JP3605043B2 - 位置計測装置、露光装置、デバイス製造方法および位置計測方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、位置計測装置、露光装置、デバイス製造方法および位置計測方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
露光装置におけるレチクル等の原版とウエハ等の基板との位置合わせ(以下、「アライメント」という)については、さまざまな方式が案出され実施されている。
【0003】
TTR(Through The Reticule)方式の場合、レチクル上からアライメント用照明光源(例えばレーザ光)を照射し、レチクル上あるいはレチクルステージ上のレチクル基準マーク(以下レチクルマークという)とウエハ上あるいはウエハステージ上のステージ基準マーク(以下ステージマークという)からの反射光を光電検出部で検出し、例えばこの画像からマークパターンの中心を求めることによりウエハステージとレチクルステージの相対位置ずれを検出している。
【0004】
図1を利用して、従来の技術について簡単に説明すると、照明系14の光源からの光はハーフミラー17、ミラー8、およびレチクル2を通って、レチクル2上の図2(a)に示すようなマーク16を照明する。レチクル2上のマーク16は反射面であるので、レチクル2のマーク16の像はミラー8、およびハーフミラー17を通りカメラ9に到達し光電変換される。一方レチクル2を透過した照明光は投影レンズ3を介してステージ4上の図2(b)に示すようなステージマーク15を照明する。ステージマーク15の反射光は再び投影レンズ3、レチクル2、ミラー8、およびハーフミラー17を通ってカメラ9に到達する。カメラ9にはレチクル2上のマーク16とウエハ5上のマーク15の合成されたマークが図2(c)のように撮像される。
【0005】
近年の半導体は集積度をより大きくするために、0.15ミクロン以下の微細なパターンをウエハ上に露光する必要が出てきた。そのため、使用する露光光源はKrFレーザ、ArFレーザさらにはF2 レーザとなってきた。前記レーザはいずれもパルス出力タイプのレーザである。
【0006】
TTR計測においても露光光と同じ波長の光を使用しなければならないため、波長の短いパルスレーザを使用するようになってきている。
【0007】
ウエハステージとレチクルステージの相対位置ずれを検出するための画像取り込みは、照明光源がレーザ光の場合、空間的コヒーレンスが高く、このままウエハ等に照射したのではスペックルや干渉縞が発生してしまう。このために、ビームを振動させたり、回転拡散板によりスペックル・干渉縞の位相をパルス毎に変化させたりして、このパルスを複数回照射することにより積算効果によってスペックル・干渉縞の影響をなくしている。ウエハ露光の場合、干渉縞や、スペックルを取り除くために数十〜数百パルスが必要となる。画像取り込みの方法に関しては特許第2650066号や、特許第2908099号に係る公報に詳しく記載されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
半導体露光装置の照明光源は、先に述べたように半導体プロセスの微細化に対応すべく、短波長化している。そのため、レンズでの光吸収の影響が無視できなくなってきた。具体的には図1に示すようにステージマーク15に関しては照明光、マーク反射光がレンズを往復することになるので、ステージマーク15からの反射光がレチクルマーク16からの反射光に比べて暗くなってしまう。レチクルマーク16からの反射光は、投影レンズ3を往復することはないのでレンズによる吸収の影響は受けていない。従って、レチクルマーク16とステージマーク15を同時に観察する場合、光量に差が発生する。ステージマーク15からの反射光が暗くなり、十分な光量が得られなくなると、得られた画像の信号コントラストが不足し、計測精度が低下することがある。これを回避するために、ステージマーク15からの反射光が明るくなるようにした場合、レチクルマーク16からの反射光が明るくなりすぎて、信号が飽和してしまう。
【0009】
本発明は、2つのマークのコントラスト(光量)の差が大きくても精度よくマーク位置を求めることができる位置計測装置、露光装置、デバイス製造方法および位置計測方法を提供することを目的としている。
【0010】
【解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の位置計測装置は、第1および第2のマークの位置を計測する位置計測装置であって、前記第1および第2のマークの画像を検出する検出手段と、前記検出手段により得られた画像信号を処理する処理手段と、前記第1および第2のマークに関してそれぞれ信号強度が調整された少なくとも2つの画像信号が得られるように、前記検出手段および前記処理手段を制御する制御手段とを有し、前記制御手段は、前記少なくとも2つの画像信号のうち前記第1および第2のマークの一方に関する画像信号の信号累積度が他方に関する画像信号の信号累積度より大きくなるように、前記検出手段および前記処理手段を制御することを特徴とする。
【0011】
本発明の好ましい実施の形態において、前記検出手段は、前記第1および第2のマークを照明する照明系を含む。該照明系は調光手段を含んでもよい。
