレチクルアライメントマーク
13に対して、中央部の遮光領域12およびこの遮光領
域12に囲まれた内側の回路パターン領域18内の回路
パターン11および位置計測用パターン15が所定の位
置に形成されているかどうかを、レチクルアライメント
マーク13を基準にした位置計測用パターン15の位置
計測で判定する。
ー工程に用いる第2のマスク20を示す平面図であり、
ガラス基板26の周辺部のレチクルアライメントマーク
23に対して、中央部の遮光領域22およびこの遮光領
域22に囲まれた内側の回路パターン領域28内の回路
パターン21および位置計測用パターン25は位置ずれ
を起こしており、所定の位置から離間した位置に形成さ
れている。位置ずれとしては、X,Y方向のシフト、回
転、倍率誤差等があるが、いずれもこの実施の形態では
4個のレチクルアライメントマークに対する4個の位置
計測用パターンの位置を計測することによりその位置ず
れ量を算出することが出来る。図4(B)では回転位置
ずれを例示している。
パターン11のレチクルアライメントマーク13に対す
る位置ずれ検査を、レチクルアライメントマーク13を
基準とした位置計測用パターン15の位置を計測するこ
とで行い(ステップS1)、この第1のマスクを露光装
置に装着する(ステップS4)。
のパターンのマークとレチクルアライメントマーク13
とをアライメントし(ステップS5)、露光(ステップ
S6)、現像・エッチング(ステップS7)を行って第
1のフォトリソグラフィー工程が完了する。
1のレチクルアライメントマーク23に対する位置ずれ
検査を、レチクルアライメントマーク23を基準とした
位置計測用パターン25の位置を計測することで行い
(ステップS2)、この第2のマスクを露光装置に装着
する(ステップS8)。
プS1および第2のマスクに関するステップS2により
計測されたレチクルアライメントマーク基準の回路パタ
ーンの位置座標をもとに、第1のマスクの回路パターン
に対する第2のマスクの回路パターンの位置ずれ量を算
出、すなわち補正値を算出し(ステップS3)、その補
正値を、位置ずれ量を補正するために露光装置にオフセ
ットとして入力し(ステップS9)、レチクルアライメ
ントマーク23によるアライメント(ステップS1
0)、露光(ステップS11)、現像・エッチング(ス
テップS12)を行って第2のフォトリソグラフィー工
程が完了する。
回路パターン21はレチクルアライメントマーク23に
対して回転位置ずれを発生しているから、それに関する
補正情報入力(ステップS9)により、ステップS11
の露光時には、図4(C)に示すように第2のマスク2
0(ガラス基板26)全体ををその分だけ回転させて、
回路パターン21による半導体ウェハ上のパターンが回
路パターン11による半導体ウェハ上のパターンと重な
るようにする。尚この補正のための回転は、第2のマス
ク20の回転に代えて半導体ウェハを回転させることも
できる。
のフォトリソグラフィーの第2のマスクを第1のフォト
リソグラフィーの第1のマスクを基準にした補正の場合
を示したが、第1のフォトリソグラフィーの第1のマス
クのその前の工程のマスクを基準にした補正も、あるい
は第2のフォトリソグラフィー以降のフォトリソグラフ
ィーについても同様である。
ルマスクについてのみ説明したが、本発明を密着露光用
マスクに適用した場合にも同様の効果が得られることは
当然である。
メントマークを基準として、回路パターンの設計値から
の位置ずれ量を容易に測定できるということである。そ
の理由は、位置計測用パターンが回路パターンの領域に
配置されているためである。
置ずれによる半導体集積回路の歩留まりの低下を防止で
きることである。その理由は、半導体集積回路を製造す
るための各工程のレチクルにおいて、レチクルアライメ
ントマークを基準とた回路パターンの相対的な位置ずれ
量を予め測定でき、その補正をした露光が出来るからで
ある。
る。
細を示す平面図である。
ンの位置計測法方を示す図である。
を示す図である。
ャートである。
パターン 6,16,26,36 ガラス基板 7a,7b 位置計測用パターンの中心座標 8,18,28,38 回路パターン領域 10 第1のレチクルマスク 20 第2のレチクルマスク 34 相対位置測定マーク
Claims (6)
- 【請求項1】 半導体集積回路の製造工程に用いる露光
方法において、遮光領域に囲まれた回路パターン領域
に、レチクルアライメントマークを基準として回路パタ
ーンの位置ずれ量を測定するための位置計測用パターン
を有したマスクを用い、前記レチクルアライメントマー
クを基準とした前記位置計測用パターンの位置を計測す
ることにより得られた前記回路パターンの位置ずれ量を
補正する補正値を予め露光装置に入力し、しかる後、ア
ライメントを行って露光を行うことを特徴とする露光方
法。 - 【請求項2】 遮光領域に囲まれた回路パターン領域
に、レチクルアライメントマークを基準として回路パタ
ーンの位置ずれ量を測定するための位置計測用パターン
を有したマスクを用いた露光方法であって、 第1のフォトリソグラフィー工程に用いる第1のマスク
のレチクルアライメントマークを基準としてその回路パ
ターンの位置座標を、その位置計測用パターンを用いて
計測する第1のステップと、 前記第1のフォトリソグラフィー工程の後で行う第2の
フォトリソグラフィー工程に用いる第2のマスクのレチ
クルアライメントマークを基準としてその回路パターン
の位置座標を、その位置計測用パターンを用いて計測す
る第2のステップと、 前記第1および第2のステップにより計測されたレチク
ルアライメントマーク基準の回路パターンの位置座標を
もとに、前記第1のマスクの回路パターンに対する前記
第2のマスクの回路パターンの位置ずれ量を算出する第
3のステップとを有し、 前記第1のフォトリソグラフィー工程の後の第2のフォ
トリソグラフィー工程の露光において、前記第3のステ
ップにより得られた位置ずれ量を露光装置にオフセット
して入力し、しかる後、前記位置ずれ量を補正した第2
のフォトリソグラフィー工程の露光を行うことを特徴と
する露光方法。 - 【請求項3】 前記位置計測用パターンが、2つの矩形
パターンを有して構成されていることを特徴とする請求
項1または請求項2記載の露光方法。 - 【請求項4】 前記矩形パターンの短辺方向の長さが1
〜40μmであることを特徴とする請求項3記載の露光
方法。 - 【請求項5】 前記露光は縮小投影露光であり、前記マ
スクはレチクルマスクであることを特徴とする請求項1
または請求項2記載の露光方法。 - 【請求項6】 前記露光は密着露光であり、前記マスク
は密着露光用マスクであることを特徴とする請求項1ま
たは請求項2記載の露光方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22909496A JP2988393B2 (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 露光方法 |
US08/919,269 US6118517A (en) | 1996-08-29 | 1997-08-28 | Mask pattern for alignment |
GB9718252A GB2316768B (en) | 1996-08-29 | 1997-08-28 | Mask pattern for alignment |
KR1019970045883A KR100317100B1 (ko) | 1996-08-29 | 1997-08-29 | 마스크 |
KR1020000050300A KR100303743B1 (ko) | 1996-08-29 | 2000-08-29 | 노광 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22909496A JP2988393B2 (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1069066A JPH1069066A (ja) | 1998-03-10 |
JP2988393B2 true JP2988393B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=16886668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22909496A Expired - Fee Related JP2988393B2 (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 露光方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6118517A (ja) |
JP (1) | JP2988393B2 (ja) |
KR (2) | KR100317100B1 (ja) |
GB (1) | GB2316768B (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5854671A (en) | 1993-05-28 | 1998-12-29 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus therefor and a projection exposure apparatus and method which selectively chooses between static exposure and scanning exposure |
DE19817714C5 (de) * | 1998-04-21 | 2011-06-30 | Vistec Semiconductor Systems GmbH, 35781 | Verfahren zur Messung der Lage von Strukturen auf einer Maskenoberfläche |
KR100555470B1 (ko) * | 1999-04-06 | 2006-03-03 | 삼성전자주식회사 | 노광 장치의 그리드 보정 방법 |
JP3677426B2 (ja) * | 2000-02-21 | 2005-08-03 | Necエレクトロニクス株式会社 | 位置合わせ精度計測マーク |
JP4873779B2 (ja) * | 2000-12-18 | 2012-02-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | フォトマスク、パターン欠陥検査方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP2002319533A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-10-31 | Nikon Corp | 転写露光方法、転写露光装置及びデバイス製造方法 |
US6964031B2 (en) * | 2001-09-29 | 2005-11-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask pattern generating method and manufacturing method of semiconductor apparatus |
KR100815907B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2008-03-21 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
US7190823B2 (en) * | 2002-03-17 | 2007-03-13 | United Microelectronics Corp. | Overlay vernier pattern for measuring multi-layer overlay alignment accuracy and method for measuring the same |
KR100983748B1 (ko) * | 2002-05-02 | 2010-09-24 | 오르보테크 엘티디. | 불균일하게 수정된 이미지를 이용하여 인쇄 회로 보드를제조하는 시스템 및 방법 |
KR100488543B1 (ko) * | 2002-11-05 | 2005-05-11 | 삼성전자주식회사 | 포토리소그래피 공정용 레티클 제작방법 |
CN100335974C (zh) * | 2002-12-19 | 2007-09-05 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投影掩模和使用该掩模制造器件的方法及制造的器件 |
DE10345471B4 (de) * | 2003-09-30 | 2006-03-30 | Infineon Technologies Ag | Justiermarke zur Grobjustage und Feinjustage eines Halbleiterwafers in einem Belichtungsgerät |
US7030772B1 (en) * | 2004-04-07 | 2006-04-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Inspection for alignment between IC die and package substrate |
JP4770833B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-09-14 | 株式会社ニコン | ショット形状の計測方法、マスク |
JP5136745B2 (ja) * | 2006-12-13 | 2013-02-06 | 大日本印刷株式会社 | 多重露光技術におけるマスク製造誤差検証方法 |