【0012】
また、前記検出手段により得られた複数の画像信号が前記制御手段の制御下で前記処理手段により加算される。加算される前記複数の画像信号の数は、前記検出手段により得られた画像信号における前記第1および第2のマークの信号強度に基づいて、あるいは、前記処理手段による画像加算により得られた画像の前記第1および第2のマークの一方の信号強度に基づいて、決定される。
【0013】
また、前記検出手段による画像検出の蓄積時間を前記制御手段の制御下で変更することも可能である。この場合、前記蓄積時間は、例えば、前記検出手段により得られた画像信号における前記第1および第2のマークの信号強度に基づいて変更される。
【0014】
前記第1および第2のマークは位置合わせされるべき2つの物体の上にそれぞれ形成されている。または、前記第1および第2のマークの一方は前記検出手段内に形成されている。そして、前記第1および第2のマークの位置は前記少なくとも2つの画像に基づいて得られる。
【0017】
また、本発明の露光装置は、上記の位置計測装置を有し、物体にパターンを露光することを特徴とする。前記露光装置において、例えば、前記第1および第2のマークの一方は前記物体に関係付けられている。また、前記物体にパターンを露光するための投影光学系を有し、前記検出手段は前記投影光学系を介して前記第1および第2のマークの一方を検出する。
【0018】
また、本発明のデバイス製造方法は、上記の位置計測装置を用いて物体の位置合わせを行う位置合わせ工程を含むことを特徴とする。
【0019】
また、本発明の他のデバイス製造方法は、上記の露光装置を用いて物体にパターンを露光する露光工程を含むことを特徴とする。
【0020】
また、本発明の位置計測方法は、第1および第2のマークの位置を計測する位置計測方法であって、前記第1および第2のマークの画像を検出する検出工程と、前記検出工程において得られた画像信号を処理する処理工程と、前記第1および第2のマークに関してそれぞれ信号強度が調整された少なくとも2つの画像が得られるように、前記検出工程および前記処理工程を実行させる制御工程とを有し、前記制御工程において、前記少なくとも2つの画像信号のうち前記第1および第2のマークの一方に関する画像信号の信号累積度が他方に関する画像信号の信号累積度より大きくなるように、前記検出工程および前記処理工程を実行させることを特徴とする。
【0027】
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態を示すブロック図である。同図において、パルスレーザを光源とする照明手段である照明系14から照射される照明光は、原版としてのレチクル2、投影レンズ系3を経てウエハステージ4上の基板であるウエハ5を露光する。
【0028】
ウエハステージ4は、駆動手段であるステージ駆動系6およびウエハステージ駆動装置6wによって、紙面に垂直な平面内において互に直交する2軸(X軸、Y軸)のそれぞれに沿った方向に往復移動可能であり、かつ前記平面に垂直に交わる1軸(Z軸)の回りに回転可能である。
【0029】
レチクル2を保持するレチクルステージ2aもステージ駆動系6およびレチクルステージ駆動装置6rによってX軸およびY軸のそれぞれに沿った方向に往復移動自在であり、かつZ軸の回りに回転自在である。
すなわち、ステージ駆動系6は、後述する主制御装置12によって、レチクルステージ2aおよびウエハステージ4の相対位置を調整する。
【0030】
レチクル2およびウエハ5のそれぞれに設けられた位置合わせマークであるアライメントマークの位置関係を検出するアライメント検出系7は、照明光の波面を時間的に変化させてスペックルを抑制する機能を備える照明系14による照明光の一部をアライメント用照明光として用いる。ハーフミラー17、ミラー8、および投影レンズ系3を経てステージマーク15に到達して、反射し、投影レンズ系3、ミラー8、およびハーフミラー17を経た反射光と、ハーフミラー17、およびミラー8を経てレチクルマーク16に到達して、反射し、ミラー8、およびハーフミラー17を経た反射光とがCCDカメラ9によって検出される。
【0031】
ステージマーク15の形状の一例を図2(b)に示し、レチクルマーク16の形状の一例を図2(a)に示す。なお、実際の縮小投影露光装置においては、上記アライメント検出系7と同様の検出系が、投影レンズ系3の光軸に対して対称位置に設けられるが、図1においては省略した。
【0032】
アライメント検出系7におけるCCDカメラ9の光蓄積と照明系14のレーザ発振は同期信号発生器13によって同期が取られ、一定の蓄積時間内に常に同じパルス数の光が入射するように制御される。詳細は特許第2650066号に係る公報に記載されている。
【0033】
次に、マーク計測方法を説明する。NTSC方式などの光蓄積時間が固定のカメラの場合、図3(d)に示すフレーム1(Frame1)〜フレーム4(Frame4)のように時系列的に蓄積された画像がカメラ9から転送されてくる。図3(a)に示されるX側マークの画像は予め設定されたウインドウ(Win)内の画像を矢印の方向に投影し信号を作成する(図3(b))。ステージマーク15の信号強度(SS1)は、レンズの吸収の影響を受けてレチクルマーク16の信号強度(SR1)より低い。レチクルマーク16に関しては信号強度SR1で検出できるように照明系内の調光手段を用いて計測可能な光量になるように調整が可能である。
【0034】
しかし、ステージマーク15は暗いため、このままでは計測できない。そこで、信号強度SS1が信号強度SR1に対し光量としてどれだけ暗いかを求め、不足している光量を複数回画像を取り込むことによって補う。例えば、図3(b)の場合、ステージマーク15はレチクルマーク16の約1/4の光量である。そこで、あと3回画像を取り込み、合計4画像を加算し、レチクルマーク16の信号強度とほぼ同じ強度の信号を作成する。その様子を図3(c)に示した。この場合、レチクルマーク16の信号の加算は考えない。信号加算を4回行ってSUM4なる強度まで信号のコントラスト(光量)を上げる。なお、ここでの説明では最初の光量検出の画像は1回の取り込み画像とした。しかし画像のノイズを取り除くために、2回以上のn回加算画像でもよい。その場合上の例での4回の加算を4×n回とすればよい。
【0035】
次に、画像加算について説明する。アライメント検出系7内のカメラ9からの出力はAD変換されて画像メモリ11aに記憶される。画像メモリ11aは、複数の画像を記憶することができる。例えば、本実施形態の場合、1〜4回の取り込み画像を記憶することができればよい。そして、画像処理装置11によって、複数の画像を加算する。本実施形態の場合、画像メモリ11aに記憶されている4画像を加算してステージマーク15の計測画像を作成し、SUM4の加算画像を作成する。
【0036】
マークの位置検出は、画像処理装置11によって1回目の取り込み画像からレチクルマーク16の位置RX1,RX2を求め、RX1とRX2の平均値よりレチクルマーク16の位置RXCが求められる。一方、4回加算した画像からステージマーク15の位置SXが求められる。RXCとSXとの差、即ちRXC−SXよりレチクルマーク16とステージマーク15のずれ量が求められる。
【0037】
4回の画像取り込み中にレチクルマーク16の位置がずれることも懸念されるため、1回目の画像だけでなく4回目の画像からレチクル中心位置RXC(4)を求め、RXCとRXC(4)の平均値をRXCとしてもよい。さらに、各画像データからRXC(1),RXC(2),RXC(3),RXC(4)をそれぞれ求め、これらの平均値を用いても正確なレチクルマーク16の位置が算出できる。以上の計測結果に基づいてウエハステージ4もしくはレチクルステージ2aあるいは両方を移動させて、レチクル2とウエハ5のアライメントを行う。
【0038】
図5を用いて、第1の実施形態の場合の計測のフローを説明する。まず、ステップS101で1回目の画像取り込みを行う。次いで、ステップS102においてレチクルマーク16の明るさSR1とステージマーク15の明るさSS1を求める。次に、ステップS103でステージマーク15とレチクルマーク16の明るさの割合からステージマーク15の記憶回数Sn(=SR1/SS1)を算出し、画像の記憶をSn回繰り返す(ステップS104,S105,S106)。画像の記憶回数がSn回を超えたら、ステップS107で1〜Snの画像からそれぞれレチクルマーク16の中心を求め、その平均値RCを求める。その後、ステップS108では、1〜Snの画像を加算し、ステップS109で加算画像からステージマーク15の位置SCを求める。最後に、ステップS110でレチクルマーク16とステージマーク15のずれ量Z(=RC−SC)を求める。
【0039】
(第2の実施形態)
第1の実施形態においては、1回目の取り込みの際に照明系内の調光手段を用いて計測可能な光量になるように調整し、1回目の取り込み結果からステージマーク15の加算回数を決定した。しかし、調光手段を設けない方法をこの第2の実施形態で説明する。
【0040】
明るいマークはレチクルマーク16であることが予めわかっている。そこで、画像を記憶し、加算しながらレチクルマーク16を計測するのに必要な信号強度の閾値THRを超えた時点の画像(フレームR)を記憶する。さらに画像の取り込みと加算を繰り返し、ステージマーク15を計測するのに必要な信号強度の閾値(THS)になった時点の画像(フレームS)を記憶する。
【0041】
フレームRの画像からレチクルマーク16の位置を、フレームSの画像からステージマーク15の位置をそれぞれ求め、レチクルマーク16とステージマーク15のずれ量が求められる。以上の計測結果に基づいてウエハステージ4もしくはレチクルステージ2aあるいは両方を移動させ、レチクル2とウエハ5のアライメントを行う。
【0042】
第2の実施形態の場合の計測フローを図6を用いて説明する。ステップS201で1回目の画像取り込みを行い、レチクルマーク16の信号強度SRが閾値THRを超えるまで画像の記憶と加算を繰り返す(ステップS202,S203,S204,S205)。信号強度SRが閾値を超えたら、ステップS206で加算後の画像フレームR(FrameR)からレチクルマーク16の中心RCを求める。次に、ステージマーク15の信号強度SSが閾値THSを超えるまで画像の記憶と加算を繰り返す(ステップS207,S208,S209,S210) 。ステージマーク15の信号強度SSが閾値を超えたら、ステップS211で最後の加算画像FrameSからステージマーク15の中心SCを求める。最後に、ステップS212でレチクルマーク16とステージマーク15のずれ量Z(=RC−SC)を求める。
【0043】
(第3の実施形態)
第1の実施形態においてはNTSC方式などの固定された蓄積時間での画像取り込みの例を示した。第3の実施形態では、使用するカメラとして蓄積時間が可変のカメラを用いることもできる。以下に図4を用いて説明する。
【0044】
マークの照明方法、撮像されるまでの光路に関しては第1の実施形態と同じなので説明を省略する。
【0045】
予め決められた基準の蓄積時間(T1)で1回目の画像取り込みを行い、図4(a)に示す画像よりレチクルマーク16の信号強度SR1、およびステージマーク15の信号強度SS1を検出する。これらそれぞれの信号強度からステージマーク15を撮像するための蓄積時間を以下の演算により求める。
TS=(SR1/SS1)*T1
CCDカメラ9の蓄積時間をTSに変更し、蓄積するレーザパルス数もSR1/SS1倍にする。その結果、ステージマーク15の信号強度はSS2となり、ほぼレチクルマーク16と同程度の信号強度になる。
【0046】
画像メモリ11aには蓄積時間T1の画像と蓄積時間TSの画像とが記憶されるので、それぞれの画像からレチクルマーク16の中心位置RXC、およびステージマーク15の中心位置SXを求め、RXCとSXとの差、即ちRXC−SXよりレチクルマーク16とステージマーク15のずれ量が求められる。この計測結果に基づいてウエハステージ4もしくはレチクルステージ2aあるいは両方を移動させ、レチクル2とウエハ5のアライメントを行う。
【0047】
図7を用いて第3の実施形態の場合の計測フローを説明する。ステップS301において、蓄積時間T1で1回目の画像を記憶する。1回目の画像から、ステップS302ではレチクルマーク16の信号強度SR1、およびステージマーク15の信号強度SS1を求め、ステップS303で、ステージマーク15の画像取り込みのための蓄積時間TSを両信号強度比から算出する。次に、ステップS304で蓄積時間TSの画像を記憶する。ステップS305で蓄積時間T1の画像からレチクルマーク16の位置RCを算出し、ステップS306では蓄積時間TSの画像からステージマーク15の位置SCを求め、ステップS307で前記RCとSCとの差からレチクルマーク16とステージマーク15のずれ量Zを求める。
【0048】
なお、第2の実施形態及び第3の実施形態の変形例として、各マークの取り込みフレーム数を信号強度に応じて違えるようにしてもよい。例えば、信号強度の比SR1/SS1が整数に近くない場合には、レチクルマーク用についても画像の加算が必要になることも想定される。この場合、レチクルマーク用とステージマーク用とで異なる加算回数を設定して順次加算された画像の明るさをほぼ同程度に揃えて画像メモリに記憶し利用することができる。
【0049】
(第4の実施形態)
前述の実施形態では、第1のマークと第2のマークをレチクルマークとステージマークとしたが、第1のマークをTTLスコープ内の指標マーク、第2のマークをウエハ上のマークとしても本発明を同様に採用できる。そこで、第4の実施形態として図13を用いて説明する。なお、画像の撮像に関しては前述の実施形態と同じなので説明を省略する。
【0050】
ウエハ5上のアライメントマークは露光光あるいは非露光光の波長のレーザあるいはハロゲンランプなどの光源14からの光によって、ハーフミラー17、22、ミラー8、投影レンズ3を介して照明される。マークからの反射光は、投影レンズ3、ミラー8、ハーフミラー22,17を経由してカメラ9に到達しマーク像が撮像される。一方、スコープの指標マーク21は照明装置20によって照明され透過光がハーフミラー22で反射されウエハ上のマークと合成された光となってカメラ9に達する。従って、カメラ9で撮像される画像は、ウエハマークと指標マークが合成された画像となる。この場合、指標マークに比べウエハ側のマークの明るさが低い場合、第1の実施形態から第3の実施形態のいずれかの方法を用いアライメント検出系7によって制御することによって、計測に最適な撮像を行うことができる。
【0051】
なお、指標マークの照明方法は透過照明に限らず、ウエハマークを照明した光源14を用いた反射照明でも構わない。また、指標マークの配置は、ミラー8の手前に限らず、カメラ9の直前などでも構わない。指標マークは、予め投影レンズ3との位置あるいは、ステージ4との位置、レチクルステージ2、もしくはレチクル基準マーク16との位置関係が求められていれば、どの位置に配置されていても構わない。
【0052】
(第5の実施形態)
前述の実施形態1から3では、第1のマークと第2のマークをレチクルマークとステージマークとしたが、第1のマークをオフアクシススコープ内の指標マーク、第2のマークをウエハ上のマークとしても本発明を同様に採用できる。そこで、第5の実施形態として図14を用いて説明する。なお、画像の撮像に関しては前述の実施形態と同じなので説明を省略する。
【0053】
ウエハ5上のアライメントマークは露光光あるいは非露光光の波長のレーザあるいはハロゲンランプなどの光源14からの光によって、ハーフミラー17、ミラー33、ハーフミラー32を介して照明される。マークからの反射光は、ハーフミラー32、ミラー33,ハーフミラー17を経由してカメラ9に到達しマーク像が撮像される。一方、スコープの指標マーク31は照明装置30によって照明され透過光がハーフミラー32で反射されウエハ上のマークと合成された光となってカメラ9に達する。従って、カメラ9で撮像される画像は、ウエハマークと指標マークが合成された画像となる。この場合、指標マークに比べウエハ側のマークの明るさが低い場合、第1の実施形態から第3の実施形態のいずれかの方法を用いアライメント検出系7によって制御することによって、計測に最適な撮像を行うことができる。
【0054】
なお、指標マークの照明方法は透過照明に限らず、ウエハマークを照明した光源14を用いた反射照明でも構わない。また、指標マークの配置は、カメラ9の直前などでも構わない。指標マークは、予め投影レンズ3との位置あるいは、ステージ4との位置、レチクルステージ2、もしくはレチクル基準マーク16との位置関係が求められていれば、どの位置に配置されていても構わない。
【0055】
(半導体生産システムの実施形態)
次に、本発明に係る半導体製造装置を用いた半導体デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行うものである。
【0056】
図8は全体システムをある角度から切り出して表現したものである。図中、101は半導体デバイスの製造装置を提供するベンダ(装置供給メーカ)の事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器(露光装置、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等)や後工程用機器(組立て装置、検査装置等)を想定している。事業所101内には、製造装置の保守データベースを提供するホスト管理システム108、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク(LAN)109を備える。ホスト管理システム108は、LAN109を事業所の外部ネットワークであるインターネット105に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備える。
【0057】
一方、102〜104は、製造装置のユーザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工場102〜104は、互いに異なるメーカに属する工場であっても良いし、同一のメーカに属する工場(例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等)であっても良い。各工場102〜104内には、夫々、複数の製造装置106と、それらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク(LAN)111と、各製造装置106の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理システム107とが設けられている。各工場102〜104に設けられたホスト管理システム107は、各工場内のLAN111を工場の外部ネットワークであるインターネット105に接続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場のLAN111からインターネット105を介してベンダ101側のホスト管理システム108にアクセスが可能となり、ホスト管理システム108のセキュリティ機能によって限られたユーザだけにアクセスが許可となっている。具体的には、インターネット105を介して、各製造装置106の稼動状況を示すステータス情報(例えば、トラブルが発生した製造装置の症状)を工場側からベンダ側に通知する他、その通知に対応する応答情報(例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ)や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場102〜104とベンダ101との間のデータ通信および各工場内のLAN111でのデータ通信には、インターネットで一般的に使用されている通信プロトコル(TCP/IP)が使用される。なお、工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネットワーク(ISDNなど)を利用することもできる。また、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよい。
【0058】
さて、図9は本実施形態の全体システムを図8とは別の角度から切り出して表現した概念図である。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ通信するものである。図中、201は製造装置ユーザ(半導体デバイス製造メーカ)の製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例として露光装置202、レジスト処理装置203、成膜処理装置204が導入されている。なお図9では製造工場201は1つだけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置はLAN206で接続されてイントラネットを構成し、ホスト管理システム205で製造ラインの稼動管理がされている。
【0059】
一方、露光装置メーカ210、レジスト処理装置メーカ220、成膜装置メーカ230などベンダ(装置供給メーカ)の各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム211,221,231を備え、これらは上述したように保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム205と、各装置のベンダの管理システム211,221,231とは、外部ネットワーク200であるインターネットもしくは専用線ネットワークによって接続されている。このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダからインターネット200を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能であり、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。
【0060】
半導体製造工場に設置された各製造装置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリやハードディスク、あるいはネットワークファイルサーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフトウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例えば図10に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種401、シリアルナンバー402、トラブルの件名403、発生日404、緊急度405、症状406、対処法407、経過408等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネットを介して保守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能410〜412を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド(ヘルプ情報)を引出したりすることができる。ここで、保守データベースが提供する保守情報には、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最新のソフトウェアも提供する。
【0061】
次に上記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図11は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷(ステップ7)する。前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報がデータ通信される。
【0062】
図12は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【0063】
【発明の効果】
本発明は上述のとおり構成されているので、以下に記載するような効果を奏する。
【0064】
第1および第2のマークそれぞれについて、信号コントラストが十分な画像を用いての位置計測が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】マーク位置計測装置を有する半導体製造装置を示す図である。
【図2】マーク位置計測装置が計測するマークを示す図である。
【図3】本発明の第1の実施形態を示す図である。
【図4】本発明の第3の実施形態を示す図である。
【図5】本発明の第1の実施形態を示す処理フロー図である。
【図6】本発明の第2の実施形態を示す処理フロー図である
【図7】本発明の第3の実施形態を示す処理フロー図である。
【図8】本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図である。
【図9】本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図である。
【図10】ユーザインタフェースの具体例である。
【図11】デバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【図12】ウエハプロセスを説明する図である。
【図13】本発明の第4の実施形態を示す図である。
【図14】本発明の第5の実施形態を示す図である。
【符号の説明】
2:レチクル、2a:レチクルステージ、3:投影レンズ系、4:ウエハステージ、5:ウエハ、6:ステージ駆動系、6r:レチクルステージ駆動装置、6w:ウエハステージ駆動装置、7:アライメント検出系、8:ミラー、9:カメラ、11:画像処理装置、11a:画像メモリ、12:制御装置、13:同期信号発生器、14:レーザ照明系、15:ステージ基準マーク、16:レチクル基準マーク、17:ハーフミラー、21,31:指標マーク、20,30:指標マーク照明装置、22,32:ハーフミラー、101:ベンダの事業所、102,103,104:製造工場、105:インターネット、106:製造装置、107:工場のホスト管理システム、108:ベンダ側のホスト管理システム、109:ベンダ側のローカルエリアネットワーク(LAN)、110:操作端末コンピュータ、111:工場のローカルエリアネットワーク(LAN)、200:外部ネットワーク、201:製造装置ユーザの製造工場、202:露光装置、203:レジスト処理装置、204:成膜処理装置、205:工場のホスト管理システム、206:工場のローカルエリアネットワーク(LAN)、210:露光装置メーカ、211:露光装置メーカの事業所のホスト管理システム、220:レジスト処理装置メーカ、221:レジスト処理装置メーカの事業所のホスト管理システム、230:成膜装置メーカ、231:成膜装置メーカの事業所のホスト管理システム、401:製造装置の機種、402:シリアルナンバー、403:トラブルの件名、404:発生日、405:緊急度、406:症状、407:対処法、408:経過、410,411,412:ハイパーリンク機能。
Claims (17)
- 第1および第2のマークの位置を計測する位置計測装置であって、
前記第1および第2のマークの画像を検出する検出手段と、
前記検出手段により得られた画像信号を処理する処理手段と、
前記第1および第2のマークに関してそれぞれ信号強度が調整された少なくとも2つの画像信号が得られるように、前記検出手段および前記処理手段を制御する制御手段と
を有し、
前記制御手段は、前記少なくとも2つの画像信号のうち前記第1および第2のマークの一方に関する画像信号の信号累積度が他方に関する画像信号の信号累積度より大きくなるように、前記検出手段および前記処理手段を制御することを特徴とする位置計測装置。 - 前記検出手段は、前記第1および第2のマークを照明する照明系を含むことを特徴とする請求項1に記載の位置計測装置。
- 前記照明系は調光手段を含むことを特徴とする請求項2に記載の位置計測装置。
- 前記検出手段により得られた複数の画像信号が前記制御手段の制御下で前記処理手段により加算されることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の位置計測装置。
- 前記検出手段により得られた画像信号における前記第1および第2のマークの信号強度に基づいて、加算される前記複数の画像信号の数が決定されることを特徴とする請求項4に記載の位置計測装置。
- 前記処理手段による画像信号の加算により得られた画像信号における前記第1および第2のマークの一方の信号強度に基づいて、加算される前記複数の画像信号の数が決定されることを特徴とする請求項4に記載の位置計測装置。
- 前記検出手段による画像検出の蓄積時間が、前記制御手段の制御下で変更されることを特徴とする請求項1に記載の位置計測装置。
- 前記検出手段により得られた画像信号における前記第1および第2のマークの信号強度に基づいて、前記蓄積時間が変更されることを特徴とする請求項7に記載の位置計測装置。
- 前記第1および第2のマークは位置合わせされるべき2つの物体の上にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の位置計測装置。
- 前記第1および第2のマークの一方は前記検出手段内に形成されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の位置計測装置。
- 前記第1および第2のマークの位置は前記少なくとも2つの画像に基づいて得られることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の位置計測装置。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の位置計測装置を有し、物体にパターンを露光することを特徴とする露光装置。
- 前記第1および第2のマークの一方は前記物体に関係付けられていることを特徴とする請求項12に記載の露光装置。
- 前記物体にパターンを露光するための投影光学系を有し、前記検出手段は前記投影光学系を介して前記第1および第2のマークの一方を検出することを特徴とする請求項12または13に記載の露光装置。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の位置計測装置を用いて物体の位置合わせを行う位置合わせ工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
- 請求項12〜14のいずれかに記載の露光装置を用いて物体にパターンを露光する露光工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
- 第1および第2のマークの位置を計測する位置計測方法であって、
前記第1および第2のマークの画像を検出する検出工程と、
前記検出工程において得られた画像信号を処理する処理工程と、
前記第1および第2のマークに関してそれぞれ信号強度が調整された少なくとも2つの画像が得られるように、前記検出工程および前記処理工程を実行させる制御工程と
を有し、
前記制御工程において、前記少なくとも2つの画像信号のうち前記第1および第2のマークの一方に関する画像信号の信号累積度が他方に関する画像信号の信号累積度より大きくなるように、前記検出工程および前記処理工程を実行させることを特徴とする位置計測方法。
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