IL194967A0 (en) * | 2008-10-28 | 2009-08-03 | Orbotech Ltd | Producing electrical circuit patterns using multi-population transformation |
CN101750899B (zh) * | 2008-12-04 | 2011-06-22 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 光刻版图及其测量光刻形变的方法 |
US9097989B2 (en) * | 2009-01-27 | 2015-08-04 | International Business Machines Corporation | Target and method for mask-to-wafer CD, pattern placement and overlay measurement and control |
US8988653B2 (en) * | 2009-08-20 | 2015-03-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, distortion determining method, and patterning device |
US9490154B2 (en) | 2015-01-15 | 2016-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of aligning substrate-scale mask with substrate |
JP6362716B2 (ja) * | 2017-02-03 | 2018-07-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | マスクおよび半導体装置 |
US10866508B2 (en) * | 2018-05-18 | 2020-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method for manufacturing photomask and semiconductor manufacturing method thereof |
JP7001044B2 (ja) * | 2018-11-28 | 2022-01-19 | オムロン株式会社 | 制御システム |
US10942444B2 (en) * | 2019-05-01 | 2021-03-09 | Nxp Usa, Inc. | Optical control modules for integrated circuit device patterning and reticles and methods including the same |
CN111142343B (zh) * | 2020-01-02 | 2022-11-18 | 长江存储科技有限责任公司 | 对准标记的中心坐标的生成方法 |
US11307502B2 (en) * | 2020-02-28 | 2022-04-19 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | Assistant pattern configuration method, mask and forming method thereof, and related device |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2845603C2 (de) * | 1978-10-19 | 1982-12-09 | Censor Patent- und Versuchs-Anstalt, 9490 Vaduz | Verfahren und Einrichtung zum Projektionskopieren |
JPS5788451A (en) * | 1980-11-25 | 1982-06-02 | Hitachi Ltd | Photomask |
US4768883A (en) * | 1986-11-07 | 1988-09-06 | Motorola Inc. | Alignment reticle for a semiconductor wafer stepper system and method of use |
JPH021110A (ja) * | 1988-06-09 | 1990-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光用マスク及び露光方法 |
JP2770960B2 (ja) * | 1988-10-06 | 1998-07-02 | キヤノン株式会社 | Sor−x線露光装置 |
JPH04102851A (ja) * | 1990-08-22 | 1992-04-03 | Nec Corp | レチクル |
US5331371A (en) * | 1990-09-26 | 1994-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment and exposure method |
JP2788822B2 (ja) * | 1992-05-14 | 1998-08-20 | 鹿児島日本電気株式会社 | ホトマスク |
US5691115A (en) * | 1992-06-10 | 1997-11-25 | Hitachi, Ltd. | Exposure method, aligner, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices |
FR2704660B1 (fr) * | 1993-04-27 | 1995-07-13 | Sgs Thomson Microelectronics | Masques pour une machine d'insolation double face. |
JPH06324475A (ja) * | 1993-05-15 | 1994-11-25 | Nec Corp | レチクル |
JPH07297119A (ja) * | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Nikon Corp | 位置検出方法 |
US5601957A (en) * | 1994-06-16 | 1997-02-11 | Nikon Corporation | Micro devices manufacturing method comprising the use of a second pattern overlying an alignment mark to reduce flattening |
JP3451603B2 (ja) * | 1994-06-16 | 2003-09-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び該露光方法に使用されるマスク |
US5795687A (en) * | 1995-02-24 | 1998-08-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and alignment |
JPH08316134A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-11-29 | Nikon Corp | 露光方法 |
JPH1012544A (ja) * | 1996-06-26 | 1998-01-16 | Nikon Corp | 位置計測方法及び露光方法 |
-
1996
- 1996-08-29 JP JP22909496A patent/JP2988393B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-08-28 GB GB9718252A patent/GB2316768B/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-28 US US08/919,269 patent/US6118517A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-29 KR KR1019970045883A patent/KR100317100B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-08-29 KR KR1020000050300A patent/KR100303743B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1069066A (ja) | 1998-03-10 |
KR100317100B1 (ko) | 2002-11-23 |
GB2316768B (en) | 2000-09-13 |
US6118517A (en) | 2000-09-12 |
KR19980019218A (ko) | 1998-06-05 |
GB9718252D0 (en) | 1997-11-05 |
GB2316768A (en) | 1998-03-04 |
KR100303743B1 (ko) | 2001-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2988393B2 (ja) | 露光方法 | |
EP0466335B1 (en) | Process of manufacturing semiconductor devices | |
JP3048517B2 (ja) | 半導体装置製造用のレチクル | |
JP2987112B2 (ja) | 半導体素子のオーバレイ検査方法 | |
JP3371852B2 (ja) | レチクル | |
KR100239020B1 (ko) | 레티클 및 그것에 의해 전사된 패턴 및 보정 방법 | |
JP4528464B2 (ja) | アライメント方法、重ね合わせ検査方法及びフォトマスク | |
JP5792431B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US6239858B1 (en) | Exposure method, exposure apparatus and semiconductor device manufactured by using the exposure apparatus | |
US4792693A (en) | Step-and-repeat exposure method | |
JP3210145B2 (ja) | 走査型露光装置及び該装置を用いてデバイスを製造する方法 | |
JP2914315B2 (ja) | 走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定方法 | |
KR100392744B1 (ko) | 반도체 장치, 그 제조에 이용하는 포토마스크, 및 그 중첩정밀도 향상 방법 | |
JP2009099873A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
US6489067B2 (en) | Reticle for manufacturing semiconductor integrated circuit | |
JPS6338697B2 (ja) | ||
JPH11121369A (ja) | パターン描画方法及び装置 | |
JP2970473B2 (ja) | アライメント方法およびアライメント誤差検査方法 | |
JPH06324475A (ja) | レチクル | |
JP3198718B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
JP2727784B2 (ja) | 縮小投影露光装置用レティクル | |
JPH04209518A (ja) | 位置ずれ計測方法、及び露光装置の精度確認方法 | |
JPH1174189A (ja) | マスクの位置ずれ検出用マーク | |
JPH05158218A (ja) | マスク基板および描画方法 | |
JP3242989B2 (ja) | アライメントパターンを有するパターン版の修正方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990907 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008 Year of fee payment: 11 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008 Year of fee payment: 11 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111008 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111008 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121008 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121008 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008 Year of fee payment: 14 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |